內(nèi)存期末考試題及答案

一、單項選擇題(每題2分,共20分)1.內(nèi)存中存儲單元的基本單位是(）A.字節(jié)B.字C.雙字D.位2.DRAM是()A.靜態(tài)隨機存儲器B.動態(tài)隨機存儲器C.只讀存儲器D.閃存3.內(nèi)存容量通常是指()A.ROM的容量B.RAM的容量C.Cache的容量D.硬盤容量4.以下哪種內(nèi)存速度最快()A.DDR2B.DDR3C.DDR4D.DDR55.內(nèi)存地址線的作用是()A.傳輸數(shù)據(jù)B.傳輸控制信號C.選擇存儲單元D.提供電源6.計算機斷電后,下列哪種存儲器的數(shù)據(jù)會丟失()A.ROMB.CD-ROMC.RAMD.硬盤7.內(nèi)存帶寬與()無關(guān)A.內(nèi)存頻率B.數(shù)據(jù)位寬C.內(nèi)存顆粒數(shù)量D.CPU頻率8.一個字節(jié)包含()位A.4B.8C.16D.329.SRAM常用于()A.主存B.CacheC.硬盤緩存D.光盤緩存10.內(nèi)存時序參數(shù)中,CL指的是()A.列地址選通潛伏時間B.行地址選通潛伏時間C.預(yù)充電時間D.刷新時間答案:1.A2.B3.B4.D5.C6.C7.D8.B9.B10.A二、多項選擇題(每題2分,共20分)1.以下屬于內(nèi)存類型的有(）A.SRAMB.DRAMC.ROMD.Flash2.影響內(nèi)存性能的因素有()A.內(nèi)存頻率B.內(nèi)存容量C.內(nèi)存時序D.內(nèi)存品牌3.內(nèi)存的主要功能有()A.暫時存儲數(shù)據(jù)B.與CPU進(jìn)行數(shù)據(jù)交換C.長期保存數(shù)據(jù)D.運行程序代碼4.DDR內(nèi)存的特點包括()A.雙倍數(shù)據(jù)速率B.工作電壓低C.集成度高D.成本低5.以下哪些屬于ROM的類型()A.PROMB.EPROMC.EEPROMD.DRAM6.內(nèi)存與硬盤相比,優(yōu)勢在于()A.讀寫速度快B.容量大C.數(shù)據(jù)可長期保存D.與CPU交互效率高7.內(nèi)存散熱方式有()A.散熱片B.風(fēng)扇C.液冷D.自然散熱8.選擇內(nèi)存時需要考慮的因素有()A.容量B.頻率C.時序D.兼容性9.內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸?shù)倪^程涉及()A.CPUB.內(nèi)存控制器C.內(nèi)存模塊D.主板10.以下關(guān)于內(nèi)存雙通道技術(shù)說法正確的是()A.提高內(nèi)存帶寬B.提升系統(tǒng)性能C.必須使用兩根相同的內(nèi)存D.只對游戲性能有提升答案:1.ABC2.ABC3.ABD4.ABC5.ABC6.AD7.ABC8.ABCD9.ABCD10.ABC三、判斷題(每題2分,共20分)1.內(nèi)存容量越大,計算機性能一定越好。()2.SRAM比DRAM速度慢,但成本低。（)3.ROM中的數(shù)據(jù)在計算機斷電后不會丟失。()4.內(nèi)存頻率越高,數(shù)據(jù)傳輸速度越快。(）5.只要內(nèi)存容量相同,不同品牌內(nèi)存性能一樣。（)6.雙通道內(nèi)存技術(shù)能使內(nèi)存帶寬翻倍。()7.計算機運行時,所有數(shù)據(jù)都存儲在內(nèi)存中。(）8.內(nèi)存時序參數(shù)越小,內(nèi)存性能越好。（)9.閃存屬于內(nèi)存的一種。()10.內(nèi)存可以直接和硬盤進(jìn)行數(shù)據(jù)交換。(）答案:1.×2.×3.√4.√5.×6.√7.×8.√9.×10.×四、簡答題(每題5分,共20分)1.簡述內(nèi)存的工作原理。答案:CPU發(fā)出指令和地址信號,內(nèi)存控制器接收并根據(jù)地址選擇存儲單元,將數(shù)據(jù)從存儲單元讀出或?qū)懭?實現(xiàn)CPU與內(nèi)存的數(shù)據(jù)交互,以支持計算機運行程序和處理數(shù)據(jù)。2.對比SRAM和DRAM的特點。答案:SRAM速度快,不用定期刷新,成本高、集成度低、功耗大;DRAM速度慢,需定期刷新,成本低、集成度高、功耗小。3.解釋內(nèi)存帶寬的概念。答案:內(nèi)存帶寬指內(nèi)存每秒能傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量,由內(nèi)存頻率和數(shù)據(jù)位寬決定,公式為帶寬=頻率×數(shù)據(jù)位寬÷8,帶寬越大,數(shù)據(jù)傳輸能力越強。4.說明內(nèi)存時序?qū)π阅艿挠绊?。答?內(nèi)存時序如CL等參數(shù),反映內(nèi)存讀寫操作的延遲時間。時序越小,內(nèi)存完成讀寫操作越快,數(shù)據(jù)傳輸更及時,能提升內(nèi)存整體性能。五、討論題(每題5分,共20分)1.隨著計算機技術(shù)發(fā)展,內(nèi)存未來可能有哪些新變化?答案：速度會更快,如更高頻率和更低時序;容量持續(xù)增大;功耗降低;可能出現(xiàn)新的技術(shù),如新型存儲材料和架構(gòu),提升數(shù)據(jù)傳輸和存儲效率。2.如何根據(jù)自己的需求選擇合適的內(nèi)存?答案：先明確用途,日常辦公選容量適中、頻率一般的；游戲或?qū)I(yè)設(shè)計需大容量、高頻內(nèi)存。還要考慮主板兼容性,以及預(yù)算,綜合選擇品牌和產(chǎn)品。3.分析內(nèi)存故障可能的原因及解決方法。答案:原因有硬件損壞、接觸不良、不兼容等。解決方法:先清潔金手指,檢查安裝是否正確;若懷疑不兼容,更換內(nèi)存;硬件損壞則需