T/CECXXXX-20XX

電力芯片電磁干擾與溫度綜合應(yīng)力試驗(yàn)方法第2部分：微控制器

1范圍

本文件描述了電力用微控制器電磁干擾與溫度綜合應(yīng)力試驗(yàn)的方法，規(guī)定了試驗(yàn)條件、試驗(yàn)設(shè)備、

試驗(yàn)布置、試驗(yàn)程序和試驗(yàn)報(bào)告的要求。

本文件適用于面向電力場(chǎng)景下的微控制器電磁干擾與溫度綜合應(yīng)力試驗(yàn)及評(píng)價(jià)檢測(cè)活動(dòng)。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，

僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本

文件。

GB/T4365-2003電工術(shù)語(yǔ)電磁兼容

GB/T4937.23半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第23部分：高溫工作壽命

GB/T17626.4-2018電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.5-2019電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)浪涌（沖擊）抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.18-2016電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)阻尼振蕩波抗擾度試驗(yàn)

GB/T42968.1-2023集成電路電磁抗擾度測(cè)量第1部分：通用條件和定義

GB/T43034.3-2023集成電路脈沖抗擾度測(cè)量第3部分：非同步瞬態(tài)注入法

T/CECXXXX.1-20XX電力芯片電磁干擾與溫度綜合應(yīng)力試驗(yàn)方法第1部分：通用要求

3術(shù)語(yǔ)和定義

GB/T4365-2003、GB/T42968.1和T/CECXXXX.1-20XX界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。

3.1

受試器件deviceundertest；DUT

被評(píng)估的器件、設(shè)備或系統(tǒng)。

注：在本文件中，DUT指被試驗(yàn)的微控制器。

3.2

微控制器microcontrolunit；MCU

將微型計(jì)算機(jī)的主要部分集成在一個(gè)芯片上的單芯片微型計(jì)算機(jī)。

4符號(hào)和縮略語(yǔ)

下列符號(hào)及縮略語(yǔ)適用于本文件。

IDD0靜態(tài)工作電流

P功耗

4

T/CECXXXX-20XX

VIL輸出低電平

VIH輸出高電平

VDD電源電壓

VDDIO引腳供電電壓

ADC模擬數(shù)字轉(zhuǎn)化器(Analog-to-DigitalConverter)

CAN控制器局域網(wǎng)總線（ControllerAreaNetwork）

GPIO通用型輸入輸出（General-purposeinput/output）

I2C（Inter-IntergratedCircuit）

MAC媒體訪問控制(MediaAccessControl)

PWM脈沖寬度調(diào)制（PulseWidthModulation）

SPI串行外設(shè)接口（SerialPeripheralInterface）

UART通用異步收發(fā)器（UniversalAsynchronousReceiver/Transmitter）

USB通用串行總線（UniversalSerialBus）

5試驗(yàn)條件

5.1概述

試驗(yàn)條件應(yīng)滿足T/CECXXXX.1-20XX中的規(guī)定及要求，此外，還應(yīng)滿足下列要求。

5.2供電電壓

供電電壓應(yīng)設(shè)置為IC制造商規(guī)定的標(biāo)稱電壓，允差為±5%。

6試驗(yàn)設(shè)備

6.1概述

試驗(yàn)設(shè)備應(yīng)滿足T/CECXXXX.1-20XX中的規(guī)定及以下要求。

6.2監(jiān)測(cè)及激勵(lì)設(shè)備

監(jiān)測(cè)和激勵(lì)設(shè)備應(yīng)具備與DUT測(cè)試的所有接口，能夠下發(fā)測(cè)試指令，確保DUT按照基本功能運(yùn)行。

此外，監(jiān)控及激勵(lì)設(shè)備不應(yīng)受到注入干擾信號(hào)的影響。監(jiān)控及激勵(lì)設(shè)備的設(shè)計(jì)可參照附錄B。

6.3電磁溫度綜合應(yīng)力實(shí)驗(yàn)板

應(yīng)在試驗(yàn)報(bào)告中給出微控制器電磁溫度綜合應(yīng)力實(shí)驗(yàn)板的描述，實(shí)驗(yàn)電路板的設(shè)計(jì)至少應(yīng)包含以下

