引言

照明和顯示器件光源傳統(tǒng)采用的是基于燈絲加熱發(fā)光的白熾燈光源，現(xiàn)已基本改用固態(tài)

發(fā)光（SSL）光源。使用發(fā)光二極管（LED）固態(tài)光源的一般照明用燈和燈具商品可發(fā)出多種

不同顏色的光。隨著LED技術的突破，通過將白色背光源和彩色濾光片相結合產生紅、綠、

藍三基色的背光器件，尤其是液晶顯示器的色域也實現(xiàn)了不斷提升。固態(tài)光源應用越來越廣

泛，得益于其明顯的技術優(yōu)勢，如能效高、壽命長、發(fā)光顏色靈活可調和高顯色性等。固態(tài)

光源（SSL）的發(fā)光效率顯著高于傳統(tǒng)白熾燈光源，而照明能耗約占到全球能耗的百分之二

十，可預見固態(tài)光源技術的采用會產生如何的重要影響。固態(tài)發(fā)光背光源技術能耗同樣低于

其它背光源技術，對于用電池作為電源的便攜式電子設備尤為重要。

用于一般照明和顯示背光技術的固態(tài)光源結構基本相同。最典型的結構是由一個藍光

LED和至少一種發(fā)光材料組成，一種或多種發(fā)光材料可提供一個或多個發(fā)光波長。通電時，

LED發(fā)射出光子，部分光子會被發(fā)光材料吸收并發(fā)射出具有不同波長的二次光子，即發(fā)光材

料的光致發(fā)光過程。固態(tài)光源（SSL）發(fā)出的光是由藍光LED和發(fā)光材料發(fā)射光所形成的混合

光。多種發(fā)光材料均可用于固態(tài)發(fā)光，包括熒光粉和發(fā)光納米材料等。

發(fā)光納米材料包括半導體納米晶體（如球形量子點、棒狀量子點等）和無機納米熒光粉。

典型半導體納米晶體的尺寸小于10nm，具有與尺寸相關的量子限域效應，展現(xiàn)出獨特的光學

特性（如與尺寸相關的帶隙及由此產生的與尺寸相關的帶邊吸收峰波長、發(fā)射波長和發(fā)光顏

色等）、電化學特性（如與尺寸相關的價帶和導帶的能級及由此產生的載流子氧化還原電位

等）。半導體納米晶體的突出優(yōu)勢體現(xiàn)在具有寬帶吸收（可吸收低于帶邊吸收峰的所有波長）、

窄帶發(fā)射（通常峰形對稱）、高的發(fā)光量子效率和優(yōu)異的光穩(wěn)定性。

熒光粉也可做照明和顯示應用，有時所使用熒光粉的尺寸小于100nm（即納米顆粒），

如含有YAG:Ce材料的無機納米材料（也稱為納米熒光粉）。無機納米熒光粉的主要特征是寬

吸收波長、寬發(fā)射波長、良好的發(fā)光量子產率和高的光穩(wěn)定性。無機納米熒光粉的吸收光譜

和發(fā)射光譜位置與尺寸無關，但其光散射特征具有尺寸相關性。不過隨顆粒尺寸減小而增加

的表面積與體積之比有利于在顆粒表面缺陷處的光猝滅，從而影響與尺寸相關的發(fā)光量子效

率和光衰減行為。

其它納米材料如染料摻雜或標記的聚合物納米顆粒、無機顆粒或有機-無機雜化納米顆

粒通常不用于照明或顯示，因此不包括在本文件范圍中。

照明和顯示用發(fā)光納米材料可根據(jù)其激發(fā)光譜、發(fā)射光譜（包括發(fā)射峰波長和可由半峰

寬反映的窄發(fā)射峰形）、量子效率、化學組成等進行分類。通常，這些性質可由具有相似尺

寸（考慮制造誤差）的單分散材料得到。將多種顏色引入照明或顯示產品，可能涉及使用多

個尺寸的納米材料，每一個均可單獨指定?；诎l(fā)光納米材料的優(yōu)異特性，包含這些材料的

照明和顯示器件能具有出色的發(fā)光效果和極佳的色彩質量。

本文件針對照明和顯示產品用發(fā)光納米材料，規(guī)定了確認、報告和驗證其基本性質的技

術要求。

II

納米制造材料規(guī)范發(fā)光納米材料第1部分：空白技術規(guī)范

1范圍

本文件規(guī)定了單分散發(fā)光納米材料的基本光學性質與一些其他性質。本文件未明確規(guī)定

發(fā)光納米材料的特性指標，供需雙方可根據(jù)具體應用需求協(xié)商確定。

本文件不適用于發(fā)光納米材料混合物或聚集體。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款。其中，注日期

