(10)申請(qǐng)公布號(hào)CN120201912A(71)申請(qǐng)人天合光能股份有限公司地址213031江蘇省常州市新北區(qū)天合光伏產(chǎn)業(yè)園天合路2號(hào)(72)發(fā)明人趙佳祺(74)專(zhuān)利代理機(jī)構(gòu)北京英特普羅知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11015專(zhuān)利代理師韓閃閃H10K(54)發(fā)明名稱(chēng)太陽(yáng)能電池的刻蝕方法及系統(tǒng)++本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種太陽(yáng)能電池的刻蝕方法及系統(tǒng)，涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域。太陽(yáng)能電池的刻蝕方法包括：采用激光將被解離氣體中的正離子和負(fù)離子解離出來(lái)，得到解離的離子；通過(guò)所述解離的離子的刻蝕作用，對(duì)基材進(jìn)行刻蝕。采用激光將被解離氣體中的正離子和負(fù)離子解離出來(lái)，利用解離的離子的刻蝕作用，對(duì)基材進(jìn)行刻蝕，刻蝕深度精確可控，能夠進(jìn)行精確的圖案化刻蝕，且能極大減少側(cè)蝕以及滲透刻提升太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)化效率，可替代電池2采用激光將被解離氣體中的正離子和負(fù)離子解離出來(lái)，得到解離的離子；通過(guò)所述解離的離子的刻蝕作用，對(duì)基材進(jìn)行刻蝕。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池的刻蝕方法，其特征在于，所述激光包括超短脈沖寬度激光，所述超短脈沖寬度激光的波長(zhǎng)范圍為355nm~1064nm;所述超短脈沖寬度激光包括：皮秒激光、飛秒激光中的一種或多種。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池的刻蝕方法，其特征在于，所述被解離氣體包括：4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池的刻蝕方法，其特征在于，所述被解離氣體的解離過(guò)程中：所述被解離氣體置于密閉腔室內(nèi)，所述激光輻射所述密閉腔室，將所述被解離氣體中的正離子和負(fù)離子解離出來(lái)，得到解離的離子。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池的刻蝕方法，其特征在于，對(duì)所述基材進(jìn)行刻蝕的過(guò)程中：對(duì)所述解離的離子施加外部電場(chǎng)，通過(guò)外部電場(chǎng)促使所述解離的離子沿預(yù)定方向激光器，用于發(fā)射激光，所述激光將所述密閉腔室內(nèi)的被解離氣體中的正離子和負(fù)離子解離出來(lái)，得到解離的離子；所述解離的離子沿預(yù)定方向撞擊所述基材，并刻蝕所述基材。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽(yáng)能電池的刻蝕系統(tǒng)，其特征在于，還包括掃描振鏡；所述掃描振鏡用以將所述激光器發(fā)射的激光輻射至預(yù)定位置處。8.根據(jù)權(quán)利要求6-7中任一項(xiàng)所述的太陽(yáng)能電池的刻蝕系統(tǒng)，其特征在于，還包括電場(chǎng)發(fā)生器，所述電場(chǎng)發(fā)生器用于對(duì)所述解離的離子施加外部電場(chǎng)。9.根據(jù)權(quán)利要求8中所述的太陽(yáng)能電池的刻蝕系統(tǒng)，其特征在于，還包括聚焦鏡，所述聚焦鏡用于聚焦所述激光器發(fā)射的激光。