CCS31.080.01ICSL40

SZAA深 圳 自 動 化 學 會 團 體 標 準T/SZAA001—2024車身域控制器場效應管負載能力試驗方法TestMethodforLoadCapacityofFieldEffectTransistorinVehicleDomainController2024-11-14發(fā)布 2024-11-30實施深圳自動化學會 發(fā)布T/SZAA001—2024T/SZAA001—2024PAGE\*ROMANPAGE\*ROMANII目 次前??言 II范圍 1規(guī)范性引用文件 1術(shù)語和定義 1分類、參數(shù)要求及封裝 7技術(shù)要求 7檢測方法 12包裝、貯存、標識要求 23標準實施的過渡期要求 23前??言本文件按照GB/T1.1—2020《標準化工作導則第1部分：標準化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別專利的責任。本文件由深圳自動化學會提出并歸口。本文件由深圳自動化學會負責解釋。本文件起草單位：比亞迪汽車工業(yè)有限公司、蘇州納芯微電子股份有限公司、拓爾微電子股份有限T/SZAA001—2024T/SZAA001—2024PAGEPAGE10車身域控制器場效應管負載能力試驗方法范圍規(guī)范性引用文件GB/T191—2008 包裝儲運圖示標志GB/T5465.2—2008 電氣設(shè)備用圖形符號 第2部分：圖形符號GB/T30512—2014 汽車禁用物質(zhì)要求GB/T2900.32—1994 電工術(shù)語 電力半導體器GJB3164—1998 半導體分立器件包裝規(guī)范IEC60191-6-20096部分表面安裝的半導體器件封裝外形圖紙制備的一般規(guī)則（MechanicalStandardizationofSemiconductorDevicesPart6GeneralRulesForthePreparationofOutlineDrawingsofSurfaceMountedSemiconductorDevicePackages）IEC60747-82021半導體器件分立器件第8（SemiconductordevicesDiscretedevices-Part8:Field-effecttransistors）JESD51-1集成電路的熱測試方法（IntegratedCircuitsThermalMeasurementMethod）JESD51-14一維傳熱路徑下半導體器件結(jié)殼熱阻瞬態(tài)雙界面測試法（TransientDualInterfaceTestMethodfortheMeasurementoftheThermalResistanceJunctiontoCaseofSemiconductorDeviceswithHeatFlowThroughaSingePath）AEC-Q101-Rev-E基于分立半導體應力測試認證的失效機理（FailureMechanismBasedStressTestQualificationforDiscreteSemiconductorsinAutomotiveApplications）ANSI/ESDS20.20-2021版靜電控制標準術(shù)語和定義下列術(shù)語和定義適用于本文件。MOSFETMOSFETMetal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistorMOSNMOSN型金屬-氧化物-半導體（N-typemetaloxidesemiconductor），N型功率MOSFET導電溝道為NVGS（GS電位高），Source（低邊驅(qū)動）。PMOSP（P-typemetaloxidesemiconductor），PMOSFETPVGS（SG電位高），SourceVDD（高邊驅(qū)動）。柵極Gate，簡稱G極。MOS管的控制端。在G極施加驅(qū)動電壓可控制MOS管開啟、關(guān)閉。源極S漏極DrainDNMOSPMOS溫度循環(huán)TemperatureCycling，高溫與低溫循環(huán)交替作用下測試器件機械應力。絕對最大限值-VDS耐壓V=0VMOS絕對最大限值-VGS耐壓MOS絕對最大限值-持續(xù)帶載IDMOS25MOSMOS絕對最大限值-脈沖帶載IDM（規(guī)格書標識MOS絕對最大限值-雪崩電流IASMOSMOS絕對最大限值-雪崩能量EASEASMOSMOS絕對最大限值-結(jié)溫TJTJ(結(jié)溫)(JunctionTemperatureMOSPNMOS絕對最大限值-結(jié)溫TSTGTSTGMOSMOSMOS管的功能、性能不受影響。絕對最大限值-耗散功率PDPD表示最大耗散功率，是指MOS管的功能和性能正常時所能承受的最大漏源耗散功率。其計算公式為：PD