的引用文件，僅該日期對應的版本適用于本文件。不注日期的引用文件，其最新版本（包括

所有的修改單）適用于本文件。

GB/T37664.1納米制造關鍵控制特性發(fā)光納米材料第1部分：量子效率（GB/T

37664.1-2019,IEC62607-3-1:2014,IDT）

IEC/TS62607-3-2納米制造關鍵控制特性第3-2部分發(fā)光納米材料分散液中量子

點質量的測定（Nanomanufacturing-Keycontrolcharacteristics-Part3-2:

Luminescentnanoparticles-Determinationofmassofquantumdotdispersion）

3術語和定義

下列術語和定義適用于本文件.

3.1

吸收系數(shù)absorptioncoefficient

吸光度與通過樣品的光路長度的比值。

注：吸收系數(shù)在已知濃度且光散射影響可忽略不計的波長處測定。

3.2

顏色colour

通過色空間中三個坐標作為唯一標識的發(fā)光納米材料的光學特征

注1：如1931CIE中的三色值和CIELAB1976L*a*b*色空間。

注2：對于顏色測定，應指定光源（如光源A、光源D65）和觀測角度（如2°或10°）。

3.3

生產日期dateofmanufacture

發(fā)光納米材料的最初合成日期。

3.4

發(fā)射光譜emissionspectrum

發(fā)光納米材料在特定激發(fā)下所發(fā)出輻射的譜圖分布。

[來源：CIES017/E:2011,ILV:國際發(fā)光詞匯，定義17-380]

3.5

1

發(fā)射波長峰值emissionwavelengthpeak

[發(fā)射光譜上]最強發(fā)射處對應的波長。

3.6

發(fā)射波長范圍emissionwavelengthrange

[發(fā)射光譜上]發(fā)射發(fā)生的波長范圍。

注：為避免雜散光的影響，以發(fā)射強度大于5%發(fā)射波長峰值強度的波長給出發(fā)射波長范圍。

3.7

激發(fā)波長excitationwavelength

用于激發(fā)發(fā)光納米材料產生光發(fā)射的具體波長。

3.8

半峰寬FWHMfull-widthathalfmaximum

[發(fā)射光譜上]最大發(fā)射強度50%處的發(fā)射波長范圍。

3.9

ID數(shù)IDnumber

制造過程標識符（3.1.11），用于確認發(fā)光納米材料具體制備程序或配方唯一標識。

3.10

發(fā)光納米材料luminescentnanomaterial

用電、光或其他方式激發(fā)時，可發(fā)光的納米材料。

注：如量子點，納米熒光粉。

3.11

制造過程標識符manufacturingprocessidentifier

標識制造過程的唯一方式，代表一組特定的工藝參數(shù)。

3.12

納米材料nanomaterial

任一外部維度、內部或表面結構處于納米尺度的材料。

[來源：ISO/TS80004-1:2015,2.4]

3.13

最大吸收波長peakabsorbance

發(fā)生最大電磁輻射吸收的波長。

3.14

偏振各向異性polarizationanisotropy

發(fā)射各向異性emissionanisotropy

r

熒光樣品的偏振靈敏度。

注：偏振各向異性由測得的熒光強度來定義，用與入射平面平行方向的熒光強度（）和垂直方向的

熒光強度（）之差與總熒光強度（）的比值來表示：

?||

?⊥??