要求：

——提供微控制器運(yùn)行的基本外圍電路，以保障動(dòng)態(tài)測(cè)試；

——提供電磁干擾注入接口，將所有被測(cè)引腳引出；

——提供微控制器運(yùn)行及監(jiān)測(cè)的接口，例如通信接口、電源接口及數(shù)據(jù)采集口等；

——提供芯片底座，便于DUT插拔；

——試驗(yàn)電路板和所有輔助測(cè)試的電路元件應(yīng)具備耐高溫性能；

——具備電磁干擾耦合網(wǎng)絡(luò)；

耦合網(wǎng)絡(luò)應(yīng)滿足T/CECXXXX.1-20XX中附錄D和附錄E的要求。對(duì)于兩個(gè)以上引腳的電磁注入時(shí)，

可設(shè)計(jì)開關(guān)矩陣，實(shí)現(xiàn)引腳的切換功能。

5

T/CECXXXX-20XX

——具備電磁干擾去耦網(wǎng)絡(luò)。

去耦網(wǎng)絡(luò)應(yīng)滿足T/CECXXXX.1-20XX中附錄D和附錄E的要求。對(duì)于高速通信引腳，還需要額

外的去耦電路設(shè)計(jì)，以達(dá)到隔離度40dB的要求。此外，去耦網(wǎng)絡(luò)不應(yīng)影響電磁干擾的注入性能和外部

設(shè)備的正常工作。對(duì)于電源引腳，去耦網(wǎng)絡(luò)應(yīng)設(shè)計(jì)無(wú)源濾波電路，必要時(shí)可使用隔離電源；對(duì)于通信功

能引腳，去耦網(wǎng)絡(luò)應(yīng)至少采用磁珠和隔離芯片組成的兩級(jí)濾波電路，去耦網(wǎng)絡(luò)的下限截止頻率需要大于

測(cè)試引腳的通信頻率；對(duì)于其它引腳，可根據(jù)實(shí)際測(cè)試需求和芯片制造商的建議進(jìn)行去耦網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)。

7試驗(yàn)布置

試驗(yàn)布置應(yīng)滿足T/CECXXXX.1-20XX中第8章的規(guī)定及要求。

8試驗(yàn)程序

8.1概述

試驗(yàn)程序應(yīng)滿足T/CECXXXX.1-20XX中第9章的要求和規(guī)定，此外，還應(yīng)滿足下列要求。

8.2引腳選擇方案

DUT的引腳，只要可以通過(guò)PCB走線或外部線纜連接至其它器件上的，都需要進(jìn)行試驗(yàn)。對(duì)于具有

大量引腳的微控制器，根據(jù)引腳的類型和位置，僅選擇有代表性的引腳進(jìn)行試驗(yàn)。特殊功能引腳至少選

取一組，選多個(gè)引腳測(cè)試時(shí)，不同類型的引腳要至少間隔4個(gè)引腳的距離。

選取的引腳應(yīng)包含但不限于以下引腳：

——供電引腳，包含電源引腳和地引腳；

——通用輸入/輸出功能引腳，如GPIO；

——基本通信功能引腳，例如CAN、UART、I2C和SPI等；

——特殊功能引腳，例如ADC、PWM等。

8.3DUT激勵(lì)程序

被測(cè)微控制器為可編程芯片，試驗(yàn)過(guò)程中要求DUT處于正常運(yùn)行狀態(tài)，應(yīng)寫入基本的測(cè)試程序來(lái)

配置DUT，以達(dá)到測(cè)試需求，并且可以保障試驗(yàn)過(guò)程的穩(wěn)定性與可復(fù)現(xiàn)性。應(yīng)在試驗(yàn)報(bào)告中明確DUT

的配置及運(yùn)行模式。

8.4DUT監(jiān)測(cè)

應(yīng)對(duì)DUT進(jìn)行監(jiān)測(cè)，目的是完整地確定其可靠性能。實(shí)施的監(jiān)測(cè)不應(yīng)影響DUT的可靠性能。

