微電子工藝實(shí)驗(yàn)1.工藝仿真實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)及襯底特性分析2.光刻與刻蝕工藝分析與應(yīng)用3.氧化工藝分析與應(yīng)用4.離子注入工藝分析與應(yīng)用5.擴(kuò)散和退火工藝分析與應(yīng)用6.薄膜淀積和外延工藝分析與應(yīng)用7.金屬化后道工藝分析與應(yīng)用8.電阻成套分析與應(yīng)用9.二極管成套工藝分析與應(yīng)用10.JEFET和MESFET成套工藝分析與應(yīng)用11.BJT成套工藝分析與應(yīng)用12.MOSFET成套工藝分析與應(yīng)用全套可編輯PPT課件本課件是可編輯的正常PPT課件微電子工藝實(shí)驗(yàn)第一章

工藝仿真實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)及襯底特性分析本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)原理思考題和拓展實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)?zāi)康?.掌握

工藝仿真網(wǎng)格劃分和網(wǎng)格稠密度原理與設(shè)置方法；2.掌握集成電路晶圓襯底的參數(shù)和設(shè)置方法；3.掌握單步工藝流程和設(shè)置方法；4.掌握工藝仿真常用功能的使用方法；5.理解

不同襯底晶圓的晶向?qū)ι裳趸瘜雍穸鹊挠绊?。本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)?zāi)康墓に嚪抡娴淖饔檬欠治龉に噮?shù)（比如氧化參數(shù)：氧化溫度、氧化時(shí)間）對(duì)于工藝輸出特性（比如：雜質(zhì)摻雜濃度，電勢(shì)分布）的影響。依托一系列物理模型和方程，實(shí)現(xiàn)對(duì)所有關(guān)鍵制造步驟，包括離子注入、擴(kuò)散、刻蝕、淀積、光刻及氧化等環(huán)節(jié)的快速且精確的模擬。在此基礎(chǔ)上，還能夠精確預(yù)測(cè)器件結(jié)構(gòu)中的幾何參數(shù)、摻雜劑量分布及應(yīng)力狀態(tài)等關(guān)鍵指標(biāo)，進(jìn)而優(yōu)化設(shè)計(jì)參數(shù)，力求在器件開(kāi)關(guān)速度、擊穿電壓、泄漏電流及可靠性之間達(dá)到最優(yōu)的平衡點(diǎn)。工藝仿真軟件通常使用有限元法來(lái)求解，將半導(dǎo)體仿真區(qū)域劃分成網(wǎng)格，在網(wǎng)格點(diǎn)處假設(shè)一個(gè)簡(jiǎn)單的函數(shù)形式，然后通過(guò)變分原理或加權(quán)余量法將偏微分方程組轉(zhuǎn)化為一組線性方程。網(wǎng)格劃分與計(jì)算的精確性、計(jì)算速度和收斂性直接相關(guān)，對(duì)仿真至關(guān)重要。仿真計(jì)算時(shí)，參數(shù)設(shè)置上需要在精確性、計(jì)算速度和收斂性之間折中。思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容2.對(duì)襯底進(jìn)行設(shè)置1.對(duì)二維結(jié)構(gòu)進(jìn)行網(wǎng)格劃分和稠密度設(shè)置3.分工藝類(lèi)型進(jìn)行仿真4.調(diào)用仿真器完成仿真并查看結(jié)果思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件線路連接設(shè)置

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件選擇微電子工藝實(shí)驗(yàn)

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件建議的網(wǎng)格設(shè)置

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件網(wǎng)格稠密度設(shè)置和襯底材料的選擇

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件襯底初始摻雜雜質(zhì)以及摻雜濃度

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件襯底晶向的選擇網(wǎng)格劃分情況

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件氧化條件和參數(shù)設(shè)置

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件參考實(shí)驗(yàn)結(jié)果：工藝仿真圖

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件數(shù)據(jù)提取

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件對(duì)Y軸方向進(jìn)行數(shù)據(jù)提取測(cè)氧化層厚度

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容思考題和拓展實(shí)驗(yàn)163本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容思考題和拓展實(shí)驗(yàn)分析不同襯底晶向?qū)ρ趸瘜雍穸鹊挠绊懠笆褂脭?shù)據(jù)對(duì)比分析功能

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)?zāi)康乃伎碱}和拓展練習(xí)思考題（1）總結(jié)進(jìn)行單步工藝實(shí)驗(yàn)操作的方法和步驟。（2）總結(jié)網(wǎng)格的稠密度和準(zhǔn)確度、計(jì)算時(shí)間之間的關(guān)系。（3）總結(jié)計(jì)算氧化層厚度的操作方法。拓展實(shí)驗(yàn)在不同網(wǎng)格設(shè)置和稠密度設(shè)置條件下，計(jì)算氧化層的厚度，比較網(wǎng)格設(shè)置對(duì)結(jié)果的影響。本課件是可編輯的正常PPT課件微電子工藝實(shí)驗(yàn)第二章

光刻與刻蝕工藝分析與應(yīng)用本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)原理思考題和拓展實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)?zāi)康?.

集成電路制造中光刻和刻蝕工藝的原理及流程；2.

使用多功能實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)平臺(tái)和半導(dǎo)體參數(shù)分析儀完成特定光刻膠線條(或圖形）、氧化硅掩膜、臺(tái)階或溝槽結(jié)構(gòu)的制作。本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)?zāi)康乃伎碱}和拓展實(shí)驗(yàn)SiPRSi光刻膠光hv掩模涂布光刻膠曝光顯影SiO2SiSiO2SiSiO2SiSi刻蝕SiSi去除光刻膠本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)?zāi)康墓饪蹋↙ithography）通過(guò)勻膠、曝光、顯影等一系列步驟，將附著在晶圓表面的光刻膠薄膜的特定部分去除，從而留下帶有微圖形結(jié)構(gòu)的光刻膠。光刻的本質(zhì)是一次圖形轉(zhuǎn)移過(guò)程，將特定的幾何圖形從掩膜版（光刻版）上轉(zhuǎn)移到晶圓表面的光刻膠上。光刻膠在光照（曝光）后會(huì)發(fā)生化學(xué)或物理反應(yīng)，使其在顯影液中的溶解度發(fā)生變化，從而通過(guò)顯影形成所需的圖案。光刻分為負(fù)性光刻和正性光刻兩種類(lèi)型。思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)?zāi)康目涛g（Etching）按照掩膜圖形或設(shè)計(jì)要求對(duì)半導(dǎo)體表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或去除的技術(shù)?？涛g是用化學(xué)或物理方法有選擇地從晶圓上去除部分材料的工藝?？涛g在某種程度上也是圖形轉(zhuǎn)移過(guò)程，將未被掩膜（光刻膠或介質(zhì)等）保護(hù)的區(qū)域去除，從而在下層材料上保留與上層掩膜對(duì)應(yīng)的幾何圖形。在集成電路制造中有兩種基本的刻蝕工藝，分別為干法刻蝕和濕法刻蝕。思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件線路連接設(shè)置

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件選擇微電子工藝實(shí)驗(yàn)

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件建議的網(wǎng)格設(shè)置

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容思考題和拓展實(shí)驗(yàn)其他常規(guī)設(shè)置具體設(shè)置工藝網(wǎng)格稠密度5度襯底材料硅初始摻雜雜質(zhì)硼初始摻雜濃度襯底晶相<100>其他常規(guī)設(shè)置本課件是可編輯的正常PPT課件光刻材料和參數(shù)設(shè)置

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件參考實(shí)驗(yàn)結(jié)果：去除選定光刻膠后的圖像

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件刻蝕材料和參數(shù)設(shè)置

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容思考題和拓展實(shí)驗(yàn)

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示參考實(shí)驗(yàn)結(jié)果：刻蝕后的圖像本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容思考題和拓展實(shí)驗(yàn)

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示制作溝槽結(jié)構(gòu)：制作淺槽結(jié)構(gòu)

