電學(xué)專業(yè)考研試題及答案一、單項(xiàng)選擇題（每題2分，共40分）1.在直流電路中，若電感元件的電流為恒定值，則電感兩端的電壓為：A.正比于電流變化率B.零C.正比于電流值D.無法確定2.關(guān)于電容器的充放電過程，以下說法正確的是：A.充電時(shí)，電容器兩端電壓逐漸減小B.放電時(shí)，電容器存儲(chǔ)的電荷量逐漸增加C.充電過程中，電容器相當(dāng)于開路D.放電過程中，電容器相當(dāng)于短路3.在RLC串聯(lián)電路中，當(dāng)電路發(fā)生諧振時(shí)，以下哪個(gè)物理量達(dá)到最大值：A.阻抗B.導(dǎo)納C.電流D.電壓降在電感或電容上4.關(guān)于三相交流電，以下描述錯(cuò)誤的是：A.三相電系統(tǒng)包含三個(gè)相位差120度的正弦波B.線電壓是相電壓的√3倍C.三相平衡負(fù)載時(shí)，中線電流為零D.三相電可以提供比單相電更穩(wěn)定的功率輸出5.變壓器的主要作用不包括：A.改變交流電壓B.改變交流電流C.改變直流電壓D.隔離電路6.在半導(dǎo)體器件中，PN結(jié)的正向偏置是指：A.P區(qū)接正極，N區(qū)接負(fù)極B.P區(qū)接負(fù)極，N區(qū)接正極C.P區(qū)和N區(qū)均接正極D.P區(qū)和N區(qū)均接負(fù)極7.場(chǎng)效應(yīng)管（FET）與雙極型晶體管（BJT）的主要區(qū)別在于：A.控制方式不同B.輸入阻抗不同C.輸出特性不同D.以上都是8.關(guān)于運(yùn)算放大器，以下說法錯(cuò)誤的是：

A.理想運(yùn)放的輸入阻抗無限大

B.理想運(yùn)放的輸出阻抗為零C.運(yùn)放可以工作在線性區(qū)和非線性區(qū)D.運(yùn)放只能用于放大電路9.在數(shù)字電路中，TTL門電路與CMOS門電路的主要區(qū)別不包括：A.電源電壓范圍B.輸入阻抗C.輸出驅(qū)動(dòng)能力D.邏輯功能10.以下哪種調(diào)制方式屬于模擬調(diào)制：A.ASK