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的太陽(yáng)能電池的刻蝕系統(tǒng)，其特征在于，還包括反射鏡；所述反射鏡用以將所述激光器發(fā)射的激光反射至預(yù)定位置處。3太陽(yáng)能電池的刻蝕方法及系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域[0001]本申請(qǐng)屬于太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種太陽(yáng)能電池的刻蝕方法及系統(tǒng)。背景技術(shù)[0002]太陽(yáng)能電池是一種將太陽(yáng)光能直接轉(zhuǎn)換為電能的半導(dǎo)體器件，其工作原理基于半導(dǎo)體材料的光電效應(yīng)，尤其是PN結(jié)的光生伏特效應(yīng)。當(dāng)光線照射到太陽(yáng)能電池時(shí)，光子的能量激發(fā)電子從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶，形成電子-空穴對(duì)，這些載流子在內(nèi)建電場(chǎng)的作用下分離，從而在電池兩端產(chǎn)生電壓和電流。目前對(duì)太陽(yáng)能電池的薄膜或晶體進(jìn)行刻蝕的方法主要有[0003]激光刻蝕存在的缺陷有：激光的作用深度難以控制，會(huì)對(duì)晶體結(jié)構(gòu)或其他結(jié)構(gòu)造成損傷或者破壞，最終造成大量的載流子復(fù)合中心，降低太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)化效率。濕法刻蝕存在側(cè)刻蝕，滲透薄膜刻蝕，持續(xù)刻蝕污染等問(wèn)題，滲透刻蝕(刻蝕液不僅從上方對(duì)材料刻蝕(側(cè)刻蝕是指在刻蝕過(guò)程中，材料的側(cè)墻也受到刻蝕，導(dǎo)致刻蝕出的圖案在水平方向上變寬)會(huì)嚴(yán)重影響掩膜效果，金屬離子的污染會(huì)嚴(yán)重影響半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)性能，進(jìn)而降低太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)化效率。激光濕法結(jié)合刻蝕是先采用激光進(jìn)行薄膜改性，然后再通過(guò)濕法刻蝕，激光區(qū)域?qū)Ρ∧さ母男?，?dǎo)致各區(qū)域濕法刻蝕速率不同，實(shí)現(xiàn)圖形化刻蝕，該方法有利于實(shí)現(xiàn)圖形化刻蝕，但兼具激光刻蝕存在的缺陷及濕法刻蝕存在的缺陷。[0004]需要說(shuō)明的是，上述內(nèi)容并不必然是現(xiàn)有技術(shù)，也不用于限制本申請(qǐng)的專(zhuān)利保護(hù)發(fā)明內(nèi)容[0005]本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種刻蝕深度精確可控，能夠進(jìn)行精確的圖案化刻蝕，且能極大減少側(cè)蝕以及滲透刻蝕，刻蝕過(guò)程無(wú)金屬離子污染，潔凈度高，能有效提升太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)化效率的太陽(yáng)能電池的刻蝕方法及系統(tǒng)，以解決或緩解上面提出的技術(shù)問(wèn)題。一種太陽(yáng)能電池的刻蝕方法，包括：采用激光將被解離氣體中的正離子和負(fù)離子通過(guò)所述解離的離子的刻蝕作用，對(duì)基材進(jìn)行刻蝕。[0007]在其中一些實(shí)施方式中，所述激光包括超短脈沖寬度激光，所述超短脈沖寬度激光的波長(zhǎng)范圍為355nm~1064nm;所述超短脈沖寬度激光包括：皮秒激光、飛秒激光中的一種或多種。氟甲烷中的一種或多種。