第30講物質(zhì)的聚集狀態(tài)常見(jiàn)晶體類型

【復(fù)習(xí)目標(biāo)】1.了解晶體和非晶體的區(qū)別。2.了解晶體的類型，了解不同類型晶體

中結(jié)構(gòu)微粒、微粒間作用力的區(qū)別。3,了解四種晶體類型熔點(diǎn)、沸點(diǎn)、溶解性等性質(zhì)

的不同。

考點(diǎn)一物質(zhì)的聚集狀態(tài)晶體與非晶體

必備知武T合、

1.物質(zhì)的聚集狀態(tài)

⑴物質(zhì)的聚集狀態(tài)除了固態(tài)、液態(tài)、氣態(tài)外，還有晶態(tài)、非晶態(tài)以及介乎晶態(tài)和非晶

態(tài)之間的塑晶態(tài)、液晶態(tài)等。

⑵等離子體和液晶

概念主要性能

等離由電子、陽(yáng)離子和電中性粒子組成

具有良好的導(dǎo)電性和流動(dòng)性

子體的整體上呈電中性的物質(zhì)聚集體

既具有液體的流動(dòng)性、黏度、形變性

液晶介于液態(tài)和晶態(tài)之間的物質(zhì)狀態(tài)等，又具有晶體的導(dǎo)熱性、光學(xué)性質(zhì)

等

2.晶體與非晶體

⑴晶體與非晶體的比較

晶體非晶體

內(nèi)部微粒在空間里呈周期性

結(jié)構(gòu)特征內(nèi)部微粒排列相對(duì)無(wú)序

有序排列

自范性有無(wú)

性質(zhì)

熔點(diǎn)固定不固定

特征

異同表現(xiàn)各向異性各向同性

⑵得到晶體的途徑

①熔融態(tài)物質(zhì)凝固；

②氣態(tài)物質(zhì)冷卻不經(jīng)液態(tài)直接凝固（凝華）;

③溶質(zhì)從溶液中析出。

⑶晶體與非晶體的測(cè)定方法

測(cè)定測(cè)熔點(diǎn)晶體有固定的熔點(diǎn)，非晶體沒(méi)有固定的熔點(diǎn)

方法最可靠方法對(duì)固體進(jìn)行X射線衍射實(shí)驗(yàn)

3.晶胞

⑴概念：晶體結(jié)構(gòu)中基本的重復(fù)單元。

⑵晶體中晶胞的排列——無(wú)隙并置

①無(wú)隙：相鄰晶胞之間沒(méi)有任何間隙。

②并置：所有晶胞平行排列、取向相同。

【正浜判斷】

1.在物質(zhì)的三態(tài)相互轉(zhuǎn)化過(guò)程中只是分子間距離發(fā)生了變化（）

2.晶體和非晶體的本質(zhì)區(qū)別是晶體中粒子在微觀空間里呈現(xiàn)周期性的有序排列（）

3.晶體的熔點(diǎn)一定比非晶體的熔點(diǎn)高（）

4.具有規(guī)則幾何外形的固體一定是晶體（）

5.缺角的NaCl晶體在飽和NaCl溶液中會(huì)慢慢變?yōu)橥昝赖牧⒎襟w塊（）

6.晶體中的晶胞不一定都是平行六面體（）

答案：1.X2.V3.X4.X5.V6.V

關(guān)鍵能力

EElf；物質(zhì)聚集狀態(tài)的多樣性

1.下列有關(guān)物質(zhì)特殊聚集狀態(tài)與結(jié)構(gòu)的說(shuō)法不正確的是（）

A.液晶中分子的長(zhǎng)軸取向一致，表現(xiàn)出類似晶體的各向異性

B.等離子體是一種特殊的氣體，由陽(yáng)離子和電子兩部分構(gòu)成

C.純物質(zhì)有固定的熔點(diǎn)，但其晶體顆粒尺寸在納米量級(jí)時(shí)也可能發(fā)生變化

D.超分子內(nèi)部的分子間一般通過(guò)非共價(jià)鍵或分子間作用力結(jié)合成聚集體

答案：B

解析：等離子體是由陽(yáng)離子、電子和電中性粒子組成的整體上呈電中性的物質(zhì)聚集

體，故B錯(cuò)誤；純物質(zhì)有固定的熔點(diǎn)，但其晶體顆粒尺寸在納米量級(jí)時(shí)也可能發(fā)生變

化，熔點(diǎn)可能下降，故C正確。

2.有關(guān)液晶的敘述不正確的是（）

A.液晶既具有液體的可流動(dòng)性，又具有晶體的各向異性

B.液晶最重要的用途是制造液晶顯示器

學(xué)生用書(shū)I第177頁(yè)

