(12)發(fā)明專利專利代理師鄧琪熊俊杰B81C1/00(2006.01)審查員鐘珊本發(fā)明涉及一種多孔微電極陣列的制備方第一部分和第二部分，犧牲層沉積在第一部分上；S200:在襯底的第二部分和犧牲層上沉積第的各第二通孔與第一封裝層的各第一通孔一一在襯底上沉積犧牲層，其中襯底包括第一部分和第二部在襯底上沉積犧牲層，其中襯底包括第一部分和第二部分，所述犧牲在所述襯底的第二部分和所述犧牲層上沉積第一封裝層，其中位于所在位于所述襯底的第二部分的上方的第一封裝層上沉積第二金屬層，其中所述第二金屬層覆蓋所述第一金屬層的部分沉積第二封裝層，其中第二封裝層具有多個第二通孔，第二封裝層的各第二通孔與所述第一封裝層的各第一通孔一一對齊，所述第二封裝層覆蓋所述第二金屬層的部分以及位于所述襯底的第二部分上方的第一金屬層，并覆蓋位于所述襯底的第一部分上方的第一金屬層的部分21.一種多孔微電極陣列的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：S100:在襯底上沉積犧牲層，其中襯底包括第一部分和第二部分，所述犧牲層沉積在所述襯底的第一部分上；S200:在所述襯底的第二部分和所述犧牲層上沉積第一封裝層，其中位于所述犧牲層上的第一封裝層具有多個第一通孔；所述第一封裝層由SU-82005光刻膠形成；S300:在所述第一封裝層上沉積第一金屬層；S400:在位于所述襯底的第二部分的上方的第一封裝層上沉積第二金屬層，其中所述第二金屬層覆蓋所述第一金屬層的部分；S500:沉積第二封裝層，其中所述第二封裝層具有多個第二通孔，所述第二封裝層的各第二通孔與所述第一封裝層的各第一通孔一一對齊，所述第二封裝層覆蓋所述第二金屬層的部分以及位于所述襯底的第二部分上方的第一金屬層，并覆蓋位于所述襯底的第一部分上方的第一金屬層的部分；所述第二封裝層由SU-82005光刻膠形成；S600:腐蝕掉所述犧牲層，并將所述襯底的第一部分切除。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多孔微電極陣列的制備方法，其特征在于，還包括步驟：S700:在所述第一金屬層未被所述第二封裝層覆蓋的部分上電鍍導(dǎo)電聚合物。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多孔微電極陣列的制備方法，其特征在于，步驟S100具體包括S110:在所述襯底上涂覆LOR-5B和LC-100A光刻膠；S130:在顯影后的襯底上沉積所述犧牲層；4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多孔微電極陣列的制備方法，其特征在于，步驟S200具體包括S210:在所述襯底的第二部分和所述犧牲層上旋涂SU-82005光刻膠；S220:對SU-82005光刻膠進行曝光和顯影，以使位于所述犧牲層上方的SU-82005光刻膠具有多個第一通孔。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多孔微電極陣列的制備方法，其特征在于，步驟S300具體包括S310:在所述第一封裝層上旋涂nlof-2020光刻膠；S320:對nlof-2020光刻膠進行曝光和顯影；S340:剝離未被曝光的nlof-2020光刻膠。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多孔微電極陣列的制備方法，其特征在于，步驟S400具體包括以下步驟：S410:在所述第一封裝層和所述第一金屬層上依次旋涂LOR-5B和LC-100A光刻膠；S420:對LOR-5B和LC-100A光刻膠進行曝光和顯影；S430:在顯影后的第一封裝層和第一金屬層上依次沉積鉻、鎳和金，以形成第二金屬37.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多孔微電極陣列的制備方法，其特征在于，步驟S500具體包括以下步驟：S510:在所述第一封裝層、所述第一金屬層和所述第二金屬層上涂覆SU-82005光刻S520:對SU-82005光刻膠依次進行曝光和顯影，以使SU-82005光刻膠上具有多個第二通孔。