硅基負(fù)極技術(shù)與進(jìn)展_第1頁
硅基負(fù)極技術(shù)與進(jìn)展_第2頁
硅基負(fù)極技術(shù)與進(jìn)展_第3頁
硅基負(fù)極技術(shù)與進(jìn)展_第4頁
硅基負(fù)極技術(shù)與進(jìn)展_第5頁
已閱讀5頁,還剩38頁未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

山東石大勝華電極材料中心技術(shù)總監(jiān)2022年7月項(xiàng)目及公司介紹硅材料特性SiOx-C負(fù)極Si@C負(fù)極產(chǎn)業(yè)展望項(xiàng)目及公司介紹公司介紹 鋰電行業(yè)半導(dǎo)體行業(yè)鋰電行業(yè)半導(dǎo)體行業(yè)鋰電行業(yè)電解液配方開發(fā)、電解液溶劑、鋰鹽、添加劑硅基負(fù)極項(xiàng)目介紹SiOx-C量產(chǎn)線,Si@C開發(fā)線。SiOx-C量產(chǎn)線(在建30,000T/YSi@C量產(chǎn)線。還有導(dǎo)電劑、補(bǔ)鋰劑等。普通型SiOx-C(SH-P)高首效SiOx-C(H01S)高首效SiOx-C(H02)沉積法Si@C(HQ)硅基負(fù)極項(xiàng)目介紹IISiOx-C(SiOx-C(H02)團(tuán)隊(duì)建設(shè)及專利布局團(tuán)隊(duì)建設(shè)石大勝華制定博士、碩士等引進(jìn)計(jì)劃,組建了博士2人、碩士5人、本科10人、試驗(yàn)人員近40人組成的實(shí)力強(qiáng)、效率高、業(yè)務(wù)精的創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)專利布局已在國內(nèi)及國際PCT同步申請硅基負(fù)極核心專利,近期即將授權(quán),有望為廣大客戶提供知識產(chǎn)權(quán)支撐。硅材料特性硅材料簡介半導(dǎo)體材料最早于1926年半導(dǎo)體材料最早于1926年應(yīng)用于工業(yè)中,以Cu2O及Se(硒)為代表。硅是一種化學(xué)元素,英文名稱Silicon,化學(xué)符號是Si,舊稱矽,原子序數(shù)14,相對原子質(zhì)量28.0855,密度2.4g/cm3,熔點(diǎn)1414℃,沸點(diǎn)2355℃,元素周期表上IVA族的類金屬元素。按不同形態(tài)和純度來說,硅材料大致可以分為金屬硅、原生多晶硅、多晶硅、單晶硅和無定形硅五種同素異形體,晶體硅為鋼灰色,無定形硅為黃褐色。晶體硅屬于原子晶體,硬度為7,有半導(dǎo)體性質(zhì)。1940年,Ge開始應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè);1953年,Si開始逐漸替代包括Ge在內(nèi)的半導(dǎo)體材料。20世紀(jì)80年代至今20世紀(jì)80年代至今,Si元素成為半導(dǎo)體、光伏、鋰電等行業(yè)的關(guān)鍵角色,人類正式進(jìn)入硅基文明時(shí)代。硅材料性質(zhì)Si的晶格常數(shù)是0.54nm,密度為2.33x10-3Si的晶格常數(shù)是0.54nm,密度為2.33x10-3Si在室溫下的禁帶寬度為1.12eV;Si的折射率是3.4(5μm);Si同時(shí)是本征半導(dǎo)體和摻雜半導(dǎo)體;在固溶度上限之下,雜質(zhì)元素在Si晶體中通常以替位態(tài)和間隙態(tài)等形式存在;硅電阻率與雜質(zhì)濃度關(guān)系硅電阻率與雜質(zhì)濃度關(guān)系硅基負(fù)極主要種類負(fù)Si-CSi-CSiOx-CAB多孔結(jié)構(gòu)DSi薄膜結(jié)構(gòu)硅基負(fù)極EIS因素及對策對策n增強(qiáng)硅基復(fù)合材料與電極之間的導(dǎo)電性;n抑制充放電過程中活性材料顆粒與鋰反應(yīng)時(shí)因體積膨脹而導(dǎo)致的電極破碎;n全新的界面修飾與人工SEI開發(fā);n緩沖硅基載體的開發(fā)。