B.FSK

C.PMD.PSK11.在信號(hào)處理中，采樣定理指出采樣頻率應(yīng)至少為信號(hào)最高頻率的：A.0.5倍B.1倍C.2倍D.4倍12.關(guān)于電磁波的傳播，以下說法正確的是：A.電磁波只能在真空中傳播B.電磁波傳播不需要介質(zhì)C.電磁波的傳播速度與頻率無關(guān)D.電磁波不能攜帶能量13.在電力系統(tǒng)中，提高功率因數(shù)的主要目的是：A.增加有功功率B.減少無功功率損失C.提高電壓等級(jí)D.增大電流14.關(guān)于電機(jī)，以下描述錯(cuò)誤的是：A.直流電機(jī)結(jié)構(gòu)復(fù)雜，維護(hù)困難B.交流異步電機(jī)轉(zhuǎn)速與電源頻率有關(guān)C.同步電機(jī)轉(zhuǎn)速恒定，與負(fù)載無關(guān)D.步進(jìn)電機(jī)屬于交流電機(jī)15.在電力電子技術(shù)中，IGBT是哪種器件的縮寫：A.絕緣柵雙極型晶體管B.集成門極換流晶閘管C.電力場(chǎng)效應(yīng)管D.可關(guān)斷晶閘管16.關(guān)于自動(dòng)控制原理，以下說法錯(cuò)誤的是：A.開環(huán)控制系統(tǒng)沒有反饋環(huán)節(jié)B.閉環(huán)控制系統(tǒng)一定比開環(huán)控制系統(tǒng)穩(wěn)定C.系統(tǒng)的穩(wěn)態(tài)誤差與系統(tǒng)類型有關(guān)D.相位裕度是衡量系統(tǒng)穩(wěn)定性的指標(biāo)之一17.在信號(hào)與系統(tǒng)分析中，傅里葉變換主要用于：A.時(shí)域分析B.頻域分析C.復(fù)頻域分析D.Z域分析18.關(guān)于通信原理，以下說法正確的是：A.調(diào)制是將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)的過程B.解調(diào)是調(diào)制的逆過程C.信道編碼用于提高信號(hào)傳輸速率D.信源編碼用于增加信號(hào)冗余度19.在微電子技術(shù)中，CMOS工藝的主要優(yōu)點(diǎn)是：A.高速度B.低功耗C.高集成度D.以上都是20.關(guān)于電磁兼容（EMC），以下說法錯(cuò)誤的是：A.EMC包括電磁干擾（EMI）和電磁抗擾度（EMS）B.屏蔽是減少EMI的有效方法C.接地不會(huì)影響EMC性能D.濾波可以抑制特定頻率的干擾二、多項(xiàng)選擇題（每題2分，共40分）1.直流電路分析中，基爾霍夫定律包括：A.電壓定律（KVL）B.電流定律（KCL）C.歐姆定律D.功率守恒定律2.交流電路中，功率因數(shù)提高的方法有：A.并聯(lián)電容B.串聯(lián)電感C.使用同步電動(dòng)機(jī)D.減少負(fù)載3.半導(dǎo)體材料的主要特性包括：A.導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體之間B.溫度升高時(shí)導(dǎo)電性增強(qiáng)C.摻雜可以改變導(dǎo)電類型D.電阻率隨光照變化4.數(shù)字電路中，常用的邏輯門有：A.與門B.或門C.非門D.異或門5.關(guān)于放大電路，以下說法正確的是：A.共射放大電路具有電壓放大作用B.共集放大電路具有電流放大作用C.共基放大電路輸入阻抗高D.差分放大電路可以抑制共模信號(hào)6.信號(hào)處理中，濾波器的類型包括：A.低通濾波器B.高通濾波器C.帶通濾波器D.全通濾波器7.電力系統(tǒng)保護(hù)裝置的主要功能包括：A.過電流保護(hù)B.差動(dòng)保護(hù)C.距離保護(hù)D.頻率保護(hù)8.電機(jī)控制中，常用的調(diào)速方法有：A.變極調(diào)速B.變頻調(diào)速C.變轉(zhuǎn)差率調(diào)速D.變壓調(diào)速9.電力電子器件中，全控型器件包括：A.SCR（晶閘管）B.GTO（可關(guān)斷晶閘管）C.IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）D.MOSFET（電力場(chǎng)效應(yīng)管）10.自動(dòng)控制系統(tǒng)中，執(zhí)行器的類型包括：A.電動(dòng)執(zhí)行器B.氣動(dòng)執(zhí)行器C.液動(dòng)執(zhí)行器D.手動(dòng)執(zhí)行器11.通信系統(tǒng)中，多路復(fù)用技術(shù)包括：A.頻分復(fù)用（FDM）B.時(shí)分復(fù)用（TDM）C.碼分復(fù)用（CDM）D.波分復(fù)用（WDM）12.微處理器內(nèi)部結(jié)構(gòu)主要包括：A.算術(shù)邏輯單元（ALU）B.寄存器組C.控制單元D.輸入輸出接口13.電磁兼容設(shè)計(jì)中，減少電磁干擾的措施包括：A.合理布局B.屏蔽C.接地D.濾波14.關(guān)于傳感器，以下說法正確的是：A.溫度傳感器可以將溫度轉(zhuǎn)換為電信號(hào)B.壓力傳感器可以測(cè)量液體或氣體的壓力C.光電傳感器可以檢測(cè)光的強(qiáng)度D.磁性傳感器只能檢測(cè)靜態(tài)磁場(chǎng)15.無線通信中，天線的主要參數(shù)包括：A.方向性B.增益C.阻抗匹配D.極化方式16.數(shù)字信號(hào)處理中，DFT（離散傅里葉變換）的缺點(diǎn)包括：A.計(jì)算量大B.存在頻譜泄漏C.分辨率低D.只能處理有限長序列17.電力系統(tǒng)無功補(bǔ)償?shù)姆椒ㄓ校篈.并聯(lián)電容B.串聯(lián)電感C.同步調(diào)相機(jī)D.靜止無功補(bǔ)償器（SVC）18.關(guān)于電機(jī)啟動(dòng)，以下說法正確的是：A.直流電機(jī)可以直接啟動(dòng)B.交流異步電機(jī)直接啟動(dòng)電流大C.軟啟動(dòng)器可以限制啟動(dòng)電流D.星三角啟動(dòng)適用于所有三相異步電機(jī)19.微電子制造中，光刻工藝的主要步驟包括：A.涂膠B.曝光C.顯影D.蝕刻20.智能電網(wǎng)的主要特征包括：A.自愈能力B.互動(dòng)性C.高效性D.分布式發(fā)電集成三、判斷題（每題1分，共10分）1.在直流電路中，電感元件相當(dāng)于短路。（）2.理想運(yùn)放的開環(huán)增益無限大。（）3.數(shù)字信號(hào)在時(shí)間上和幅度上都是離散的。（）4.同步電機(jī)的轉(zhuǎn)速與電源頻率無關(guān)。（）5.電磁波的傳播速度在真空中最快。（）6.功率因數(shù)角是電壓與電流的相位差。（）7.半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性隨溫度升高而降低。（）8.濾波器只能通過特定頻率的信號(hào)。（）9.電機(jī)控制中，變頻調(diào)速是最常用的調(diào)速方法。（）10.電磁兼容設(shè)計(jì)不需要考慮接地問題。（）四、填空題（每題1分，共10分）1.基爾霍夫電壓定律（KVL）指出，沿閉合回路繞行一周，各段電壓的代數(shù)和等于______。2.在RLC串聯(lián)電路中，諧振頻率f0的計(jì)算公式為f0=______。3.半導(dǎo)體PN結(jié)的正向偏置時(shí)，電流主要由______載流子形成。4.運(yùn)算放大器的兩個(gè)重要特性是______和______。5.數(shù)字電路中，二進(jìn)制數(shù)1011對(duì)應(yīng)的十進(jìn)制數(shù)是______。6.通信系統(tǒng)中，信道容量與信道帶寬和______有關(guān)。7.電力系統(tǒng)中，提高系統(tǒng)穩(wěn)定性的措施包括增加______和減少______。8.電機(jī)控制中，PWM調(diào)速是通過改變______來實(shí)現(xiàn)的。9.微電子技術(shù)中，CMOS工藝的“C”代表______。10.電磁兼容設(shè)計(jì)中，屏蔽的主要目的是防止______和______。

答案：一、單項(xiàng)選擇題答案1.B2.D3.C4.B5.C6.A7.D8.D9.D10.C11.C12.B13.B14.D15.A16.B17.B18.B19.D20.C二、多項(xiàng)選擇題答案1.AB2.AC3.ABCD4.ABCD5.ABD6.ABC7.ABCD8.ABC9.BCD10.ABC11.ABCD12.ABC13.ABCD14.ABC15.ABCD16.