[0009]在其中一些實(shí)施方式中，所述被解離氣體的解離過(guò)程中：所述被解離氣體置于密閉腔室內(nèi)，所述激光輻射所述密閉腔室，將所述被解離氣體中的正離子和負(fù)離子解離出來(lái)，4得到解離的離子。[0010]在其中一些實(shí)施方式中，對(duì)所述基材進(jìn)行刻蝕的過(guò)程中：對(duì)所述解離的離子施加外部電場(chǎng)，通過(guò)外部電場(chǎng)促使所述解離的離子沿預(yù)定方向撞擊所述基材，并刻蝕所述基材。[0011]本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了一種太陽(yáng)能電池的刻蝕系統(tǒng)，包括：激光器，用于發(fā)射激光，所述激光將所述密閉腔室內(nèi)的被解離氣體中的正離子和負(fù)離子解離出來(lái)，得到解離的離子；所述解離的離子沿預(yù)定方向撞擊所述基材，并刻蝕所述基材。[0012]在其中一些實(shí)施方式中，還包括掃描振鏡；所述掃描振鏡用以將所述激光器發(fā)射的激光輻射至預(yù)定位置處。[0013]在其中一些實(shí)施方式中，還包括電場(chǎng)發(fā)生器，所述電場(chǎng)發(fā)生器用于對(duì)所述解離的離子施加外部電場(chǎng)。[0014]在其中一些實(shí)施方式中，還包括聚焦鏡，所述聚焦鏡用于聚焦所述激光器發(fā)射的[0015]在其中一些實(shí)施方式中，還包括反射鏡；所述反射鏡用以將所述激光器發(fā)射的激光反射至預(yù)定位置處。[0016]本申請(qǐng)實(shí)施例采用上述技術(shù)方案可以包括如下優(yōu)勢(shì)：采用激光將被解離氣體中的正離子和負(fù)離子解離出來(lái)，利用解離的離子的刻蝕作用，對(duì)基材進(jìn)行刻蝕，刻蝕深度精確可控，能夠進(jìn)行精確的圖案化刻蝕，且能極大減少側(cè)蝕以及滲透刻蝕，刻蝕過(guò)程無(wú)金屬離子污染，潔凈度高，能有效提升太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)化效率，可替代電池用的光刻工藝及激光濕法刻蝕工藝。附圖說(shuō)明[0017]在附圖中，除非另外規(guī)定，否則貫穿多個(gè)附圖相同的附圖標(biāo)記表示相同或相似的部件或元素。這些附圖不一定是按照比例繪制的。應(yīng)該理解，這些附圖僅描繪了根據(jù)本申請(qǐng)公開(kāi)的一些實(shí)施方式，而不應(yīng)將其視為是對(duì)本申請(qǐng)范圍的限制。[0018]圖1是本申請(qǐng)實(shí)施例提供的太陽(yáng)能電池的刻蝕系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本申請(qǐng)實(shí)施例提供的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池組件的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式[0020]下面詳細(xì)描述本申請(qǐng)的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出。清楚，層、區(qū)、元件的尺寸以及其相對(duì)尺寸可能被夸大。其中自始至終相同或類(lèi)似的標(biāo)號(hào)表示相同或類(lèi)似的元件或具有相同或類(lèi)似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本申請(qǐng)，而不能理解為對(duì)本申請(qǐng)的限制。需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。5到”其它元件或?qū)訒r(shí)，其可以直接地在其它元件或?qū)由?、與之相鄰、連接或耦合到其它元件接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通或兩個(gè)元件的相互作用關(guān)系，除非另有明確的限定。