2

?||??⊥?∥??⊥

?==

3.15???||+2?⊥

量子效率quantumefficiency

發(fā)光納米材料激發(fā)后的光子發(fā)射效率。

[來源：IEC62607-3-1:2014,3.13,有修改：將“納米顆?！备臑椤凹{米材料激發(fā)后”]

4縮略語

下列縮略語適用于本文件。

Cpk制造過程能力指數(shù)（manufacturingprocesscapabilityindex）

CVD化學氣相沉積（chemicalvapourdeposition）

DLS動態(tài)光散射（dynamiclightscattering）

EDX能量色散X射線光譜（energydispersiveX-rayspectroscopy）

ICP電感耦合等離子體（inductivelycoupledplasma）

IR紅外光譜（infraredspectroscopy）

MS質譜儀（massspectrometry）

NIR近紅外光譜（near-infraredspectroscopy）

OES光發(fā)射譜（opticalemissionspectroscopy）

PFS偏振熒光光譜（polarizedfluorescencespectroscopy）

PL熒光光譜（photoluminescence）

PVD物理氣相沉積（physicalvapourdeposition）

SAXS小角X射線散射（smallangleX-rayscattering）

SEM掃描電子顯微鏡（scanningelectronmicroscopy）

TGA熱重分析（thermogravimetricanalysis）

TOPO三辛基氧膦（trioctylphosphineoxide）

TEM透射電子顯微鏡（transmissionelectronmicroscopy）

UV-Vis紫外-可見光譜（ultraviolet-visiblespectroscopy）

XRDX射線衍射（X-raydiffraction）

XRFX射線熒光（X-rayfluorescence）

YAG:Ce鈰摻雜釔鋁石榴石（cerium-dopedyttriumaluminiumgarnet）

5測試方法要求

本技術規(guī)范中所列出的發(fā)光納米材料特性參數(shù)，若目前尚未制定測試犯法標準或正在由

IEC/TC113和ISO/TC229聯(lián)合工作組進行測試方法標準研制，則應給出測試方法。為了滿足

納米電工產品的實際工業(yè)應用，本文件對每個特性參數(shù)均給出了推薦的測試方法。

在產業(yè)適用的標準測試方法尚未建立時，使用者應提供的最低文件要求如下：

——樣品制備方法；

3

——測試程序；

——樣品尺寸和統(tǒng)計顯著性（尺寸分布）；

——原始測試數(shù)據(jù)如何轉化為具體材料參數(shù)。

應根據(jù)產業(yè)實際應用需求，并考慮測試費用、穩(wěn)健性（可靠性）和效率，選擇適用的測

試方法和測試程序。建議供需雙方共同確認測試方法標準的適用性。

6基本要求

發(fā)光納米材料的生產過程應符合常規(guī)工藝（材料生產過程）檢查要求，以確保生產過程

處于可控狀態(tài)。根據(jù)行業(yè)慣例，通過統(tǒng)計過程控制（SPC）實現(xiàn)可控性展示，例如IATF16949：

2016中的規(guī)定。

注：狀態(tài)可控意味著生產過程在統(tǒng)計過程控制下，且符合規(guī)定的制造過程能力指數(shù)（Cpk）。

7規(guī)范格式

7.1一般采購信息

發(fā)光納米材料產品的一般采購信息見表1，建議由生產方或產品供貨方提供。

表1一般采購信息表

項目號項目信息

1.1供貨方

1.2商品名

1.3生產日期

1.4ID號

1.5批號

1.6序列號

□溶膠法

□物理氣相沉積（PVD）

1.7制備方法

□化學氣相沉積（CVD）

□其他（具體說明）

□一般類別

□三辛基氧膦（TOPO）

□胺類

1.8功能化

□羧酸類

□磷酸類

□其他（具體說明）

□溶液（具體溶劑）

1.9分散劑

□固體（具體基質）

1.0分散方法

編號

1.11規(guī)格書修訂版本

簽發(fā)日期

注：一般采購規(guī)范號、修訂版本和分部分號/修訂版本由客戶或發(fā)光納米材料供貨方指定。

4

7.2發(fā)光納米材料的關鍵控制特性

7.2.1物理化學關鍵控制特性

發(fā)光納米材料的物理化學關鍵控制特性規(guī)格要求見表2。

表2物理化學關鍵控制特性

項目號項目規(guī)格指定的測試方法其它測試方法

標稱值[]±偏差UV-Vis;XRD;DLS;