可使用監(jiān)測(cè)及激勵(lì)設(shè)備實(shí)現(xiàn)對(duì)DUT關(guān)鍵參數(shù)的監(jiān)測(cè)。對(duì)于微控制器，取決于實(shí)現(xiàn)的功能或安裝的軟

件程序，其可產(chǎn)生不同的響應(yīng)信號(hào)。應(yīng)監(jiān)測(cè)響應(yīng)信號(hào)以表明微控制器是否敏感。響應(yīng)信號(hào)應(yīng)包括但不限

于以下基本特性：

——基本引腳的輸入/輸出電壓；

——電源電壓、工作電流及功耗（睡眠/運(yùn)行）；

——引腳漏電流；

——引腳I/V特性曲線；

——芯片的運(yùn)行狀態(tài)（如通信誤碼率、工作中斷等異?，F(xiàn)象等）。

對(duì)于某些監(jiān)測(cè)參數(shù)，需要將DUT冷卻至室溫進(jìn)行測(cè)試，可使用示波器、電壓表、邏輯分析儀、數(shù)據(jù)

分析儀等進(jìn)行輔助監(jiān)測(cè)。

6

T/CECXXXX-20XX

對(duì)于所監(jiān)測(cè)的響應(yīng)信號(hào)，應(yīng)按照數(shù)據(jù)手冊(cè)的要求，單獨(dú)定義微控制器在電磁和熱應(yīng)力試驗(yàn)下的失效

判定準(zhǔn)則。

8.5失效判定

在DUT額定工作條件下多次測(cè)試其功能性能，若該DUT至少一個(gè)監(jiān)測(cè)參數(shù)出現(xiàn)偏差，則判定該芯片

出現(xiàn)退化；若所監(jiān)測(cè)參數(shù)超過(guò)規(guī)定允差，則判定該芯片失效。

9試驗(yàn)報(bào)告

試驗(yàn)報(bào)告應(yīng)滿足T/CECXXXX.1-20XX中的規(guī)定及要求，試驗(yàn)報(bào)告格式可參考本文件的附錄C。

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T/CECXXXX-20XX

附錄A

（資料性）

通用試驗(yàn)項(xiàng)目

A.1概述

本附錄給出了微控制器通用試驗(yàn)項(xiàng)目的建議。測(cè)試項(xiàng)目可分為電氣參數(shù)測(cè)試和功能參數(shù)測(cè)試。電氣

參數(shù)測(cè)試的對(duì)象為微控制器電源及GPIO引腳；功能測(cè)試的對(duì)象為微控制器的特殊功能引腳。

A.2電氣參數(shù)測(cè)試

對(duì)于通用的微控制器，電氣測(cè)試項(xiàng)目分別為電源電壓測(cè)試、電流測(cè)試、功耗測(cè)試（睡眠/運(yùn)行）以

及GPIO的輸出的電平測(cè)試，具體參數(shù)指標(biāo)（典型值及極限值）可參考被測(cè)芯片的數(shù)據(jù)手冊(cè)。

監(jiān)測(cè)及激勵(lì)設(shè)備的電源接口與被測(cè)芯片的電源端口或GPIO口直接連接，為DUT提供直流電壓源。

同時(shí)，監(jiān)測(cè)和激勵(lì)設(shè)備的采集接口讀取DUT引腳的電壓和電流。

表A.1給出了建議的電氣參數(shù)測(cè)試項(xiàng)目。

表A.1電氣參數(shù)測(cè)試項(xiàng)目

數(shù)據(jù)

參數(shù)符號(hào)單位備注/測(cè)試條件

Min.TypMax.