C.液晶不是物質(zhì)的一?種聚集狀態(tài)

D.液晶分子聚集在一起時(shí)，其分子間相互作用很容易受溫度、壓力和電場(chǎng)的影響

答案：C

解析：液晶既具有液體的流動(dòng)性，又像某些晶體那樣具有各向異性，選項(xiàng)A正確；液

晶最主要的應(yīng)用之一就是用在液晶顯示器上，選項(xiàng)B正確；液晶是介于液態(tài)與晶態(tài)之

間的一種物質(zhì)聚集狀態(tài)，選項(xiàng)C錯(cuò)誤；液晶分子聚集在一起時(shí)，其分子間相互作用很

容易受溫度、壓力和電場(chǎng)的影響，選項(xiàng)D正確。

3.水的狀態(tài)除了氣、液和固態(tài)外，還有玻璃態(tài)。它是由液態(tài)水急速冷卻到165K時(shí)形

成的。玻璃態(tài)的水無(wú)固定形狀，不存在晶體結(jié)構(gòu)，且密度與普通液態(tài)水的密度相同，

下列有關(guān)玻璃態(tài)水的敘述正確的是（）

A.水由液態(tài)變?yōu)椴ＡB(tài)，體積縮小

B.水由液態(tài)變?yōu)椴ＡB(tài)，體積膨脹

C.玻璃態(tài)是水的一種特殊狀態(tài)

D.在玻璃態(tài)水的X射線圖譜上有分立的斑點(diǎn)或明銳的衍射峰

答案：C

解析：玻璃態(tài)是水的一種特殊狀態(tài)，無(wú)固定形狀，不存在晶體結(jié)構(gòu)，因密度與普通液

態(tài)水相同，故水由液態(tài)變?yōu)椴ＡB(tài)時(shí)體積不變。

口遮，晶體與非晶體

4,關(guān)于晶體與非晶體，正確的說(shuō)法是（）

A.區(qū)分晶體與非晶體最可靠的方法是比較硬度

B.凡有規(guī)則外形的物體就一定是晶體

C.一種物質(zhì)不是晶體就是非晶體

D.具有各向異性的固體一定是晶體

答案：D

金屬鍵的強(qiáng)度差別很大。例如，金屬鈉的熔點(diǎn)較低、硬度較小，是因?yàn)殁c中金屬鍵較

弱，而鋁是熔點(diǎn)最高的金屬、格是硬度最大的金屬，是因?yàn)辁Q、銘中金屬鍵較埋。

(4)金屬鍵的應(yīng)用

金屬鍵可以解釋金屬的延展性、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性。

2.四種晶體的比較

7型

比於、分子晶體共價(jià)晶體金屬晶體離子晶體

分子金屬陽(yáng)離子、自由電

構(gòu)成微粒原子陰、陽(yáng)離子

或原子子

微粒間

范德華力(某些含

的相互共價(jià)鍵金屬鍵離子鍵

氫鍵)

作用力

硬度較小很大有的很大，有的很小較大

熔、沸點(diǎn)較低很高有的很高，有的很低較高

難溶于一般不溶于水，少數(shù)大多易溶于水等

溶解性相似相溶

一般溶劑與水反應(yīng)極性溶劑

一^殳不具有晶體不導(dǎo)電，水

導(dǎo)電、一般不導(dǎo)電，溶具有走好的導(dǎo)電性和

導(dǎo)電性，個(gè)溶液或熔融態(tài)導(dǎo)

導(dǎo)熱性于水后有的導(dǎo)電導(dǎo)熱性

別為半導(dǎo)體電

學(xué)生用書(shū)1第178頁(yè)

