模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第一章半導(dǎo)體二極管和三極管本章目錄2025/4/282§1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識§1.2半導(dǎo)體二極管§1.3晶體三極管1.1.1PN結(jié)的形成1.1PN結(jié)半導(dǎo)體

——

導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間最常用的半導(dǎo)體材料物體根據(jù)其導(dǎo)電能力（電阻率）分半導(dǎo)體絕緣體導(dǎo)體鍺硅1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識2025/4/2832025/4/284+14284Si硅原子結(jié)構(gòu)示意圖+322818Ge鍺原子結(jié)構(gòu)示意圖4原子結(jié)構(gòu)示意圖+4硅、鍺原子的簡化模型2025/4/285平面結(jié)構(gòu)立體結(jié)構(gòu)+4+4+4+4+4+4+4+4+41.本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體就是完全純凈的半導(dǎo)體2025/4/286+4+4+4+4+4+4+4+4+4共價鍵價電子2025/4/287+4+4+4+4+4+4+4+4+4本征半導(dǎo)體受熱或光照2025/4/288本征激發(fā)產(chǎn)生電子和空穴自由電子空穴+4+4+4+4+4+4+4+4+42025/4/289電子空穴成對產(chǎn)生+4+4+4+4+4+4+4+4+42025/4/2810+4+4+4+4+4+4+4+4+4電子空穴復(fù)合，成對消失2025/4/2811+4+4+4+4+4+4+4+4+42025/4/2812

本征激發(fā)使空穴和自由電子成對產(chǎn)生。相遇復(fù)合時，又成對消失。

小結(jié)空穴濃度（np)=電子濃度(nn)溫度T一定時np×nn=K(T)K(T)——與溫度有關(guān)的常數(shù)2025/4/2813在外電場作用下+4+4+4+4+4+4+4+4+4U2025/4/2814電子運動形成電子電流+4+4+4+4+4+4+4+4+4U2025/4/2815+4+4+4+4+4+4+4+4+4U2025/4/2816+4+4+4+4+4+4+4+4+4U2025/4/2817+4+4+4+4+4+4+4+4+4U2025/4/2818+4+4+4+4+4+4+4+4+4U2025/4/2819+4+4+4+4+4+4+4+4+4U價電子填補空穴而使空穴移動，形成空穴電流2025/4/2820(1)在半導(dǎo)體中有兩種載流子這就是半導(dǎo)體和金屬導(dǎo)電原理的本質(zhì)區(qū)別a.電阻率大(2)本征半導(dǎo)體的特點b.導(dǎo)電性能隨溫度變化大小結(jié)帶正電的空穴帶負電的自由電子本征半導(dǎo)體不能在半導(dǎo)體器件中直接使用2025/4/28212．摻雜半導(dǎo)體

在本征半導(dǎo)體硅或鍺中摻入微量的其它適當(dāng)元素后所形成的半導(dǎo)體根據(jù)摻雜的不同，雜質(zhì)半導(dǎo)體分為N型導(dǎo)體P型導(dǎo)體(1)N型半導(dǎo)體

摻入五價雜質(zhì)元素（如磷、砷）的雜質(zhì)半導(dǎo)體2025/4/282025/4/2822+4+4+4+4+4+4+4+4+4摻入少量五價雜質(zhì)元素磷P2025/4/2823+4+4+4+4+4+4+4+4+4P2025/4/2824多出一個電子出現(xiàn)了一個正離子+4+4+4+4+4+4+4+4P2025/4/2825++++++++++++++++++++++++++++++++++++半導(dǎo)體中產(chǎn)生了大量的自由電子和正離子2025/4/2826c.電子是多數(shù)載流子，簡稱多子;空穴是少數(shù)載流子，簡稱少子。e.因電子帶負電，稱這種半導(dǎo)體為N(negative)型或

電子型半導(dǎo)體。f.

因摻入的雜質(zhì)給出電子，又稱之為施主雜質(zhì)。b.N型半導(dǎo)體中產(chǎn)生了大量的(自由）電子和正離子。小結(jié)d.np×nn=K(T)a.N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入少量五價雜質(zhì)元素形成的。2025/4/2827(2)

P型半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入三價雜質(zhì)元素，如硼等。B+4+4+4+4+4+4+4+4+42025/4/2828+4+4+4+4+4+4+4+4+4B2025/4/2829出現(xiàn)了一個空位+4+4+4+4+4+4B+4+42025/4/2830+4+4+4+4+4+4B+4+4負離子空穴2025/4/2831------------------------------------半導(dǎo)體中產(chǎn)生了大量的空穴和負離子2025/4/2832c.