（1）在襯底上沉淀光刻膠，然后設(shè)定光刻窗口（窗口大小和位置自行設(shè)定）并完成光刻工藝。

（2）以光刻膠為掩膜，刻蝕硅材料，刻蝕深度為0.5μm。（3）濕法刻蝕洗掉光刻膠。實(shí)驗(yàn)中，以選擇無(wú)圖形刻蝕（泛刻）的方式來(lái)替代濕法刻蝕，以去除剩余的光刻膠。至此，淺溝槽結(jié)構(gòu)的制備就完成。本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容思考題和拓展實(shí)驗(yàn)

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示制作溝槽結(jié)構(gòu)：2.制作深槽結(jié)構(gòu)

（1）在襯底上沉淀2μm的氧化硅（作為深槽結(jié)構(gòu)的刻蝕掩膜）。

（2）在襯底上沉淀光刻膠，然后設(shè)定光刻窗口（窗口大小和位置自行設(shè)定）并完成光刻工藝。（3）以光刻膠為掩膜，刻蝕氧化硅材料，刻蝕深度為2μm。注意，在虛擬實(shí)驗(yàn)中，此步和上一步也可合并為一步，即直接刻蝕相應(yīng)區(qū)域的氧化硅。（4）以氧化硅為掩膜，刻蝕硅材料，刻蝕深度為5μm。（5）濕法刻蝕洗掉光刻膠。實(shí)驗(yàn)中，同樣以選擇無(wú)圖形刻蝕（泛刻）的方式來(lái)替代濕法刻蝕，以去除剩余的氧化硅。至此，深溝槽結(jié)構(gòu)的制備就完成了。本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)?zāi)康乃伎碱}和拓展練習(xí)思考題（1）為什么正膠是普遍使用的光刻膠？（2）光刻膠顯影的目的是什么？（3）光刻工藝的分辨率和套刻精度有什么區(qū)別和聯(lián)系？（4）提升光刻分辨率的方法有哪些？（5）哪些材料可以作為刻蝕掩膜？（6）列舉干法刻蝕和濕法刻蝕（腐蝕）的應(yīng)用場(chǎng)合。（7）在刻蝕過(guò)程中，如何形成較好的各向異性效果？拓展實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)一個(gè)多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的光刻與刻蝕工藝，并進(jìn)行相應(yīng)的工藝實(shí)驗(yàn)。本課件是可編輯的正常PPT課件微電子工藝實(shí)驗(yàn)第三章

氧化工藝分析與應(yīng)用本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)?zāi)康?.進(jìn)一步理解集成電路制造中氧化工藝的原理與流程。2.完成對(duì)氧化類(lèi)型、氧化時(shí)間、氧化溫度等關(guān)鍵工藝參數(shù)的分析。3.使用氧化工藝進(jìn)行柵氧化層、掩蔽層、硅局部氧化隔離（LOCOS）的制作和分析。實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件氧化工藝（OxidationProcess）一般是指用熱氧化方法在硅片表面形成二氧化硅（SiO2）的過(guò)程。熱氧化形成的二氧化硅薄膜具有優(yōu)越的絕緣性和致密性。根據(jù)反應(yīng)氣體的不同，氧化工藝可分為干法氧化和濕法氧化

干法氧化反應(yīng)式：Si+O2→SiO2

濕法氧化反應(yīng)式：Si+2H2O（水蒸氣）→SiO2+2H2實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件熱氧化二氧化硅非晶態(tài)密度：2.2g/cm3良好的絕緣體電阻率>1020Ohm*cm禁帶寬度>8eV擊穿電壓>10MV/cm完美的鈍化層SiO2/Si界面態(tài)密度<1011cm-2eV-1SiO實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)

二氧化硅本課件是可編輯的正常PPT課件柵氧化層（界面鈍化層）絕緣層（電學(xué)隔離）硬掩模封裝層光學(xué)隔離實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)二氧化硅（SiO2）的應(yīng)用本課件是可編輯的正常PPT課件隔離圖形光刻(絕緣層刻蝕)熱氧化SiSiSiO2Si3N4Pad

oxideBird’s

beak

氮化硅刻蝕SiO2Si1.半凹陷（Semi-recessed）實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)

絕緣層(LOCOS）本課件是可編輯的正常PPT課件SiSiSiO2Si3N4Pad

oxideBird’s

beak隔離圖形光刻(絕緣層刻蝕、硅刻蝕)熱氧化

氮化硅刻蝕SiO2Si2.全凹陷（Fully-recessed）實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)

絕緣層(LOCOS）本課件是可編輯的正常PPT課件SiSiSi隔離圖形光刻(絕緣層刻蝕、硅刻蝕)Padoxide Si3N4氧化硅沉積(PECVD）

氮化硅刻蝕或CMP實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)

絕緣層(STI）本課件是可編輯的正常PPT課件SiSiO2CsXF1

F2氣體擴(kuò)散 化學(xué)反應(yīng)(1)SiSiO2dX(2)F2(3)C0C：氧化劑濃度，/cm3實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)

氧化機(jī)理本課件是可編輯的正常PPT課件當(dāng)t很小：當(dāng)t很大：厚度時(shí)間線性區(qū)拋物線區(qū)濕氧氧化，初始氧化層厚度很小；干氧氧化，d0大約為25nm。實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)氧化速率的解析表達(dá)本課件是可編輯的正常PPT課件2.對(duì)比不同氧化時(shí)間的氧化效果1.對(duì)比干法氧化和濕法氧化的氧化效果3.對(duì)比不同氧化溫度的氧化效果4.應(yīng)用氧化技術(shù)生成指定厚度的柵氧化層或掩蔽層5.應(yīng)用氧化技術(shù)進(jìn)行硅局部氧化隔離實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件建議的網(wǎng)格設(shè)置

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示其他常規(guī)設(shè)置具體設(shè)置工藝網(wǎng)格稠密度5度襯底材料硅初始摻雜雜質(zhì)硼初始摻雜濃度襯底晶相<100>其他常規(guī)設(shè)置實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示淀積的材料與參數(shù)設(shè)置實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示參考實(shí)驗(yàn)結(jié)果：淀積之后的圖像實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件光刻的材料與參數(shù)設(shè)置

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析、思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示參考實(shí)驗(yàn)結(jié)果：光刻之后的圖像實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示參考實(shí)驗(yàn)結(jié)果：鳥(niǎo)嘴效應(yīng)實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析：（1）采用一維數(shù)據(jù)提取功能、數(shù)據(jù)畫(huà)圖對(duì)比分析功能進(jìn)行詳細(xì)的理論分析和數(shù)據(jù)對(duì)比（比如分析LOCOS應(yīng)力問(wèn)題）。（2）改變LOCOS工藝相關(guān)設(shè)置參數(shù)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)和分析。（3）采用非提示給出的器件大小、仿真設(shè)置和襯底設(shè)置，自行設(shè)計(jì)器件大小和結(jié)構(gòu)、仿真網(wǎng)格和襯底進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，并進(jìn)行數(shù)據(jù)分析和對(duì)比。實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析實(shí)驗(yàn)內(nèi)容思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件思考題（1）列舉二氧化硅薄膜的基本用途。（2）描述熱氧化機(jī)制，并總結(jié)干法氧化和濕法氧化的區(qū)別。（3）了解和識(shí)別氧化反應(yīng)爐的基本結(jié)構(gòu)組成。（4）描述氧化物生長(zhǎng)的過(guò)程，總結(jié)有哪些參數(shù)影響氧化速率。（5）解釋LOCOS工藝及其實(shí)現(xiàn)的步驟。鳥(niǎo)嘴效應(yīng)是什么？它的

缺點(diǎn)和改善方案是什么？拓展實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)一個(gè)含氯氣體的氧化工藝實(shí)驗(yàn)，并與純氧氧化做對(duì)比。實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理思考題和拓展實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析本課件是可編輯的正常PPT課件微電子工藝實(shí)驗(yàn)第四章

