(12)發(fā)明專利專利權人摩比科技(深圳)有限公司深圳市晟煜智慧網絡科技有限公司西安摩比天線技術工程有限公司郝勖加有限公司11006個工作于TE102模式的第一諧振器和至少一個工作于TE101模式的第二諧振器；所述第一諧振器的頂面和底面分別包括對稱的頂面中心和底面底面在所述底面中心設有底部盲孔；和/或所述通孔位于所述一對第一調諧盲孔的連線對應的21.一種介質濾波器，其特征在于，包括至少一個工作于TE102模式的第一諧振器和至少一個工作于TE101模式的第二諧振器；所述第一諧振器的頂面和底面分別包括對稱的頂面中心和底面中心；所述第一諧振器的頂面關于所述頂面中心對稱設有一對第一調諧盲孔；所述第一諧振器的底面在所述底面中心設有底部盲孔；和/或所述第一諧振器設有貫穿頂面和底面的通孔，且所述通孔位于所述一對第一調諧盲孔的連線對應的中垂線上；所述介質濾波器包括兩個所述第一諧振器和至少兩個所述第二諧振器，其中一個所述第一諧振器的底面在所述底面中心設有所述底部盲孔，另一個所述第一諧振器設有貫穿其頂面和底面的所述通孔，且所述通孔位于所述一對第一調諧盲孔的連線對應的中垂線上。2.根據(jù)權利要求1所述的介質濾波器，其特征在于，所述第一諧振器的所述底部盲孔的深度增加，加載TE101模式的諧振頻率降低，并且與加載TE102模式的諧振頻率的間隔增大；和/或所述第一諧振器的所述通孔與所述頂面中心或所述底面中心的距離減小，加載TE101模式的諧振頻率升高，并且與加載TE102模式的諧振頻率的間隔減小。3.根據(jù)權利要求1所述的介質濾波器，其特征在于，所述第一諧振器的所述頂面中心為所述第一諧振器的頂面的平面中心或預定中心；所述第一諧振器的所述底面中心為所述第一諧振器的底面的平面中心或預定中心。4.根據(jù)權利要求1所述的介質濾波器，其特征在于，所述第二諧振器的頂面和底面分別包括對稱的頂面中心和底面中心；所述第二諧振器的頂面在所述頂面中心設有一個第二調諧盲孔，所述第一調諧盲孔的深度大于所述第二調諧盲孔的深度。5.根據(jù)權利要求4所述的介質濾波器，其特征在于，所述第一諧振器通過調整所述第一調諧盲孔的直徑、深度和/或間距，使加載TE102模式的諧振頻率處于預定的濾波器通帶頻所述第二諧振器通過調整所述第二調諧盲孔的直徑、深度和/或間距，使加載TE101模式的諧振頻率處于預定的濾波器通帶頻率附近。6.根據(jù)權利要求4所述的介質濾波器，其特征在于，所述第二諧振器的所述頂面中心為所述第二諧振器的頂面的平面中心或預定中心；所述第二諧振器的所述底面中心為所述第二諧振器的底面的平面中心或預定中心。7.根據(jù)權利要求4所述的介質濾波器，其特征在于，所述介質濾波器包括至少兩個所述第二諧振器，其中兩個所述第二諧振器的底面在所述底面中心分別有一個輸入端口盲孔和一個輸出端口盲孔，所述輸入端口盲孔用于輸入信號，所述輸出端口盲孔用于輸出信號。8.根據(jù)權利要求7所述的介質濾波器，其特征在于，所述輸入端口盲孔和所述輸出端口盲孔的周圍分別設有由非金屬材料制成的隔離環(huán)。9.根據(jù)權利要求1所述的介質濾波器，其特征在于，所述介質濾波器包括陶瓷介質塊主體，所述陶瓷介質塊主體上設有至少一個隔離通槽和/或隔離通孔，所述隔離通槽和/或所述隔離通孔將所述陶瓷介質塊主體分割為至少一個所述第一諧振器和至少一個所述第二諧振器；所述第一諧振器和所述第二諧振器之間通過所述陶瓷介質塊主體的介質連接段實3現(xiàn)耦合。10.根據(jù)權利要求1所述的介質濾波器，其特征在于，所述第一諧振器和所述第二諧振器的表面包覆有由金屬材料制成的電鍍層。