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本申請(qǐng)中的具體含義。等是用于區(qū)別類(lèi)似的對(duì)象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應(yīng)該理解這樣使用的術(shù)語(yǔ)在適當(dāng)情況下可以互換，以便這里描述的本申請(qǐng)的實(shí)施方式例如能夠以除了在這里圖限于清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包括沒(méi)有清楚地列出的或?qū)τ谶@些過(guò)程、方法、產(chǎn)品或設(shè)備固有的其它步驟或單元。[0024]本申請(qǐng)中，涉及到數(shù)值區(qū)間(也即數(shù)值范圍),如無(wú)特別說(shuō)明，該數(shù)值區(qū)間內(nèi)可選的數(shù)值的分布視為連續(xù)，且包括該數(shù)值區(qū)間的兩個(gè)數(shù)值端點(diǎn)(即最小值及最大值),以及這兩個(gè)數(shù)值端點(diǎn)之間的每一個(gè)數(shù)值。如無(wú)特別說(shuō)明，當(dāng)數(shù)值區(qū)間僅僅指向該數(shù)值區(qū)間內(nèi)的整數(shù)時(shí)，包括該數(shù)值范圍的兩個(gè)端點(diǎn)整數(shù)，以及兩個(gè)端點(diǎn)之間的每一個(gè)整數(shù)，相當(dāng)于直接列舉了每一個(gè)整數(shù)。當(dāng)提供多個(gè)數(shù)值范圍描述特征或特性時(shí)，可以合并這些數(shù)值范圍。換言之，除非另有指明，否則本申請(qǐng)中所公開(kāi)之?dāng)?shù)值范圍應(yīng)理解為包括其中所歸入的任何及所有的子允許廣義地包括百分比區(qū)間，比例區(qū)間，比值區(qū)間[0025]本申請(qǐng)旨在提供一種太陽(yáng)能電池的刻蝕方法及系統(tǒng)，采用激光將被解離氣體中的正離子和負(fù)離子解離出來(lái)，利用解離的離子的刻蝕作用，對(duì)基材進(jìn)行刻蝕，刻蝕深度精確可控，能夠進(jìn)行精確的圖案化刻蝕，且能極大減少側(cè)蝕以及滲透刻蝕，刻蝕過(guò)程無(wú)金屬離子污染，潔凈度高，能有效提升太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)化效率，可替代電池用的光刻工藝及激光濕法刻蝕工藝。[0026]下面，將參照附圖更詳細(xì)地描述本申請(qǐng)的示例性實(shí)施例。須知，這些示例性可以由多種不同的形式來(lái)實(shí)施，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為只限于這里所闡述的實(shí)施例。[0027]本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種太陽(yáng)能電池的刻蝕方法，包括：采用激光將被解離氣體中的正離子和負(fù)離子解離出來(lái)，得到解離的離子；通過(guò)所述解離的離子的刻蝕作用，對(duì)基材進(jìn)行刻蝕。[0028]本申請(qǐng)實(shí)施例中，激光輻射使被解離氣體的分子分解成碎片，正離子和負(fù)離子被6解離出來(lái)，由于激光的動(dòng)量傳遞，解離出來(lái)的正離子和負(fù)離子獲得動(dòng)能，因此解離出來(lái)的正離子和負(fù)離子可以沿預(yù)定方向撞擊所述基材，進(jìn)而對(duì)所述基材進(jìn)行刻蝕。需要說(shuō)明的是，被解離氣體和基材可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行更換，只需要保證解離得到的離子可對(duì)目標(biāo)基材進(jìn)行反應(yīng)刻蝕即可。