=TJmax?TC，其中RRθjc

?JC

代表結(jié)-殼熱阻。電氣特性-擊穿電壓V(BR)DSS指在規(guī)定的溫度和柵源短接情況下，在漏源兩極施加電壓，當漏源電流達到規(guī)定值時的漏源電壓值。電氣特性-漏源漏電流IDSS指在規(guī)定的溫度和柵源短接情況下，在漏源兩極施加電壓所產(chǎn)生的漏源電流。電氣特性-柵極漏電流IGSS指在規(guī)定的溫度和漏源短接情況下，在柵源兩極施加電壓所產(chǎn)生的柵源電流。電氣特性-閾值電壓VGS(th)指在規(guī)定的溫度和柵漏短接情況下，在柵源兩極施加電壓，當漏源電流達到一定值時的柵源電壓值。VGs(th)是負溫度系數(shù)，當溫度上升時，MOS管的柵源閾值電壓會降低。電氣特性-導通內(nèi)阻RDS(ON)指在規(guī)定的溫度和柵極驅(qū)動電壓下，當漏源電流達到特定值時所測得的漏源電阻。GSGFS表示正向跨導，漏極電流變化量與柵源電壓變化量的比值，反映的是柵極電壓對漏源電流控制的能力。電氣特性-體二極管導通壓降VSD電氣特性-體二極管帶載電流IS結(jié)電容輸入電容Ciss漏極對源極交流短路時，柵極與源極之間的電容。輸出電容Coss柵極對源極交流短路時，漏極和源極之間的電容。反向傳輸電容Crss漏極和柵極之間的電容。柵極電阻Rg柵極和源極之間的內(nèi)部電阻值。柵極電荷Qg使柵極電壓從0V上升到指定電壓所需要的柵極電荷量。Qgs使柵極電壓從0V上升到柵極穩(wěn)定電壓(米勒平臺)所需要的電荷量。Qgd米勒平臺開始到結(jié)束所需的電荷量。開關(guān)時間)柵極電壓上升到設(shè)定電壓的10%后，到漏極電壓下降到設(shè)定電壓的90%之間的時間。t)柵極電壓下降到設(shè)定電壓的90%后，到漏極電壓上升到設(shè)定電壓的10%之間的時間。tr漏極電壓從設(shè)定電壓的90%下降到10%所需要的時間。tf漏極電壓從設(shè)定電壓的10%上升到90%所需要的時間。反向恢復時間trr指定測量條件下，內(nèi)部二極管的反向恢復電流消失所需要的時間。反向恢復時間Qrr指定測量條件下，內(nèi)部二極管的反向恢復電流消失所需要的電荷量。FR4材質(zhì)FR44PCBFR4RetardantGrade（IEC）標準，F(xiàn)R-4430/分鐘?？煽啃皂椖啃g(shù)語及定義（AEC-Q101）應符合表1的規(guī)定。表1 可靠性項目術(shù)語及定義序號縮略語全稱中文說明1ACAutoclave高溫蒸煮試驗2WBPWireBondPullStrength引線鍵合拉力3WBSWireBondshearstrength引線鍵合剪切力4DPADestructivePhysicalAnalysis破壞性物理分析5DSDieShear芯片剪切力6DIDielectricIntegrity電介質(zhì)完整性7ESDHESD-HBMCharacterization靜電放電人體模式8ESDCESD-CDMCharacterization靜電放電帶電器件模式9HASTHighlyAcceleratedStressTest有偏高加速應力試驗10H3TRBHighHumidityHighTemp.ReverseBias高溫高濕反偏試驗11HTGBHighTemperatureGateBias高溫柵極偏置試驗12HTRBHighTemperatureReverseBias高溫反偏試驗13IOLIntermittentOperationalLife間歇工作壽命14MSMechanicalShock機械沖擊15PCPreconditioning預處理16PDPhysicalDimension物理尺寸17PVParametricVerification參數(shù)認定18RSHResistancetoSolderHeat耐焊接熱19RTSResistancetoSolvents耐溶解性20SDSolderability可焊性21TCTemperatureCycling溫度循環(huán)22TCDTTcDelaminationTest溫度循環(huán)分層測試23TCHTTemperatureCyclingHottest溫度循環(huán)熱測試24TSTerminalStrength端子強度25TRThermalResistance熱阻26UISUnclampedinductiveSwitching非鉗位電感開關(guān)27UHASTUnbiasedHAST無偏高加速應力試驗28PTCPowerTemperatureCycling功率負載溫度循環(huán)29EVExternalVisual外觀檢測30TESTPre-andPost-StressElectricalTest應力測試前后功能參數(shù)測試分類參數(shù)要求及封裝產(chǎn)品分類按導電溝道形成機理分類車身域使用的控制器場效應管按照導電溝道形成機理分類，一般分為以下兩類：a）增強型場效應管；b）耗盡型場效應管。按導電載流子的帶電極性分類車身域控制器使用場效應管按照導電載流子的帶電極性分類，一般分為以下兩類：N溝道場效應管；P溝道場效應管。參數(shù)要求不同品牌提供產(chǎn)品規(guī)格書參數(shù)部分應包含：絕對最大限制，電氣特性，熱阻特性及封裝信息；產(chǎn)品規(guī)格書提供的參數(shù)部分格式允許不同。產(chǎn)品封裝封裝信息，MOS管的各項物理參數(shù)都可以找到對應值，包括長、寬、高、引腳尺寸、引腳間距、焊盤尺寸等具體數(shù)值及公差；技術(shù)要求參數(shù)描述符號描述要求應符合表2，關(guān)鍵參數(shù)選用要求應符合表3。表2 符號描述要求圖例引腳符號描述(2)D(1)G(3)S1G柵極（Gate）2D漏極（Drain）3S（Source）4G柵極（Gate）5、6、7、8D漏極（Drain）1、2、3S（Source）表3 關(guān)鍵參數(shù)選用要求項目標號范圍單位漏極-源極耐壓Drain-SourceVoltageVDS≥40V柵極-源極耐壓Gate-SourceVoltageVGS≥±20V柵極閾值電壓（4）GateThresholdVoltageVGS(th)≥2V最大連續(xù)電流DrainCurrent-ContinuousID≥45A最大連續(xù)工作電流DrainCurrent-Continuous(TC=100℃)ID(100℃)≥31.8A漏極脈沖電流PulsedDrainCurrentIDM≥125A導通內(nèi)阻（注3）Drain-SourceOn-StateResistanceRDS(ON)≤8m?最大耗散功率MaximumPowerDissipationPD≥28W單脈沖雪崩能量（注1）SinglepulseavalancheenergyEAS≥115mJ工作結(jié)溫和儲存溫度范圍OperatingJunctionandStorageTemperatureRangeTJ,TSTG-55~175℃結(jié)-殼熱阻ThermalResistance,Junction-to-caseRθJC≤4.5℃/W結(jié)-環(huán)境熱阻（注2）ThermalResistance,Junction-to-ambientRθJA≤45℃/W注：EAScondition測試條件：起始溫度TJ=25℃,VDD=20V,VG=10V,L=0.5mH,Rg=25?；SurfaceMountedonFR4BoardFR4板上t10秒；3.VGS=10V,ID=20A；4.VDS=VGS,ID=250μA。電氣特性-動態(tài)特性一般規(guī)格書中涉及的動態(tài)特性參數(shù)包括結(jié)電容、柵極電荷、開關(guān)時間等，具體如下。結(jié)電容(Ciss、Coss、Crss)CissCgsCgd,CgsCgd阻抗，提高驅(qū)動電流，提高Ciss的充放電速度，才能加快MOS管的導通、關(guān)斷時間。??Coss:Coss=Cds+Cgd。在實際電路應用中，Coss可能會引起電路的諧振。??Crss=CgdMOSRg：MOS管柵極內(nèi)部寄生電阻。SiO2 DGG

SourceRwp+ Cgd p+RCdsRdn- n-n+ n+ SDrain圖1 MOS內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖 圖2 符號示意圖柵極電荷(Qg、Qgs、Qgd)QgCiss0VVGS所需的總電荷量；柵-QgsCiss0V達到米勒平臺所需的電荷量；柵-QgdCrss充電，米勒平臺開始到結(jié)束所需的電荷量；Qg的大小與柵極電壓有關(guān)，Qgs的大小與漏極電流有關(guān)，Qgd的大小與漏源電壓有關(guān)。通常MOS管規(guī)格書中此值的測試條件為：Vgs=10V,Vds=耐壓的50%，Id與RDS(ON)電流一致。開關(guān)特性一般規(guī)格書中涉及的開關(guān)特性參數(shù)(注：不同廠商判斷條件不同)有如下：td(on)VGS10%VDSVGS10%ID10%時間。td(off)VGS90%VDS10%VGS90%ID90%c）trVDS90%10%ID電流從設(shè)10%90%時經(jīng)歷的時間。d）tfVDS10%90%ID90%10%時經(jīng)歷的時間。f）trrQrrQgQQgQgsQgd

