目錄1．分立器件BJT結(jié)構(gòu)2.4.8先進(jìn)BJT結(jié)構(gòu)2．集成電路中的BJT結(jié)構(gòu)

3．雙極晶體管結(jié)構(gòu)的改進(jìn)2．集成電路中的BJT(3)集成電路中典型BJT結(jié)構(gòu)(a)最小尺寸晶體管結(jié)構(gòu)所有尺寸均采用設(shè)計(jì)規(guī)則中規(guī)定的最小尺寸。作用占用芯片面積最小；缺點(diǎn)輸出電流小、基區(qū)串聯(lián)電阻較大。結(jié)電容最小，因此特征頻率fT特性好。2．集成電路中的BJT(b)雙基極條晶體管結(jié)構(gòu)在發(fā)射極條的兩側(cè)均有一根基極條。作用減小基區(qū)串聯(lián)電阻；缺點(diǎn)BC結(jié)面積大于最小尺寸晶體管?？梢蕴岣咦罡哒袷庮l率fm(3)集成電路中典型BJT結(jié)構(gòu)2．集成電路中的BJT(c)交叉梳狀結(jié)構(gòu)晶體管結(jié)構(gòu)多發(fā)射極條。作用提供較大的輸出電流；保證輸出較大功率。(3)集成電路中典型BJT結(jié)構(gòu)并采用雙基極條結(jié)構(gòu)。2．集成電路中的BJT(d)肖特基晶體管結(jié)構(gòu)在一般BJT的基極和集電極之間并聯(lián)一個(gè)肖特基二極管。作用大幅度減少基區(qū)存儲的過飽和電荷QBX；明顯提高開關(guān)速度。(3)集成電路中典型BJT結(jié)構(gòu)2．集成電路中的BJT(4)集成電路中pnp晶體管由于電子遷移率大于空穴遷移率，因此雙極集成電路中npn器件特性優(yōu)于pnp器件。雙極集成電路中盡量采用npn型晶體管。雙極集成電路的工藝流程是按照如何保證npn晶體管特性而設(shè)計(jì)的。雙極集成電路中如果需要pnp型晶體管，則是在制作npn晶體管的工藝過程中利用不同區(qū)域的摻雜形成pnp晶體管。常見的有橫向pnp晶體管和縱向pnp晶體管兩類。2．集成電路中的BJTnpn晶體管(a)橫向pnp晶體管①剖面結(jié)構(gòu)利用制作流程中形成npn基區(qū)的p型摻雜同時(shí)制作pnp的p型發(fā)射區(qū)和集電區(qū)；n型外延層作為pnp的基區(qū)。橫向pnp晶體管(4)集成電路中pnp晶體管2．集成電路中的BJT②版圖為了充分收集發(fā)射區(qū)注入的空穴，集電區(qū)呈環(huán)狀包在發(fā)射區(qū)四周。③缺點(diǎn)基區(qū)寬度為水平方向尺寸，受到橫向擴(kuò)散的影響，使得基區(qū)寬度很難精細(xì)控制得很窄。因此這種器件的β0和fT均明顯比npn差。橫向pnp晶體管(a)橫向pnp晶體管(4)集成電路中pnp晶體管2．集成電路中的BJTnpn晶體管(b)縱向pnp晶體管①剖面結(jié)構(gòu)利用制作流程中形成npn基區(qū)的p型摻雜同時(shí)制作pnp的p型發(fā)射區(qū)；n型外延層作為pnp的基區(qū)；p型襯底則作為pnp的p型集電區(qū)；因此集電極從p型隔離墻上引出?？v向pnp晶體管(4)集成電路中pnp晶體管2．集成電路中的BJT②版圖③缺點(diǎn)集電區(qū)即為襯底材料，與隔離墻相連，已自動(dòng)接至電路中最低電位。因此電路中只有集電區(qū)與電路最低電位點(diǎn)相連的pnp器件才能采用縱向pnp結(jié)構(gòu)。縱向pnp晶體管(b)縱向pnp晶體管(4)集成電路中pnp晶體管2．集成電路中的BJT(5)集成電路中pn結(jié)二極管可以采用不同接法的npn晶體管①用BC結(jié)，發(fā)射極開路；②用EB結(jié)，集電極開路；③用EB結(jié)，BC短路；④用BC結(jié)，E