[0029]本申請(qǐng)實(shí)施例中，采用激光將被解離氣體中的正離子和負(fù)離子解離出來(lái)，利用解離的離子的刻蝕作用，可以對(duì)太陽(yáng)能電池的薄膜或晶體(硅片)進(jìn)行刻蝕。可以刻蝕的太陽(yáng)能電池的薄膜可以包括鈍化膜、氧化鋁薄膜、透明導(dǎo)電膜、吸光膜層等中的一種或多種；可以刻蝕的太陽(yáng)能電池的種類(lèi)可以包括單晶硅太陽(yáng)能電池、多晶硅太陽(yáng)能電池、非晶硅太陽(yáng)能電池、鈣鈦礦太陽(yáng)能電池等太陽(yáng)能電池中的一種或多種。[0030]本申請(qǐng)實(shí)施例中，采用激光將被解離氣體中的正離子和負(fù)離子解離出來(lái)，之后可以同時(shí)使用正離子和負(fù)離子對(duì)目標(biāo)基材進(jìn)行反應(yīng)刻蝕，也可以在設(shè)置特定電場(chǎng)的情況下，單獨(dú)利用正離子或負(fù)離子對(duì)目標(biāo)基材進(jìn)行反應(yīng)刻蝕。[0031]本申請(qǐng)實(shí)施例中，激光的動(dòng)量先傳遞至正離子和負(fù)離子，再由正離子和負(fù)離子對(duì)基材刻蝕，由于動(dòng)量傳遞過(guò)程會(huì)造成一定動(dòng)量損失，這就很好地解決了激光刻蝕作用深度過(guò)深，很容易對(duì)其他結(jié)構(gòu)造成損傷或者破壞的問(wèn)題，因而本申請(qǐng)方法的刻蝕深度更精確可控，加之本申請(qǐng)方法下僅激光作用區(qū)域能實(shí)現(xiàn)正離子和負(fù)離子的刻蝕作用，非激光作用區(qū)域并未產(chǎn)生氣體電離故而不能實(shí)現(xiàn)刻蝕，因此能進(jìn)行精確的圖案化刻蝕，且能極大減少側(cè)蝕以及滲透刻蝕，刻蝕過(guò)程無(wú)金屬離子污染，潔凈度高，能有效提升太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)化效率，可替代電池用的光刻工藝及激光濕法刻蝕工藝。[0032]需要說(shuō)明的是，動(dòng)量損失相當(dāng)于降速的作用，比如以10mm/s切割一個(gè)東西，降速后控制系統(tǒng)有更多時(shí)間來(lái)調(diào)整和校正切割路徑，從而減少刻蝕深度的偏差，速度降低后，刻蝕過(guò)程中產(chǎn)生的熱量相對(duì)減少，材料的熱變形也相應(yīng)減小，整體來(lái)說(shuō)刻蝕精度更高。[0033]在可選的實(shí)施例中，所述激光包括超短脈沖寬度激光，所述超短脈沖寬度激光的波長(zhǎng)范圍為355nm~1064nm;所述超短脈沖寬度激光包括：皮秒激光、飛秒激光中的一種或多種。[0034]本申請(qǐng)實(shí)施例中，可根據(jù)被解離氣體的吸收能級(jí)匹配選擇適合的激光類(lèi)型及波用飛秒激光相比較皮秒激光電離更容易發(fā)生。烷中的一種或多種。[0036]本申請(qǐng)實(shí)施例中，選擇的被解離氣體均可以解離出帶負(fù)電的氟離子，帶負(fù)電的氟離子對(duì)基材的刻蝕效果好，刻蝕深度更精確可控，能夠進(jìn)行精確的圖案化刻蝕，且能極大減少側(cè)蝕以及滲透刻蝕，刻蝕過(guò)程無(wú)金屬離子污染，潔凈度高，能有效提升太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)化效率。[0037]在可選的實(shí)施例中，所述被解離氣體的解離過(guò)程中：所述被解離氣體置于密閉腔室內(nèi)，所述激光輻射所述密閉腔室，將所述被解離氣體中的正離子和負(fù)離子解離出來(lái)，得到解離的離子。[0038]本申請(qǐng)實(shí)施例中，激光輻射在密閉的氣體氛圍腔體中，以SF?(六氟化硫)氣體為7例，在超快激光的皮秒級(jí)巨大能量釋放下，SF?