4技術領域[0001]本發(fā)明涉及濾波器技術領域，尤其涉及一種介質濾波器。背景技術[0002]濾波器是一種無線通信中不可或缺的頻率選擇器件，以陶瓷為載體的介質濾波器以其緊湊的體積和優(yōu)良的性能有著越來越廣的應用前景。[0003]中國發(fā)明專利CN201980001851.9公開了一種陶瓷介質濾波器，所述陶瓷介質濾波器的容性耦合方式是利用雙盲孔結構加載TE102模式來實現(xiàn)。通過該方式實現(xiàn)容性耦合結構簡單，易于實現(xiàn)，但因為工作于TE102模式的諧振器本身仍存在TE101模式且TE101模式的諧振頻率較TE102模式更低，所以該陶瓷介質濾波器的通帶低頻會產生寄生諧波，從而影響濾波器在低頻的抑制性能。特別是當陶瓷介質濾波器有至少兩個工作于TE102模式的諧振器時，這些諧振器各自的TE101模式會在通帶低頻產生至少兩個寄生諧波，當它們頻率接近時諧波相互疊加，嚴重影響低頻的抑制性能。雖然通過調整該諧振器的雙盲孔的間距可以一定程度來調整兩個模式的諧振頻率間隔，但間距的改變不僅同時影響兩個模式的頻率，而且會改變鄰近的耦合量，所以設計時局限較大，對諧波頻率的調節(jié)量也十分有限。[0004]綜上可知，現(xiàn)有技術在實際使用上顯然存在不便與缺陷，所以有必要加以改進。發(fā)明內容[0005]針對上述的缺陷，本發(fā)明的目的在于提供一種介質濾波器，其能夠大幅改善低頻[0006]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種介質濾波器，包括至少一個工作于TE102模式的第一諧振器和至少一個工作于TE101模式的第二諧振器；[0007]所述第一諧振器的頂面和底面分別包括對稱的頂面中心和底面中心；[0008]所述第一諧振器的頂面關于所述頂面中心對稱設有一對第一調諧盲孔；[0009]所述第一諧振器的底面在所述底面中心設有底部盲孔；和/或[0010]所述第一諧振器設有貫穿頂面和底面的通孔，且所述通孔位于所述一對第一調諧盲孔的連線對應的中垂線上。[0011]根據(jù)本發(fā)明所述的介質濾波器，所述介質濾波器包括一個所述第一諧振器和至少兩個所述第二諧振器，所述第一諧振器的底面在所述底面中心設有所述底部盲孔。[0012]根據(jù)本發(fā)明所述的介質濾波器，所述介質濾波器包括兩個所述第一諧振器和至少兩個所述第二諧振器，其中一個所述第一諧振器的底面在所述底面中心設有所述底部盲孔，另一個所述第一諧振器設有貫穿其頂面和底面的所述通孔，且所述通孔位于所述一對第一調諧盲孔的連線對應的中垂線上。[0013]根據(jù)本發(fā)明所述的介質濾波器，所述介質濾波器包括兩個所述第一諧振器和至少兩個所述第二諧振器，其中一個所述第一諧振器設有貫穿其頂面和底面的所述通孔，且所述通孔位于所述一對第一調諧盲孔的連線對應的中垂線上。5[0014]根據(jù)本發(fā)明所述的介質濾波器，所述第一諧振器的所述底部盲孔的深度增加，加載TE101模式的諧振頻率降低，并且與加載TE102模式的諧振頻率的間隔增大；和/或[0015]所述第一諧振器的所述通孔與所述頂面中心或所述底面中心的距離減小，加載TE101模式的諧振頻率升高，并且與加載TE102模式的諧振頻率的間隔減小。[0016]根據(jù)本發(fā)明所述的介質濾波器，所述第一諧振器的所述頂面中心為所述第一諧振器的頂面的平面中心或預定中心；[0017]所述第一諧振器的所述底面中心為所述第一諧振器的底面的平面中心或預定中[0018]根據(jù)本發(fā)明所述的介質濾波器，所述第二諧振器的頂面和底面分別包括對稱的頂面中心和底面中心；[0019]所述第二諧振器的頂面在所述頂面中心設有一個第二調諧盲孔，所述第一調諧盲孔的深度大于所述第二調諧盲孔的深度。