電源電壓VDD參照數(shù)據(jù)手冊(cè)V上下限點(diǎn)測(cè)試

VDD/25℃

靜態(tài)工作電流IDD0參照數(shù)據(jù)手冊(cè)mA具體需參照微控制器數(shù)據(jù)

手冊(cè)

功耗P參照數(shù)據(jù)手冊(cè)mW運(yùn)行/睡眠

GPIO輸出高低電平測(cè)試VIL/VIH0/0.7VDDIO/0.3VDDIO/VDDIOV上下限典型值各點(diǎn)測(cè)試

A.3功能參數(shù)測(cè)試

功能測(cè)試主要是測(cè)試被測(cè)芯片的功能，包含邏輯功能的正確性和數(shù)據(jù)傳輸過(guò)程中的誤碼情況。對(duì)于

電力用MCU，其功能接口主要為I2C、SPI、UART、USB、CAN、MAC網(wǎng)口、ADC和PWM接口

——對(duì)于通信類功能接口，包括I2C、SPI、UART、USB、CAN和MAC網(wǎng)口。在試驗(yàn)過(guò)程中，監(jiān)測(cè)及

激勵(lì)設(shè)備與被測(cè)芯片通信，向內(nèi)置的存儲(chǔ)器寫入一定數(shù)量的數(shù)據(jù)，被測(cè)芯片接收該數(shù)據(jù)后再次將其轉(zhuǎn)發(fā)

給檢測(cè)及激勵(lì)設(shè)備。監(jiān)測(cè)及激勵(lì)設(shè)備比較兩次的數(shù)據(jù)內(nèi)容，即可得到數(shù)據(jù)誤碼率。

——對(duì)于ADC功能接口，需要高精度直流電壓源提供精確的輸入電壓，并與DUT的ADC功能接口相

連。ADC接口采集此輸入電壓，通過(guò)對(duì)比采集結(jié)果和輸出結(jié)果，可以得到ADC功能接口的性能指標(biāo)。

——對(duì)于PWM功能接口，其輸出可連接至示波器，通過(guò)比較示波器的測(cè)試波形與PWM接口的輸出波

形，即可得到PWM接口的性能指標(biāo)。

表A.2給出了建議的功能參數(shù)測(cè)試項(xiàng)目，數(shù)據(jù)范圍可參考數(shù)據(jù)手冊(cè)或根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行設(shè)定。

8

T/CECXXXX-20XX

表A.2功能參數(shù)測(cè)試項(xiàng)目

數(shù)據(jù)范圍

測(cè)試功能參數(shù)符號(hào)測(cè)試條件

Min.TypMax.

最高速率通訊，單包發(fā)送1000Byte

I2C、SPI、UART、USB、

通訊誤碼率////數(shù)據(jù)，每隔6min發(fā)送1次，多次取

CAN和MAC

平均值

最高輸出頻率，連續(xù)輸出，多次取平

PWM輸出精度////

均值

ADC采集精度////最大采集位數(shù)，多次取平均值

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T/CECXXXX-20XX

附錄B

（資料性）

監(jiān)測(cè)及激勵(lì)設(shè)備

B.1概述

本附錄給出了一種針對(duì)微控制器測(cè)試的監(jiān)測(cè)及激勵(lì)設(shè)備的設(shè)計(jì)。為了實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)測(cè)試，監(jiān)測(cè)和激勵(lì)設(shè)

備應(yīng)具備與DUT測(cè)試的所有接口，能夠下發(fā)測(cè)試指令，確保DUT按照基本功能運(yùn)行，同時(shí)能夠顯示DUT

的運(yùn)行狀態(tài)，及時(shí)反饋DUT的退化及失效情況。

B.2設(shè)計(jì)原理及示意圖

監(jiān)測(cè)及激勵(lì)設(shè)備主要實(shí)現(xiàn)對(duì)被測(cè)芯片的功能、性能測(cè)試，主要包含所有的功能參數(shù)測(cè)試引腳（如

I2C、SPI、UART、USB、CAN和MAC等接口）和電氣參數(shù)測(cè)試接口（如電源輸出接口）。監(jiān)控及激

勵(lì)設(shè)備的原理示意圖如圖B.1中所示。

監(jiān)測(cè)及激勵(lì)設(shè)備的功能參數(shù)測(cè)試接口可與DUT的測(cè)試引腳接口建立通信連接。測(cè)試DUT的功能

參數(shù)時(shí)，只需要將相應(yīng)的接口通過(guò)外接引線與電磁溫度綜合應(yīng)力試驗(yàn)板的接口（由被測(cè)引腳引出的）相