【微思考】分析下列物質(zhì)的物理性質(zhì)，判斷其晶體類型。

⑴碳化鋁，黃色晶體，熔點(diǎn)2200℃,熔融態(tài)不導(dǎo)電：o

⑵澳化鋁，無(wú)色晶體，熔點(diǎn)98℃,熔融態(tài)不導(dǎo)電：o

⑶五氟化磯，無(wú)色晶體，熔點(diǎn)19.5℃,易溶于乙醇、氯仿、丙酮等：

(4)淡化鉀，無(wú)色晶體，熔融時(shí)或溶于水中都能導(dǎo)電：o

(5?山，熔點(diǎn)120.5℃,沸點(diǎn)287.4℃,易水解：。

(6)硼，熔點(diǎn)2300℃,沸點(diǎn)2550℃,硬度大：。

(7)硒，熔點(diǎn)217℃,沸點(diǎn)685℃,溶于氯仿：o

提示：（1）共價(jià)晶體（2）分子晶體

⑶分子晶體（4）離子晶體

（5）分子晶體（6）共價(jià)晶體

⑺分子晶體

3.典型晶體模型

晶體晶體結(jié)構(gòu)晶體詳解

⑴每個(gè)碳原子與相鄰4個(gè)碳原子以共價(jià)鍵結(jié)合，形成

正四面體結(jié)構(gòu)

共價(jià)⑵鍵角均為109028,

金剛石

晶體⑶最小碳環(huán)由$個(gè)C組成且六原子不在同一平面內(nèi)

（4）每個(gè)C參與4個(gè)C-C的形成，C原子數(shù)與C-C

數(shù)之比為j_12

⑴二氧化硅晶

體結(jié)構(gòu)

⑴每個(gè)Si與生個(gè)0以共價(jià)鍵結(jié)合，形成正四面體結(jié)

Si—

0一支

構(gòu)

共價(jià)

⑵每個(gè)正四面體占有1個(gè)Si,4個(gè)“|O”,N（Si）：

SiO2

晶體

M0）=l：2

（2）石英晶體中

⑶最小環(huán)上有11個(gè)原子，即6個(gè)0,6人Si

的硅氧四面體

相連成螺旋鏈

分子8個(gè)CCh分子構(gòu)成立方體且在6個(gè)面心又各有1個(gè)

干冰

晶體C02分子

⑴每個(gè)Na+（C「）周圍等距且緊鄰的C「（Na+）有6

離子NaCl個(gè)，每個(gè)Na+（C「）周圍等距且緊鄰的Na+（C「）有12

晶體型個(gè)

⑵每個(gè)晶胞中含生個(gè)Na十和生個(gè)C「

⑴每個(gè)Cs+周圍等距且緊鄰的C「有&個(gè)，每個(gè)Cs+

CsCl(c「)周圍等距且緊鄰的cs+(cr)46個(gè)

型(2)如圖為8個(gè)晶胞，每個(gè)晶胞中含1個(gè)Cs\1個(gè)Cl

。3ocr

⑴層內(nèi)每個(gè)碳原子分別與另外3個(gè)碳原子以共價(jià)鍵連

接，形成六元環(huán)結(jié)構(gòu)

混合

石墨⑵碳原子與共價(jià)鍵的個(gè)數(shù)比為2：3；每個(gè)六元環(huán)平

型晶體

均占有2個(gè)碳原子

(3)層間的作用力是范德華力

學(xué)生月目書(shū)1第179頁(yè)