離子注入工藝分析與應(yīng)用本課件是可編輯的正常PPT課件1.進(jìn)一步理解集成電路制造中離子注入工藝的原理與流程；2.使用多功能實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)平臺(tái)和半導(dǎo)體參數(shù)分析儀完成對(duì)注入離子類(lèi)型、注入劑量、注入能量等關(guān)鍵參數(shù)的分析；3.應(yīng)用離子注入實(shí)現(xiàn)倒摻雜阱的制作和分析。實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件離子注入（IonImplantation）是指通過(guò)高能離子束注入晶圓表層內(nèi)形成摻雜區(qū)域，從而改變材料的摻雜類(lèi)型或電導(dǎo)率等電學(xué)性質(zhì)。原子或分子經(jīng)過(guò)離子化后帶有一定的電荷并形成等離子體，等離子體通過(guò)加速器成為高能離子束且射入晶圓內(nèi)，并與晶圓中的原子或分子發(fā)生碰撞而逐步損失能量。當(dāng)能量耗盡后，入射離子就會(huì)停留在晶圓中的某個(gè)位置上，從而達(dá)到摻雜的目的。實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件離子注入的主要工藝參數(shù)是注入離子類(lèi)型、注入劑量、注入能量和注入角度等。為了實(shí)現(xiàn)預(yù)期的摻雜目標(biāo)，要對(duì)以上參數(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)，其中劑量決定了最終的濃度，而能量決定了離子注入的深度。倒摻雜阱工藝：是指先高能量大劑量植入離子到所需的深度，再低能量小劑量植入離子，最后進(jìn)行退火。這樣做的好處是阱區(qū)的摻雜深度和濃度可以進(jìn)行精細(xì)的調(diào)節(jié)，離子濃度最高的地方不是在表面，橫向擴(kuò)散比較小。實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)高能粒子撞擊Si表面，并進(jìn)入Si材料內(nèi)部摻雜離子注入?yún)^(qū)域內(nèi)部晶格硅原子本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)離子源篩選離子加速離子聚焦離子束Si襯底注入平均深度：調(diào)整加速能量；摻雜劑量：調(diào)整離子電流晶格斷裂或者損傷：用后續(xù)的退火處理修復(fù)離子源帶電離子燈絲加熱荷質(zhì)比符合要求的離子高能離子加速管磁分析器篩選狹縫準(zhǔn)直離子束半導(dǎo)體內(nèi)摻雜離子靜電偏置板本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)分布與熱擴(kuò)散恒定雜質(zhì)總量（有限源擴(kuò)散）時(shí)相似。離子注入峰值在投影射程Rp，熱擴(kuò)散峰值在表面（X=0)。離子注入濃度離開(kāi)Rp迅速衰減。雖有橫向注入，但是掩模邊緣的橫向滲透明顯小于熱擴(kuò)散的橫向擴(kuò)散。射程R（range)：離子從進(jìn)入晶片到停止在晶體中所經(jīng)過(guò)的總距離投影射程Rp：在入射軸上的投影投射偏差σ，（projectedstraggle）：投影射程的統(tǒng)計(jì)漲落本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)離子駐留機(jī)制——原子核阻擋eP+Si原子核阻擋：能量從注入的離子

?

Si原子熱量、晶格損傷本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)離子駐留機(jī)制——電子阻擋電子阻擋：能量注入的離子

?

電子熱量電子被激發(fā)到較高能級(jí)（激發(fā)），或脫離原子（電離）P+Sie本課件是可編輯的正常PPT課件1.對(duì)比不同注入離子類(lèi)型的注入效果：比較不同注入離子類(lèi)型所產(chǎn)生的不同效果，注入的離子類(lèi)型包括：IIA族的鈹、鎂；IIIA族的硼；IVA族的碳、硅、鍺；VA族的磷、砷、銻；VIA族的硒離子。針對(duì)不同的摻雜離子類(lèi)型，襯底也有所不同。

實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件建議的網(wǎng)格設(shè)置

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示其他常規(guī)設(shè)置具體設(shè)置工藝網(wǎng)格稠密度5度襯底材料硅或砷化鎵初始摻雜雜質(zhì)硼等10種離子類(lèi)型初始摻雜濃度襯底晶相<100>其他常規(guī)設(shè)置實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示設(shè)置離子注入的參數(shù)實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示參考實(shí)驗(yàn)結(jié)果：硼離子注入的電勢(shì)圖實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示參考實(shí)驗(yàn)結(jié)果：二維坐標(biāo)的提取實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示參考實(shí)驗(yàn)結(jié)果：倒摻雜阱第一次離子注入的電勢(shì)圖實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析：（1）采用一維數(shù)據(jù)提取功能、數(shù)據(jù)畫(huà)圖功能進(jìn)行詳細(xì)的理論分析和數(shù)據(jù)對(duì)比（比如倒摻雜阱制作時(shí)逐次離子注入效果的不同）。（2）在具有一定光刻結(jié)構(gòu)的晶圓上進(jìn)行注入角度的區(qū)別實(shí)驗(yàn)，分析注入角度不同對(duì)于離子注入的影響，比如采用實(shí)驗(yàn)3中的LOCOS工藝結(jié)構(gòu)。（3）采用非提示給出的器件大小、仿真設(shè)置和襯底設(shè)置，自行設(shè)計(jì)器件大小和結(jié)構(gòu)、仿真網(wǎng)格和襯底進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，并進(jìn)行數(shù)據(jù)分析和對(duì)比。實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析實(shí)驗(yàn)內(nèi)容思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理思考題和拓展實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析本課件是可編輯的正常PPT課件微電子工藝實(shí)驗(yàn)第五章

擴(kuò)散和退火工藝分析與應(yīng)用本課件是可編輯的正常PPT課件1.進(jìn)一步理解集成電路制造中擴(kuò)散和退火工藝的原理與流程；2.使用多功能實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)平臺(tái)和半導(dǎo)體參數(shù)分析儀完成對(duì)擴(kuò)散工藝中的雜質(zhì)源類(lèi)型、擴(kuò)散時(shí)間、擴(kuò)散溫度、摻雜濃度等參數(shù)的分析，以及對(duì)退火工藝中的退火時(shí)間、退火溫度等參數(shù)的分析；3.對(duì)比退火工藝與氧化增強(qiáng)擴(kuò)散的異同，并進(jìn)行倒摻雜阱工藝中的退火處理。實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)定義擴(kuò)散區(qū)雜質(zhì)預(yù)擴(kuò)散表面鈍化雜質(zhì)再分布SiSiO2SiSiO2SiSiO2SiO2

典型的熱擴(kuò)散工藝本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)間隙式熱擴(kuò)散和替位式熱擴(kuò)散間隙式熱擴(kuò)散：間隙原子?間隙位替位式熱擴(kuò)散：替位原子?空位間隙式熱擴(kuò)散比替位式熱擴(kuò)散快很多本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)擴(kuò)散方式：恒定源擴(kuò)散，有限源擴(kuò)散CxtxtC當(dāng)C（x=0）為常數(shù)(恒定源擴(kuò)散)：

x

2 Dt

C

x,t

Cs

erfc

Cs是表面濃度（在x=0處），不隨時(shí)間變化當(dāng)C（x=0）不為常數(shù)(有限源擴(kuò)散)：

expsC

x,t

4Dt

-x2

Dt隨著時(shí)間的增加，雜質(zhì)越來(lái)越深入半導(dǎo)體內(nèi)，為了保持摻雜總量一定，因此表面濃度必定降低。本課件是可編輯的正常PPT課件1.對(duì)比不同擴(kuò)散雜質(zhì)源類(lèi)型的擴(kuò)散效果：比較不同擴(kuò)散雜質(zhì)源類(lèi)型所產(chǎn)生的不同效果。擴(kuò)散的雜質(zhì)源類(lèi)型與離子注入一致，包括：IIA族的鈹、鎂；IIIA族的硼；IVA族的碳、硅、鍺；VA族的磷、砷、銻；VIA族的硒離子。針對(duì)不同的雜質(zhì)源類(lèi)型，襯底也有所不同。