空穴是多數(shù)載流子,電子是少數(shù)載流子。e.

因空穴帶正電，稱這種半導(dǎo)體為P(positive)型或空穴型半導(dǎo)體。f.因摻入的雜質(zhì)接受電子，故稱之為受主雜質(zhì)。a.P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入少量的三價雜質(zhì)元素形成的。b.

P型半導(dǎo)體產(chǎn)生大量的空穴和負離子。小結(jié)d.np×nn=K(T)2025/4/2833當(dāng)摻入三價元素的密度大于五價元素的密度時，可將N型轉(zhuǎn)為P型；雜質(zhì)半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)型當(dāng)摻入五價元素的密度大于三價元素的密度時，可將P型轉(zhuǎn)為N型。2025/4/2834N++++++++++++++++++++++++++++++++++++N++++++++++++++++++++++++++++++++++++以N型半導(dǎo)體為基片通過半導(dǎo)體擴散工藝3.PN結(jié)的形成2025/4/2835使半導(dǎo)體的一邊形成N型區(qū)，另一邊形成P型區(qū)。N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------2025/4/2836(1)在濃度差的作用下，電子從N區(qū)向P區(qū)擴散。N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------2025/4/2837(2)在濃度差的作用下，空穴從P區(qū)向N區(qū)擴散。N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------2025/4/2838在濃度差的作用下，兩邊多子互相擴散。在P區(qū)和N區(qū)交界面上，留下了一層不能移動的正、負離子。小結(jié)N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------2025/4/2839即PN結(jié)空間電荷層N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------2025/4/2840形成內(nèi)電場內(nèi)電場方向N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------2025/4/2841PN結(jié)一方面阻礙多子的擴散N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------2025/4/2842另一方面加速少子的漂移N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------2025/4/2843勢壘U0形成電位勢壘N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------2025/4/2844當(dāng)擴散與漂移作用平衡時a.流過PN結(jié)的凈電流為零b.PN結(jié)的厚度一定（約幾個微米）c.接觸電位一定（約零點幾伏）N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------2025/4/2845當(dāng)N區(qū)和P區(qū)的摻雜濃度不等時離子密度大空間電荷層較薄離子密度小空間電荷層較厚高摻雜濃度區(qū)域用N+表示++++++______PN+2025/4/28461.1.2PN結(jié)的單向?qū)щ娦?．PN結(jié)正向偏置

PN結(jié)正向偏置——當(dāng)外加直流電壓使PN結(jié)P型半導(dǎo)體的一端的電位高于N型半導(dǎo)體一端的電位時，稱PN結(jié)正向偏置，簡稱正偏。PN結(jié)反向偏置——當(dāng)外加直流電壓使PN結(jié)N型半導(dǎo)體的一端的電位高于P型半導(dǎo)體一端的電位時，稱PN結(jié)反向偏置，簡稱反偏。2025/4/2847------PN++++++------------------------------++++++++++++++++++++++++RSE內(nèi)++++++EPN結(jié)正向偏置2025/4/2848內(nèi)電場被削弱PN結(jié)變窄PN結(jié)呈現(xiàn)低阻、導(dǎo)通狀態(tài)多子進行擴散------PN++++++------------------------------++++++++++++++++++++++++RSE內(nèi)++++++E2025/4/2849內(nèi)電場增強PN結(jié)變寬PN結(jié)呈現(xiàn)高阻、截止?fàn)顟B(tài)不利多子擴散有利少子漂移2．PN結(jié)反向偏置------PN++++++------------------------------++++++++++++++++++++++++RSE內(nèi)++++++E2025/4/2850因少子濃度主要與溫度有關(guān)，反向電流與反向電壓幾乎無關(guān)。此電流稱為反向飽和電流，記為IS。------PN++++++------------------------------++++++++++++++++++++++++RSE內(nèi)++++++E2025/4/28511.1.3PN結(jié)的電壓與電流關(guān)系++++++_PN_____ui2025/4/2852IS——

