目錄1．常規(guī)pn結隔離3.9隔離技術2．局部氧化隔離3．溝槽隔離4．基于SOI技術的隔離(1)溝槽隔離工藝步驟3．溝槽隔離步驟一：刻蝕溝槽在硅襯底上依次熱氧化生長幾十納米厚的SiO2層和淀積約100nm的Si3N4。再刻蝕掉需要形成溝槽位置的Si3N4和SiO2，形成溝槽區(qū)的窗口采用等離子刻蝕方法在硅襯底中刻蝕出具有一定深度的溝槽。(1)溝槽隔離工藝步驟3．溝槽隔離步驟二：填充溝槽首先采用熱氧化方法在溝槽內(nèi)壁生長一薄層SiO2再采用CVD（化學氣相淀積）方法向溝槽填充SiO2并進行快速熱退火使CVD沉積的SiO2更加堅硬。(1)溝槽隔離工藝步驟3．溝槽隔離步驟三：表面平坦化采用CMP（化學機械拋光）方法去除掉表面多余的二氧化硅。由于氮化硅具有較強的抗拋光能力，對CMP工藝起到拋光終止層的作用，因此能較好地控制CMP工藝，使得氮化硅上方的二氧化硅全部被拋光去除，得到平整的表面。(1)溝槽隔離工藝步驟3．溝槽隔離步驟四：去除表面SiO2層Si3N4層分別采用H3PO4和HF刻蝕表面的氮化硅和二氧化硅，得到淺槽隔離的平整表面。(2)溝槽隔離技術的應用3．溝槽隔離(a)MOS集成電路中的淺槽隔離目前MOS集成電路均采用溝槽隔離替代局部氧化隔離。由于MOS集成電路中溝槽實際深度較淺，小于0,5微米，因此通常又稱為淺槽隔離，記為STI（ShallowTrenchIsolation）(2)溝槽隔離技術的應用3．溝槽隔離(b)雙極集成電路中的溝槽隔離現(xiàn)代雙極集成電路均采用溝槽隔離替代pn結隔離。雙極集成電路中溝槽實際深度較深，通常大于1微米，因此直接稱為溝槽隔離。(2)溝槽隔離技術的應用3．溝槽隔離(b)雙極集成電路中的溝槽隔離說明一：圖中顯示的是現(xiàn)代雙極集成電路中普遍采用的雙基極條、無源基區(qū)重摻雜結構以及深集電極摻雜結構。(2)溝槽隔離技術的應用3．溝槽隔離(b)雙極集成電路中的溝槽隔離說明二：圖中還顯示的是現(xiàn)代雙極集成電路中集電區(qū)中采用的局部氧化結構。

為了進一步改進集成電路的性能，特別是提高其抗輻照的能力，高性能集成電路往往采用絕緣層上的硅SOI（silicon--on--insulator）結構。SOI結構是在絕緣層材料上有一層適用于制造高性能高集成度集成電路的高質量硅單晶材料。

單晶硅層下面是絕緣層材料和支撐襯底。

目前使用最多的SOI結構是氧化層上硅，其他SOI結構還有藍寶石上硅（SOS）等(1)SOI結構4．基于SOI技術的隔離氧化層上的硅結構是以氧化層做為絕緣層，其上方是用于制造高性能高集成度集成電路的高質量硅單晶材料，絕緣層下方是硅片作為支撐襯底。

制造氧化層上的硅結構的方法很多。

常用方法為注氧隔離技術和硅片粘接技術。(2)氧化層上硅結構4．基于SOI技術的隔離①注氧隔離技術SIMOX

（separationbyimplantationofoxygen）首先將大劑量的氧注入硅晶片中通過高溫退火在距離表面約200nm處向下形成約400nm厚的埋層氧化物。以后器件就制作在表面約200nm的Si薄層。(2)氧化層上硅結構4．基于SOI技術的隔離②硅片粘接技術（WaferBonding）直接將一個硅片鍵合到另一個已生長有氧化層的硅片上對上層硅片進行減薄處理，去除其大部分，最終只剩下一薄層硅。(2)氧化層上硅結構4．基于SOI技術的隔離7．絕緣層上的硅SOI結構(3)基于SOI結構的隔離

只要去除SOI結構中器件周圍的硅材料薄層，就可以很容易地實現(xiàn)器件之間的隔離，有效地提高電路的集成度

這種