實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件建議的網(wǎng)格設(shè)置

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示選擇擴(kuò)散的雜質(zhì)源實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示擴(kuò)散參數(shù)的設(shè)置實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示參考實(shí)驗(yàn)結(jié)果：硼離子擴(kuò)散的電勢(shì)圖實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示5.對(duì)比不同退火時(shí)間和溫度的退火效果：在離子注入后，通常使用退火工藝來(lái)修復(fù)晶格損傷并將注入后的離子進(jìn)行二次擴(kuò)散。在一些工藝場(chǎng)景中，我們還可以使用氧化增強(qiáng)擴(kuò)散來(lái)代替退火工藝。

在上一個(gè)實(shí)驗(yàn)中，我們已經(jīng)做了倒摻雜阱工藝，但僅到多次離子注入后的結(jié)果。通常，在多次離子注入后，還需要使用退火工藝激活注入離子。實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析、思考題和拓展實(shí)驗(yàn)退火方式和參數(shù)的選擇本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示實(shí)驗(yàn)內(nèi)容參考實(shí)驗(yàn)結(jié)果：退火后的電勢(shì)圖實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示

實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示參考實(shí)驗(yàn)結(jié)果：離子注入后的電勢(shì)圖實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析、思考題和拓展實(shí)驗(yàn)參考實(shí)驗(yàn)結(jié)果：干法氧化后的電勢(shì)圖本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析：（1）采用一維數(shù)據(jù)提取功能、數(shù)據(jù)畫(huà)圖功能進(jìn)行詳細(xì)的理論分析和數(shù)據(jù)對(duì)比（比如更加精細(xì)地調(diào)節(jié)倒摻雜阱工藝的注入?yún)?shù)和退火參數(shù)，讓阱區(qū)不同深度的摻雜濃度基本相同）。（2）進(jìn)行擴(kuò)散工藝與離子注入工藝的對(duì)比分析。（3）采用非提示給出的器件大小、仿真設(shè)置和襯底設(shè)置，自行設(shè)計(jì)器件大小和結(jié)構(gòu)、仿真網(wǎng)格和襯底進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，并進(jìn)行數(shù)據(jù)分析和對(duì)比。實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析實(shí)驗(yàn)內(nèi)容思考題和拓展實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)?zāi)康谋菊n件是可編輯的正常PPT課件思考題（1）簡(jiǎn)要描述擴(kuò)散工藝的原理。（2）列舉說(shuō)明擴(kuò)散的主要優(yōu)點(diǎn)與缺點(diǎn)。（3）解釋擴(kuò)散中的間隙運(yùn)動(dòng)和替位運(yùn)動(dòng)。（4）如果只用熱擴(kuò)散實(shí)現(xiàn)倒摻雜阱工藝，會(huì)存在哪些困難？（5）思考并總結(jié)擴(kuò)散工藝和離子注入工藝的區(qū)別。拓展實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)并進(jìn)行雙擴(kuò)散（DDD）或輕摻雜漏（LDD）工藝實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理思考題和拓展實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析本課件是可編輯的正常PPT課件微電子工藝實(shí)驗(yàn)第六章

薄膜淀積和外延工藝分析與應(yīng)用本課件是可編輯的正常PPT課件1.進(jìn)一步理解集成電路制造中薄膜淀積工藝的原理與流程，特別是關(guān)于介質(zhì)淀積和外延工藝；2.使用多功能實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)平臺(tái)和半導(dǎo)體參數(shù)分析儀完成單層與多層外延、介質(zhì)薄膜淀積、絕緣層上硅（SOI）襯底及溝槽介質(zhì)隔離等結(jié)構(gòu)的制作和分析。實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件沉積是重要的微電子單步工藝，通常用于沉積掩蔽層、絕緣層和金屬層等需要完整覆蓋的介質(zhì)。根據(jù)沉積介質(zhì)的不同會(huì)選擇不同的設(shè)備，包括低壓化學(xué)氣象淀積、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積、磁控濺射臺(tái)和真空蒸鍍臺(tái)等。沉積的參數(shù)主要包括沉積材料和沉積厚度實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件外延同樣是重要的微電子單步工藝，通常用于硅襯底或砷化鎵襯底的二次生長(zhǎng)來(lái)形成摻雜濃度不同或厚度不同的襯底。通常使用氣相外延設(shè)備或分子束外延設(shè)備。外延參數(shù)通常包括外延材料、外延厚度、外延摻雜雜質(zhì)類(lèi)型和外延摻雜雜質(zhì)濃度。實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)物理氣相沉積化學(xué)氣相沉積外延生長(zhǎng)物理過(guò)程化學(xué)反應(yīng)晶格延伸薄膜淀積的類(lèi)型本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)物理氣相淀積（PVD)蒸鍍：蒸鍍?cè)传@得能量，蒸發(fā)變?yōu)闅鈶B(tài)，吸附在襯底表面固化為薄膜濺射高能粒子（一般為Ar+）撞擊靶材，使靶材中的原子獲得能量飛出，吸附在襯底表面形成薄膜蒸鍍?cè)矗ò胁模┎牧?/p>

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薄膜材料本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)化學(xué)氣相淀積（CVD)反應(yīng)源（一般為氣體）在腔體內(nèi)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，反應(yīng)產(chǎn)物沉積在襯底表面形成薄膜

源→化學(xué)反應(yīng)→薄膜材料源的材料≠薄膜材料外延反應(yīng)器中的基座類(lèi)似于晶體生長(zhǎng)爐中的坩堝，其不僅對(duì)晶圓片起著機(jī)械支撐作用，而且在反應(yīng)器中作為熱能量的來(lái)源。CVD能在常壓下進(jìn)行（APCVD），也能在低壓強(qiáng)下進(jìn)行（LPCVD）。本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)有些元素不能形成穩(wěn)定的氫化物和鹵化物，但是在適當(dāng)?shù)恼魵鈮合聟s能形成穩(wěn)定的金屬有機(jī)化合物。利用金屬有機(jī)化合物在低溫下易分解的性質(zhì)，在低溫下利用熱解后生成的原子在襯底表面進(jìn)行外延生長(zhǎng)被廣泛應(yīng)用于III-V和II-VI族化合物的異質(zhì)外延層的生長(zhǎng)沉積過(guò)程有化學(xué)反應(yīng)主要應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體的外延生長(zhǎng)金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)在超高真空條件（約10-Pa）下使一束或多束構(gòu)成晶體的各組分摻雜原子流，噴射在襯底表面，形成與襯底晶體結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的外延薄膜能對(duì)化學(xué)成分和摻雜分布進(jìn)行精確控制。具有原子層量級(jí)厚度的多層單晶結(jié)構(gòu)可以采用MBE方法生長(zhǎng)。MBE工藝能夠用于半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)的精確制造，這種結(jié)構(gòu)具有非常薄的厚度，從微米量級(jí)直到單原子層。一般來(lái)說(shuō)，MBE的生長(zhǎng)速率很慢。例如GaAs，其典型的生長(zhǎng)速率為1μm/hr。沉積過(guò)程沒(méi)有化學(xué)反應(yīng)，類(lèi)似于物理氣相沉積本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)晶格匹配外延和應(yīng)力層外延同質(zhì)外延異質(zhì)外延本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)應(yīng)力層超晶格超晶格結(jié)構(gòu)是一種周期性結(jié)構(gòu)，由周期小于電子平均自由程的超薄膜層交替出現(xiàn)而形成。每層膜的厚度等于或小于10nm?？梢酝ㄟ^(guò)MBE生長(zhǎng)而成新結(jié)構(gòu)，新器件本課件是可編輯的正常PPT課件建議的網(wǎng)格設(shè)置