PN結(jié)反向飽和電流UT——

熱電壓式中UT=KTqq——電子電量T——絕對溫度在室溫（T=300K)時，。K——玻耳茲曼常數(shù)其中(K=1.3806505×10^-23J/K)2025/4/2853(1)當(dāng)u=0時，i=0；(3)當(dāng)u<0，且|u|>>UT時，i

–IS。討論(2)當(dāng)u>0，且u>>UT時，；2025/4/2854思考題1.半導(dǎo)體中的載流子濃度主要與哪些因素有關(guān)？2.擴散電流與漂移電流的主要區(qū)別是什么？2025/4/2855(1)按使用的半導(dǎo)體材料不同分為(2)按結(jié)構(gòu)形式不同分為硅管鍺管點接觸型平面型1.2

半導(dǎo)體二極管2025/4/28561.2.1

半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)和類型平面型點接觸型引線觸絲外殼N型鍺片N型硅陽極引線PN結(jié)陰極引線金銻合金底座鋁合金小球2025/4/2857半導(dǎo)體二極管的外型和符號正極負極符號外型負極正極2025/4/28582025/4/28592025/4/28602025/4/2861將PN結(jié)封裝，引出兩個電極，就構(gòu)成了二極管。小功率二極管大功率二極管穩(wěn)壓二極管發(fā)光二極管2025/4/2862點接觸型：結(jié)面積小，結(jié)電容小，故結(jié)允許的電流小，最高工作頻率高。面接觸型：結(jié)面積大，結(jié)電容大，故結(jié)允許的電流大，最高工作頻率低。平面型：結(jié)面積可小、可大，小的工作頻率高，大的結(jié)允許的電流大。各類型二極管特點2025/4/2863材料開啟電壓導(dǎo)通電壓反向飽和電流硅Si0.5V0.5~0.8V1μA以下鍺Ge0.1V0.1~0.3V幾十μA開啟電壓反向飽和電流擊穿電壓溫度的電壓當(dāng)量二極管的電流與其端電壓的關(guān)系稱為伏安特性。1.2.2半導(dǎo)體二極管的伏安特性利用Multisim測試半導(dǎo)體器件特性2025/4/2864利用Multisim測試二極管伏安特性2025/4/28652025/4/2866硅管00.8反向特性正向特性擊穿特性00.8反向特性鍺管正向特性uDiD半導(dǎo)體二極管的伏安特性2025/4/2867(1)

近似呈現(xiàn)為指數(shù)曲線，即(2)

有死區(qū)（iD≈0的區(qū)域)1．正向特性死區(qū)電壓約為硅管0.5V鍺管0.1VOiD正向特性擊穿電壓死區(qū)電壓U(BR)反向特性uD2025/4/2868OiD正向特性擊穿電壓死區(qū)電壓U(BR)反向特性uD(3)導(dǎo)通后（即uD大于死區(qū)電壓后）管壓降uD

約為硅管0.6~0.8V鍺管0.2~0.3V通常近似取uD

硅管0.7V鍺管0.2V即uD略有升高，

iD急劇增大。2025/4/2869OiD正向特性擊穿電壓死區(qū)電壓U(BR)反向特性uD2．反向特性IS=硅管小于0.1微安鍺管幾十到幾百微安(1)當(dāng)時，。2025/4/2870OiD正向特性擊穿電壓死區(qū)電壓U(BR)反向特性uD(2)

當(dāng)時，反向電流急劇增大，擊穿的類型根據(jù)擊穿可逆性分為電擊穿熱擊穿二極管發(fā)生反向擊穿。2025/4/2871降低反向電壓，二極管仍能正常工作。PN結(jié)被燒壞，造成二極管永久性的損壞。二極管發(fā)生反向擊穿后，如果a.功耗PD(=|UDID|)不大b.PN結(jié)的溫度小于允許的最高結(jié)溫硅管150∽200oC鍺管75∽100oC熱擊穿電擊穿2025/4/2872a.齊納擊穿

(3)

產(chǎn)生擊穿的機理半導(dǎo)體的摻雜濃度高擊穿電壓低于4V擊穿電壓具有負的溫度系數(shù)空間電荷層中有較強的電場電場將PN結(jié)中的價電子從共價鍵中激發(fā)出來擊穿的機理條件擊穿的特點2025/4/2873半導(dǎo)體的摻雜濃度低擊穿電壓高于6V擊穿電壓具有正的溫度系數(shù)空間電荷區(qū)中就有較強的電場電場使PN結(jié)中的少子“碰撞電離”共價鍵中的價電子擊穿的機理條件擊穿的的特點b.雪崩擊穿2025/4/28741.2.3

溫度對半導(dǎo)體二極管特性的影響1.當(dāng)溫度上升時，死區(qū)電壓、正向管壓降降低。△uD/△T=–（2~2.5）mV/°C2.

