2025屆天成教育命題研究院物理高二第二學(xué)期期末達標(biāo)測試試題考生須知：1．全卷分選擇題和非選擇題兩部分，全部在答題紙上作答。選擇題必須用2B鉛筆填涂；非選擇題的答案必須用黑色字跡的鋼筆或答字筆寫在“答題紙”相應(yīng)位置上。2．請用黑色字跡的鋼筆或答字筆在“答題紙”上先填寫姓名和準(zhǔn)考證號。3．保持卡面清潔，不要折疊，不要弄破、弄皺，在草稿紙、試題卷上答題無效。一、單項選擇題：本題共6小題，每小題4分，共24分。在每小題給出的四個選項中，只有一項是符合題目要求的。1、將一質(zhì)點從靜止開始做勻加速直線運動的總時間分成相等的三段，按從開始到最后的順序，則質(zhì)點經(jīng)過這三段時間內(nèi)的平均速度之比是（）A．1:4:9 B．1:3:5 C．1:: D．1:(+1):(+)2、在如圖所示的電路中，L1、L2、L3是三盞相同的燈泡。當(dāng)a、b兩端接交流6V時，三盞燈的發(fā)光情況相同。若將a、b兩端接直流6V時，穩(wěn)定后觀察到的現(xiàn)象是()A．三盞燈的亮度相同B．L1不亮，L2、L3的亮度相同C．L1不亮，L2比L3亮D．L1不亮，L3比L2亮3、放射性元素電源應(yīng)用空間比較廣泛，大多用在軍事或航天領(lǐng)域。其工作原理是放射性元素發(fā)射的射線或射線被與射線發(fā)生相互作用的物質(zhì)吸收，將射線的能量轉(zhuǎn)換為內(nèi)能，然后再將內(nèi)能轉(zhuǎn)換為電能。為了防止放射性元素對外界環(huán)境造成影響，放射性元素電源的外層應(yīng)有防護層。下表為三種不同放射性元素的相關(guān)參數(shù)：放射性元素發(fā)射的射線放射性元素的半衰期270天24天89.6年由以上參數(shù)分析，下列說法正確的是（）A．發(fā)射出的粒子電荷量少，因此由該元素制成的電源使用時間最長，保護層的材料應(yīng)比較厚B．的半衰期最長，因此由該元素制成的電源使用時間最長，保護層的材料應(yīng)比較薄C．1000個核經(jīng)過48天，剩余250個核D．放射性元素在發(fā)生衰變時，由于放出能量，衰變后的質(zhì)量數(shù)減少4、如圖甲所示，在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量為m、邊長為a的單匝均勻正方形銅線框，從位置1以速度v0進入豎直向下的磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場，并開始計時，磁場的寬度為b，且b>3a，在3t0時刻，線框到達2位置速度又為v0并開始離開勻強磁場．此過程中v-t圖像圖乙所示，則A．t0時刻，線框的速度為vB．t=0時，線框上MN兩端的電勢差為Bav0C．線框剛完全離開磁場的位置3瞬間的速度可能比2t0時刻的速度大D．線框從位置1進入磁場到完全離開磁場的位置3過程中，線框中產(chǎn)生的電熱為2Fb5、一個小孩在繃床上做游戲，從高處落到繃床上后又被彈回到原高度。在他從高處開始下落到彈回至原高度的整個過程中，運動的速度隨時間變化的圖像如圖所示，圖中oa段和de段為直線，則根據(jù)此圖可知()A．小孩和繃床接觸的時間段為tB．小孩和繃床接觸的時間段為tC．在運動過程中小孩加速度最大的時刻是tD．在運動過程中小孩加速度最大的時刻是t6、如圖所示為某列車車廂內(nèi)可實時顯示相關(guān)信息的顯示屏的照片，圖中甲、乙兩處的數(shù)據(jù)分別表示了兩個物理量．下列說法中正確的是（）A．甲處表示時間，乙處表示平均速度B．甲處表示時間，乙處表示瞬時速度C．甲處表示時刻，乙處表示平均速度D．甲處表示時刻，乙處表示瞬時速度二、多項選擇題：本題共4小題，每小題5分，共20分。在每小題給出的四個選項中，有多個選項是符合題目要求的。全部選對的得5分，選對但不全的得3分，有選錯的得0分。7、如圖所示是一定質(zhì)量的理想氣體的p-V圖線，若其狀態(tài)由A→B→C→A，且A→B等容，B→C等壓，C→A等溫，則氣體在A、B、C三個狀態(tài)時（）A．單位體積內(nèi)氣體的分子數(shù)nA=nB=nCB．氣體分子的平均速率vA＞vB＞vCC．氣體分子在單位時間內(nèi)對器壁的平均作用力FA＞FB，F(xiàn)B=FCD．氣體分子在單位時間內(nèi)，對器壁單位面積碰撞的次數(shù)是NA＞NB，NA＞NC8、核電站核泄漏的污染物中含有碘131和銫1．碘131的半衰期約為8天，會釋放射線；銫1是銫133的同位素，半衰期約為30年，發(fā)生衰變時會輻射射線，下列說法正確的是（）A．