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析、思考題和拓展實(shí)驗(yàn)其他常規(guī)設(shè)置具體設(shè)置工藝網(wǎng)格稠密度5度襯底材料硅初始摻雜雜質(zhì)硼初始摻雜濃度襯底晶相<100>其他常規(guī)設(shè)置本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示外延摻雜雜質(zhì)材料與參數(shù)設(shè)置實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示參考實(shí)驗(yàn)結(jié)果：外延工藝的電勢(shì)圖實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示沉積材料選擇與參數(shù)設(shè)置實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示參考實(shí)驗(yàn)結(jié)果：沉積的形狀圖和電勢(shì)圖實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示應(yīng)用外延和淀積工藝制作SOI襯底：（1）淀積SiO2絕緣層（2）外延硅形成SOI結(jié)構(gòu)制作MOSFET基本單元的側(cè)墻結(jié)構(gòu)：（1）氧化形成柵氧化層（2）淀積多晶硅（3）光刻多晶硅（4）光刻氧化層（5）淀積氮化層（6）刻蝕氮化層實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示參考實(shí)驗(yàn)結(jié)果：MOSFET基本單元的柵極側(cè)墻結(jié)構(gòu)實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析：（1）采用一維數(shù)據(jù)提取功能、數(shù)據(jù)畫(huà)圖功能進(jìn)行詳細(xì)的理論分析和數(shù)據(jù)對(duì)比。（2）采用非提示給出的器件大小、仿真設(shè)置和襯底設(shè)置，自行設(shè)計(jì)器件大小和結(jié)構(gòu)、仿真網(wǎng)格和襯底進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，并進(jìn)行數(shù)據(jù)分析和對(duì)比。實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析實(shí)驗(yàn)內(nèi)容思考題和拓展實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)?zāi)康谋菊n件是可編輯的正常PPT課件思考題（1）列舉薄膜淀積工藝的幾個(gè)主要階段。（2）簡(jiǎn)述獲得二氧化硅薄膜的工藝方法有哪些，并對(duì)比它們的優(yōu)缺點(diǎn)。（3）多晶硅為什么可以作為柵極？淀積多晶硅柵通常采用什么工藝？（4）LPCVD中的低壓有什么好處？（5）對(duì)比PECVD與LPCVD，它們的主要差別是什么？（6）對(duì)LPCVD和PECVD淀積的氧化硅進(jìn)行刻蝕，哪種材料的刻蝕速率更快？（7）與傳統(tǒng)單晶硅襯底相比，使用SOI襯底有什么優(yōu)點(diǎn)？（8）什么是淺槽介質(zhì)隔離工藝？相比LOCOS工藝有什么優(yōu)點(diǎn)？拓展實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)一個(gè)淺槽介質(zhì)隔離工藝，在SOI襯底上完成相應(yīng)的實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理思考題和拓展實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析本課件是可編輯的正常PPT課件微電子工藝實(shí)驗(yàn)第七章

金屬化后道工藝分析與應(yīng)用本課件是可編輯的正常PPT課件1.進(jìn)一步理解集成電路制造中金屬化后道工藝的原理與流程，特別是物理氣相淀積工藝中的蒸發(fā)和濺射金屬制備方法；2.同時(shí)使用多功能實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)平臺(tái)和半導(dǎo)體參數(shù)分析儀完成金屬電極、多層互聯(lián)層的制作與分析，并熟悉大馬士革鑲嵌工藝的制作工序。實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件后道工藝聚焦于半導(dǎo)體芯片表面金屬互聯(lián)層的構(gòu)建，即通過(guò)淀積和圖形化金屬材料形成導(dǎo)電通路，實(shí)現(xiàn)器件（如晶體管）之間的電學(xué)連接，最終得到具有特定功能的電路或芯片，這一過(guò)程也被簡(jiǎn)稱(chēng)為金屬化工藝（MetallizationProcess），其主要包括金屬接觸（Contact）、通孔（Via）、金屬互聯(lián)（Interconnect）三大關(guān)鍵工藝。金屬接觸特指器件有源區(qū)表面（如晶體管的源極和漏極）的半導(dǎo)體材料與第一層金屬（M1）之間的界面連接。為了確保第一層金屬和半導(dǎo)體材料表面之間具備良好的導(dǎo)電性能，并且達(dá)到期望的電接觸界面及界面附著力，一般會(huì)加入快速退火的處理，使得金屬與硅反應(yīng)形成合金（硅化物），從而降低接觸電阻。金屬接觸也稱(chēng)為歐姆接觸，因?yàn)槠浣佑|界面的伏安特性滿足歐姆定律。實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件通孔是指穿過(guò)介質(zhì)層后實(shí)現(xiàn)相鄰金屬層垂直互聯(lián)的導(dǎo)電通道。一般情況下，完成前道工藝后的器件表面會(huì)有一層絕緣介質(zhì)，而在不同的金屬層之間也會(huì)有絕緣介質(zhì)作為層間介質(zhì)（Inter-LayerDielectric，ILD）。因此，每一層金屬的金屬化工藝首先要對(duì)該層間介質(zhì)進(jìn)行光刻和刻蝕，從而在金屬層和硅之間形成連接通道。金屬互聯(lián)是指將同一芯片內(nèi)部獨(dú)立的元件按照電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，通過(guò)金屬導(dǎo)電材料實(shí)現(xiàn)電氣連接。該工藝包含以下環(huán)節(jié)：首先，在介質(zhì)層上進(jìn)行光刻和刻蝕，形成通孔；其次，通過(guò)蒸發(fā)、濺射等物理氣相淀積（PVD）或化學(xué)氣相淀積（CVD）技術(shù)，在整個(gè)晶圓表面和通孔內(nèi)淀積一層金屬薄膜；再次，通過(guò)光刻、濕法腐蝕（或刻蝕、剝離）等方式選擇性去除部分區(qū)域的金屬，實(shí)現(xiàn)金屬的圖形化；最后，對(duì)剩余的金屬通過(guò)接觸退火處理，確保形成穩(wěn)定可靠的接觸和互聯(lián)效果。實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)互聯(lián)的直觀形貌本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)金屬間絕緣層P++PPN+P+PolyPolyN++N++P++P++N-通孔(Via)局部互聯(lián)全局互聯(lián)互聯(lián)：局部互聯(lián)與全局互聯(lián)本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)蒸鍍：蒸鍍?cè)传@得能量，蒸發(fā)變?yōu)闅鈶B(tài)，吸附在襯底表面固化為薄膜濺射高能粒子（一般為Ar+）撞擊靶材，使靶材中的原子獲得能量飛出，吸附在襯底表面形成薄膜蒸鍍?cè)矗ò胁模┎牧?/p>

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薄膜材料金屬的物理氣相淀積本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)金屬的化學(xué)氣相淀積在金屬化工藝中,CVD提供了具有良好臺(tái)階覆蓋性能的共形性覆蓋層,并且一次能夠覆蓋大量晶圓片。即使硅片表面形狀復(fù)雜,低壓CVD也能夠形成共形臺(tái)階覆蓋,而且與PVD相比,其膜層通常具有更低的電阻率。SiO2AlLiner（Ti/TiN，防止原子擴(kuò)散)WAlW,TiN的化學(xué)氣相淀積本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)互聯(lián)的RC延時(shí)RC延時(shí)（s）10-12110-1110-1010-910-810-12110-1110-1010-910-810-12110-1110-1010-910-8Fmin=1μm10 100芯片面積（mm2）Fmin=0.5μm10100芯片面積（mm2）Fmin=0.25μm10 100芯片面積（mm2）特征尺寸縮小本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)SiO2CuCu互聯(lián)Cu的電阻率低，電遷移抵御能力強(qiáng)。Cu可以采用CMP工藝Cu的金屬化本課件是可編輯的正常PPT課件建議的網(wǎng)格設(shè)置