溫度升高，反向飽和電流增大。即溫度每升高1°C，管壓降降低（2~2.5）mV。即平均溫度每升高10°C，反向飽和電流增大一倍。2025/4/2875OiD正向特性擊穿電壓死區(qū)電壓U(BR)反向特性uD1.2.4

半導(dǎo)體二極管的主要電參數(shù)1.額定整流電流IF2.反向擊穿電壓U(BR)管子長期運行所允許通過的電流平均值。二極管能承受的最高反向電壓。2025/4/2876OiD正向特性擊穿電壓死區(qū)電壓U(BR)反向特性uD4.反向電流IR3.最高允許反向工作電壓UR為了確保管子安全工作，所允許的最高反向電壓。室溫下加上規(guī)定的反向電壓時測得的電流。UR=（1/2~2/3）U(BR)2025/4/2877OiD正向特性擊穿電壓死區(qū)電壓U(BR)反向特性uD5.正向電壓降UF6.最高工作頻率fM指通過一定的直流測試電流時的管壓降。

fM與結(jié)電容有關(guān)，當(dāng)工作頻率超過fM時，二極管的單向?qū)щ娦宰儔摹?025/4/2878二極管的幾種常用的模型(2)電路符號(1)伏安特性1.理想二極管uDiDO理想特性實際特性

–+uDiD2025/4/2879(2)電路模型(1)伏安特性2.恒壓模型uDiDOuF–+uDiDuF2025/4/2880(2)電路模型(1)伏安特性3.折線模型uDiDOuthrD–+uDiDuthrD2025/4/2881(2)電路模型(1)伏安特性4.小信號動態(tài)模型–+udidrd動態(tài)電阻

uDiDOUDrdIDQ根據(jù)得Q點處的微變電導(dǎo)則常溫下（T=300K）2025/4/2882

應(yīng)用舉例

二極管的靜態(tài)工作情況分析理想模型（R=10k

）VDD=10V時恒壓模型（硅二極管典型值）折線模型（硅二極管典型值）設(shè)附錄

半導(dǎo)體二極管的應(yīng)用1.

在整流電路中的應(yīng)用整流——

將交流電變成直流電的過程整流電路——

完成整流功能的電路常見的整流電路有半波整流電路全波整流電路橋式整流電路2025/4/2883設(shè)橋式整流電路+_uOTru2+_u1ab+_RLD1D2D4D32025/4/2884工作原理a.

當(dāng)u2>0時輸出波形電流流動方向D1D2D4D3+_uOTru2+_u1ab+_RL2025/4/2885b.

當(dāng)u2<0時輸出波形電流流動方向+_uOTru2+_u1ab+_RLD1D2D4D32025/4/2886在檢波電路中的應(yīng)用（無線通信）用音頻信號去控制高頻信號的幅值音頻信號高頻信號載波信號調(diào)制的過程Otuu1tOu2Ot音頻放大器話筒高頻振蕩器調(diào)制器發(fā)射器u2u1u2025/4/2887檢波的過程u1Otu2OtOtu3DCLC2u3高放大器頻低頻放大C1R2R1u2u1+–+–+–器2025/4/2888限幅電路工作原理a.

當(dāng)ui較小使二極管D1、D2截止時電路正常放大b.

當(dāng)ui使二極管D1或D2導(dǎo)通時RD2ARi+–+–D1+–2025/4/2889uitO輸入電壓波形RD2ARi+–+–D1+–2025/4/2890輸入端電壓波形uitO2UFRD2ARi+–+–D1+–2025/4/28912025/4/2892思考題1.在什么條件下，半導(dǎo)體二極管的管壓降近似為常數(shù)？2.根據(jù)二極管的伏安特性，給出幾種二極管的電路分析模型。2025/4/28933.如何判斷二極管的工作狀態(tài)？4.什么情況下應(yīng)選用二極管的什么等效電路？uD=V－iRQIDUDV與uD可比，則需圖解：實測特性

