CCS31.080.01ICSL40SZAA車身域控制器場(chǎng)效應(yīng)管負(fù)載能力試驗(yàn)方法TestMethodforLoadCapacityofFieldEffectTransistorinVehicleDomain深圳自動(dòng)化學(xué)會(huì)發(fā)布IT/SZAA001—2024 2規(guī)范性引用文件 3術(shù)語(yǔ)和定義 4分類、參數(shù)要求及封裝 5技術(shù)要求 6檢測(cè)方法 7包裝、貯存、標(biāo)識(shí)要求 8標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施的過(guò)渡期要求 T/SZAA001—2024本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任。本文件由深圳自動(dòng)化學(xué)會(huì)提出并歸口。本文件由深圳自動(dòng)化學(xué)會(huì)負(fù)責(zé)解釋。本文件起草單位：比亞迪汽車工業(yè)有限公司、蘇州納芯微電子股份有限公司、拓爾微電子股份有限公司、深圳自動(dòng)化學(xué)會(huì)、揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司、杭州瑞盟科技股份有限公司、無(wú)錫新潔能股份有限公司、杭州士蘭微電子股份有限公司、江蘇捷捷微電子股份有限公司、江蘇長(zhǎng)晶科技股份限公司。本文件主要起草人：吳世杰、方舟、魏榮峰、賀艷萍、錢仕峰、趙錚、童鑫、應(yīng)宇文、周宏偉、劉本文件首批承諾執(zhí)行單位：比亞迪汽車工業(yè)有限公司、蘇州納芯微電子股份有限公司、拓爾微電子股份有限公司、揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司、杭州瑞盟科技股份有限公司、無(wú)錫新潔能股份有限公司、杭州士蘭微電子股份有限公司、江蘇捷捷微電子股份有限公司、江蘇長(zhǎng)晶科技股份有限公司。1T/SZAA001—2024車身域控制器場(chǎng)效應(yīng)管負(fù)載能力試驗(yàn)方法本文件規(guī)定了乘用車及商用車車身域控制器場(chǎng)效應(yīng)管的分類、參數(shù)要求及封裝、技術(shù)要求、檢測(cè)方法、包裝、貯存、標(biāo)識(shí)要求。本文件適用于乘用車及商用車的車身域控制器場(chǎng)效應(yīng)管負(fù)載能力檢測(cè)，其它非乘用車及商用車的車身域控制器場(chǎng)效應(yīng)管負(fù)載能力檢測(cè)參照?qǐng)?zhí)行。2規(guī)范性引用文件下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T191—2008包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志GB/T5465.2—2008電氣設(shè)備用圖形符號(hào)第2部分：圖形符號(hào)GB/T30512—2014汽車禁用物質(zhì)要求GB/T2900.32—1994電工術(shù)語(yǔ)電力半導(dǎo)體器件GJB3164—1998半導(dǎo)體分立器件包裝規(guī)范IEC60191-6-2009半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化第6部分表面安裝的半導(dǎo)體器件封裝外形圖紙制備的一般規(guī)則（MechanicalStandardizationofSemiconductorDevices-Part6:GeneralRulesForthePreparationofOutlineDrawingsofSurfaceMountedSemiconductorDevicePackages）IEC60747-82021半導(dǎo)體器件分立器件第8部分：場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SemiconductordevicesDiscretedevices-Part8:Field-effecttransistors）JESD51-1集成電路的熱測(cè)試方法（IntegratedCircuitsThermalMeasurementMethod）JESD51-14一維傳熱路徑下半導(dǎo)體器件結(jié)殼熱阻瞬態(tài)雙界面測(cè)試法（TransientDualInterfaceTestMethodfortheMeasurementoftheThermalResistanceJunctiontoCaseofSemiconductorDeviceswithHeatFlowThroughaSingePath）AEC-Q101-Rev-E基于分立半導(dǎo)體應(yīng)力測(cè)試認(rèn)證的失效機(jī)理（FailureMechanismBasedStressTestQualificationforDiscreteSemiconductorsinAutomotiveApplications）ANSI/ESDS20.20-2021版靜電控制標(biāo)準(zhǔn)3術(shù)語(yǔ)和定義下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。3.1MOSFETMOSFET是Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor的縮寫，中文名為金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種單極型器件，具有柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source），簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管或MOS管。3.2NMOSN型金屬-氧化物-半導(dǎo)體（N-typemetaloxidesemiconductor），N型功率MOSFET導(dǎo)電溝道為N2T/SZAA001—2024型，通過(guò)電子移動(dòng)導(dǎo)電，主回路電流方向?yàn)槁O指向源極，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差（G電位比S電位高），Source端一般接地（低邊驅(qū)動(dòng)）。3.3PMOSP型金屬-氧化物-半導(dǎo)體（P-typemetaloxidesemiconductor），P型功率MOSFET導(dǎo)電溝道為P型，通過(guò)空穴進(jìn)行導(dǎo)電，主回路電流方向?yàn)樵礃O指向漏極，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差（S電位比G電位高），Source端一般接VDD（高邊驅(qū)動(dòng)）。3.4柵極Gate，簡(jiǎn)稱G極。MOS管的控制端。在G極施加驅(qū)動(dòng)電壓可控制MOS管開啟、關(guān)閉。3.5源極Source，簡(jiǎn)稱S極。源極是控制柵極電場(chǎng)的參考點(diǎn)。改變柵極和源極之間的電壓，可控制源極和漏極之間的電流流動(dòng)。3.6漏極Drain，簡(jiǎn)稱D極。相對(duì)于源極，是電流流經(jīng)的另一個(gè)端口。對(duì)于N型功率MOS管，電流方向?yàn)槁O指向源極，對(duì)于P型功率MOS管，電流方向?yàn)樵礃O指向漏極。3.7溫度循環(huán)TemperatureCycling，高溫與低溫循環(huán)交替作用下測(cè)試器件機(jī)械應(yīng)力。3.8絕對(duì)最大限值-VDS耐壓VGS=0V時(shí)，漏源兩極未發(fā)生擊穿前所能施加的最大電壓。為確保MOS管的功能正常，在漏源兩極施加的電壓，應(yīng)控制在此電壓值范圍內(nèi)。3.9絕對(duì)最大限值-VGS耐壓柵源兩級(jí)間可以施加的正負(fù)最大電壓。為確保MOS管的功能正常，在柵源兩極施加的電壓，應(yīng)控制在此電壓值范圍內(nèi).3.10絕對(duì)最大限值-持續(xù)帶載ID指在MOS管殼溫為25℃或者更高溫度，保證MOS管不超過(guò)其最大額定結(jié)溫的條件下，可通過(guò)的最大持續(xù)直流電流。如果流過(guò)的電流超過(guò)該值，會(huì)有MOS管擊穿的風(fēng)險(xiǎn)。3.11絕對(duì)最大限值-脈沖帶載IDM3T/SZAA001—2024在一定脈沖條件下（規(guī)格書標(biāo)識(shí)），MOS管的漏極能承受的最大脈沖電流值，并在此沖擊后MOS管的功能和性能正常。此參數(shù)會(huì)受脈沖寬度和占空比等的制約，反映了器件可處理的脈沖電流的高低，脈沖電流要遠(yuǎn)高于連續(xù)的直流電流，超過(guò)此值，MOS管面臨損壞.3.12絕對(duì)最大限值-雪崩電流IAS在MOS管關(guān)斷時(shí)，由于系統(tǒng)電路中存在寄生電感，寄生電感中所存儲(chǔ)的能量需要通過(guò)MOS管以雪崩擊穿的形式進(jìn)行泄放，其可承受的最大電流，超過(guò)此值，MOS管面臨損壞。