分子被瞬間電離形成帶正電的硫離子以及帶負(fù)電的氟離子，基材的刻蝕效果更好，刻蝕深度更精確可控，能夠進(jìn)行精確的圖案化刻蝕，且能極大減少側(cè)蝕以及滲透刻蝕，刻蝕過(guò)程無(wú)金屬離子污染，潔凈度高，能有效提升太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)化效率。[0039]在可選的實(shí)施例中，對(duì)所述基材進(jìn)行刻蝕的過(guò)程中：對(duì)所述解離的離子施加外部電場(chǎng)，通過(guò)外部電場(chǎng)促使所述解離的離子沿預(yù)定方向撞擊所述基材，并刻蝕所述基材。[0040]本申請(qǐng)實(shí)施例中以及帶負(fù)電的氟離子后，在外置電場(chǎng)的持續(xù)作用下，形成的正負(fù)離子分離并分別加速，帶負(fù)電的氟離子會(huì)沿著電場(chǎng)反方向加速，最終直線撞擊基材表面，由于帶負(fù)電的氟離子可以對(duì)基材進(jìn)行強(qiáng)烈刻蝕，刻蝕過(guò)程可以持續(xù)進(jìn)行，也可隨時(shí)中斷(關(guān)閉激光即可),從而實(shí)現(xiàn)精確深度的刻蝕，可以強(qiáng)化帶負(fù)電的氟離子對(duì)基材的刻蝕作用，刻蝕深度更精確可控，且能夠進(jìn)行精確的圖案化刻蝕，極大減少側(cè)蝕以及滲透刻蝕，刻蝕過(guò)程無(wú)金屬離子污染，潔凈度高，能有效提升太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)化效率。[0041]本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了一種太陽(yáng)能電池的刻蝕系統(tǒng)，包括：密閉腔室4,用以放置被解離氣體、基材7;激光器1,用于發(fā)射激光，所述激光將所述密閉腔室4內(nèi)的被解離氣體中的正離子和負(fù)離子解離出來(lái)，得到解離的離子；所述解離的離子沿預(yù)定方向撞擊所述基材7,并刻蝕所述基材7。[0042]本申請(qǐng)實(shí)施例中，激光輻射在密閉的密閉腔室4中，以SF?超快激光的皮秒級(jí)巨大能量釋放下，SF?分子被瞬間電離形成帶正電的硫離子以及帶負(fù)電極大減少側(cè)蝕以及滲透刻蝕，刻蝕過(guò)程無(wú)金屬離子污染，潔凈度高，能有效提升太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)化效率。[0043]在可選的實(shí)施例中，還包括掃描振鏡3;所述掃描振鏡3用以將所述激光器1發(fā)射的激光輻射至預(yù)定位置處。[0044]本申請(qǐng)實(shí)施例中，還包括掃描振鏡3,可通過(guò)掃描振鏡3改變激光作用位置，實(shí)現(xiàn)不同空間位置的選擇性激光輻射，進(jìn)而進(jìn)行精確的圖案化刻蝕。掃描振鏡3可以設(shè)置在密閉腔室4中，也可以設(shè)置在密閉腔室4外，根據(jù)實(shí)際需要設(shè)置掃描振鏡3的安裝位置即可。[0045]在可選的實(shí)施例中，還包括電場(chǎng)發(fā)生器6,所述電場(chǎng)發(fā)生器6用于對(duì)所述解離的離子施加外部電場(chǎng)。本申請(qǐng)實(shí)施例中，通過(guò)外部電場(chǎng)促使所述解離的離子沿預(yù)定方向撞擊所述基材7,進(jìn)而對(duì)所述基材7進(jìn)行刻蝕。電場(chǎng)發(fā)生器6可以設(shè)置在密閉腔室4中，也可以設(shè)置在密閉腔室4外，根據(jù)實(shí)際需要設(shè)置電場(chǎng)發(fā)生器6的安裝位置即可，為了更好地對(duì)所述解離的離子施加外部電場(chǎng)，通?？梢詫㈦妶?chǎng)發(fā)生器6密閉腔室4中。[0046]本申請(qǐng)實(shí)施例中，以SF?