對V和Ui二極管的模型有什么不同？2025/4/28941.2.5

特種二極管1.2.5.1

硅穩(wěn)壓二極管特點a.正向特性與普通管類似穩(wěn)壓管通常工作于反向電擊穿狀態(tài)伏安特性符號b.反向擊穿特性很陡–+iZuZuZQBAOUZiZIZ

UZ

IZ2025/4/2895uZQBAOUZiZIZ

UZ

IZ1.硅穩(wěn)壓管的主要電參數(shù)(1)穩(wěn)定電壓UZ(2)動態(tài)電阻(3)最大允許工作電流IZM(4)最大允許功率耗散PZM(5)溫度系數(shù)2025/4/2896溫度每變化1

C時UZ的相對變化率。即UZ>6V管子出現(xiàn)雪崩擊穿，αU為正；UZ<4V

出現(xiàn)齊納擊穿，αU

為負;4V<UZ

<

6V，αU可能為正，也可能為負。溫度系數(shù)

定義：2025/4/2897具有溫度補償?shù)墓璺€(wěn)壓管把一只αU為正的管子與另一只αU為負的管子串聯(lián)將兩只αU

為正的穩(wěn)壓管串聯(lián)(1)DZ1DZ2(2)2025/4/28982.硅穩(wěn)壓管的等效電路反向擊穿時端電壓表達式反向正向理想二極管uZQOUZiZIZUZ0等效電路D1D3D2rZUZ02025/4/28993.硅穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路R——限流電阻DZIZRLUOUIRIIO+_+_2025/4/28100(1)

穩(wěn)壓原理a.UI不穩(wěn)定

UI↑→UO↑→UZ↑

→IZ↑→I↑→IR↑

UO↓DZIZRLUOUIRIIO+_+_2025/4/28101DZIZRLUOUIRIIO+_+_b.RL改變

RL↓

→UO↓

→UZ↓→IR↓→IZ↓→I↓UO↑2025/4/28102DZIZRLUOUIRIIO+_+_(2)限流電阻計算輸出電壓穩(wěn)定的條件（保證穩(wěn)壓管被擊穿）≥2025/4/28103DZIZRLUOUIRIIO+_+_IZ(min)≤IZ≤IZM穩(wěn)壓管正常工作的條件2025/4/28104DZIZRLUOUIRIIO+_+_UO=UZ

圖中

IZ=I－IO

2025/4/28105DZIZRLUOUIRIIO+_+_此時當(dāng)IO為最小值IO(min)時，IZ值最大。當(dāng)UI為最大值UI(max)時，I值最大；IZ=I－IO

由式知2025/4/28106DZIZRLUOUIRIIO+_+_由此可得為保證管子安全工作,應(yīng)使≤≥2025/4/28107DZIZRLUOUIRIIO+_+_IZ=I－IO

由式此時當(dāng)IO為最大值IO(max)時，IZ值最小。當(dāng)UI為最大值UI(min)時，I值最小；知2025/4/28108DZIZRLUOUIRIIO+_+_由此可得為保證電路正常工作，應(yīng)使≥≤2025/4/28109得由式及≥≤≤≤2025/4/28110例1：穩(wěn)壓二極管的應(yīng)用RLuiuORDZiiziLUZ穩(wěn)壓二極管技術(shù)數(shù)據(jù)為：穩(wěn)壓值UZ=10V，Izmax=12mA，Izmin=2mA，負載電阻RL=2k

，輸入電壓ui=12V，限流電阻R=200，求iZ。若負載電阻變化范圍為1.5k--4k

，是否還能穩(wěn)壓？2025/4/28111RLuiuORDZiiziLUZUZ=10Vui=12VR=200Izmax=12mAIzmin=2mARL=2k(1.5k~4k)iL=uo/RL=UZ/RL=10/2=5（mA）i=（ui-UZ）/R=（12-10）/0.2=10（mA）iZ=i-iL=10-5=5（mA）RL=1.5k,iL=10/1.5=6.7（mA）,iZ=10-6.7=3.3（mA）RL=4k,iL=10/4=2.5（mA）,iZ=10-2.5=7.5（mA）負載變化,但iZ仍在12mA和2mA之間,所以穩(wěn)壓管仍能起穩(wěn)壓作用2025/4/28112例2：穩(wěn)壓二極管的應(yīng)用解：ui和uo的波形如圖所示