3.13絕對(duì)最大限值-雪崩能量EASEAS表示MOS管可承受的最大單次脈沖雪崩擊穿能量值。雪崩擊穿能量決定了MOS管可以容忍瞬間承受雪崩電流的安全值。3.14絕對(duì)最大限值-結(jié)溫TJTJ(結(jié)溫)(JunctionTemperature)，指MOS管芯片內(nèi)部PN結(jié)的溫度。其受MOS管工作時(shí)所能承受的最高溫度限制，超過(guò)這個(gè)溫度可能會(huì)導(dǎo)致器件性能下降、損壞甚至效。3.15絕對(duì)最大限值-結(jié)溫TSTGTSTG是指存儲(chǔ)或運(yùn)輸MOS管的溫度范圍，是存儲(chǔ)的限定溫度值。MOS管在此溫度范圍內(nèi)儲(chǔ)藏后對(duì)MOS管的功能、性能不受影響。3.16絕對(duì)最大限值-耗散功率PDPD表示最大耗散功率，是指MOS管的功能和性能正常時(shí)所能承受的最大漏源耗散功率。其計(jì)算公式為：PD=，其中R?JC代表結(jié)-殼熱阻。3.17電氣特性-擊穿電壓V(BR)DSS指在規(guī)定的溫度和柵源短接情況下，在漏源兩極施加電壓，當(dāng)漏源電流達(dá)到規(guī)定值時(shí)的漏源電壓值。3.18電氣特性-漏源漏電流IDSS指在規(guī)定的溫度和柵源短接情況下，在漏源兩極施加電壓所產(chǎn)生的漏源電流。3.19電氣特性-柵極漏電流IGSS指在規(guī)定的溫度和漏源短接情況下，在柵源兩極施加電壓所產(chǎn)生的柵源電流。3.20電氣特性-閾值電壓VGS(th)指在規(guī)定的溫度和柵漏短接情況下，在柵源兩極施加電壓，當(dāng)漏源電流達(dá)到一定值時(shí)的柵源電壓值。4T/SZAA001—2024VGs(th)是負(fù)溫度系數(shù)，當(dāng)溫度上升時(shí)，MOS管的柵源閾值電壓會(huì)降低。3.21電氣特性-導(dǎo)通內(nèi)阻RDS(ON)指在規(guī)定的溫度和柵極驅(qū)動(dòng)電壓下，當(dāng)漏源電流達(dá)到特定值時(shí)所測(cè)得的漏源電阻。3.22電氣特性-跨導(dǎo)GFSGFS表示正向跨導(dǎo)，漏極電流變化量與柵源電壓變化量的比值，反映的是柵極電壓對(duì)漏源電流控制的能力。3.23電氣特性-體二極管導(dǎo)通壓降VSD指在規(guī)定的溫度和柵源短接的情況下，在源漏兩極施加電壓，當(dāng)源漏電流達(dá)到一定值時(shí)，所測(cè)得的源漏兩極的壓降。3.24電氣特性-體二極管帶載電流IS指在規(guī)定的溫度和柵源短接的情況下，流經(jīng)源漏兩極的最大可承受電流。超過(guò)該規(guī)定值時(shí)，MOS管功能、性能會(huì)下降。3.25結(jié)電容3.25.1輸入電容Ciss漏極對(duì)源極交流短路時(shí)，柵極與源極之間的電容。3.25.2輸出電容Coss柵極對(duì)源極交流短路時(shí)，漏極和源極之間的電容。3.25.3反向傳輸電容Crss漏極和柵極之間的電容。3.26柵極電阻Rg柵極和源極之間的內(nèi)部電阻值。3.27柵極電荷3.27.1柵極總電荷量Qg使柵極電壓從0V上升到指定電壓所需要的柵極電荷量。3.27.2柵極-源極電荷量Qgs使柵極電壓從0V上升到柵極穩(wěn)定電壓(米勒平臺(tái))所需要的電荷量。5T/SZAA001—20243.27.3柵極-漏極電荷量Qgd米勒平臺(tái)開始到結(jié)束所需的電荷量。3.28開關(guān)時(shí)間3.28.1導(dǎo)通延遲時(shí)間td(on)柵極電壓上升到設(shè)定電壓的10%后，到漏極電壓下降到設(shè)定電壓的90%之間的時(shí)間。3.28.2關(guān)斷延時(shí)td(off)柵極電壓下降到設(shè)定電壓的90%后，到漏極電壓上升到設(shè)定電壓的10%之間的時(shí)間。3.28.3上升時(shí)間tr漏極電壓從設(shè)定電壓的90%下降到10%所需要的時(shí)間。3.28.4下降時(shí)間tf漏極電壓從設(shè)定電壓的10%上升到90%所需要的時(shí)間。3.29反向恢復(fù)時(shí)間trr指定測(cè)量條件下，內(nèi)部二極管的反向恢復(fù)電流消失所需要的時(shí)間。