連，然后監(jiān)測(cè)與激勵(lì)設(shè)備下發(fā)測(cè)試向量，啟動(dòng)測(cè)試。測(cè)試過(guò)程中，每隔三分鐘獲取DUT運(yùn)行情況，包

含DUT的工作情況及通信誤碼等情況。DUT的運(yùn)行狀態(tài)應(yīng)在監(jiān)控及激勵(lì)設(shè)備上顯示并存儲(chǔ)，便于測(cè)試

人員記錄。

監(jiān)控與激勵(lì)設(shè)備的電源接口可輸出高精度直流電源，為DUT的引腳提供直流電源輸入，同時(shí)可回

讀電流，完成DUT的電氣參數(shù)的測(cè)試。

監(jiān)測(cè)及激勵(lì)設(shè)備應(yīng)具備軟件程序，軟件程序包含所有接口的測(cè)試程序，插入相應(yīng)測(cè)試接口時(shí)可自動(dòng)

識(shí)別測(cè)試接口類型，完成測(cè)試程序下發(fā)。

圖B.1監(jiān)控與激勵(lì)設(shè)備原理示意圖

10

T/CECXXXX-20XX

附錄C

（資料性）

試驗(yàn)報(bào)告

試驗(yàn)報(bào)告如表C.1所示。

表C.1試驗(yàn)報(bào)告

_______________電磁干擾與綜合溫度應(yīng)力試驗(yàn)

測(cè)試人樣品號(hào)

測(cè)試日期DUT基本信息名稱

測(cè)試地點(diǎn)廠家及型號(hào)

DUT功能確認(rèn)□已確認(rèn)

電磁干擾信號(hào)發(fā)生器□已校準(zhǔn)示波器□已校準(zhǔn)

測(cè)試設(shè)備狀態(tài)

溫度試驗(yàn)箱□已校準(zhǔn)…□已校準(zhǔn)

監(jiān)測(cè)及激勵(lì)設(shè)備功能□正?！跻研?zhǔn)

試驗(yàn)結(jié)果記錄

電磁條件溫度條件結(jié)果

測(cè)試引DUT運(yùn)行模

序號(hào)幅值注入時(shí)間注入頻時(shí)間參數(shù)退

腳溫度/℃式/檢測(cè)參數(shù)結(jié)論

/V/min率：次/h/h化率

誤碼率Pass/fai

1Pin12001685168UART通信

4%l

2

3

…

━━━━━━━━━━━

11

ICS

CCS

備案號(hào)：T/CEC

中國(guó)電力企業(yè)聯(lián)合會(huì)標(biāo)準(zhǔn)

T/CECXXXX-20XX

電力芯片電磁干擾與溫度綜合應(yīng)力試驗(yàn)方

法

第2部分：微控制器

Testmethodforelectromagneticinterferenceandtemperaturecomprehensivestress

ofpowerchips

Part2：Microcontrolunit

（征求意見稿）

20XX—XX—XX發(fā)布20XX—XX—XX實(shí)施

中國(guó)電力企業(yè)聯(lián)合會(huì)發(fā)布

T/CECXXXX-20XX

電力芯片電磁干擾與溫度綜合應(yīng)力試驗(yàn)方法第2部分：微控制器

1范圍

本文件描述了電力用微控制器電磁干擾與溫度綜合應(yīng)力試驗(yàn)的方法，規(guī)定了試驗(yàn)條件、試驗(yàn)設(shè)備、

試驗(yàn)布置、試驗(yàn)程序和試驗(yàn)報(bào)告的要求。

本文件適用于面向電力場(chǎng)景下的微控制器電磁干擾與溫度綜合應(yīng)力試驗(yàn)及評(píng)價(jià)檢測(cè)活動(dòng)。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，

僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本

文件。

GB/T4365-2003電工術(shù)語(yǔ)電磁兼容

GB/T4937.23半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第23部分：高溫工作壽命

GB/T17626.4-2018電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.5-2019電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)浪涌（沖擊）抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.18-2016電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)阻尼振蕩波抗擾度試驗(yàn)