(六氟化硫)以及帶負(fù)電的氟離子后，在外置電場(chǎng)的持續(xù)作用下，形成的正負(fù)離子分離并分別加速，帶負(fù)電的氟離子會(huì)沿著電場(chǎng)反方向加速，最終直線撞擊基材7表面，由于帶負(fù)電的氟離子可以對(duì)基材7進(jìn)行強(qiáng)烈刻蝕，刻蝕過(guò)程可以持續(xù)進(jìn)行，也可隨時(shí)中斷(關(guān)閉激光即可),從而實(shí)現(xiàn)精確深度的刻蝕，可以強(qiáng)化帶負(fù)電的氟離子對(duì)基材7的刻蝕作用，刻蝕深度更精確可控，且能夠進(jìn)行精確的圖案化刻蝕，極大減少側(cè)蝕以及滲透刻蝕，刻蝕過(guò)程無(wú)金屬離子污染，潔凈度8高，能有效提升太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)化效率。[0047]在可選的實(shí)施例中，還包括聚焦鏡5,所述聚焦鏡5用于聚焦所述激光器1發(fā)射的激[0048]本申請(qǐng)實(shí)施例中，聚焦鏡5可以放置于密閉腔室4內(nèi)，且位于基材7與激光器1之間。聚焦鏡5也可以放置于密閉腔室4外，且位于基材7與激光器1之間。根據(jù)實(shí)際需要設(shè)置聚焦鏡5的安裝位置即可。解離氣體的解離效果，強(qiáng)化解離的離子的刻蝕作用，另一方面能細(xì)化激光作用區(qū)域，從而輔助進(jìn)行更精確的圖案化刻蝕。[0050]在可選的實(shí)施例中，還包括反射鏡2;所述反射鏡2用以將所述激光器1發(fā)射的激光反射至預(yù)定位置處。本申請(qǐng)實(shí)施例中，設(shè)置反射鏡2可以起到改變激光傳輸路徑的作用，能夠適用于更多的使用場(chǎng)景。且反射鏡2可以有多組，便于讓激光沿著所需路徑傳輸，進(jìn)而適用于更多的使用場(chǎng)景。反射鏡2一般設(shè)置在密閉腔室4外即可，當(dāng)然也可以根據(jù)實(shí)際需要將反射鏡2設(shè)置在密閉腔室4內(nèi)，能夠按需改變激光的傳輸路徑即可。[0051]下面具體實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，但不應(yīng)理解為對(duì)本申請(qǐng)的限制。在不背離本申請(qǐng)精神和實(shí)質(zhì)的情況下，對(duì)本申請(qǐng)方法、步驟或條件所作的修改或替換，均屬于本申請(qǐng)的范圍。[0052]實(shí)施例1密閉腔室4,用以放置被解離氣體、基材7;激光器1,用于發(fā)射激光，位于密閉腔室4外；反射鏡2、掃描振鏡3,所述反射鏡2用以將所述激光器1發(fā)射的激光反射至掃描振鏡3;其中，反射鏡2位于掃描振鏡3和激光器1之間，所述掃描振鏡3位于密閉腔室4外；聚焦鏡5,聚焦鏡5位于密閉腔室4內(nèi)；激光器1發(fā)射的激光經(jīng)反射鏡2反射至掃描振鏡3,掃描振鏡3再將激光射出，聚焦鏡5用于聚焦掃描振鏡3發(fā)射出的激光，并激光發(fā)射至密閉腔室4內(nèi)的指定位置處，將所述密閉腔室4內(nèi)的被解離氣體中的正離子和負(fù)離子解離出接用于聚焦所述激光器1發(fā)射的激光);電場(chǎng)發(fā)生器6,電場(chǎng)發(fā)生器6位于密閉腔室4內(nèi)；所述電場(chǎng)發(fā)生器6用于對(duì)所述解離的離子施加外部電場(chǎng)，通過(guò)外部電場(chǎng)促使所述解離的離子沿預(yù)定方向撞擊所述基材7,進(jìn)而對(duì)所述基材7進(jìn)行刻蝕。[0053]參考圖2,鈣鈦礦太陽(yáng)能電池組件的具體制備過(guò)程為：步驟S1:提供清洗干凈的導(dǎo)電基底11,對(duì)導(dǎo)電基底11進(jìn)行刻蝕，形成P1溝槽，得到刻蝕的基底；P1溝槽穿透所述導(dǎo)電基底11的導(dǎo)電材料層；步驟S2:在刻蝕的基底上沉積一層鎳和氧的化合物(Ni0、)作為空穴傳輸層12,厚度為40nm;步驟S3:將鈣鈦礦材料溶于有機(jī)溶劑中，配制成鈣鈦礦溶液；其中，鈣鈦礦材料的FAI(206.4mg);PbI?