90%trtrtrttttCharge圖3 電荷量與Vgs的示意圖 圖4 Vds與Vgs的示意圖熱阻特性一般規(guī)格書中涉及的熱阻特性有兩種，如下：RθJAMOSTJ-TA與功率之比；RθJCMOSTJ-Tc與功率之比。TjTc1TjTc1θθjaθjtθjcθ圖5 MOS熱阻測試原理圖散熱性能要求應符合表4規(guī)定。表4 散熱性能要求參數(shù)符號限值單位注釋結(jié)-殼熱阻R?JC≤4.8℃/W5.1.3.1結(jié)-環(huán)境熱阻R?JA≤48℃/W5.1.3.2注釋：表中熱阻限值適用于封裝尺寸不大于5mm×6mm。R?JC)R?JC結(jié)-殼熱阻是由芯片至漏極的殼面焊錫固面層的熱阻所決定。結(jié)-環(huán)境熱阻(R?JA)R?JA結(jié)-R?JA一般基于1平方英寸、2盎司敷銅的FR4板上測得，不同的板材和測試環(huán)境對R?JA測試結(jié)果有較大的影響。外觀要求VIEW"A"1REFAFE3E2bL1VIEW"A"1REFAFE3E2bL1外觀質(zhì)量要求車身域控制器用場效應管外觀質(zhì)量要求應符合表5規(guī)定。表5 外觀質(zhì)量要求缺陷種類指標塑封體：缺損、封裝體裂紋不允許引腳：毛刺、壓傷、變形、沾污、斷裂、連筋不明顯引腳斷裂及連筋是不允許鍍層：覆蓋不全、變色、鍍層剝落不允許不全、雙重打印不明顯打印錯誤，印字不全、雙重打印不允許尺寸規(guī)格及偏差PDFN56-8L6規(guī)定，相關(guān)內(nèi)容不少于以下信息。dceD2xD21REFTopViewD1dceD2xD21REFTopViewD1BottomViewA1SideView代號（Symbol）參數(shù)描述（CommonDimensions）公制（Millimeters） 英制（Inches）E1EE4KL最?。∕in）正常（Nom）最大（Max）最?。∕in）正常（Nom）最大（Max）A0.9001.0001.1500.0350.0390.045A10.0000.0500.0000.002b0.2460.2540.3500.0100.0100.014C0.3100.4100.5100.0120.0160.020d1.27BSC0.050BSCD4.9505.0505.1500.1950.1990.203D14.0004.1004.2000.1570.1610.165D20.125REF0.005REF續(xù)表6 尺寸容許偏差表代號（Symbol）參數(shù)描述（CommonDimensions）公制（Millimeters）英制（Inches）e0.62BSC0.024BSCE5.5005.6005.7000.2170.2200.224E16.0506.1506.2500.2380.2420.246E23.4253.5253.6250.1350.1390.143E30.250REF0.010REFE40.275REF0.011REFF--0.100--0.004L0.5000.6000.7000.020.020.03L10.6000.7000.8000.020.030.03K1.225REF0.05REF注：TopView：俯視圖(電路正面)；BottomView：底視圖(電路反面)；SideView：側(cè)視圖(電路側(cè)面)。檢測方法檢測環(huán)境7表7 數(shù)條件溫度℃相對濕度%大氣壓力kPa工作-40～850～10050～106存儲-40～1500～10050～106/試樣處理試樣處理應滿足以下要求：AEC-Q101-Rev–E377顆；不同項目具體參考表8；按照ANSI/ESDS20.20-2021無特殊要求樣品應貼裝于FR42oZ實驗框圖實驗應滿足圖6至圖9要求。DNMOSGDNMOSGSSPMOSGD圖6 晶體管特性測試儀示波器DGSa）NMOS直流可調(diào)電源直流可調(diào)電源直流可調(diào)電源電流探頭示波器SPMOS電壓探頭GD電子負載