GB/T42968.1-2023集成電路電磁抗擾度測(cè)量第1部分：通用條件和定義

GB/T43034.3-2023集成電路脈沖抗擾度測(cè)量第3部分：非同步瞬態(tài)注入法

T/CECXXXX.1-20XX電力芯片電磁干擾與溫度綜合應(yīng)力試驗(yàn)方法第1部分：通用要求

3術(shù)語(yǔ)和定義

GB/T4365-2003、GB/T42968.1和T/CECXXXX.1-20XX界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。

3.1

受試器件deviceundertest；DUT

被評(píng)估的器件、設(shè)備或系統(tǒng)。

注：在本文件中，DUT指被試驗(yàn)的微控制器。

3.2

微控制器microcontrolunit；MCU

將微型計(jì)算機(jī)的主要部分集成在一個(gè)芯片上的單芯片微型計(jì)算機(jī)。

4符號(hào)和縮略語(yǔ)

下列符號(hào)及縮略語(yǔ)適用于本文件。

IDD0靜態(tài)工作電流

P功耗

4

T/CECXXXX-20XX

VIL輸出低電平

VIH輸出高電平

VDD電源電壓

VDDIO引腳供電電壓

ADC模擬數(shù)字轉(zhuǎn)化器(Analog-to-DigitalConverter)

CAN控制器局域網(wǎng)總線（ControllerAreaNetwork）

GPIO通用型輸入輸出（General-purposeinput/output）

I2C（Inter-IntergratedCircuit）

MAC媒體訪問控制(MediaAccessControl)

PWM脈沖寬度調(diào)制（PulseWidthModulation）

SPI串行外設(shè)接口（SerialPeripheralInterface）

UART通用異步收發(fā)器（UniversalAsynchronousReceiver/Transmitter）

USB通用串行總線（UniversalSerialBus）

5試驗(yàn)條件

5.1概述

試驗(yàn)條件應(yīng)滿足T/CECXXXX.1-20XX中的規(guī)定及要求，此外，還應(yīng)滿足下列要求。

5.2供電電壓

供電電壓應(yīng)設(shè)置為IC制造商規(guī)定的標(biāo)稱電壓，允差為±5%。

6試驗(yàn)設(shè)備

6.1概述

試驗(yàn)設(shè)備應(yīng)滿足T/CECXXXX.1-20XX中的規(guī)定及以下要求。

6.2監(jiān)測(cè)及激勵(lì)設(shè)備

監(jiān)測(cè)和激勵(lì)設(shè)備應(yīng)具備與DUT測(cè)試的所有接口，能夠下發(fā)測(cè)試指令，確保DUT按照基本功能運(yùn)行。

此外，監(jiān)控及激勵(lì)設(shè)備不應(yīng)受到注入干擾信號(hào)的影響。監(jiān)控及激勵(lì)設(shè)備的設(shè)計(jì)可參照附錄B。

6.3電磁溫度綜合應(yīng)力實(shí)驗(yàn)板

應(yīng)在試驗(yàn)報(bào)告中給出微控制器電磁溫度綜合應(yīng)力實(shí)驗(yàn)板的描述，實(shí)驗(yàn)電路板的設(shè)計(jì)至少應(yīng)包含以下

要求：

——提供微控制器運(yùn)行的基本外圍電路，以保障動(dòng)態(tài)測(cè)試；

——提供電磁干擾注入接口，將所有被測(cè)引腳引出；

——提供微控制器運(yùn)行及監(jiān)測(cè)的接口，例如通信接口、電源接口及數(shù)據(jù)采集口等；

——提供芯片底座，便于DUT插拔；

——試驗(yàn)電路板和所有輔助測(cè)試的電路元件應(yīng)具備耐高溫性能；

——具備電磁干擾耦合網(wǎng)絡(luò)；

耦合網(wǎng)絡(luò)應(yīng)滿足T/CECXXXX.1-20XX中附錄D和附錄E的要求。對(duì)于兩個(gè)以上引腳的電磁注入時(shí)，

可設(shè)計(jì)開關(guān)矩陣，實(shí)現(xiàn)引腳的切換功能。