SEI對策n增強(qiáng)硅基復(fù)合材料與電極之間的導(dǎo)電性;n抑制充放電過程中活性材料顆粒與鋰反應(yīng)時(shí)因體積膨脹而導(dǎo)致的電極破碎;n全新的界面修飾與人工SEI開發(fā);n緩沖硅基載體的開發(fā)。硅材料嵌鋰的體積帶來:1)電極活性材料破碎、粉化,活性物質(zhì)與集流體脫離,失去電接觸;2)SEI膜破裂,新裸露出的硅顆粒表面不斷形成新的SEI膜,導(dǎo)致鋰離子損耗加劇,容量急速衰減。風(fēng)險(xiǎn)硅基負(fù)極機(jī)理因素界面構(gòu)型22原子密排&鍵密度硅基負(fù)極作為電極材料,類似于極片I/O值的計(jì)算,硅基負(fù)極單顆粒的(111)面間距最大,鍵密度最?。?密度最大原子密排&鍵密度硅基負(fù)極作為電極材料,類似于極片I/O值的計(jì)算,硅基負(fù)極單顆粒的(111)面間距最大,鍵密度最??; 密度最大110)面居 中。因此,膨脹及晶相轉(zhuǎn)和(110)面的斷裂解理。33顆粒設(shè)計(jì)微觀上,準(zhǔn)晶-非晶兩相成為行業(yè)共識;宏觀上,顆粒形貌、粒徑、比表等成為不同硅基負(fù)極調(diào)控的基礎(chǔ)因素,不同硅基負(fù)極應(yīng)根據(jù)下游場景進(jìn)行相應(yīng)設(shè)計(jì)。SiOx-C負(fù)極SiOx-C負(fù)極.原料SiOx-C負(fù)極主要原料為SiO,外表呈灰黑色多晶體,質(zhì)硬而脆,通過以下工序制得:SiO蒸汽在冷凝器中結(jié)晶SiO蒸汽在冷凝器中結(jié)晶,取出,即得到塊狀SiO原料。o-------------------------------------a混合好的金屬硅&二氧化硅在1100-1400℃條件下冷凝升華升華將金屬硅、二氧化硅破磨至一定粒徑,混將金屬硅、二氧化硅破磨至一定粒徑,混合均勻。原料勝華SiOx-C性能勝華SiOx-C性能我司產(chǎn)品0203國外友商產(chǎn)品國內(nèi)友商產(chǎn)品我司顆粒表面致密納米包覆層。修飾層完整、均勻、致密。勝華SiOx-C性能030203勝華SiOx-C性能(H01)勝華SiOx-C性能(H02)產(chǎn)業(yè)展望產(chǎn)業(yè)展望電動工具:電動工具:2170n全球電動工具鋰電市場:2025年有望超500億元,負(fù)極按成本占比折算為80億元。n電動工具鋰電池未來有以下發(fā)展方向:無繩電動工具占據(jù)主流,鋰電池取代鎳鎘/鎳氫電池;硅基材料在電動工具電池領(lǐng)域開始量產(chǎn)應(yīng)用,NCM811/NCA+硅基材料路線將實(shí)現(xiàn)更高倍率與更耐高低溫產(chǎn)品的上市。動力電池:4680動力電池:4680n硅基負(fù)極(SiOx-C)摻混量可能從10%提升到15%或20%。按目前添加量10%計(jì)算,1GW的4680電池大概需要消耗750噸左右的硅基負(fù)極材料,能量密度大概在270WH/kg左右;未來隨著硅基負(fù)極技術(shù)進(jìn)步、成本的降低以及電池制程的提升,應(yīng)用面將更加廣泛;n國內(nèi)外主流鋰電池廠商大部分已進(jìn)行鋰能,比克等均已進(jìn)行產(chǎn)線建設(shè)。產(chǎn)業(yè)展望Si@C基負(fù)極SiOx基負(fù)極SiOx基負(fù)極產(chǎn)業(yè)鏈成熟,性能逐年且各種預(yù)鋰化技術(shù)進(jìn)展迅速,成為可見期內(nèi)的主流產(chǎn)品。厚積薄發(fā),技術(shù)已取得一定

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評論

0/150

提交評論