(484.1mg);PbBr?(165.1mg);鈣鈦礦溶液的濃度為1.5M(即每升溶液中9含有1.5摩爾的鈣鈦礦材料);步驟S4:用旋涂法在空穴傳輸層12旋涂鈣鈦礦溶液，再于120℃條件下退火20min,形成厚度為600nm的鈣鈦礦光吸收層13;步驟S5:采用熱蒸鍍膜儀在鈣鈦礦光吸收層13的上蒸鍍一層厚度為25nm的富勒烯(C?0)作為電子傳輸層14,進(jìn)行刻蝕，形成P2溝槽；P2溝槽依次穿透所述空穴傳輸層12、所述鈣鈦礦光吸收層13、所述電子傳輸層14;步驟S6:采用熱蒸發(fā)法，在電子傳輸層14上鍍一層金屬銀作為電極，形成金屬電極15,進(jìn)行刻蝕，形成P3溝槽，P3溝槽穿透所述金屬電極15,制備得到鈣鈦礦太陽(yáng)能電池組件；其中P1溝槽、P2溝槽、P3溝槽均使用上述的太陽(yáng)能電池的刻蝕系統(tǒng)刻蝕得到，刻蝕方法具體為：將目標(biāo)電池片放入密閉腔室4內(nèi)，在密閉腔室4內(nèi)填充被解離氣體，采用激光將被解離氣體中的正離子和負(fù)離子解離出來(lái)，得到解離的離子；通過(guò)所述解離的離子的刻蝕[0054]實(shí)施例2-實(shí)施例7參照實(shí)施例1的制備方法制備實(shí)施例2-實(shí)施例7的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池組件，不同之處僅在于，實(shí)施例2-實(shí)施例7中P1溝槽、P2溝槽、P3溝槽的刻蝕工藝不同，實(shí)施例2-實(shí)施例7[0055]對(duì)比例1參照實(shí)施例1的制備方法制備對(duì)比例1的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池組件，不同之處僅在于，對(duì)比例1中P1溝槽、P2溝槽、P3溝槽的刻蝕工藝為激光飛秒激光。[0056]對(duì)比例2參照實(shí)施例1的制備方法制備對(duì)比例2的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池組件，不同之處僅在于，對(duì)比例2中P1溝槽、P2溝槽、P3溝槽的刻蝕工藝為激光秒激光。[0057]對(duì)比例3參照實(shí)施例1的制備方法制備對(duì)比例3的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池組件，不同之處僅在表1外部電場(chǎng)電壓(V)實(shí)施例1紫外355nm皮飛秒激光0實(shí)施例2紫外355nm皮秒激光0實(shí)施例3紫外355nm皮飛秒激光紫外355nm皮飛秒激光實(shí)施例5紫外355nm皮飛秒激光0實(shí)施例6紫外355nm皮飛秒激光0實(shí)施例7四氟甲烷紫外355nm皮飛秒激光0[0059]下面針對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例1-7和對(duì)比例1-3提供的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池組件進(jìn)行性能[0060]表2實(shí)施例1-7和對(duì)比例1-3的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池組件的性能測(cè)試結(jié)果樣品實(shí)施例1實(shí)施例2實(shí)施例3實(shí)施例5實(shí)施例6實(shí)施例7對(duì)比例1[0061]參看實(shí)施例1-7及對(duì)比例1-3的電池性能測(cè)試結(jié)果可知，采用激光將被解離氣體中的正離子和負(fù)離子解離出來(lái)，利用解離的離子的刻蝕作用，對(duì)基材進(jìn)行刻蝕，刻蝕深度精確可控，能夠進(jìn)行精確的圖案化刻蝕，且能極大減少側(cè)蝕以及滲透刻蝕，刻蝕過(guò)程無(wú)金屬離子污