[0020]根據(jù)本發(fā)明所述的介質濾波器，所述第一諧振器通過調整所述第一調諧盲孔的直徑、深度和/或間距，使加載TE102模式的諧振頻率處于預定的濾波器通帶頻率[0021]所述第二諧振器通過調整所述第二調諧盲孔的直徑、深度和/或間距，使加載TE101模式的諧振頻率處于預定的濾波器通帶頻率附近。[0022]根據(jù)本發(fā)明所述的介質濾波器，所述第二諧振器的所述頂面中心為所述第二諧振器的頂面的平面中心或預定中心；[0023]所述第二諧振器的所述底面中心為所述第二諧振器的底面的平面中心或預定中[0024]根據(jù)本發(fā)明所述的介質濾波器，所述介質濾波器包括至少兩個所述第二諧振器，其中兩個所述第二諧振器的底面在所述底面中心分別有一個輸入端口盲孔和一個輸出端口盲孔，所述輸入端口盲孔用于輸入信號，所述輸出端口盲孔用于輸出信號。[0025]根據(jù)本發(fā)明所述的介質濾波器，所述輸入端口盲孔和所述輸出端口盲孔的周圍分別設有由非金屬材料制成的隔離環(huán)。[0026]根據(jù)本發(fā)明所述的介質濾波器，所述介質濾波器包括陶瓷介質塊主體，所述陶瓷介質塊主體上設有至少一個隔離通槽和/或隔離通孔，所述隔離通槽和/或所述隔離通孔將所述陶瓷介質塊主體分割為至少一個所述第一諧振器和至少一個所述第二諧振器；所述第一諧振器和所述第二諧振器之間通過所述陶瓷介質塊主體的介質連接段實現(xiàn)耦合。[0027]根據(jù)本發(fā)明所述的介質濾波器，所述第一諧振器和所述第二諧振器的表面包覆有由金屬材料制成的電鍍層。[0028]本發(fā)明介質濾波器包括工作于TE102模式的第一諧振器和工作于TE101模式的第二諧振器，利用加載TE101和加載TE102兩種諧振模式的電磁場分布差異，在第一諧振器中增加一個底部盲孔和/或一個通孔，其能夠在對加載TE102模式頻率影響較小的情況下，降低或升高加載TE101模式的頻率，從而實現(xiàn)對低頻寄生諧波的靈活調節(jié)。優(yōu)選地，當?shù)谝恢C振器的底面在底面中心設置底部盲孔時，隨著底部盲孔的深度增加，加載TE101模式的諧振頻率降低，與加載TE102模式的諧振頻率間隔加大，從而使低頻的寄生諧波遠離工作通帶；而當在第一諧振器設置貫穿頂面和底面的通孔，且所述通孔位于一對第一調諧盲孔的連線對應的中垂線上時，隨著所述通孔與中心的距離減小，加載TE101模式的諧振頻率升高，與6加載TE102模式的諧振頻率間隔縮小，從而能夠有效改善采用TE102模式容性耦合的介質濾波器的低頻諧波，特別是可避免存在至少兩個寄生TE101模式的低頻諧波頻率相近，相互疊加的導致低頻抑制加劇惡化的情況。借此，本發(fā)明能夠大幅改善介質濾波器的低頻抑制性附圖說明[0029]圖1是本發(fā)明第一實施例提供的第一諧振器設置底部盲孔的結構示意圖；[0030]圖2是本發(fā)明第一實施例提供的加載TE101模式的第一諧振器的電場分布示意圖；[0031]圖3是本發(fā)明第一實施例提供的加載TE102模式的第一諧振器的電場分布示意圖；[0032]圖4是本發(fā)明第一實施例提供的加載TE101模式和TE102模式的第一諧振器的諧振頻率與盲孔深度的關系圖；[0033]圖5是本發(fā)明第一實施例提供的加載TE101模式和TE102模式的第一諧振器的品質因素Q與盲