2.1尺寸TEM

[]nm場流分離（FFF）;SAXS

2.2形狀TEM

2.3偏振各向異性PFS

2.4質量IEC62607-3-2

2.5基本組成核、殼和配體

NIR;ICP-MS;

2.6無機物含量質量分數(shù)不大于[]TGA

ICP-OES;XPM

ICP-OES;XRF;

2.7金屬元素含量質量分數(shù)不大于[]ICP-MS

電化學分析

ICP-OES;XRF;

2.8若含鎘質量分數(shù)不大于[]ICP-MS

電化學分析

ICP-OES;XRF;

2.9若含鉛質量分數(shù)不大于[]ICP-MS

電化學分析

2.10其它雜質質量分數(shù)不大于[]ICP-MSICP-OES;XRF

7.2.2光學關鍵控制特性

發(fā)光納米材料的光學關鍵控制特性規(guī)格要求見表3，光學控制特性由發(fā)光顏色表示。應

給出光學關鍵控制特性對應的激發(fā)波長。

注：發(fā)光納米材料也可被電激發(fā)；不過本文件未指定電學關鍵控制特性。

表3由發(fā)光顏色表示的光學關鍵控制特性

發(fā)光顏色指定的測試方法其它測試方法

性質

藍青綠黃橙紅深紅吸收光譜熒光光譜

吸收系數(shù)(cm-1)吸收光譜

激發(fā)波長（nm）熒光光譜

發(fā)射波長峰值（nm）熒光光譜

發(fā)射波長范圍（nm）熒光光譜

半峰寬（nm）熒光光譜

量子效率GB/T37664.1

注：給出特性量的標稱值和公差（見3.1.2）

5

8測試分析方法概述

注：測試方法是ISO/TC229和IEC/TC113聯(lián)合工作組的標準項目。此處僅給出概述，標準發(fā)布后將采用。

準確測試發(fā)光納米材料的各項關鍵特性參數(shù)以評價材料質量，對納米材料在一般照明和

顯示應用中的持續(xù)增長至關重要。但不同檢測實驗室在測試方法和測試數(shù)據(jù)分析上始終存在

明顯不一致，因此對發(fā)光納米材料質量進行比對和制定規(guī)范非常困難。盡管目前取得了一些

進展，但仍需顯著提高對材料質量的準確測試和表征。

對于發(fā)光納米材料的測試表征，最廣泛采用的技術包括UV-Vis光譜、熒光光譜、ICP-MS、

TGA、SEM和TEM。熒光光譜技術也稱為熒光測定技術，是一類特定類型的發(fā)射光譜技術。對

一些關鍵控制特性的常用分析技術在表4中進行了總結。

熱重分析技術可定量測試樣品中的無機和有機材料含量，但所需樣品量較大。

通過TEM圖像可對測試樣品的質量進行粗評，用高分辨TEM圖像可檢測單個顆粒的形狀。

對發(fā)光納米材料樣品形貌的定性分析，建議采用TEM技術，在測試方法中應具體說明如

何對TEM圖像進行選擇。對于樣品純度的定量測定，建議聯(lián)用ICP-MS、TGA、IR、Raman和

NIR等技術。對于光學特性的測定，建議用UV-Vis光譜檢測與光吸收相關的性質，用熒光

光譜檢測與激發(fā)和發(fā)射相關的性質。

表4測試分析方法匯總表