4.過(guò)渡晶體

純粹的分了晶體、共價(jià)晶體、離了晶體和金屬晶體四種典型晶體是不多的，大多數(shù)晶

體是它們之間的過(guò)渡晶體。人們通常把偏向離子晶體的過(guò)渡晶體當(dāng)作離子晶體來(lái)處

理，把偏向共價(jià)晶體的過(guò)渡晶體當(dāng)作共價(jià)晶體來(lái)處理。

美It能力

由「晶體類型的判斷

1.在下列物質(zhì)中：NaCkNaOH、Na2S>H2O2>Na2s2、(NH/S、CO2>CCL、C2H2、

SiO2>SiC、晶體硅、金剛石、晶體氨。

⑴其中只含有離子鍵的離子晶體是。

⑵其中既含有離子鍵又含有極性共價(jià)鍵的離子晶體是O

⑶其中既含有離子鍵又含有極性共價(jià)鍵和配位鍵的離子晶體是O

(4)其中既含有離子鍵又含有非極性共價(jià)鍵的離子晶體是o

(5)其中形成的晶體是分子晶體的是o

(6)其中含有極性共價(jià)鍵的共價(jià)晶體是o

答案：⑴NaCl、Na2s(2)NaOH、(NH4)2S

⑶(NH/S(4)Na2s2(5)H2O2>CO2、CCL、C2H2、晶體氤(6)SiO2>SiC

2.回答下列問(wèn)題。

（1）CO能與金屬Fe形成Fe（C0）5，該化合物的熔點(diǎn)為253K,沸點(diǎn)為376K,其固體屬

于晶體。

⑵氧和鈉的氫化物所屬的晶體類型分別為和o

⑶ZnF?具有較高的熔點(diǎn)（872℃）,其化學(xué)鍵類型是。

（4）Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu)，其微粒之間存在的作用力是o

⑸單質(zhì)銅及銀都是由鍵形成的晶體。

（6）碳的一種單質(zhì)的結(jié)構(gòu)如圖所示。該單質(zhì)的晶體類型為,原子間存在的共價(jià)

鍵類型有，碳原子的雜化軌道類型為。

?—

答案：⑴分子（2）分子晶體離子晶體（3）離子鍵（4）共價(jià)鍵（5）金屬（6）混合型

晶體。鍵、兀鍵sp2

由2；常見(jiàn)晶體類型的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

3.金剛石和石墨是碳元素形成的兩種單質(zhì)，下列說(shuō)法正確的是（）

A.金剛石和石墨晶體中最小的環(huán)均含有6個(gè)碳原子

B.金剛石中每個(gè)C原子連接4個(gè)六元環(huán)，石墨中每個(gè)C原子連接3個(gè)六元環(huán)

C.金剛石與石墨中碳原子的雜化方式均為sp2

D.金剛石中碳原子數(shù)與C—C數(shù)之比為1：4,而石墨中碳原子數(shù)與C—C數(shù)之比為1：

3

答案：A

解析：金剛石中每個(gè)C原子連接12個(gè)六元環(huán)，石墨中每個(gè)C原子連接3個(gè)六元環(huán)，B

項(xiàng)錯(cuò)誤；金剛石中碳原子采取Sp3雜化，而石墨中碳原子采取Sp2雜化，C項(xiàng)錯(cuò)誤；金

剛石中每個(gè)碳原子與周圍其他4個(gè)碳原子形成共價(jià)鍵，而每個(gè)共價(jià)鍵為2個(gè)碳原子所

共有，則每個(gè)碳原子平均形成的共價(jià)鍵數(shù)為4xi=2,故碳原子數(shù)與C—C數(shù)之比為

2

1：2；石墨晶體中每個(gè)碳原子與周圍其他3個(gè)碳原子形成共價(jià)鍵，同樣可求得每個(gè)碳

原子平均形成的共價(jià)鍵數(shù)為3乂二=1.5,故碳原子數(shù)與C—C數(shù)之比為2：3,D項(xiàng)錯(cuò)

2

7關(guān)o

4.（2024?大慶東風(fēng)中學(xué)模擬）CaC2晶體的晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl晶體的晶胞結(jié)構(gòu)相似（如圖所

示），但CaCz晶體中含有啞鈴形的使晶胞沿一個(gè)方向拉長(zhǎng)，下列關(guān)于CaC2晶體

的說(shuō)法正確的是（）

031Cf

A.每個(gè)Ca2+周圍距離最近且相等的C7的數(shù)目為6

B.CaCz晶體，每個(gè)晶胞中含有4個(gè)Ca2+和4個(gè)C7

C.6.4gCaC2晶體中含有0.2mol陰離子

D.每個(gè)Ca2+周圍距離最近且相等的Ca2+有12個(gè)