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多孔微電極陣列的制備方法，其特征在于，所述犧牲層為鋁。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多孔微電極陣列的制備方法，其特征在于，在步驟S600中，利用氫氟酸溶液腐蝕所述犧牲層。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多孔微電極陣列的制備方法，其特征在于，所述第一金屬層未被所述第二封裝層覆蓋的部分形成為所述多孔微電極陣列的電極位點，所述第二金屬層未被所述第二封裝層覆蓋的部分形成為焊盤。4技術(shù)領(lǐng)域[0001]本發(fā)明涉及微電極陣列技術(shù)領(lǐng)域，更具體地涉及一種用于神經(jīng)細(xì)胞檢測和電刺激的多孔微電極陣列的制備方法。背景技術(shù)[0002]隨著微加工技術(shù)的發(fā)展，微電極陣列(MEA)開始廣泛應(yīng)用于神經(jīng)科學(xué)、心臟病學(xué)和藥物測試等領(lǐng)域。MEA允許研究人員在體外培養(yǎng)條件下，對單個細(xì)胞或細(xì)胞網(wǎng)絡(luò)的電活動進行長期、穩(wěn)定的記錄和分析，優(yōu)點是空間分辨率高可同時記錄大量的神經(jīng)元，實現(xiàn)高通量檢[0003]但是，現(xiàn)有的微電極陣列的封裝層采用聚酰亞胺(PI)材料制成，其硬度較高，為了形成特定的形狀，需要利用刻蝕工藝對PI封裝層進行刻蝕，工藝復(fù)雜。發(fā)明內(nèi)容[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種多孔微電極陣列的制備方法，利用SU-8光刻膠代替聚酰亞胺作為封裝層，以使多孔微電極陣列具有柔性，并簡化工藝。[0005]基于上述目的，本發(fā)明提供一種多孔微電極陣列[0006]S100:在襯底上沉積犧牲層，其中襯底包括第一部分和第二部分，所述犧牲層沉積在所述襯底的第一部分上；[0007]S200:在所述襯底的第二部分和所述犧牲層上沉積第一封裝層，其中位于所述犧牲層上的第一封裝層具有多個第一通孔；[0008]S300:在所述第一封裝層上沉積第一金屬層；[0009]S400:在位于所述襯底的第二部分的上方的第一封裝層上沉積第二金屬層，其中所述第二金屬層覆蓋所述第一金屬層的部分；[0010]S500:沉積第二封裝層，其中所述第二封裝層具有多個第二通孔，所述第二封裝層的各第二通孔與所述第一封裝層的各第一通孔一一對齊，所述第二封裝層覆蓋所述第二金屬層的部分以及位于所述襯底的第二部分上方的第一金屬層，并覆蓋位于所述襯底的第一部分上方的第一金屬層的部分；[0011]S600:腐蝕掉所述犧牲層，并將所述襯底的第一部分切除。[0013]S700:在所述第一金屬層未被所述第二封裝層覆蓋的部分上電鍍導(dǎo)電聚合物。[0014]進一步地，步驟S100具體包括以下步驟：[0017]S130:在顯影后的襯底上沉積所述犧牲層；[0019]進一步地，所述第一封裝層由SU-82005光刻膠形成，步驟S200具體包括以下步5[0020]S210:在所述襯底的第二部分和所述犧牲層上旋涂SU-82005光刻膠；[0021]S220:對SU-82005光刻膠進行曝光和顯影，以使位于所述犧牲層上方的SU-82005光刻膠具有多個第一通孔。[0022]進一步地，步驟S300具體包括以下步驟：[0023]S310:在所述第一封裝層上旋涂nlof-2020光刻膠；[0024]S320:對nlof-2020光刻膠進行曝光和顯影；[0025]S330:在顯影后的第一封裝層上依次沉積鉻、金、鉻金屬，以形成第一金屬層；[0026]S340:剝離未被曝光的nlof-2020光刻膠。