b）PMOS圖7 導通內(nèi)阻測試布局圖載 表

載 表DDGSSPMOS點溫計GDa）NMOS b）PMOS圖8 VSD測試

V(BR)effVDSLHSWVDSLHSWIDVGSDUTRGVGSIDVDSIDa）測試電路圖 b）波形圖圖9 UIS測試電路和波形圖驗證流程應符合圖10的規(guī)定。圖10 驗證流程通用測試8表8 通用測試參數(shù)序號項目測試方法要求備注1擊穿電壓V(BR)DSSG、S，在DGS250uA極間電壓即為VBRDSS參考規(guī)格書范圍圖6使用晶體管特性儀測試2漏極漏電流IDSSG、S，在DGSVDS時兩極間電流即為IDSS參考規(guī)格書范圍圖6使用晶體管特性儀測試3VGS(th)開啟電壓G、D，在DGS250uAVGS(th)參考規(guī)格書范圍圖6使用晶體管特性儀測試4柵極漏電流IGSS短接D、S，在G和DS之間加柵極最大額定電壓（正壓和負壓），此時兩極漏電流即為IGSS參考規(guī)格書范圍圖6使用晶體管特性儀測試5柵極耐壓BVGSSD、S，在GDS100nABVGSS參考規(guī)格書范圍圖6使用晶體管特性儀測試6ID最大電流TC=25℃，VGS=10V參考規(guī)格書范圍RDS(ON)實測值。?=?????? R????= ?? ? ? K??(??)MOSFET流小于理論計算值。7RDS(on)VGS=10V,ID=25A，測試DS壓降算出內(nèi)阻參考規(guī)格書范圍圖7內(nèi)阻測試，按測試條件。8VSD（VGS=0V）測試SD通過額定IS電流的電壓參考規(guī)格書范圍8RDS(ON)保持一致，直接讀數(shù)SD之間壓降。9EAS雪崩測試，按規(guī)格書測試要求參考規(guī)格書范圍9MOSLIoMOSHSWLMOSD、SEA=.IoL2續(xù)表8 通用測試參數(shù)序號項目測試方法要求備注10Qg測試Qg,參考規(guī)格書參考規(guī)格書范圍給柵極輸入恒定電流，直到柵源電壓達到一個指定值，可通過示波器讀取。11輸入電容Ciss參考規(guī)格書注：因每款MOS的參數(shù)都不一致，所以驗證時需要按照規(guī)格參數(shù)為標準給定漏源電壓和測試頻率，通過結(jié)電容電橋讀取。12輸出電容Coss參考規(guī)格書13反向傳輸電容Crss參考規(guī)格書14柵極電阻Rg參考規(guī)格書15IDM脈沖電流測試參考規(guī)格書參考規(guī)格書范圍VGS=10V，在DS間加一定時間的IDM正常。可靠性試驗參考AEC-Q101-Rev–E標準，應按照表9的實驗方法進行試驗。T/SZAA001—2024T/SZAA001—2024PAGEPAGE17表9 可靠性項目、試驗方法及要求試驗組A–加速環(huán)境試驗試驗項目縮寫代號數(shù)據(jù)類型備注樣本大小批數(shù)接受標準測試方法要求說明預處理PCA11G,S適用于A2、A3、A4、A5和C8測試前的SMD部件零缺陷JEDEC/IPCJSTD-020JESD22-A-113僅在測試A2A3A4A5和C8之前對表面貼裝器件進行測試。PC前后均需要測試，任何零件的更換都需要有報告。有偏高加速應力HASTA21D,G,U,V,3773附注B零缺陷JEDECJESD22-A-110TA=130°C/85%RH下96小時，或TA=110°C/85%RH下264小時，反向偏壓在80%額定電壓下，（達到腔內(nèi)發(fā)生電弧的電壓，典型為42V)。HAST前后需測試。高溫高濕反偏H3TRBA2alt1D,G,U,V,3773附注B零缺陷JEDECJESD22-A-101T=5°C8%下108額定電壓下（最大值為100V或腔室限定）。H3TRB前后需測試。無偏高加速應力UHASTA31D,G,U773附注B零缺陷JEDECJESD22-A-118,orA101TA=130°C/85%RH下96小時，或TA=110°C/85%RH下264小時。UHAST前后需測試。高溫蒸煮ACA3alt1D,G,U773附注B零缺陷JEDECJESD22-A-10296小時，TA=121°C，RH=100%，15psig。AC前后需測試。溫度循環(huán)TCA41D,G,U,3773附注B零缺陷JEDECJESD22-A-104AEC-Q101附錄61000次循環(huán)(TA=最低結(jié)溫-55°C至最高額定結(jié)溫，不超過150°C)。使用TA(max)=25°C，超過部分最大結(jié)溫或在最大結(jié)溫高于150°C時使用TA(max)=175°C，可以將試驗縮短至400個周期。