答案：B

解析：根據(jù)題意可知，存在C；一使晶胞沿一個(gè)方向拉長(zhǎng)，根據(jù)晶胞圖可知，每個(gè)Ca?+

周圍距離最近且相等的C；一的數(shù)目為4,故A錯(cuò)誤；CaC2晶體中，每個(gè)晶胞中含有Ca2

十?dāng)?shù)目為12x2+1=4個(gè)，C7的數(shù)目為8"+6XL=4,故B正確；6.4gCaC?物質(zhì)的

482

量為0.1mol,CaC2中的陰離子為C；一,則含陰離子物質(zhì)的量為0.1moL故C錯(cuò)誤；

該晶胞中沿一個(gè)方向拉長(zhǎng)，導(dǎo)致晶胞的一個(gè)平面的長(zhǎng)與寬不等，與每個(gè)Ca2'距離相等

且最近的Ca2+應(yīng)為4個(gè)，故D錯(cuò)誤。

i.正誤判斷

（1）（2024?河北卷）CsCl晶體中Cs+與8個(gè)C「配位,而NaCl晶體中Na.與6個(gè)C「配位,

是因?yàn)镃s+比Na+的半徑大（）

（2）（2024.湖北卷）冰的密度小于干冰，是因?yàn)楸w中水分子的空間利用率相對(duì)較低

（）

（3）（2024.湖北卷）石墨能導(dǎo)電，是因?yàn)槲措s化的p軌道重疊使電子可在整個(gè)碳原子平面

內(nèi)運(yùn)動(dòng)（）

(4)(2024?黑吉遼卷)SiCh的晶體類型：分子晶體()

答案：(1)J(2)V(3)V(4)X

2.(2024.山東卷)下列物質(zhì)均為共價(jià)晶體且成鍵結(jié)構(gòu)相似，其中熔點(diǎn)最低的是()

A.金剛石(C)B.單晶硅(Si)

C.金剛砂(SiC)D.氮化硼(BN,立方相)

答案：B

解析：金剛石(C)、單晶硅(Si)、金剛砂(SiC)、立方氮化硼(BN),都為共價(jià)晶體，結(jié)構(gòu)

相似，則原子半徑越大，鍵長(zhǎng)越長(zhǎng)，鍵能越小，熔沸點(diǎn)越低，在這幾種晶體中，鍵長(zhǎng)

Si-Si>Si-C>B-N>C-C,所以熔點(diǎn)最低的為單晶硅。

3.(2024.貴州卷)我國(guó)科學(xué)家首次合成了化合物[K(2,2,2-crypt)][K@Au12Sb2o]o其陰

離子[K@AU]2sb20廣為全金屬富勒烯(結(jié)構(gòu)如圖)，具有與富勒烯。相似的高對(duì)稱性。

下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()

學(xué)生用書(shū)1第180頁(yè)

A.富勒烯是分子晶體

B.圖示中的K+位于Au形成的二十面體籠內(nèi)

C.全金屬富勒烯和富勒烯C6?；橥禺愋误w

D.睇(Sb)位于第五周期第VA族，則其基態(tài)原子價(jià)層電子排布式是5s25P3

答案：C

解析：富勒烯C6O是由C磯分子通過(guò)范德華力結(jié)合形成的分子晶體，A正確：由題圖可

知，中心K-周圍有12個(gè)Au形成二十面體籠(每個(gè)面為三痢形，上、中、下層分別有

5、10、5個(gè)面)，B正確；全金屬富勒烯不是碳元素的單質(zhì)，因此其與富勒烯Cg不互

為同素異形體，C錯(cuò)誤；錦(Sb)位于第五周期第VA族，根據(jù)元素位置與原子結(jié)構(gòu)關(guān)系

可知，其基態(tài)原子價(jià)層電子排布式是5s25P3,D正確。

4.(2024.湖北卷)U2CN2是一種高活性的人工固氮產(chǎn)物，其合成反應(yīng)為2UH+C+

高溫

LiCN+H,晶胞如圖所示，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()

N2:222

A.合成反應(yīng)中，還原劑是LiH和C

B.晶胞中含有的Li+個(gè)數(shù)為4

C.每個(gè)CN；一周圍與它最近且距離相等的Li+有8個(gè)

D.CN：為V形結(jié)構(gòu)

答案：D

解析：LiH中H元素為一1價(jià)，由題圖中CN；一的化合價(jià)可知，N元素為一3價(jià)，C元

高溫

素為+4價(jià)，根據(jù)反應(yīng)2LiH+C+N2=、Li2CN2+H2可知，H元素由一1價(jià)升高到0

價(jià)，C元素由。價(jià)升高到+4價(jià)，N元素由。價(jià)降低到一3價(jià)，則還原劑是LiH和C,

故A正確；根據(jù)均攤法可知，Lit位于晶胞中的面上，則含有的LT個(gè)數(shù)為8X2=4,

2

故B正確；觀察位于體心的CN；一可知，與它最近且距離相等的Li+有8個(gè)，故C正

確；CM：的中心原子C原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為2+工X（4+2—3X2）=2,且CN；1與