碘131釋放的射線由氦核組成，衰變的方程是B．碘131釋放的射線是電子流，衰變的方程是C．與銫1相比，碘131衰變更慢，且銫133和銫1含有相同的質(zhì)子數(shù)D．銫1衰變時輻射出的光子能量大于可見光光子能量9、下列說法正確的是（）A．組成原子核的核子越多，原子核越穩(wěn)定B．衰變?yōu)榻?jīng)過4次衰，2次β衰變C．在LC振蕩電路中，當(dāng)電流最大時，線圈兩端電勢差也最大D．在電子的單縫衍射實驗中，狹縫變窄，電子動量的不確定量變大10、運用分子動理論的相關(guān)知識，判斷下列說法正確的是（）A．氣體分子單位時間內(nèi)與單位面積器壁碰撞的次數(shù)僅與單位體積內(nèi)分子數(shù)有關(guān)B．某氣體的摩爾體積為V，每個分子的體積為V0，則阿伏加德羅常數(shù)可表示為NA=C．陽光從縫隙射入教室，從陽光中看到的塵埃運動不是布朗運動D．生產(chǎn)半導(dǎo)體器件時需要在純凈的半導(dǎo)體材料中摻入其他元素，這可以在高溫條件下利用分子的擴散來完成E.降低氣體的溫度，氣體分子熱運動的劇烈程度就可減弱三、實驗題：本題共2小題，共18分。把答案寫在答題卡中指定的答題處，不要求寫出演算過程。11．（6分）在《利用電磁打點計時器研究勻變速直線運動》的實驗中，如圖所示是某同學(xué)“研究物體做勻變速直線運動規(guī)律”實驗時得到的一條紙帶(實驗中打點計時器打點時間間隔T=0.02s)，依照打點的先后順序取計數(shù)點為1、2、3、4、5、6、7，相鄰兩計數(shù)點間還有4個點未畫出，測得：s2＝1.91cm，s3＝2.40cm．a(chǎn)．打第3個計數(shù)點時紙帶的速度大小v3＝__________m/s；(保留兩位有效數(shù)字)b．計算物體的加速度大小為______________m/s2(保留兩位有效數(shù)字)12．（12分）在利用“插針法”測定玻璃的折射率實驗中①下列操作可以減小實驗誤差的是______（多選填字母代號）A．P1、P2及P3、P4之間的距離適當(dāng)大些B．選擇平行玻璃磚進行實驗C．入射角適當(dāng)大些D．若有幾塊厚度不同的玻璃磚，應(yīng)選用厚度較小的②正確操作后，作出的光路圖及測出的相關(guān)角度如圖所示，此玻璃的折射率計算式為=________(用圖中的、表示)③同學(xué)在畫界面時，不小心將兩界面的間距畫得比玻璃磚寬度略大，則測得的折射率____(選填“偏大”、“偏小”或“不變”)．四、計算題：本題共3小題，共38分。把答案寫在答題卡中指定的答題處，要求寫出必要的文字說明、方程式和演算步驟。13．（10分）如圖所示，足夠長的平行光滑金屬導(dǎo)軌水平放置，寬度，一端連接的電阻．導(dǎo)軌所在空間存在豎直向下的勻強磁場，磁感應(yīng)強度．導(dǎo)體棒放在導(dǎo)軌上，其長度恰好等于導(dǎo)軌間距，與導(dǎo)軌接觸良好．導(dǎo)軌和導(dǎo)體棒的電阻均可忽略不計．在平行于導(dǎo)軌的拉力作用下，導(dǎo)體棒沿導(dǎo)軌向右勻速運動，速度．求：（）感應(yīng)電動勢和感應(yīng)電流；（）在時間內(nèi)，拉力的沖量的大小；（）若將換為電阻的導(dǎo)體棒，其他條件不變，求導(dǎo)體棒兩端的電壓．14．（16分）如圖所示，一對光滑的平行金屬導(dǎo)軌固定在同一水平面內(nèi)，導(dǎo)軌間距l(xiāng)=0.5m，左端接有阻值R=0.3Ω的電阻．一質(zhì)量m=0.1kg，電阻r=0.1Ω的金屬棒MN放置在導(dǎo)軌上，整個裝置置于豎直向上的勻強磁場中，磁場的磁感應(yīng)強度B=0.4T．棒在水平向右的外力作用下，由靜止開始以a=2m/s2的加速度做勻加速運動，當(dāng)棒的位移x=9m時撤去外力，棒繼續(xù)運動一段距離后停下來，已知撤去外力前后回路中產(chǎn)生的焦耳熱之比Q1：Q2=2：1．導(dǎo)軌足夠長且電阻不計，棒在運動過程中始終與導(dǎo)軌垂直且兩端與導(dǎo)軌保持良好接觸．求（1）棒在勻加速運動過程中，通過電阻R的電荷量q；（2）撤去外力后回路中產(chǎn)生的焦耳熱Q2；（3）外力做的功WF．15．（12分）如圖所示為一個用折射率n=的透明介質(zhì)做成的四棱柱的截面圖，其中∠A=∠C=90°，∠B=60°，BC=20cm．現(xiàn)有一單色光在色細(xì)光束從距B點30cm的O點垂直入射到棱鏡的AB面上．每個面上的反射只考慮一次，已知光在真空中的速度為c=3.0×108m/s．求：（1）最先從棱鏡射出的光束的折射角；（2）從BC面射出的光束在棱鏡中運動的時間．