3.30反向恢復(fù)時(shí)間Qrr指定測(cè)量條件下，內(nèi)部二極管的反向恢復(fù)電流消失所需要的電荷量。3.31FR4材質(zhì)FR4材質(zhì)是一種火焰阻燃級(jí)別為4的玻璃纖維增強(qiáng)環(huán)氧樹脂材料的簡(jiǎn)稱，具有較高阻燃性能。此種材料是由玻璃纖維布浸漬環(huán)氧樹脂后，再覆上銅箔加工而成，常被用作PCB基板材料。其中FR4全稱為FlameRetardantGrade4，是一種阻燃型環(huán)氧玻璃布基覆銅板的等級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，根據(jù)國(guó)際電工委員會(huì)（IEC）標(biāo)準(zhǔn)，F(xiàn)R-4級(jí)別為4表示材料的垂直燃燒速率小于或等于30毫米/分鐘。3.32可靠性項(xiàng)目術(shù)語(yǔ)及定義（AEC-Q101）應(yīng)符合表1的規(guī)定。6T/SZAA001—2024表1可靠性項(xiàng)目術(shù)語(yǔ)及定義12WireBondPullStrength34DestructivePhysicalAnaly567ESD-HBMCharacteriz8ESD-CDMCharacteriz9HighlyAcceleratedStressTHighHumidityHighTemp.ReverseBHighTemperatureGateBHighTemperatureReverseBiMechanicalShockParametricVerificatPowerTemperatureCycPre-andPost-StressElectrical應(yīng)力測(cè)試前后功能參數(shù)7T/SZAA001—20244分類參數(shù)要求及封裝4.1產(chǎn)品分類4.1.1按導(dǎo)電溝道形成機(jī)理分類車身域使用的控制器場(chǎng)效應(yīng)管按照導(dǎo)電溝道形成機(jī)理分類，一般分為以下兩類：a）增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管；b）耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管。4.1.2按導(dǎo)電載流子的帶電極性分類車身域控制器使用場(chǎng)效應(yīng)管按照導(dǎo)電載流子的帶電極性分類，一般分為以下兩類：a)N溝道場(chǎng)效應(yīng)管；b)P溝道場(chǎng)效應(yīng)管。4.2參數(shù)要求a)不同品牌提供產(chǎn)品規(guī)格書參數(shù)部分應(yīng)包含：絕對(duì)最大限制，電氣特性，熱阻特性及封裝信息；b)產(chǎn)品規(guī)格書提供的參數(shù)部分格式允許不同。4.3產(chǎn)品封裝a)封裝信息，MOS管的各項(xiàng)物理參數(shù)都可以找到對(duì)應(yīng)值，包括長(zhǎng)、寬、高、引腳尺寸、引腳間距、焊盤尺寸等具體數(shù)值及公差；b)封裝絲印信息，應(yīng)顯現(xiàn)廠家、型號(hào)、生產(chǎn)批次、極性或方向，絲印內(nèi)容應(yīng)清晰，完整，無(wú)模糊，缺劃，重影等現(xiàn)象。5技術(shù)要求5.1參數(shù)描述符號(hào)描述要求應(yīng)符合表2，關(guān)鍵參數(shù)選用要求應(yīng)符合表3。表2符號(hào)描述要求符號(hào)描述(2)D(3)S柵極4G柵極（Gate）D漏極（Drain）S8T/SZAA001—2024表3關(guān)鍵參數(shù)選用要求漏極-源極耐壓Drain-SourceVoltageVDSV柵極-源極耐壓Gate-SourceVoltageVGSV柵極閾值電壓（注4）GateThresholdVoltageVGS(th)V最大連續(xù)電流DrainCurrent-ContinuousIDA最大連續(xù)工作電流DrainCurrent-Continuous(TC=100℃)ID(100℃)A漏極脈沖電流PulsedDrainCurrentIDMA導(dǎo)通內(nèi)阻（注3）Drain-SourceOn-StateResistanceRDS(ON)m?