測試分析方法

性質

SEM/EDXTEMUV-Vis熒光光譜TGAICP-MSIR、NIR、Raman

形貌次要主要

純度次要主要次要

長度和直徑次要主要次要次要

最大吸收波長主要次要

吸收光譜主要

激發(fā)波長次要主要

發(fā)射光譜主要

6

參考文獻

[1]CIES017/E:2011,ILV:InternationalLightingVocabulary,CIECentralBureau,

Vienna,Austria

[2]IATF16949:2016,Qualitymanagementsystemrequirementsforautomotive

productionandrelevantservicepartsorganizations

[3]IECTS80004-9:2017,Nanotechnologies-Vocabulary-Part9:Nano-enabled

electrotechnicalproductsandsystems

7

《納米制造材料規(guī)范發(fā)光納米材料第1部分:空白技術規(guī)范》

國家標準編制說明（征求意見稿）

一、工作簡況

1、任務來源

本項目是依據(jù)國家標準化管理委員會國標委發(fā)〔2022〕51號《國家標準化管理委員

會關于下達2022年第四批推薦性國家標準計劃及相關標準外文版計劃的通知》下達的項

目計劃，項目編號為20221605-Z-491，項目名稱為“納米制造材料規(guī)范發(fā)光納米材料第

1部分：空白技術規(guī)范”。本標準是制定項目。主要起草單位：國家納米科學中心、納晶

科技股份有限公司等，由全國納米技術標準化技術委員會歸口，由全國納米技術標準化

技術委員會納米材料分技術委員會執(zhí)行，項目周期為16個月，計劃完成時間為2024年。

2、主要工作過程

起草(草案、調研)階段:2021年11月，標準起草預備工作組對所采標國際標準的技

術內容進行討論和標準文本翻譯，向歸口TC提交了采標標準項目申請。2022年12月，

國家標準制修訂計劃下達。計劃下達后，2023年2月，正式組建了標準起草工作組，在

標準翻譯稿基礎上形成標準草稿。2023年3～8月，起草工作組檢索與參考相關領域國

際標準、國家標準和技術文件等資料，對標準技術內容進行討論，形成《納米制造材

料規(guī)范發(fā)光納米材料第1部分：空白技術規(guī)范》標準工作組討論稿。經工作組及有關

專家研討后，對標準草案初稿進行了認真的修改，于2023年11月形成了標準征求意見

稿及其編制說明等相關附件，報全國納標委納米材料分委員會秘書處。

征求意見階段:2023年12月20日，由全國納標委納米材料分委員會秘書處將標

準征求意見稿和編制說明發(fā)送到分委員會委員及有代表性的標準相關方廣泛征求意見，

同時在國家標準信息平臺網站上公開征求社會意見。

3、主要參加單位和工作組成員及其所做的工作

本標準由國家納米科學中心、XXXXXX單位共同起草。

主要成員及分工:

二、標準編制原則

本標準在制定過程中，遵循“面向市場、服務產業(yè)、自主制定、適時推出、及時修

訂、不斷完善”的原則，注重標準修訂與技術創(chuàng)新、試驗驗證、產業(yè)推進、應用推廣相

結合，本著先進性、科學性、合理性和可操作性以及標準的目標、統(tǒng)一性、協(xié)調性、適

用性、一致性和規(guī)范性的原則來進行本標準的制定/修訂工作。

本標準等同采用IEC/TS62565-4-1:2019Nanomanufacturing–Materialspecifications

–Part4-1:Luminescentnanomaterials–Blankdetailspecification。在起草過程中，主要按

GB/T1.1—2020《標準化工作導則第1部分：標準化文件的結構和起草規(guī)則》和GB/T

1.2—2020《標準化工作導則第2部分：以ISO/IEC標準化文件為基礎的標準化文件起

草規(guī)則》的要求編寫，并參考表1中所列相關國家標準以及其他相關著作、文獻資料。

在確定本標準主要技術指標時，綜合考慮生產企業(yè)的能力和用戶的利益，尋求最大的經

濟、社會效益，充分體現(xiàn)了標準在技術上的先進性和合理性。

表1標準編制原則和主要參考資料

依據(jù)的標準編號依據(jù)的標準名稱

標準化工作導則第1部分：標準化文件的結構和起草

GB/T1.1—2020

規(guī)則

標準化工作導則第2部分：以ISO/IEC標準化文件為

GB/T1.2—2020

基礎的標準化文件起草規(guī)則

GB/T37664.1—2019/納米制造關鍵控制特性發(fā)光納米材料第1部分：量

IEC62607-3-1:2014子效率

納米技術硒化鎘量子點納米晶體表征熒光發(fā)射光譜

GB/T36081—2018

法

GB/T24370—2021鎘硫族化物膠體量子點表征紫外-可見吸收光譜法

三、主要內容說明

本國家標準等同采用國際標準，標準主要內容包括：

·范圍

本文件規(guī)定了單分散發(fā)光納米材料的基本光學性質與一些其他性質。本文件未明確

規(guī)定發(fā)光納米材料的特性指標，供需雙方可根據(jù)具體應用需求協(xié)商確定。

1

本文件不適用于發(fā)光納米材料混合物或聚集體。

·規(guī)范性引用文件

·術語和定義

吸收系數(shù)、顏色、生產日期、發(fā)射光譜、發(fā)射波長峰值、發(fā)射波長范圍、激發(fā)波長、

半峰寬、ID數(shù)、發(fā)光納米材料、制造過程標識符、納米材料、最大吸收波長、偏振各向

異性/發(fā)射各向異性、量子效率

·縮略語

·測試方法要求

本技術規(guī)范中所列出的發(fā)光納米材料特性參數(shù)，若目前尚未制定測試犯法標準或正

在由IEC/TC113和ISO/TC229聯(lián)合工作組進行測試方法標準研制，則應給出測試方法。為

了滿足納米電工產品的實際工業(yè)應用，本文件對每個特性參數(shù)均給出了推薦的測試方

法。

·基本要求

發(fā)光納米材料的生產過程應符合常規(guī)工藝（材料生產過程）檢查要求，以確保生產

過程處于可控狀態(tài)。

·規(guī)范格式

包括一般采購信息和發(fā)光納米材料的關鍵控制特性。

·測試分析方法概述

四、主要試驗(或驗證)情況

本文件等同采用國際標準，且為空白材料規(guī)范，基于起草組成員作為起草人已發(fā)布

的測試方法國家標準制定，故本文件未做試驗驗證，也無需做實驗驗證。

五、標準中涉及專利的情況

本標準不涉及專利問題。

六、預期達到的社會效益、對產業(yè)發(fā)展的作用等情況

2

本標準為IEC于2019年發(fā)布。隨著固態(tài)光源（SSL）在一般照明和顯示應用領域越

來越廣泛，發(fā)光納米材料作為固態(tài)光源不可或缺的技術組成，近年來市場應用范圍和規(guī)

?？焖僭鲩L。發(fā)光納米材料的質量會直接影響應用其產品的品質，因此針對發(fā)光納米材

料在一般照明和顯示應用對發(fā)光納米材料的技術要求進行規(guī)定是產業(yè)所亟需，

IEC/TC113制定了發(fā)光納米材料的材料規(guī)范標準，本標準等同采用IEC國際標準。

通過標準的制定和實施，將促進技術創(chuàng)新，增強產品的國內外市場競爭力，同時為

推進產業(yè)結構調整與優(yōu)化升級創(chuàng)造條件，對規(guī)范市場競爭，引導市場良性發(fā)展，加快我

國發(fā)光納米材料技術快速發(fā)展具有積極的促進作用。

七、與國際、國外對比情況

本文件與等同采用的國際標準IEC/TS62565-4-1:2019相比，做了下述結構調整：

——將原第2章拆分為第2章和第3章，原第3章～第7章順序調整為第4章～第8章。

本文件做了下列編輯性修改：

——為與我國標準命名要求協(xié)調，將標準名稱改為《納米制造材料規(guī)范發(fā)光納米

材料第1部分空白詳細規(guī)范》

本標準水平為一般水平。

八、在標準體系中的位置，與現(xiàn)行相關法律、法規(guī)、規(guī)章及標準，特別是強制性標準

的協(xié)調性

本標準屬于“納米制造材料規(guī)范”體系中發(fā)光納米材料系列。

本標準與現(xiàn)行相關法律、法規(guī)、規(guī)章及相關標準協(xié)調一致。

九、重大分歧意見的處理經過和依據(jù)