2

CO2互為等電子體，可知CN；一為直線形分子，故D錯(cuò)誤。

5.（2024.甘肅卷）0-MgCb晶體中，多個(gè)晶胞無(wú)隙并置而成的結(jié)構(gòu)如圖甲所示，其中部

分結(jié)構(gòu)顯示為圖乙，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）

■?.*■I-

?F

A.電負(fù)性：Mg<Cl

B.單質(zhì)Mg是金屬晶體

C.晶體中存在范德華力

D.Mg2+的配位數(shù)為3

答案:D

解析：電負(fù)性越大的元素吸引電子的能力越強(qiáng)，活潑金屬的電負(fù)性小于活潑非金屬，

因此，Mg的電負(fù)性小于CLA正確；金屬晶體包括金屬單質(zhì)及合金，單質(zhì)Mg是金屬

晶體，B正確；由晶體結(jié)構(gòu)可知，該結(jié)構(gòu)中存在層狀結(jié)構(gòu)，層與層之間存在范德華

力，C正確；由圖乙中結(jié)構(gòu)可知，每個(gè)Mg2+與周圍6個(gè)C「最近且距離相等，因此，

Mg?+的配位數(shù)為6,D錯(cuò)誤。

答題規(guī)范（6）晶體熔、沸點(diǎn)高低原因解樣

|||害甌報(bào)品］一

一、不同類型晶體熔、沸點(diǎn)比較

［答題模板］XXX為XXX晶體，而XXX為XXX晶體。

⑴金剛石的熔點(diǎn)比NaQ高，原因是___________________________________

⑵SiOz的熔點(diǎn)比CCh高，原因是_____________________________________________

答案：⑴金剛石是共價(jià)晶體，而NaCI是離子晶體（2）SiO2是共價(jià)晶體，而C02是分

子晶體

二、同類型晶體熔、沸點(diǎn)比較

1.分子晶體

［答題模板］

⑴同為分子晶體，XXX存在氫鍵，而XXX僅存在較弱的范德華力。

⑵同為分子晶體，XXX的相對(duì)分子質(zhì)量大，范德華力強(qiáng)，熔、沸點(diǎn)高。

⑶同為分子晶體，兩者的相對(duì)分子質(zhì)量相同（或相近），XXX的極性大，熔、沸點(diǎn)

高。

⑷同為分子晶體，XXX形成分子間氫鍵，而XXX形成的則是分子內(nèi)氫鍵，分子間

氫鍵會(huì)使熔、沸點(diǎn)升高。

HF（1）NH3的沸點(diǎn)比PH3高，原因是_______________________________________

（2）CO2比CS2的熔、沸點(diǎn)低，原因是_________________________________________

O

（3）C0比Nz的熔、沸點(diǎn)高，原因是___________________________________________

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________O

（4）『討O嫦倒的沸點(diǎn)比CJ瓶高，原因是

O

答案：⑴同為分子晶體，N%分子間存在較強(qiáng)的氫鍵，而P%分子間僅有較弱的范德

華力

⑵同為分子晶體，CS2的相對(duì)分子質(zhì)量大，范德華力強(qiáng)，熔、沸點(diǎn)高

⑶同為分子晶體，兩者相對(duì)分子質(zhì)量相同，CO的極性大，熔、沸點(diǎn)高

（4）6豁形成分子內(nèi)氫鍵，而吃9乳形成分子間氫鍵，分子間氫鍵會(huì)使

沸點(diǎn)升高

2.共價(jià)晶體

［答題模板］同為共價(jià)晶體，XXX晶體的鍵長(zhǎng)短，鍵能大，熔、沸點(diǎn)高。

HE晶體硅比化合物SiC的熔點(diǎn)低，理由是

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________O

答案：晶體硅與SiC均屬于共價(jià)晶體，晶體硅中的Si—Si鍵比SiC中Si—C鍵的鍵長(zhǎng)

長(zhǎng)，鍵能低，所以熔點(diǎn)低

3.離子晶體

［答題模板］

（1）陰、陽(yáng)離子電荷數(shù)相等，則看陰、陽(yáng)離子半徑：同為離子晶體，R廠（或M〃十）半徑小

于X〃—（或N〃+）,故XXX晶體離子鍵強(qiáng)，熔、沸點(diǎn)高。

⑵陰離子（或陽(yáng)離子）電荷數(shù)不相等，陰離子（或陽(yáng)離子）半徑不相同：同為離子晶體，

R〃-（或M〃+）半徑小于X〃廠（或N〃?+）,RL（或M〃+）電荷數(shù)大于X〃廠（或N〃?+）,故XXX晶

體離子鍵強(qiáng)，熔、沸點(diǎn)高。

學(xué)生用書(shū)1第181頁(yè)