最大耗散功率MaximumPowerDissipationPDW單脈沖雪崩能量（注1）SinglepulseavalancheenergyEASmJ工作結(jié)溫和儲(chǔ)存溫度范圍OperatingJunctionandStorageTemperatureRangeTJ,TSTG-55~175℃結(jié)-殼熱阻ThermalResistance,Junction-to-caseRθJC℃/W結(jié)-環(huán)境熱阻（注2）ThermalResistance,Junction-to-ambientRθJA℃/W注：1.EAScondition測(cè)試條件：起始溫度TJ=25℃,VDD=20V,VG=10V,L=0.5mH,Rg=25?;2.SurfaceMountedonFR4Board表面安裝在FR4板上,t≤10秒；3.VGS=10V,ID=20A；4.VDS=VGS,ID=250μA。5.1.1電氣特性-動(dòng)態(tài)特性一般規(guī)格書中涉及的動(dòng)態(tài)特性參數(shù)包括結(jié)電容、柵極電荷、開關(guān)時(shí)間等，具體如下。5.1.1.1結(jié)電容(Ciss、Coss、Crss)a）輸入電容Ciss：在漏、源兩極施加一定電壓，柵、源兩極施加一定幅值的交流信號(hào)時(shí)，測(cè)出的柵、源兩極的內(nèi)部電容，即Ciss=Cgs+Cgd,且Cgs>>Cgd。在實(shí)際電路應(yīng)用中，降低驅(qū)動(dòng)電路的輸出9T/SZAA001—2024阻抗，提高驅(qū)動(dòng)電流，提高Ciss的充放電速度，才能加快MOS管的導(dǎo)通、關(guān)斷時(shí)間。b）輸出電容Coss:柵、源兩極電壓為零，漏、源兩極施加一定幅值的交流信號(hào)時(shí)，測(cè)出的漏、源兩極的內(nèi)部電容，即Coss=Cds+Cgd。在實(shí)際電路應(yīng)用中，Coss可能會(huì)引起電路的諧振。c）反向傳輸電容Crss：在源極接地時(shí)，漏、柵兩極施加一定幅值的交流信號(hào)時(shí)，測(cè)出的漏、柵之間的電容，也稱為米勒電容，即Crss=Cgd此參數(shù)影響MOS管的開啟、關(guān)斷延時(shí)以及上升、下降時(shí)間。d）柵極電阻Rg：MOS管柵極內(nèi)部寄生電阻。SiO2Source·CgsRgGate·SourceRwpCgdp+pCdsRdn-n-nn+n+DrainD S圖1MOS內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖圖2符號(hào)示意圖5.1.1.2柵極電荷(Qg、Qgs、Qgd)a）柵極總電荷量Qg：指對(duì)Ciss充電，柵極電壓由0V達(dá)到一定驅(qū)動(dòng)電壓VGS所需的總電荷量；b）柵-源電荷量Qgs：指對(duì)Ciss充電，柵極電壓由0V達(dá)到米勒平臺(tái)所需的電荷量；c）柵-漏電荷量Qgd：指對(duì)Crss充電，米勒平臺(tái)開始到結(jié)束所需的電荷量；Qg的大小與柵極電壓有關(guān)，Qgs的大小與漏極電流有關(guān)，Qgd的大小與漏源電壓有關(guān)。通常MOS管規(guī)格書中此值的測(cè)試條件為：Vgs=10V,Vds=耐壓的50%，Id與RDS(ON)電流一致。5.1.1.3開關(guān)特性一般規(guī)格書中涉及的開關(guān)特性參數(shù)(注：不同廠商判斷條件不同)有如下：a）導(dǎo)通延時(shí)td(on)：是指從VGS電壓上升到設(shè)定電壓的10%時(shí)到VDS電壓下降到設(shè)定電壓的90%時(shí)經(jīng)歷的時(shí)間，或者指從VGS電壓上升到設(shè)定電壓的10%時(shí)到ID電流上升到設(shè)定電流的10%時(shí)經(jīng)歷的b）關(guān)斷延時(shí)td(off)：是指從VGS電壓下降到設(shè)定電壓的90%時(shí)到VDS電壓上升到設(shè)定電壓的10%時(shí)經(jīng)歷的時(shí)間，或者指從VGS電壓下降到設(shè)定電壓的90%時(shí)到ID下降到設(shè)定電流的90%時(shí)經(jīng)歷的時(shí)間。c）上升時(shí)間tr：是指VDS電壓從設(shè)定電壓的90%下降到10%時(shí)經(jīng)歷的時(shí)間，或者指ID電流從設(shè)定電流的10%上升到90%時(shí)經(jīng)歷的時(shí)間。d）下降時(shí)間tf：是指VDS電壓從設(shè)定電壓的10%上升到90%時(shí)經(jīng)歷的時(shí)間，或者指ID電流從設(shè)定電流的90%下升到10%時(shí)經(jīng)歷的時(shí)間。