孔深度的關系圖；[0034]圖6是本發(fā)明第二實施例提供的第一諧振器設置通孔的結構示意圖；[0035]圖7是本發(fā)明第二實施例提供的加載TE101模式和TE102模式的第一諧振器的諧振頻率與盲孔深度的關系圖；[0036]圖8是本發(fā)明第二實施例提供的加載TE101模式和TE102模式的第一諧振器的品質因素Q與盲孔深度的關系圖；[0037]圖9為本發(fā)明第三實施例提供的介質濾波器的正反面結構示意圖；[0038]圖10為本發(fā)明第三實施例提供的介質濾波器的頻率響應曲線對比圖；[0039]圖11為本發(fā)明第四實施例提供的介質濾波器的正反面結構示意圖；[0040]圖12為本發(fā)明第四實施例提供的介質濾波器的頻率響應曲線對比圖。[0042]介質濾波器100;第一諧振器10;第二諧振器20;[0043]第一調諧盲孔11;底部盲孔12;通孔13;[0044]第二調諧盲孔21;輸入端口盲孔22;輸出端口盲孔22;[0045]隔離環(huán)30;陶瓷介質塊主體40;隔離通槽41;[0046]隔離通孔42。具體實施方式[0047]為了使本發(fā)明的目的、技術方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。指的是描述的該實施例可包括特定的特征、結構或特性，但是不是每個實施例必須包含這例描述特定的特征、結構或特性時，不管有沒有明確的描述，已經表明將這樣的特征、結構或特性結合到其它實施例中是在本領域技術人員的知識范圍內的。[0049]此外，在說明書及后續(xù)的權利要求當中使用了某些詞匯來指稱特定組件或部件，7所屬領域中具有通常知識者應可理解，制造商可以用不同的名詞或術語來稱呼同一個組件或部件。本說明書及后續(xù)的權利要求并不以名稱的差異來作為區(qū)分組件或部件的方式，而是以組件或部件在功能上的差異來作為區(qū)分的準則。在通篇說明書及后續(xù)的權利要求書中一詞在此系包含任何直接及間接的電性連接手段。間接的電性連接手段包括通過其它裝置進行連接。[0050]圖1～圖12示出了本發(fā)明介質濾波器的結構，所述介質濾波器100優(yōu)選以陶瓷為載體，包括至少一個工作于TE102模式的第一諧振器10和至少一個工作于TE101模式的第二諧振器20,介質濾波器100通過加載TE102模式的第一諧振器10來實現(xiàn)的容性耦合。本發(fā)明利用加載TE101和加載TE102兩種諧振模式的電磁場分布差異，在工作于TE102模式的第一諧振器10中增加一個底部盲孔12和/或一個通孔13,來實現(xiàn)對低頻寄生諧波的靈活調節(jié)。[0051]如圖1和圖6所示，所述第一諧振器10的頂面和底面分別包括對稱的頂面中心和底面中心。優(yōu)選的是，第一諧振器10的頂面中心為第一諧振器10的頂面的平面中心或預定中心等，所述預定中心是指預先設定的中心，該預定中心可以是頂面上任意的點。第一諧振器10的底面中心為第一諧振器10的底面的平面中心或預定中心等，所述預定中心是指預先設定的中心，該預定中心可以是底面上任意的點。第一諧振器10的頂面關于頂面中心對稱設有一對第一調諧盲孔11。由于加載TE101模式較加載TE102模式的諧振頻率更低，當?shù)谝恢C振器10集成在介質濾波器100中時，加載TE101模式會在通帶低頻產生寄生諧波。[0052]如圖1所示的第一實施例中，所述第一諧振器10的底面在底面中心設有底部盲孔12。從圖2和圖3的電場分布示意圖中可發(fā)現(xiàn)，加載TE101和加載TE102模式的電磁場分布在底部盲孔12附近有較大差別。