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實驗六二階電路響應的仿真（1）研究二階動態(tài)電路響應的特點。（2）學習二階電路衰減系數(shù)、振蕩頻率的測量方法，了解電路參數(shù)對它們的影響。（3）觀察、分析二階電路響應的三種變化曲線及其特點，加深對二階電路響應的認識與理解。（1）了解本實驗的目的、原理和方法。（2）學習Multisim軟件使用方法。（3）計算參數(shù)理論值，寫出計算過程。計算機；Multisim仿真軟件；

二階常系數(shù)齊次微分方程特征根的三種形式對應三種情況：

（2）欠阻尼狀態(tài)下的衰減系數(shù)δ

和振蕩角頻率ωd可以通過示波器觀測電容電壓的波形求得。R、L、C串聯(lián)電路接至方波激勵時，呈現(xiàn)衰減振蕩暫態(tài)過程的波形如圖所示。

（1）用Multisim仿真工具繪出所示電路。（2）分別設定電阻R的阻值，C為0.2μF，L為100mH，電容和電感的初始條件參數(shù)均設為0（即默認值），方波信號源參數(shù)設定為：頻率=50Hz，占空比=50%，電壓幅度=2V。用瞬態(tài)分析法選定節(jié)點1和3，即對u(t)、uC(t)

的零狀態(tài)響應和零輸入響應進行仿真分析。仿真注意事項：為了方便修改元件參數(shù)，以及防止仿真數(shù)據(jù)的離散性，繪圖時盡量選用虛擬元件。

R（Ω）阻尼狀態(tài)屬性(欠、臨界、過)振蕩角頻率ωd衰減系數(shù)δ波形理論值測量值理論值測量值0

100

1400

2500

（1）當二階動態(tài)電路處于過阻尼狀態(tài)時，若再增加R的阻值，對過渡過程有何影響？當電路處于欠阻尼狀態(tài)時，若再減小R的阻值，對過渡過程有何影響？（2）根

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