f）trr、Qrr：表示體二極管的反向恢復(fù)時(shí)間，反向恢復(fù)電荷量。是指在規(guī)定的測(cè)試條件下，內(nèi)部寄生二極管的反向恢復(fù)電流消失所需要的時(shí)間、電荷量。T/SZAA001—2024 QgQgsQgd QgQgsQgdtttttttttttt圖3電荷量與Vgs的示意圖圖4Vds與Vgs5.1.2熱阻特性一般規(guī)格書中涉及的熱阻特性有兩種，如下：a）RθJA：表示MOS管內(nèi)部結(jié)到外部環(huán)境的熱阻，指結(jié)溫TJ-工作環(huán)境溫度TA與功率之比；b）RθJC：表示MOS管內(nèi)部結(jié)到外殼的熱阻，指結(jié)溫TJ-殼溫Tc與功率之比。θjaθjaθjtθjc圖5MOS熱阻測(cè)試原理圖5.1.3散熱性能要求表4散熱性能要求R?JCR?JA注釋：表中熱阻限值適用于封裝尺寸不大于5mm×6mm。5.1.3.1結(jié)-殼熱阻(R?JC)R?JC結(jié)-殼熱阻是由芯片至漏極的殼面焊錫固面層的熱阻所決定。5.1.3.2結(jié)-環(huán)境熱阻(R?JA)R?JA結(jié)-環(huán)境熱阻是由芯片至漏極的殼面焊錫封固面層的熱阻再至環(huán)境所決定的。R?JA一般基于1平方英寸、2盎司敷銅的FR4板上測(cè)得，不同的板材和測(cè)試環(huán)境對(duì)R?JA測(cè)試結(jié)果有較大的影響。5.2外觀要求T/SZAA001—20245.2.1外觀質(zhì)量要求車身域控制器用場(chǎng)效應(yīng)管外觀質(zhì)量要求應(yīng)符合表5規(guī)定。表5外觀質(zhì)量要求5.2.2尺寸規(guī)格及偏差車身域控制器用場(chǎng)效應(yīng)管一般選用PDFN5×6-8L封裝，選用時(shí)提供尺寸允許偏差應(yīng)符合表6規(guī)定，相關(guān)內(nèi)容不少于以下信息。表6尺寸允許偏差表E1ELE3E2E4AFbVIEW"A"Max10°Φ1E1ELE3E2E4AFbVIEW"A"Max10°Φ1DD2xD2TopView1REFTopViewD1BottomView A1SideViewAbCdDT/SZAA001—2024續(xù)表6尺寸容許偏差表eEF----LK注：TopView：俯視圖(電路正面)；BottomView：底視圖(電路反面)；SideView：側(cè)視圖(電路側(cè)面)。6檢測(cè)方法6.1檢測(cè)環(huán)境檢測(cè)環(huán)境條件分為基準(zhǔn)條件和一般條件，具體參數(shù)應(yīng)滿足表7的要求。一般情況下，基準(zhǔn)條件下的試驗(yàn)結(jié)果更具備代表性。/6.2試樣處理試樣處理應(yīng)滿足以下要求：a）按照AEC-Q101-Rev–E標(biāo)準(zhǔn)驗(yàn)證：驗(yàn)證數(shù)量3個(gè)批次，每個(gè)批次77顆；不同項(xiàng)目具體參考表b）按照ANSI/ESDS20.20-2021版靜電控制標(biāo)準(zhǔn)對(duì)試樣進(jìn)行靜電防護(hù)，避免損壞器件影響檢測(cè)結(jié)果；c）無(wú)特殊要求樣品應(yīng)貼裝于FR4材質(zhì)，1平方英寸2oZ銅皮的印刷電路板上進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。6.3實(shí)驗(yàn)框圖實(shí)驗(yàn)應(yīng)滿足圖6至圖9要求。DNMOSGST/SZAA001—2024DNMOSGSSPMOSGD圖6晶體管特性測(cè)試儀DGSSa）NMOS直流可調(diào)電源示波器電流探頭直流可調(diào)電源SPMOS電壓探頭GD 電子負(fù)載b）PMOS圖7導(dǎo)通內(nèi)阻測(cè)試布局圖T/SZAA001—2024DGSSPMOS點(diǎn)溫計(jì)直流可調(diào)電源GDa）NMOSb）PMOS圖8VSD測(cè)試LHSWIDDUTRGa）測(cè)試電路圖V(BR)effIIDIDb）波形圖圖9UIS測(cè)試電路和波形圖6.4驗(yàn)證流程應(yīng)符合圖10的規(guī)定。圖10驗(yàn)證流程T/SZAA001—20246.5通用測(cè)試應(yīng)符合表8規(guī)定。表8通用測(cè)試參數(shù)1V極間電壓即為V23V開啟電壓極間電壓即為V45柵極耐壓BB6=10V7R8V9EE=0.5×IoLT/SZAA001—2024續(xù)表8通用測(cè)試參