無。

十、標準性質的建議說明

建議本標準的性質為國家標準指導性技術文件。

十一、貫徹標準的要求和措施建議

建議本標準批準發(fā)布3個月后實施。

十二、廢止或代替現(xiàn)行相關標準的建議

無。

十三、其他應予說明的事項

3

無。

4

ICS07.120

CCS

中華人民共和國國家標準化指導性技術文件

GB/Z×××××—××××/IECTS62565-4-1:2019

納米制造材料規(guī)范發(fā)光納米材料

第1部分：空白技術規(guī)范

Nanomanufacturing—Materialspecifications—Luminescent

nanomaterialsPart1：Blankdetailspecification

(IECTS62565-4-1:2019,IDT)

（征求意見稿）

××××-××-××發(fā)布××××-××-××實施

國家市場監(jiān)督管理總局

發(fā)布

國家標準化管理委員會

納米制造材料規(guī)范發(fā)光納米材料第1部分：空白技術規(guī)范

1范圍

本文件規(guī)定了單分散發(fā)光納米材料的基本光學性質與一些其他性質。本文件未明確規(guī)定

發(fā)光納米材料的特性指標，供需雙方可根據(jù)具體應用需求協(xié)商確定。

本文件不適用于發(fā)光納米材料混合物或聚集體。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款。其中，注日期

的引用文件，僅該日期對應的版本適用于本文件。不注日期的引用文件，其最新版本（包括

所有的修改單）適用于本文件。

GB/T37664.1納米制造關鍵控制特性發(fā)光納米材料第1部分：量子效率（GB/T

37664.1-2019,IEC62607-3-1:2014,IDT）

IEC/TS62607-3-2納米制造關鍵控制特性第3-2部分發(fā)光納米材料分散液中量子

點質量的測定（Nanomanufacturing-Keycontrolcharacteristics-Part3-2:

Luminescentnanoparticles-Determinationofmassofquantumdotdispersion）

3術語和定義

下列術語和定義適用于本文件.

3.1

吸收系數(shù)absorptioncoefficient

吸光度與通過樣品的光路長度的比值。

注：吸收系數(shù)在已知濃度且光散射影響可忽略不計的波長處測定。

3.2

顏色colour

通過色空間中三個坐標作為唯一標識的發(fā)光納米材料的光學特征

注1：如1931CIE中的三色值和CIELAB1976L*a*b*色空間。

注2：對于顏色測定，應指定光源（如光源A、光源D65）和觀測角度（如2°或10°）。

3.3

生產日期dateofmanufacture

發(fā)光納米材料的最初合成日期。

3.4

發(fā)射光譜emissionspectrum

發(fā)光納米材料在特定激發(fā)下所發(fā)出輻射的譜圖分布。

[來源：CIES017/E:2011,ILV:國際發(fā)光詞匯，定義17-380]

3.5

1

發(fā)射波長峰值emissionwavelengthpeak

[發(fā)射光譜上]最強發(fā)射處對應的波長。

3.6

發(fā)射波長范圍emissionwavelengthrange

[發(fā)射光譜上]發(fā)射發(fā)生的波長范圍。

注：為避免雜散光的影響，以發(fā)射強度大于5%發(fā)射波長峰值強度的波長給出發(fā)射波長范圍。

3.7

激發(fā)波長excitationwavelength

用于激發(fā)發(fā)光納米材料產生光發(fā)射的具體波長。

3.8

半峰寬FWHMfull-widthathalfmaximum

[發(fā)射光譜上]最大發(fā)射強度50%處的發(fā)射波長范圍。

3.9

ID數(shù)IDnumber

制造過程標識符（3.1.11），用于確認發(fā)光納米材料具體制備程序或配方唯一標識。

3.10

發(fā)光納米材料luminescentnanomaterial

用電、光或其他方式激發(fā)時，可發(fā)光的納米材料。

注：如量子點，納米熒光粉。

3.11

制造過程標識符manufacturingprocessidentifier

標識制造過程的唯一方式，代表一組特定的工藝參數(shù)。

3.12

納米材料nanomaterial

任一外部維度、內部或表面結構處于納米尺度的材料。

[來源：ISO/TS80004-1:2015,2.4]

3.13

最大吸收波長peakabsorbance

發(fā)生最大電磁輻射吸收的波長