在加載TE101模式下底部盲孔12的底部的電場較強，方向垂直于底部盲孔12的底面；而在加載TE102模式下底部盲孔12的底部的電場很弱，方向平行于底部盲孔12的底面?？梢?，新增的底部盲孔12對加載TE101模式的諧振頻率影響較大，而對加載TE102模式的諧振頻率基本沒有影響。[0053]優(yōu)選的是，所述第一諧振器10的底部盲孔12的深度增加，加載TE101模式的諧振頻率降低，并且與加載TE102模式的諧振頻率的間隔增大。如圖4所示，隨著底部盲孔12的深度的增加，加載TE101模式的諧振頻率下降了近500MHz,而加載TE102模式的諧振頻率僅下降了約10MHz。本實施例中第一諧振器10的高度為6mm,底部盲孔12的深度等于3mm時為第一諧振器10整體高度的一半。當然，第一諧振器10的高度可以根據(jù)實際需要設定，并不受任何限制。如圖5所示，底部盲孔12的加入對諧振器的品質因素Q值影響較小，說明底部盲孔12的引入基本不影響介質濾波器100的插入損耗等通帶性能。[0054]優(yōu)選的是，所述第一諧振器10引入的底部盲孔12的截面形狀包括但不限于圓形、方形等形狀，可選地，本實施例將底部盲孔12的截面形狀呈圓形設置，以提高底部盲孔12的加工便利性，并易于對底部盲孔12的加工精度進行保障。[0055]優(yōu)選的是，所述第一諧振器10通過調整一對第一調諧盲孔11的直徑、深度和/或間距，可以使加載TE102模式的諧振頻率處于預定所需的濾波器通帶頻率附近。第一調諧盲孔11用于產生電容加載，使得第一諧振器10工作于TE102模式。第一調諧盲孔11呈盲孔設置，一方面，可以留出調諧余量，另一方面，可通過改變第一調諧盲孔11的直徑、深度和/或間距，調節(jié)第一調諧盲孔11的諧振頻率。第一調諧盲孔11的截面形狀包括但不限于圓形、方形8等形狀，可選地，本實施例將第一調諧盲孔11的截面形狀呈圓形設置，以提高第一調諧盲孔11的加工便利性，并易于對第一調諧盲孔11的加工精度進行保障。[0056]優(yōu)選的是，第一諧振器10的表面包覆有由金屬材料制成的電鍍層。本實施例采用導電率較高的銅或銀制成電鍍層，可進一步減少介質濾波器100的插入損耗，進而提升介質濾波器100的性能。[0057]針對現(xiàn)有介質濾波器的TE102模式容性耦合的設計局限，本發(fā)明第一實施例中介質濾波器100對工作于TE102模式的第一諧振器10的結構進行優(yōu)化，提出在所述第一諧振器10增加一個底部盲孔12來調整其TE101模式頻率，由于加載TE101和加載TE102兩種諧振模式的電磁場分布差異，在第一諧振器10設置底部盲孔12,能夠在對加載TE102模式頻率影響較小的情況下降低TE101模式的諧振頻率，使得加載TE101模式的諧振頻率與加載TE102模式頻率的間隔加大，從而使低頻的寄生諧波遠離工作通帶，實現(xiàn)對介質濾波器100的低頻寄生諧波頻率的調節(jié)，提升介質濾波器100在低頻的抑制性能，并且結構簡單，易于實現(xiàn)。[0058]如圖6所示的第二實施例中，所述第一諧振器10設有貫穿頂面和底面的通孔13,且通孔13位于一對第一調諧盲孔11之間的連線對應的中垂線上。圖6與圖1所示的第一諧振器10的差別在于：將設置于底部中心處的底部盲孔12替換為設置于成對第一調諧盲孔11的連線的中垂線上的通孔13,由于加載TE101和加載TE102兩種模式在該中垂線上的電磁場分布差異，新增的通孔13對加載TE101模式的諧振頻率影響較大，而對加載TE102模式的諧振頻率基本沒有影響。