TC前后需測試。如果產(chǎn)品RDS(on)≤2.5mΩ。試驗后允許≤0.5mΩ的變化量；△TJ≥100℃△TJ≥125℃△TJ≥100℃△TJ≥125℃15000cycles7500cycles試驗項目縮寫代號數(shù)據(jù)類型備注樣本大小批數(shù)接受標準測試方法要求說明間歇工作壽命IOLA51D,G,P,T,U,W,3773附注B零缺陷MIL-STD-750Method1037參照表A不超過最大額定結(jié)溫IOL表A：如果產(chǎn)品RDS(on)≤2.5mΩ。IOL試驗后允許≤0.5mΩ的變化。功率負載溫度循環(huán)PTCA5alt1D,G,T,U,W773附注B零缺陷JEDECJESD22-A-105如果IOL加電后△TJ無法達到100℃，則采用PTC試驗參照表A中的時間要求，按指定時間周期進行試驗，部件供電和腔內(nèi)溫度循環(huán)確?！鱐J≥100℃（不超過最大額定結(jié)溫）。PTC前后需測試。如果產(chǎn)品RDS(on)≤2.5mΩ。PTC試驗后允許≤0.5mΩ的變化。注：“alt”表示選擇執(zhí)行同一個測試的一個或多個。試驗組B–加速壽命壓力試驗試驗項目縮寫代號數(shù)據(jù)類型備注樣本大小批數(shù)接受標準測試方法要求說明高溫反偏HTRBB11D,G,K,P,U,3773附注B零缺陷MIL-STD-750-1在額定最大直流反向DC電壓下工作1000H，同時調(diào)節(jié)結(jié)溫以避免熱失控（Ta要根據(jù)漏電損耗做調(diào)整）。HTRB前后需測試。試驗組B–加速壽命壓力試驗（續(xù)）試驗項目縮寫代號數(shù)據(jù)類型備注樣本大小批數(shù)接受標準測試方法要求說明高溫柵極偏置HTGBB21D,G,M,P,U,3773附注B零缺陷JEDECJESD22-A-108在指定TJ下1000小時，柵極偏置在元件開關(guān)時最大額定電壓的100%，將TJ提高25℃可以縮短時間至500H，HTGB前后需測試。試驗組C–包裝組件完整性試驗試驗項目縮寫代號數(shù)據(jù)類型備注樣本大小批數(shù)接受標準測試方法要求說明破壞性物理分析DPAC11D,G21附注B零缺陷AEC-Q101-004第4節(jié)在已完成的H3TRB或者HAST，和TC后樣品中隨機抽樣部件。物理尺寸PDC22G,N301零缺陷JEDECJESD22-B-100驗證實際物理尺寸是否符合用戶的零件包裝公差尺寸和公差規(guī)范。引線鍵合拉力WBPC33D,G,E最少5個部件10根線零缺陷MIL-STD-750-2Method2037AEC-Q006適用于銅線條件C或D，對于Au線直徑>1mil的，滿足最小拉力TC=3克，對于Au線直徑<1mil的，參照：MIL-STD-750-2中方法2037，且應拉力點在球鍵上方而不是在線中間。引線鍵合剪切力WBSC43D,G,E零缺陷AEC-Q101-003JESD22B116有關(guān)驗收標準和如何進行測試的詳細信息，對于銅線，參照JESD22-B116。芯片剪切力DSC53D,G51零缺陷MIL-STD-750-2Method2017根據(jù)AEC-Q101-表3中試項目評估工藝變更穩(wěn)定性。試驗組C–包裝組件完整性試驗（續(xù)）試驗項目縮寫代號數(shù)據(jù)類型備注樣本大小批數(shù)接受標準測試方法要求說明端子強度TSC62D,G,L301零缺陷MIL-STD-750-2Method2036僅評估通孔引線部件的引線完整性。耐溶解性RTSC72D,G301零缺陷JEDECJESD22-B-107驗證標記的持久性（激光達標或無標的部件不適用）。耐焊接熱RSHC82D,G301零缺陷JEDECJESD22-A-111(SMD)orB-106在測試期間，SMD部件應完全浸沒在焊錫中，按MSL等級進行預處理。RSH前后需測試。熱阻TRC93D,G101零缺陷JEDECJESD24-3,24-4,24-6視情況而定需要進行工藝變更前后的比較，以評估工藝變更的穩(wěn)健性。測量TR以確保符合規(guī)范，并提供工藝變更比較數(shù)據(jù)?？珊感許DC102D,G101附注B零缺陷JEDECJ-STD-002放大倍率50X，參考焊料條件見AEC-Q101-表2B，對于通孔部件應用測試方法A，對SMD部件應用測試方法B或者D。試驗組E–電氣驗證試驗試驗項目縮寫代號數(shù)據(jù)類型備注樣本大小批數(shù)接受標準測