[0027]進一步地，步驟S400具體包括以下步驟：[0028]S410:在所述第一封裝層和所述第一金屬層上依次旋涂LOR-5B和LC-100A光刻膠；[0029]S420:對LOR-5B和LC-100A光刻膠進行曝光和顯影；[0030]S430:在顯影后的第一封裝層和第一金屬層上依次沉積鉻、鎳和金，以形成第二金屬層；[0031]S440:剝離未被曝光的LOR-5B和LC-100A光刻膠。[0032]進一步地，所述第二封裝層由SU-82005光刻膠形成，步驟S500具體包括以下步[0033]S510:在所述第一封裝層、所述第一金屬層和所述第二金屬層上涂覆SU-82005光刻膠；[0034]S520:對SU-82005光刻膠依次進行曝光和顯影，以使SU-82005光刻膠上具有多個第二通孔。[0035]進一步地，所述犧牲層為鋁。[0036]進一步地，在步驟S600中，利用氫氟酸溶液腐蝕所述犧牲層。[0037]進一步地，所述第一金屬層未被所述第二封裝層覆蓋的部分形成為所述多孔微電極陣列的電極位點，所述第二金屬層未被所述第二封裝層覆蓋的部分形成為焊盤。[0038]本發(fā)明的多孔微電極陣列的制備方法，第一封裝層和第二封裝層均由SU-82005光刻膠形成，其可通過曝光和顯影而實現(xiàn)去除，而無需利用刻蝕工藝進行刻蝕，因此工藝更簡單。附圖說明[0039]圖1為根據(jù)本發(fā)明實施例的多孔微電極陣列的制備方法的流程圖；[0040]圖2為根據(jù)本發(fā)明實施例的多孔微電極陣列在制備過程的不同步驟時的截面圖。具體實施方式[0041]下面結(jié)合附圖，給出本發(fā)明的較佳實施例，并予以詳細(xì)描述。[0042]如圖1所示，本發(fā)明實施例提供一種多孔微電極陣列的制備方法，其包括以下步驟[0043]S100:在襯底10上沉積犧牲層20,其中襯底10包括第一部分和第二部分，犧牲層20沉積在襯底10的第一部分上。6[0044]如圖2所示，犧牲層20僅覆蓋襯底10的右邊部分，襯底10的左邊部分則沒有被犧牲[0047]S110:在襯底10上涂覆光刻膠；[0048]S120:對光刻膠進[0049]S130:在顯影后的襯底10上沉積犧牲層20,例如可利用高真空熱蒸發(fā)鍍膜機沉積犧牲層20;[0050]S140:剝離未曝光的光刻膠。勻涂覆LOR-5B光刻膠，LOR-5B光刻膠具有良好的底層保護作用和易于剝離的特點，接著在LOR-5B光刻膠上涂覆LC-100A光刻膠，作為頂層膠，LC-100A光刻膠具有高分辨率和良好的圖案轉(zhuǎn)移能力。在步驟S140中，可利用丙酮剝離未曝光的LC-100A光刻膠，并利用正膠顯影液剝離未曝光的LOR-5B光刻膠。[0053]在步驟S120中，可利用帶有特定圖案的光刻掩膜版和紫外光刻機對光刻膠進行曝光，曝光時間可以為7-10秒，確保光刻膠充分感光；顯影時間為12部分的光刻膠會被溶解掉，形成所需的圖形。[0054]S200:在襯底10的第二部分和犧牲層20上沉積第一封裝層30,其中位于犧牲層20上方的第一封裝層30具有多個第一通孔31。[0055]在一些實施例中，第一封裝層30由SU8-2005光刻膠形成，SU8-2005光刻膠相較于聚酰亞胺更加柔軟，可以使多孔微電極陣列具有柔性，且SU8-2005光刻膠可通過曝光和顯影而實現(xiàn)去除，而無需利用刻蝕工藝進行刻蝕，因此工藝更簡單。第一封裝層30的厚度可以為4.5-5微米。[0057]S210:在襯底10的第二部分和犧牲層20上旋涂SU-82005光刻膠；[0058]S220:對SU8-2005光刻膠依次進行曝光和顯影，以使位于犧牲層20上方的SU-82005光刻膠具有多個第一通孔31。[0059]S300:在第一封裝層30上沉積第一金屬層40。[0060]在一些實施例中，第一金屬層40由鉻、金、鉻依次沉積而形成，第一金屬層40包括多條金屬線，用于作為用于檢測神經(jīng)細(xì)胞動作電位的電極位點和傳輸電位信號的導(dǎo)線；第一金屬層40的具體圖案可以根據(jù)需要進行設(shè)計。