（UZ＝3V）uiuODZR(a)(b)uiuORDZ2025/4/281131.2.5.2

變?nèi)荻O管1.PN結(jié)的電容效應(yīng)(1)擴散電容CD非平衡少子的積累PN++++............................................2025/4/28114PN++++............................................△U變化時，P區(qū)積累的非平衡少子濃度分布圖ΔU>03ΔU=0ΔU<021x電子濃度3212025/4/28115PN++++............................................這種電容效應(yīng)用擴散電容CD表征。PN結(jié)正向偏置電壓越高，非平衡少子的積累越多。2025/4/28116(2)勢壘電容CBUPN++++++++空間電荷層2025/4/28117PN結(jié)變窄空間電荷層中的電荷量減少a.

當(dāng)PN結(jié)正向偏置電壓升高時U+

U(U>0)PN++++2025/4/28118PN結(jié)變寬空間電荷層中的電荷量增大b.

當(dāng)PN結(jié)正向偏置電壓降低時可見，空間電荷量隨著PN結(jié)偏置電壓的變化而變化。這種電容效應(yīng)用勢壘電容CB表征。U-

U(U>0)PN++++++++++++2025/4/28119小結(jié)PN結(jié)結(jié)電容CjCj

=CD+CB

當(dāng)PN結(jié)正偏時當(dāng)PN結(jié)反偏時2025/4/28120變?nèi)荻O管的特點b.

電容量與所加的反向偏置電壓的大小有關(guān)。a.當(dāng)二極管反向偏置時，因反向電阻很大，可作電容使用。2025/4/28121變?nèi)荻O管的符號及C－U特性曲線符號20240608010004681012uDCC－U特性曲線2025/4/281222.變?nèi)荻O管及其應(yīng)用示例諧振頻率式中高頻放大器LC1DCR+––+V+UDu12025/4/28123高頻放大器LC1DCR+––+V+UDu1由于故諧振頻率2025/4/28124一、發(fā)光二極管LED(LightEmittingDiode)1.符號和特性工作條件：正向偏置一般工作電流幾十mA，導(dǎo)通電壓(1

2)V符號u/Vi

/mAO2特性1.2.6其它類型的二極管2025/4/28125發(fā)光類型：可見光：紅、黃、綠顯示類型：普通LED，不可見光：紅外光點陣LED七段LED,2025/4/28126二、光電二極管符號和特性符號特性uiOE=200lxE=400lx工作原理：三、隧道二極管四、肖特基二極管無光照時，與普通二極管一樣。有光照時，分布在第三、四象限。2025/4/28127思考題1.在圖示穩(wěn)壓電路中，輸出電壓穩(wěn)定的條件是什么？2.在圖示穩(wěn)壓電路中限流電阻的大小對電路性能有何影響？DZIZRLUOUIRIIO+_+_2025/4/28128電阻量程×1×10×100×1k測得電阻值31Ω210Ω1.1kΩ11.5kΩ[例1]用萬用表測量二極管的正向直流電阻RF，選用的量程不同，測得的電阻值相差很大。現(xiàn)用MF30型萬用表測量某二極管的正向電阻，結(jié)果如下表，試分析所得阻值不同的原因。練習(xí)題2025/4/28129圖中，R0為表頭等效內(nèi)阻。萬用表的量程越大，即R0越大。[解]萬用表測電阻的原理圖R0+-EiD+-uD寫出電路方程uD+iDR0=E顯然，上式在iD—uD坐標(biāo)系中表示一條直線。2025/4/28130畫出上式所表示的直線。E/R01UDIDE/R0E二極管伏安特性直線R0增大UD1ID1uDiDO顯然，UD、ID是直線與二極管伏安特性曲線的交點。可見，萬用表的量程越大，DR0+-EiD+-uDuD+iDR0=EUD、ID

越小，二極管的等效電阻越大。二極管的等效電阻為RD=UD/ID2025/4/28131[例2]設(shè)圖示電路中的二極管性能均為理想。試判斷各電路中的二極管是導(dǎo)通還是截止，并求出A、B兩點之間的電壓ＵAB值。V115V10VV2R2kWUABB+_D2AD1(a)V115V10VV2R2kWUABB+_D2AD1(b)2025/4/28132[解]判斷電路中二極管工作狀態(tài)的方法1.斷開二極管，分析電路斷開點