具體而言，通孔13的引入能夠將加載TE101模式的調諧頻率升高，而對加載TE102模式的調諧頻率的升高影響相對較小。[0059]優(yōu)選的是，所述第一諧振器10引入的通孔13與頂面中心或底面中心的距離減小，加載TE101模式的諧振頻率升高，并且與加載TE102模式的諧振頻率的間隔減小。如圖7所示，隨著通孔13在一對第一調諧盲孔11的連線對應的中垂線上平移，當通孔13與中心(即頂面中心或底面中心)距離減小時，TE101模式的諧振頻率和TE102模式的諧振頻率的間隔不斷縮小。但與前述增加底部盲孔12有別的是，如圖8模式的品質因素Q也會有一定程度下降。因此可知，引入通孔13的方法一般用于將低頻寄生諧波向高頻方向移動到特定頻段，或避免多個低頻諧波相互疊加。實際應用中盡量增大通孔13與中心的距離來避免其對第一諧振器10的品質因素Q的影響。[0060]優(yōu)選的是，所述第一諧振器10引入的通孔13的截面形狀包括但不限于圓形、方形等形狀，可選地，本實施例將通孔13的截面形狀呈圓形設置，以提高通孔13的加工便利性，并易于對通孔13的加工精度進行保障。[0061]針對現(xiàn)有介質濾波器的TE102模式容性耦合的設計局限，本發(fā)明第二實施例中介質濾波器100對工作于TE102模式的第一諧振器10的結構進行優(yōu)化，提出在第一諧振器10增加通孔13來調整其TE101模式頻率，由于加載TE101和加載TE102兩種諧振模式的電磁場分布差異，在第一諧振器10設置通孔13,能夠在對加載TE102模式頻率影響較小的情況下升高TE101模式的諧振頻率，從而可有效改善采用TE102模式容性耦合的介質濾波器100的低頻諧波，特別是對于存在至少兩個寄生TE101模式的低頻諧波頻率相近，相互疊加的導致低頻[0062]優(yōu)選的是，所述介質濾波器100包括陶瓷介質塊主體40,陶瓷介質塊主體40上設有至少一個隔離通槽41和/或隔離通孔42,所述隔離通槽41和/或隔離通孔42將陶瓷介質塊主9體40分割為至少一個第一諧振器10和至少一個第二諧振器20。第一諧振器10和第二諧振器20之間通過陶瓷介質塊主體40的介質連接段實現(xiàn)耦合。本發(fā)明陶瓷介質塊主體40優(yōu)選呈矩形塊結構，當然在其他實施例中也可根據(jù)需要而采用其他任意形狀。[0063]優(yōu)選的是，所述介質濾波器100包括一個第一諧振器10和至少兩個第二諧振器20,第一諧振器10的底面在底面中心設有底部盲孔12。[0064]如圖9所示的第三實施例中，所述介質濾波器100為六階介質濾波器，設計通帶頻段為3.4～3.6GHz。圖9中介質濾波器100包含陶瓷介質塊主體40,所述陶瓷介質塊主體40由多個隔離通槽41和一個隔離通孔42分割為六個諧振器，其中五個為工作于加載TE101模式的第二諧振器20,另有一個工作于加載TE102模式的第一諧振器10。其中，第一諧振器10至少與一第二諧振器20容性耦合，并至少與一第二諧振器20感性耦合，任一第二諧振器20至少與其余第二諧振器20其中之一感性耦合。第一諧振器10的頂面關于頂面中心對稱設有一對第一調諧盲孔11。第一諧振器10的底面在底面中心設有底部盲孔12,通過調整底部盲孔12的深度來降低第一諧振器10加載TE101模式的頻率，從而使低頻的寄生諧波遠離工作通[0065]優(yōu)選的是，所述第二諧振器20的頂面和底面分別包括對稱的頂面中心和底面中心。所述第二諧振器20的頂面中心為第二諧振器20的頂面的平面中心或預定中心等，所述預定中心是指預先設定的中心，該預定中心可以是頂面上任意的點。