參考答案一、單項選擇題：本題共6小題，每小題4分，共24分。在每小題給出的四個選項中，只有一項是符合題目要求的。1、B【解析】

質(zhì)點從靜止開始做勻加速直線運動，設(shè)每段時間為T，則有：第一個T末的速度為：v1=aT；第二個T末的速度為：v2=a?2T；第三個T末的速度為：v3=a?3T

，由勻變速直線運動的推論，可知，，，可得這三段時間內(nèi)的平均速度之比是1：3：5，故選B．【點睛】熟練掌握勻變速直線運動的三個速度公式和四個位移公式，并靈活運用．2、C【解析】試題分析：由于電容在接直流電源后，相當(dāng)于電阻非常的大，故燈泡L1不亮；電感在接入直流電源后，電阻變得非常的小，故燈泡L2變亮；而電阻對交直流電無影響，故燈泡L3的亮度不變，故選項C正確?？键c：電容、電感對交流電的影響。3、B【解析】

AB．放射性元素電源使用時間的長短與放射性元素的半衰期有關(guān)，半衰期越長，使用的時間越長，因的半衰期最長，所以由制成的電源使用時間最長，由于發(fā)射的射線比射線的貫穿本領(lǐng)弱，所以由發(fā)射射線的元素制成的電源所需保護層的材料較薄，所以B正確，A錯誤；C．半衰期是一個統(tǒng)計規(guī)律，是對大量的原子核衰變規(guī)律的總結(jié)，所以C錯誤；D．在衰變的過程中，電荷數(shù)守恒，質(zhì)量數(shù)守恒，所以D錯誤。故選B。4、D【解析】