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示其他常規(guī)設(shè)置具體設(shè)置工藝網(wǎng)格稠密度5度襯底材料硅初始摻雜雜質(zhì)硼初始摻雜濃度襯底晶相<100>其他常規(guī)設(shè)置實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件1.金屬電極工藝：（1）制作襯底；（2）淀積0.1μm的氧化層作為介質(zhì)層；（3）進(jìn)行介質(zhì)層的光刻，根據(jù)設(shè)計(jì)的器件結(jié)構(gòu)，金屬電極在0.4～0.6μm處，故光刻參數(shù)應(yīng)該為：x1=0.4，x2=0.6；（4）淀積0.2μm金屬鋁化層；（5）進(jìn)行金屬電極的光刻，根據(jù)電極的位置，光刻參數(shù)可以設(shè)置為：x1=0，x2=0.3，x3=0.7，x4=1.0。至此，金屬電極的后道工藝流程就完成了，仔細(xì)完成和分析相關(guān)實(shí)驗(yàn)過(guò)程。實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示參考實(shí)驗(yàn)結(jié)果：金屬電極結(jié)構(gòu)示意圖實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件2.多層金屬互聯(lián)工藝：（1）第一層互聯(lián)工藝①淀積0.1μm的氧化層作為介質(zhì)層；②進(jìn)行介質(zhì)層的光刻，根據(jù)設(shè)計(jì)的器件結(jié)構(gòu)，金屬電極在0.1～0.2μm、0.3～0.4μm、0.6～0.7μm和0.8～0.9μm處，故光刻參數(shù)應(yīng)該為：x1=0.1，x2=0.2，x3=0.3，x4=0.4，x5=0.6，x6=0.7，x7=0.8，x8=0.9；③淀積0.1μm金屬鋁化層；④進(jìn)行金屬電極的光刻，根據(jù)電極的位置，光刻參數(shù)可以設(shè)置為：x1=0，x2=0.09，x3=0.41，x4=0.59，x5=0.91，x6=1.0。實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件2.多層金屬互聯(lián)工藝：（2）第二層互聯(lián)工藝①淀積0.1μm的氧化層作為介質(zhì)層；②進(jìn)行介質(zhì)層的光刻，根據(jù)設(shè)計(jì)的器件結(jié)構(gòu)，第二層金屬電極在0.2～0.3μm、0.7～0.8μm處，故光刻參數(shù)應(yīng)該為：x1=0.2，x2=0.3，x3=0.7，x4=0.8；③淀積0.1μm金屬鋁化層；④進(jìn)行第二層金屬電極的光刻，根據(jù)電極的位置，光刻參數(shù)可以設(shè)置為：x1=0，x2=0.19，x3=0.81，x4=1.0，光刻材料就是淀積的金屬鋁化層。實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示參考實(shí)驗(yàn)結(jié)果：多層金屬互聯(lián)結(jié)構(gòu)示意圖實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件3.單大馬士革鑲嵌工藝：（1）淀積0.5μm的氧化層作為介質(zhì)層；（2）進(jìn)行介質(zhì)通孔（溝槽）的光刻及刻蝕，根據(jù)設(shè)計(jì)的器件結(jié)構(gòu)，金屬電極在0.3～0.7μm處，故光刻參數(shù)應(yīng)該為：x1=0.3，x2=0.7。（3）淀積2μm的金屬銅填充溝槽，也可以嘗試淀積不同厚度的金屬，觀察金屬填充效果；（4）采用CMP技術(shù)來(lái)拋光去除多余的銅。本實(shí)驗(yàn)中，以無(wú)圖形刻蝕（泛刻）2μm銅的方式，來(lái)替代CMP技術(shù)，無(wú)須設(shè)置刻蝕窗口；至此，單大馬士革鑲嵌工藝的流程就完成了。實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析：（1）采用一維數(shù)據(jù)提取功能、數(shù)據(jù)畫(huà)圖功能進(jìn)行詳細(xì)的理論分析和數(shù)據(jù)對(duì)比。（2）采用非提示給出的器件大小、仿真設(shè)置和襯底設(shè)置，自行設(shè)計(jì)器件大小和結(jié)構(gòu)、仿真網(wǎng)格和襯底進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，并進(jìn)行數(shù)據(jù)分析和對(duì)比。實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析實(shí)驗(yàn)內(nèi)容思考題和拓展實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)?zāi)康谋菊n件是可編輯的正常PPT課件思考題（1）解釋下面的名詞：互聯(lián)、接觸、通孔。（2）列舉鋁被選為集成電路互聯(lián)金屬的原因。（3）什么是歐姆接觸？它有什么作用？（4）對(duì)比蒸發(fā)和濺射方法，哪種方法更適合“合金薄膜”的淀積？

（5）使用大馬士革鑲嵌工藝的主要原因是什么？拓展實(shí)驗(yàn)根據(jù)圖7.5設(shè)計(jì)的雙大馬士革鑲嵌工藝工序，完成相應(yīng)的工藝實(shí)驗(yàn)，仔細(xì)分析相關(guān)的實(shí)驗(yàn)過(guò)程。實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理思考題和拓展實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析本課件是可編輯的正常PPT課件微電子工藝實(shí)驗(yàn)第八章

電阻成套分析與應(yīng)用本課件是可編輯的正常PPT課件1.進(jìn)一步熟悉半導(dǎo)體工藝的原理和集成電阻的類(lèi)型；2.使用多功能實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)平臺(tái)和實(shí)驗(yàn)用半導(dǎo)體參數(shù)分析儀，完成電阻制作的成套工藝。實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件擴(kuò)散電阻是通過(guò)雜質(zhì)擴(kuò)散形成的電阻，因制作方法不同，也可以分為阱電阻和P+/N+電阻。擴(kuò)散電阻的阻值與擴(kuò)散的雜質(zhì)類(lèi)型、摻雜濃度和擴(kuò)散深度等有關(guān)。擴(kuò)散電阻的工藝穩(wěn)定性相對(duì)較差，容易受溫度和阱電壓、襯底電壓的影響，從而呈現(xiàn)出非線性，并且其絕對(duì)數(shù)值也較難精確控制，匹配難度較大。離子注入電阻是通過(guò)離子注入工藝形成的電阻，可以通過(guò)改變離子注入的能量、劑量以及注入層的厚度等參數(shù)精確地控制電阻的阻值。在一定的溫度范圍內(nèi)，離子注入電阻的阻值變化相對(duì)較小，具有較好的溫度穩(wěn)定性。離子注入電阻與集成電路制造工藝的兼容性好，可以在同一芯片上與其他器件一起集成制造，有利于提高電路的集成度和性能。實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件多晶硅電阻是標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝中較為理想的無(wú)源電阻，是由用作MOS管柵極的多晶硅層做成的電阻。有些工藝除了有用來(lái)做柵極的多晶硅，還有專(zhuān)門(mén)用來(lái)做電阻的其他多晶硅層。多晶硅電阻的阻值可以通過(guò)控制多晶硅條的尺寸和形狀來(lái)調(diào)整。摻雜硅化的多晶硅電阻的電阻率較小，通常最大方塊電阻值為100Ω/□左右，其阻值會(huì)受注入材料中的摻雜濃度的影響，阻值的變化范圍較大，計(jì)算準(zhǔn)確值有一定難度。摻雜非硅化或非摻雜非硅化的多晶硅電阻的阻值較大，方塊電阻值可以達(dá)到2000Ω/□左右，在精度和匹配性能方面相對(duì)較好。金屬材料（如鋁、銅等）也可以用于制作集成電路中的電阻。金屬電阻的優(yōu)點(diǎn)是電阻值相對(duì)較小，導(dǎo)電性好，能夠承受較大的電流。但是，金屬電阻的精度和穩(wěn)定性相對(duì)較差，并且在集成電路制造過(guò)程中需要特殊的工藝來(lái)制備。實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件電阻工藝介紹：完整的電阻制造流程包括前道工序和后道工序。（1）前道工序主要包括：制作N型擴(kuò)散區(qū)。（2）后道工序主要包括：制作P和N兩個(gè)電極。實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件電阻工藝介紹：擴(kuò)散電阻工藝制造過(guò)程中核心需要注意如下事項(xiàng)：（1）擴(kuò)散電阻的擴(kuò)散區(qū)的凈摻雜需全部為正值或負(fù)值；（2）擴(kuò)散電阻的等效長(zhǎng)度需至少為1nm；（3）擴(kuò)散電阻的等效摻雜濃度不能為0；（4）擴(kuò)散電阻的深度需要大于0。實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示參考電阻結(jié)構(gòu)圖實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件建議的網(wǎng)格設(shè)置