第二諧振器20的底面中心為第二諧振器20的底面的平面中心或預定中心等，所述預定中心是指預先設定的中心，該預定中心可以是底面上任意的點。各所述第二諧振器20的頂面在頂面中心設有一個第二調諧盲孔21,第一調諧盲孔11的深度大于第二調諧盲孔21的深度，使第一諧振器10工作于加載的TE102模式下，從而與相鄰諧振器產生容性耦合。[0066]優(yōu)選的是，所述第二諧振器20通過調整第二調諧盲孔21的直徑、深度和/或間距，使加載TE101模式的諧振頻率處于預定的濾波器通帶頻率附近，即各第二諧振器20通過調整各自第二調諧盲孔21的深度來調節(jié)各第二諧振器20的加載量從而實現(xiàn)對各自頻率的調節(jié)。第二調諧盲孔21用于產生電容加載，使得第二諧振器20工作于TE101模式。第二調諧盲孔21呈盲孔設置，一方面，可以留出調諧余量，另一方面，可通過改變第二調諧盲孔21的直徑、深度和/或間距，調節(jié)第二調諧盲孔21的諧振頻率。進一步地，第二狀包括但不限于圓形、方形等形狀，可選地，本實施例將第二調諧盲孔21的截面形狀呈圓形設置，以提高第二調諧盲孔21的加工便利性，并易于對第二調諧盲孔21的加工精度進行保[0067]優(yōu)選的是，所述第一諧振器10和第二諧振器20之間通過陶瓷介質塊主體40的介質連接段實現(xiàn)耦合。即一個第一諧振器10和五個第二諧振器20被隔離通槽41和隔離通孔42分割后，第一諧振器10和各第二諧振器20之間通過陶瓷介質塊主體40上剩余的介質連接段形成相互間的耦合。[0068]優(yōu)選的是，所述介質濾波器100包括至少兩個第二諧振器20,其中兩個第二諧振器20的底面在底面中心分別有一個輸入端口盲孔22和一個輸出端口盲孔22,輸入端口盲孔22用于輸入信號，輸出端口盲孔22用于輸出信號。更好的是，輸入端口盲孔22和輸出端口盲孔22的周圍分別設有由非金屬材料制成的隔離環(huán)30,用于將輸入端口盲孔22和輸出端口盲孔22與其他表面鍍層分割。[0069]優(yōu)選的是，所述陶瓷介質塊主體40除隔離環(huán)30外的表面均包覆有由金屬材料制成的電鍍層。本實施例采用導電率較高的銅或銀制成電鍍層，可進一步減少介質濾波器100的插入損耗，進而提升介質濾波器100的性能。[0070]圖10為本發(fā)明第三實施例提供的介質濾波器引入底部盲孔前后的頻率響應曲線對比圖，從圖中可見，在加載TE102模式的第一諧振器10的底部增設底部盲孔12前后，介質濾波器100在工作通帶附近的頻率響應曲線基本沒有變化，而低頻的寄生諧波從原來的2.95GHz變?yōu)榱?.78GHz,不僅距離工作通帶的間距更遠，而且諧波的幅度也降低了約10dB,對低頻段的抑制性能起到較大的改善作用。[0071]優(yōu)選的是，所述介質濾波器100包括兩個第一諧振器10和至少兩個第二諧振器20,其中一個第一諧振器10的底面在底面中心設有底部盲孔12,另一個第一諧振器10設有貫穿其頂面和底面的通孔13,且通孔13位于一對第一調諧盲孔11的連線對應的中垂線上。[0072]如圖11所示的第四實施例中，所述介質濾波器100為八階介質濾波器，設計通帶頻段為2.515～2.675GHz。除了工作頻率和階數(shù)的差異外，該第四實施例與第三實施例的最大區(qū)別在于其包含有兩個工作于TE102模式的第一諧振器10,分別位于兩個四極子的交叉耦合結構中以便在介質濾波器100的工作通帶兩側分別生成兩個傳輸零點，因此在通帶的低頻存在兩個各自TE101模式帶來的寄生諧波。