A.根據(jù)圖象可知在t0～3t0時間內(nèi)，線框做勻加速直線運動，合力等于F，則在t0B.t=0時，線框右側(cè)邊MN的兩端電壓為外電壓,總的感應(yīng)電動勢為E=Bav0，外電壓U=3C.因為t=0時刻和t=3t0時刻線框的速度相等，進入磁場和穿出磁場的過程中受力情況相同，故線框完全離開磁場時的速度與t0時刻的速度相等，所以線框剛完全離開磁場的位置3瞬間的速度比2t0D.因為t=0時刻和t=3t0時刻線框的速度相等，進入磁場和穿出磁場的過程中受力情況相同，故線框完全離開磁場時的速度與t0時刻的速度相等，進入磁場克服安培力做的功和離開磁場克服安培力做的功一樣多，線框在位置1和位置3時的速度相等，根據(jù)動能定理，外力做的功等于克服安培力做的功，即有Fb=Q，所以線框穿過磁場的整個過程中，產(chǎn)生的電熱為2Fb5、A【解析】

AB.當(dāng)小孩從高處下落而沒有雨蹦床接觸時，小孩只受到重力，其加速度為g，而在小孩彈起過程中，當(dāng)小孩與蹦床脫離后小孩只受到重力，其加速度也為g，所以當(dāng)速度圖象為傾斜的直線時，小孩在空中不與蹦床接觸，所以小孩與蹦床接觸的時間為t1-t5，故CD.速度時間圖象的斜率表示加速度，顯然t3時刻圖象的斜率最大，故t3時刻小孩的加速度最大，故6、D【解析】

甲處表示的是時刻，乙處表示此時刻的速度，所以是瞬時速度，所以D正確．故選D．【點睛】時間是指時間的長度，在時間軸上對應(yīng)一段距離，時刻是指時間點，在時間軸上對應(yīng)的是一個點．與時刻對應(yīng)的是瞬時速度，與時間對應(yīng)的是平均速度．時刻具有瞬時性的特點，是變化中的某一瞬間；時間間隔具有連續(xù)性的特點，與某一過程相對應(yīng)．二、多項選擇題：本題共4小題，每小題5分，共20分。在每小題給出的四個選項中，有多個選項是符合題目要求的。全部選對的得5分，選對但不全的得3分，有選錯的得0分。7、CD【解析】由圖示圖象可知Va=Vb<Vc，則單位體積的分子數(shù)關(guān)系為na=nb>nc，A錯誤；C→A為等溫變化，TA=TC，A→B為等容變化，pA>pB，由查理定律可知，TA>TB，則TA=TC>T【點睛】對一定量的理想氣體，氣體體積越大，分子數(shù)密度越小，體積越小分子數(shù)密度越大；溫度是分子平均動能的標(biāo)志，溫度越高分子平均動能越大，對同種氣體分子，溫度越高分子平均速率越大；分子數(shù)密度越大，氣體溫度越高，單位時間內(nèi)撞擊器壁的分子數(shù)越多．8、BD【解析】

AB．射線實際是電子流，故A錯誤，B正確；C．半衰期是放射性元素的原子核有半數(shù)發(fā)生衰變所需的時間，碘131的半衰期為8天，銫1半衰期為30年，碘131衰變更快；同位素是具有相同的質(zhì)子數(shù)和不同的中子數(shù)的元素，故銫133和銫1含有相同的質(zhì)子數(shù)，故C錯誤；D．射線是高頻電磁波，其光子能量大于可見光的能量，故D正確。故選BD。9、BD【解析】A、比結(jié)合能越大，表示原子核中核子結(jié)合得越牢固，原子核越穩(wěn)定，與核子多少無關(guān)，故A錯誤；B、衰變?yōu)榻?jīng)過，質(zhì)量數(shù)減少16，質(zhì)子數(shù)減少6，而一次α衰變，質(zhì)子數(shù)減2，質(zhì)量數(shù)減4，一次β衰變，質(zhì)子數(shù)增加1，質(zhì)量數(shù)不變，所以是4次α衰變，2次β衰變，故B正確；C、當(dāng)線圈兩端電勢差也最大時，電流變化率最大，電流為0，故C錯誤；D、狹縫變窄，使得變小，根據(jù)不確定關(guān)系，則變大，故D正確；故選BD．10、CDE【解析】