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示其他常規(guī)設(shè)置具體設(shè)置工藝網(wǎng)格稠密度5度襯底材料硅初始摻雜雜質(zhì)硼初始摻雜濃度襯底晶相<100>其他常規(guī)設(shè)置實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示參考實(shí)驗(yàn)結(jié)果：沉積和光刻實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示參考實(shí)驗(yàn)結(jié)果：磷離子注入后的電勢(shì)圖實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示參考實(shí)驗(yàn)結(jié)果：完成電阻前道工序后的電勢(shì)圖實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示參考實(shí)驗(yàn)結(jié)果：提取的磷摻雜濃度曲線實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示參考實(shí)驗(yàn)結(jié)果：制作電極后的結(jié)構(gòu)圖和電勢(shì)圖實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析實(shí)驗(yàn)內(nèi)容思考題和拓展實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)?zāi)康谋菊n件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理思考題和拓展實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析本課件是可編輯的正常PPT課件微電子工藝實(shí)驗(yàn)第九章

二極管成套工藝分析與應(yīng)用本課件是可編輯的正常PPT課件1.進(jìn)一步熟悉半導(dǎo)體工藝的原理和二極管的工作機(jī)理；2.使用多功能實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)平臺(tái)和實(shí)驗(yàn)用半導(dǎo)體參數(shù)分析儀，完成二極管制作的成套工藝。實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)PN結(jié)是最基本的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)之一。很多半導(dǎo)體器件由兩個(gè)或多個(gè)PN結(jié)組合而成。最初在PN突變結(jié)附近存在著較大的電子和空穴的濃度梯度，因此N區(qū)的電子向P區(qū)擴(kuò)散，P區(qū)的空穴向N區(qū)擴(kuò)散，最終在結(jié)附近的N區(qū)留下了帶正電的施主離子，P區(qū)內(nèi)則留下了帶負(fù)電的受主離子。PN結(jié)內(nèi)的這兩個(gè)帶電區(qū)域被稱(chēng)為空間電荷區(qū)，在電場(chǎng)作用下，所有電子與空穴基本被掃出空間電荷區(qū)，因此空間電荷區(qū)也被稱(chēng)作耗盡區(qū)。本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理熱平衡狀態(tài)下的PN突變結(jié)本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)空間電荷區(qū)耗盡層寬度理想二極管的電流與電壓關(guān)系本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)金屬-半導(dǎo)體接觸可分為肖特基接觸和歐姆接觸兩種類(lèi)型。其中歐姆接觸是理想非整流接觸，接觸電阻低，理想情況下通過(guò)的電流是外加偏壓的線性函數(shù)。半導(dǎo)體器件的大部分電極均為歐姆接觸電極，包括PN二極管的陽(yáng)極和陰極。本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)當(dāng)金屬功函數(shù)?m大于半導(dǎo)體功函數(shù)?s時(shí)，電子通過(guò)界面需要跨過(guò)阻擋層，即肖特基勢(shì)壘。在熱平衡狀態(tài)下，費(fèi)米能級(jí)在系統(tǒng)內(nèi)為常數(shù)，半導(dǎo)體內(nèi)的電子流向金屬，帶正電的施主原子留在半導(dǎo)體內(nèi)，在界面處形成耗盡區(qū)。此時(shí)金屬-半導(dǎo)體接觸為肖特基接觸。當(dāng)金屬功函數(shù)?m小于半導(dǎo)體功函數(shù)?s時(shí)，金屬與N型半導(dǎo)體之間形成理想的接觸。對(duì)于中等至重度摻雜的半導(dǎo)體而言，電子從金屬流向半導(dǎo)體的有效勢(shì)壘高度極微小，使得電子能夠輕易地跨越勢(shì)壘進(jìn)入半導(dǎo)體。此時(shí)，金屬-半導(dǎo)體接觸變成了歐姆接觸。本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)?m>?s時(shí)N型半導(dǎo)體金屬-半導(dǎo)體接觸能帶結(jié)構(gòu)圖本課件是可編輯的正常PPT課件實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)?m<?s時(shí)N型半導(dǎo)體金屬-半導(dǎo)體接觸能帶結(jié)構(gòu)圖本課件是可編輯的正常PPT課件二極管工藝介紹：完整的二極管制造流程也包括前道工序和后道工序。（1）前道工序主要包括：第一部分：制作N型擴(kuò)散區(qū)；第二部分：制作P型擴(kuò)散區(qū)。（2）后道工序主要包括：第三部分：制作P和N兩個(gè)電極。實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件二極管工藝介紹：二極管工藝制造過(guò)程中需要注意如下事項(xiàng)：（1）二極管有且僅有一個(gè)N型摻雜區(qū)和一個(gè)P型摻雜區(qū)；二極管的等效深度要大于0；（2）二極管的N型摻雜區(qū)和P型摻雜區(qū)的凈摻雜不能為0。實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示參考二極管結(jié)構(gòu)圖實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件建議的網(wǎng)格設(shè)置

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示其他常規(guī)設(shè)置具體設(shè)置工藝網(wǎng)格稠密度5度襯底材料硅初始摻雜雜質(zhì)硼初始摻雜濃度襯底晶相<100>其他常規(guī)設(shè)置實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示參考實(shí)驗(yàn)結(jié)果：完成前道工序后的電勢(shì)圖實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示參考實(shí)驗(yàn)結(jié)果：完成后道工序后的結(jié)構(gòu)圖和電勢(shì)圖實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析實(shí)驗(yàn)內(nèi)容思考題和拓展實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)?zāi)康谋菊n件是可編輯的正常PPT課件思考題（1）假設(shè)NA=1×1015cm-3，ND=1×1017cm-3，計(jì)算空間電荷區(qū)的寬度。（2）溫度每升高10℃，在相同正向偏壓下，二極管的電流如何變化？拓展實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)一個(gè)擊穿電壓為100V的PN結(jié)二極管的成套工藝流程。實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理思考題和拓展實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析本課件是可編輯的正常PPT課件微電子工藝實(shí)驗(yàn)第十章