[0073]具體而言，圖11中介質濾波器100包含陶瓷介質塊主體40,所述陶瓷介質塊主體40由多個隔離通槽41和多個隔離通孔42分割為八個諧振器，其中六個為工作于加載TE101模式的第二諧振器20,另有兩個工作于加載TE102模式的第一諧振器10,兩個第一諧振器10的頂面關于頂面中心均對稱設有一對第一調諧盲孔11。其中，任一第一諧振器10至少與一第二諧振器20容性耦合，并至少與一第二諧振器20感性耦合，任一第二諧振器20至少與其余第二諧振器20其中之一感性耦合。本實施例中，左下角的第一諧振器10的底面在底面中心設有底部盲孔12,通過調整底部盲孔12的深度來降低第一諧振器10加載TE101模式的頻率，從而使低頻的寄生諧波遠離工作通帶。右上角的第一諧振器10設有貫穿其頂面和底面的通孔13,且通孔13位于其一對第一調諧盲孔11的連線對應的中垂線上，通孔13的引入能夠將右上角的第一諧振器10加載TE101模式的調諧頻率升高，從而解決兩個第一諧振器10所產生的兩個寄生諧波相互疊加，嚴重影響低頻的抑制性能的問題。[0074]圖12為本發(fā)明第四實施例提供的介質濾波器引入底部盲孔和通孔前后的頻率響應曲線對比圖，原設計未引入本發(fā)明的增設底部盲孔12和通孔13,由于兩個寄生諧波的頻率相近，在很大程度上形成相互疊加，對2.05～2.1GHz頻段的抑法，在左下角的第一諧振器10的底面中心增設底部盲孔12來降低第一諧振器10中加載TE101模式的頻率，使最低頻的寄生諧波頻率進一步下降約100MHz;同時在右下角的諧振器10中一對第一調諧盲孔11的連線對應的中垂線上引入通孔13來升高第一諧振器10加載TE101模式頻率，使另一寄生諧波頻率升高約40MHz,使兩寄生諧波間距增大，相互疊加效應減弱，整體諧波幅度降低近20dB,從而有效提升了低頻的抑制性能。[0075]本發(fā)明第四實施例中利用加載TE101和加載TE102兩種諧振模式的電磁場分布差異，兩個第一諧振器10分別設置底部盲孔12和通孔13,能夠在對加載TE102模式頻率影響較小的情況下降低或升高加載TE101模式的頻率。當其中一個第一諧振器10在底部中心增設底部盲孔12時，隨著底部盲孔12的深度增加，加載TE101模式的頻率變低，與加載TE102模式11頻率間隔加大；而當另一個第一諧振器10中在一對第一調諧盲孔11的連線對應的中垂線上引入通孔13時，隨著該通孔13與中心的距離減小，加載TE101模式的頻率升高，與加載TE102模式頻率間隔縮小。從而實現(xiàn)對濾波器的低頻寄生諧波頻率的調節(jié)，并解決兩個寄生TE101模式的低頻諧波頻率相近，相互疊加的導致低頻抑制加劇惡化的情況，利用本發(fā)明結構可以把諧波頻率分開，大幅改善低頻抑制性能，結構簡單，易于實現(xiàn)，從而提升了設計靈活度和適應性。[0076]在本發(fā)明第五實施例中，所述介質濾波器100包括兩個第一諧振器10和至少兩個第二諧振器20,其中一個第一諧振器10設有貫穿其頂面和底面的通孔13,且通孔13位于一對第一調諧盲孔11的連線對應的中垂線上。本發(fā)明第五實施例中介質濾波器100對工作于TE102模式的第一諧振器10的結構進行優(yōu)化，提出在第一諧振器10增加通孔13來調整其TE101模式頻率，由于加載TE101和加載TE102兩種諧振模式的電磁場分布差異，在第一諧振器10設置通孔13,能夠在對加載TE102模式頻率影響較小的情況下升高TE101模式的諧振頻率，可解決存在至少兩個寄生TE101模式的低頻諧波頻率相近，相互疊加的導致低頻抑制加劇惡化的情況，從而實現(xiàn)對低頻寄