碰撞的次數(shù)，與單位體積內(nèi)的分子數(shù)及溫度有關(guān)，對于固體和液體，摩爾體積和分子體積的比值等于阿伏伽德羅常數(shù)，對于氣體不適用．塵埃的運動不是布朗運動；溫度高體分子熱運動就劇烈，分子運動不停息．【詳解】A.氣體分子單位時間內(nèi)與單位面積器壁碰撞的次數(shù)，與單位體積內(nèi)的分子數(shù)及溫度有關(guān)，故A錯誤；B.由于氣體分子間距離較大，摩爾體積與分子體積的比值不等于阿伏伽德羅常數(shù)，故B錯誤；C.布朗運動是固體微粒在液體中的無規(guī)則運動，需借助顯微鏡觀察，而陽光從縫隙射入教室，從陽光中看到塵埃的運動不是布朗運動，故C正確；D.生產(chǎn)半導(dǎo)體器件時，需要在純凈的半導(dǎo)體材料中摻入其他元素，可以在高溫條件下利用分子的擴散來完成，故D正確；E.溫度是分子的平均動能的標(biāo)志，溫度高體分子熱運動就劇烈，降低氣體的溫度，氣體分子熱運動的劇烈程度就可減弱，故E正確。故選CDE．三、實驗題：本題共2小題，共18分。把答案寫在答題卡中指定的答題處，不要求寫出演算過程。11、0.220.49【解析】a、由于中間還有四個點沒有畫出，所以相鄰兩個計數(shù)點之間的時間間隔是0.1s，利用中點時刻的速度等于平均速度可知利用可解的：故本題答案是：點睛：在紙帶處理中利用中點時刻的速度等于平均速度求某一點的速度，利用求紙帶的加速度．12、AC偏小【解析】試題分析：為了取得較好的實驗效果，根據(jù)實驗原理分析可知：玻璃磚上下表面不一定要平行，選擇的入射角應(yīng)盡量大些；大頭針應(yīng)垂直地插在紙面上；大頭針P1和P2及P3和P4之間的距離適當(dāng)大些，這樣可以減小測量的相對誤差．根據(jù)幾何知識求出入射角和折射角的正弦值，再求解折射率．根據(jù)折射定律，分析入射角和折射角的誤差，即可分析折射率的誤差．（1）A、大頭針P1和P2及P3和P4之間的距離適當(dāng)大些時，相同的距離誤差，引起的角度誤差會減小，角度的測量誤差會小些．故A正確；作插針法測定折射率時，玻璃磚上下表面不一定要平行．故B錯誤；為了減小測量的相對誤差，選擇的入射角應(yīng)盡量大些，效果會更好．故C正確；若有幾塊厚度不同的玻璃磚，應(yīng)選用厚度較大一些的，故D錯誤．（2）由圖可知，入射角為，折射角為；則由折射定律可知：（3）用插針法“測定玻璃磚折射率”的實驗原理是折射定律；某同學(xué)將兩界面的間距畫得比玻璃磚寬度略大，但在畫光路圖時，將入射點、出射點分別確定在ab、cd上，如圖所示，入射角測量沒有誤差，而折射角偏大，則根據(jù)折射定律得知，測出的折射率n將偏?。?、計算題：本題共3小題，共38分。把答案寫在答題卡中指定的答題處，要求寫出必要的文字說明、方程式和演算步驟。13、（），；（）（3）．【解析】

（1）根據(jù)動生電動勢公式得E=BLv=1T×0.4m×5m/s=2V故感應(yīng)電流（2）金屬棒在勻速運動過程中，所受的安培力大小為F安=BIL=0.8N，因