JFET和MESFET成套工藝分析與應(yīng)用本課件是可編輯的正常PPT課件1.進(jìn)一步熟悉集成電路制造原理和雙極型晶體管（BJT）的工藝流程；2.使用多功能實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)平臺(tái)和實(shí)驗(yàn)用半導(dǎo)體參數(shù)分析儀，完成NPN型BJT和PNP型BJT制作的成套工藝。實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件JFET和MESFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流的半導(dǎo)體器件。常見(jiàn)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MESFET）和金屬-氧化物-半導(dǎo)體效應(yīng)晶體管（MOSFET）。其中，JFET和MESFET的器件工藝結(jié)構(gòu)原理十分相似，主要區(qū)別為：JFET的柵控原理是通過(guò)構(gòu)造PN結(jié)來(lái)實(shí)現(xiàn)，而MESFET的柵控原理是通過(guò)構(gòu)造半導(dǎo)體肖特基勢(shì)壘來(lái)實(shí)現(xiàn)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理本課件是可編輯的正常PPT課件JFET工作機(jī)理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理兩個(gè)P+區(qū)之間的N區(qū)就是溝道區(qū)。施加的柵壓、漏壓調(diào)制兩個(gè)P+N結(jié)的空間電荷區(qū)，從而改變溝道區(qū)的導(dǎo)電路徑和電導(dǎo)來(lái)控制器件特性。N區(qū)的多子電子從源極通過(guò)溝道區(qū)流到漏極，所以JFET是多子器件。本課件是可編輯的正常PPT課件JFET工作機(jī)理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理當(dāng)VD=0、在柵極上加負(fù)壓時(shí)N溝道JFET內(nèi)部空間電荷區(qū)的分布本課件是可編輯的正常PPT課件JFET工作機(jī)理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理當(dāng)VG=0V、加漏壓時(shí)N溝道JFET內(nèi)部空間電荷區(qū)的分布本課件是可編輯的正常PPT課件JFET工作機(jī)理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理本課件是可編輯的正常PPT課件MESFET工作機(jī)理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理耗盡型MESFET在柵極加反向偏壓情況下會(huì)在金屬柵下產(chǎn)生空間電荷區(qū)，減小導(dǎo)電溝道的寬度，調(diào)制溝道電導(dǎo)。若施加足夠大的負(fù)柵壓，空間電荷區(qū)將擴(kuò)展至襯底，導(dǎo)致溝道夾斷。耗盡型MESFET的使用難度較大，不施加負(fù)柵壓，無(wú)法將其關(guān)斷。增強(qiáng)型MESFET在零偏壓條件下，空間電荷區(qū)伸展到整個(gè)溝道區(qū)，因此是不導(dǎo)電的。為了開(kāi)啟溝道，必須在柵極上加正向偏壓，使得耗盡區(qū)面積減小。增強(qiáng)型MESFET的優(yōu)點(diǎn)在于可設(shè)計(jì)柵、漏電壓極性相同的電路。然而，其輸出電壓擺幅很小。本課件是可編輯的正常PPT課件JFET工藝介紹：完整的JFET制造流程包括前道工序和后道工序。（1）前道工序主要包括：第一部分：制作N型溝道區(qū)；第二部分：制作P+型擴(kuò)散區(qū)；第三部分：制作N+型擴(kuò)散區(qū)。（2）后道工序主要包括：第三部分：制作D、G、S三端的金屬電極。JFET和MESFET工藝介紹實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件JFET工藝制造過(guò)程中注意事項(xiàng)：（1）JFET柵極的位置只能在源極和漏極中間；（2）JFET柵極垂直方向的襯底區(qū)域需滿足從N型到P型再到N型或者從P型到N型再到P型的連續(xù)變化；（3）JFET源極柵極漏極所在襯底的摻雜極性需滿足NPN或PNP的摻雜極性；（4）JFET源極柵極漏極所在襯底表面的摻雜需滿足從N到P到N或從P到N到P的連續(xù)變化；（5）JFET溝道厚度需大于0；（6）JFET溝道的長(zhǎng)度需大于0。JFET和MESFET工藝介紹實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件MESFET工藝介紹：完整的MESFET制造流程包括前道工序和后道工序。（1)前道工序主要包括：第一部分：制作溝道區(qū)；第二部分：制作源漏擴(kuò)散區(qū)。(2)后道工序主要包括：第三部分：制作金屬電極。JFET和MESFET工藝介紹實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件MESFET制造過(guò)程中注意事項(xiàng)：(1)MESFET柵極的位置只能在源極和漏極中間；(2)MESFET源極柵極漏極所在襯底的摻雜極性需滿足同為N型或同為P型的摻雜極性；(3)MESFET源極柵極漏極所在襯底表面摻雜濃度需滿足從大（歐姆接觸）到?。ㄐぬ鼗佑|）再到大（歐姆接觸）的連續(xù)變化；(4)MESFET溝道厚度需大于0.JFET和MESFET工藝介紹實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示參考JFET結(jié)構(gòu)圖實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示JFET實(shí)驗(yàn)建議的網(wǎng)格設(shè)置實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示其他常規(guī)設(shè)置具體設(shè)置工藝網(wǎng)格稠密度5度襯底材料硅初始摻雜雜質(zhì)硼初始摻雜濃度襯底晶相<100>其他常規(guī)設(shè)置實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示參考實(shí)驗(yàn)結(jié)果：前道工藝完成后的電勢(shì)圖實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示參考實(shí)驗(yàn)結(jié)果：后道工藝完成后的結(jié)構(gòu)圖和電勢(shì)圖實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示參考MESFET結(jié)構(gòu)圖實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示MESFET實(shí)驗(yàn)建議的網(wǎng)格設(shè)置實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示其他常規(guī)設(shè)置具體設(shè)置工藝網(wǎng)格稠密度5度襯底材料砷化鎵初始摻雜雜質(zhì)碳初始摻雜濃度襯底晶相<100>其他常規(guī)設(shè)置實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示參考實(shí)驗(yàn)結(jié)果：前道工藝完成后的電勢(shì)圖實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)操作步驟和提示參考實(shí)驗(yàn)結(jié)果：后道工藝完成后的結(jié)構(gòu)圖和電勢(shì)圖實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)本課件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析實(shí)驗(yàn)內(nèi)容思考題和拓展實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)?zāi)康谋菊n件是可編輯的正常PPT課件

實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)原理思考題和拓展實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析本課件是可編輯的正常PPT課件微電子工藝實(shí)驗(yàn)第十一章

BJT成套工藝分析與應(yīng)用本課件是可編輯的正常PPT課件1.進(jìn)一步熟悉集成電路制造原理和雙極型晶體管（BJT）的工藝流程；2.使用多功能實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)平臺(tái)和實(shí)驗(yàn)用半導(dǎo)體參數(shù)分析儀，完成NPN型BJT和PNP型BJT制作的成套工藝。本課件是可編輯的正常PPT課件BJT工作機(jī)理工作機(jī)理同時(shí)涉及電子和空穴兩種載流子的流動(dòng)，因此它被稱(chēng)為雙極性的，所以也稱(chēng)雙極性載流子晶體管。雙極性晶體管由三部分摻雜程度不同的半導(dǎo)體制成，晶體管中的電荷流動(dòng)主要是由于載流子在PN結(jié)處的擴(kuò)散作用和漂移運(yùn)動(dòng)。以NPN晶體管為例，按照設(shè)計(jì)，高摻雜的發(fā)射極區(qū)域的電子，通過(guò)擴(kuò)散作用運(yùn)動(dòng)到基極。在基極區(qū)域，空穴為多數(shù)載流子，電子是少數(shù)載流子。由于基極區(qū)域很薄，這些電子又通過(guò)漂移運(yùn)動(dòng)到達(dá)集電極，從而形成集電極電流，因此雙極性晶體管被歸到少數(shù)載流子器件。實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理本課件是可編輯的正常PPT課件BJT工作機(jī)理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理NPN型BJT的偏置方式本課件是可編輯的正常PPT課件BJT工作機(jī)理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理4種工作區(qū)：截止區(qū)、正向有源區(qū)（放大區(qū)）、飽和區(qū)與反向有源區(qū)。以NPN型BJT為例，若B-E結(jié)電壓為零或反向偏置，B-C結(jié)也反向偏置，則此時(shí)的發(fā)射極電流和集電極電流均為零，BJT截止，其所有電流均為零。當(dāng)B-E結(jié)變?yōu)檎蚱煤?，BJT將產(chǎn)生發(fā)射極電流，注入基區(qū)的電子產(chǎn)生集電極電流，此時(shí)B-C結(jié)仍為反向偏置，BJT處于正向有源區(qū)。隨著B(niǎo)-E結(jié)電壓的增大，集電極電流增加，當(dāng)B-C結(jié)變?yōu)檎蚱脮r(shí)，BJT進(jìn)入飽和狀態(tài)。第四種工作區(qū)稱(chēng)為反向有源區(qū)。和正向有源區(qū)不同，這種情況下發(fā)射極和集電極互換，B-E結(jié)反向偏置，而B(niǎo)-C結(jié)正向偏置。但BJT的發(fā)射區(qū)和集電區(qū)的尺寸與摻雜濃度并不相同，因此BJT反向有源特性和正向有源特性并不是簡(jiǎn)單的對(duì)稱(chēng)互換。本課件是可編輯的正常PPT課件BJT工作機(jī)理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理NPN型BJT內(nèi)部的電流NPN型BJT內(nèi)部少子濃度分布圖本課件是可編輯的正常PPT課件BJT工作機(jī)理實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理小信號(hào)共基極電流增益可以表示為發(fā)射結(jié)注入效率、基區(qū)輸運(yùn)因子和復(fù)合系數(shù)δ的乘積本課件是可編輯的正常PPT課件

器件應(yīng)用高頻應(yīng)用電路功率放大器溫度測(cè)量BCD工藝實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析思考題和拓展實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理本課件是可編輯的正常PPT課件BJT工藝流程介紹：完整的BJT制造流程包括前道工序和后道工序。前道工序主要包括：（1）制作N型集電區(qū)；（2）制作P型基區(qū)；（3）制作N+型發(fā)射區(qū)；（4）制作N+型集電區(qū)歐姆接觸；（5）制作P+型基區(qū)歐姆接觸。