[0061]在一些實施例中，步驟S300具體包括以下步驟：[0062]S310:在第一封裝層30上旋涂nlof-2020光刻膠；[0063]S320:對nlof-2020光刻膠進行曝光和顯影；[0065]S340:利用丙酮剝離未被曝光的nlof-2020光刻膠，以將未曝光的nlof-2020光刻膠上的第一金屬層剝離。7[0066]S400:在位于襯底10的第二部分上方的第一封裝層30上沉積第二金屬層50,其中第二金屬層50覆蓋第一金屬層40的部分。[0067]在一些實施例中，第二金屬層50由鉻、鎳和金依次沉積而形成，第二金屬層50僅形成在襯底10的第二部分的上方，犧牲層20的上方則沒有沉積第二金屬層50。[0069]S410:在第一封裝層30和第一金屬層40依次旋涂LOR-5B和LC-100A光刻膠；[0071]S430:在顯影后的第一封裝層30和第一金屬層40上依次沉積鉻、鎳和金，其中鉻、鎳和金的厚度依次為5納米、150納米和100納米；[0072]S440:利用丙酮剝離未被曝光的LC-100A光刻膠，利用顯影液剝離LOR-5B光刻膠。[0073]S500:沉積第二封裝層60,其中第二封裝層60具有多個第二通孔61,各第二通孔61與各第一通孔31—一對齊，并形成為多孔微電極陣列的通孔，第二封裝層60覆蓋第二金屬層50的部分以及位于襯底10的第二部分上方的第一金屬層40,并覆蓋位于襯底10的第一部分上方的第一金屬層40的部分。[0074]在一些實施例中，第二封裝層60由SU-82005光刻膠形成，以使多孔微電極陣列具有柔性。[0075]在一些實施例中，步驟S500具體包括以下步驟：[0076]S510:在第一封裝層30、第一金屬層40和第二金屬層50上涂覆SU-82005光刻膠；[0077]S520:對SU-82005光刻膠依次進行曝光和顯影，以得到預(yù)設(shè)圖案的第二封裝層[0078]第一金屬層40未被第二封裝層60覆蓋的部分形成為多孔微電極陣列的電極位點，第二金屬層50未被第二封裝層60覆蓋的部分形成為焊盤，用于與信號采集設(shè)備相連，以將電位信號傳輸至信號采集設(shè)備。[0079]S600:腐蝕掉犧牲層20,并將襯底10的第一部分切除。[0080]在一些實施例中，可將多孔微電極陣列整體浸沒在氫氟酸中，以將犧牲層20腐蝕，在腐蝕掉犧牲層20后，襯底10的第一部分和第一封裝層30之間具有一定間隙，由于第一封裝層30和第二封裝層60均具有柔性，因此襯底10的第一部分上方的區(qū)域可以彎折，其形成為多孔微電極陣列的柔性部(即圖2中的虛線框中的部分),為避免柔性部在彎折時被襯底10的第一部分干涉，因此可將襯底10的第一部分切除。由于柔性部可彎折，并形成為曲面結(jié)構(gòu)，因此其與神經(jīng)組織接觸面更大，可提高采集信號的信噪比。[0081]在一些實施例中，多孔微電極陣列的制備方法還包括以下步驟：[0082]S700:在第一金屬層40未被第二封裝層60覆蓋的部分上電鍍導(dǎo)電聚合物PEDOT:pss(聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)),以降低阻抗。[0083]為了實現(xiàn)體外神經(jīng)細(xì)胞動作電位的檢測，多孔微電極陣列通常形成為微流控器件的一部分而進行使用，微流控器件包括微流道層、多孔微電極陣列和細(xì)胞培養(yǎng)層，微流道層上設(shè)有第一盲孔、第二盲孔和微流通道，微流通道的兩端分別與兩盲孔連通，細(xì)胞培養(yǎng)層上設(shè)有第三通孔和第四通孔，第三通孔與第一盲孔對齊，多孔微電極陣列的柔性部被夾在微流道層和細(xì)胞培養(yǎng)層之間，且覆蓋第三通孔和第一盲孔，第三通孔和第一盲孔通過多孔微電極陣列的通孔而相互連通，第四通孔與第二盲孔對齊并連通，這樣可以形成一個供細(xì)胞8培養(yǎng)液流動的通道；在檢測時，可將神經(jīng)細(xì)胞培養(yǎng)液從第三通孔注入，并在第四通孔處施加負(fù)壓，使得神