（l）ZnO和ZnS的晶體結(jié)構(gòu)相似，熔點(diǎn)較高的是ZnO,理由是

（2）FeO的熔點(diǎn)小于Fe2O3的熔點(diǎn)，原因是_____________________________________

答案：（l）ZnO和ZnS同屬于離子晶體，O?-半徑小于$2-，故ZnO離子鍵強(qiáng)，熔點(diǎn)高

⑵同為離子晶體，F(xiàn)e?+半徑比Fe3+大，所帶電荷數(shù)也小于Fe3+,FeO的離子鍵比FezCh

小，熔點(diǎn)低

1.（2023?全國(guó)乙卷）己知一些物質(zhì)的熔點(diǎn)數(shù)據(jù)如下表:

物質(zhì)熔點(diǎn)/℃

NaCl800.7

SiCL-68.8

GeCU-51.5

SnCh-34.1

Na與Si均為第三周期元素，NaCl熔點(diǎn)明顯高于SiCb，原因是

分析同族元素的氯化物SiCL、GeCL、SnCLi熔點(diǎn)變化趨勢(shì)及其原因：

答案：NaCl是離子晶體，SiCL是分子晶體，NaCl中離子鍵強(qiáng)度遠(yuǎn)大于SiC）4間的分子

間作用力SiCL、GeC。、SnCL的熔點(diǎn)依次升高，因?yàn)槿呔鶠榉肿泳w，結(jié)構(gòu)相

似，相對(duì)分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力逐漸增強(qiáng)

2.（2022?全國(guó)乙卷）鹵化物CsICl2受熱發(fā)生非氧化還原反應(yīng)，生成無(wú)色晶體X和紅棕色

液體Y。X為。解釋X的熔點(diǎn)比Y高的原因

答案：CsCl無(wú)色晶體為CsCl,紅棕色液體為ICLCsQ為離子晶體，熔化時(shí)，克服

的是離子鍵，IC1為分子晶體，熔化時(shí)，克服的是分子間作用力，因此CsCl的熔點(diǎn)比

IC1IR]

3.(2022?浙江1月選考)回答下列問(wèn)題：

⑴兩種有機(jī)物的相關(guān)數(shù)據(jù)如表：

物質(zhì)

HCON(CH3)2HCONH2

相對(duì)分子質(zhì)量7345

沸點(diǎn)/℃153220

HCON(CH3)2的相對(duì)分子質(zhì)量比HCONHz的大，但其沸點(diǎn)反而比HCONH2的低，主要

原因是____________________________________________________________________

⑵四種晶體的熔點(diǎn)數(shù)據(jù)如表：

物質(zhì)BF

CF4SiF43A1F3

熔點(diǎn)/℃-183-90-127>1000

CF4和SF4熔點(diǎn)相差較小，BF3和A1F3熔點(diǎn)相差較大，原因是

答案：(1)HCON(CH3)2分子間只有范德華力，HCONH2分子間存在氫鍵，破壞范德華

力更容易，所以沸點(diǎn)低

(2)CF4和SR都是分子晶體，結(jié)構(gòu)相似，分子間作用力相差較小，所以熔點(diǎn)相差較

??；BF3通過(guò)分子間作用力形成分子晶體，A1F3通過(guò)離子鍵形成離子晶體，破壞離子

鍵需要的能量更多，所以熔點(diǎn)相差較大

4.按要求回答問(wèn)題。

(1)(2021.浙江6月選考)已知3種共價(jià)晶體的熔點(diǎn)數(shù)據(jù)如下表：

物質(zhì)金剛石碳化硅晶體硅

熔點(diǎn)/℃>355026001415

金剛石熔點(diǎn)比晶體硅熔點(diǎn)高的原因是

⑵（2020?新課標(biāo)II卷）Ti的四鹵化物熔點(diǎn)如下表所示，TiF4熔點(diǎn)高于其他三種鹵化物，

自TiCb至丁山熔點(diǎn)依次升高，原因是_________________________________________

化合物TiF4TiCkTiBr4Til4

熔點(diǎn)/℃377-24.1238.3155

⑶（2019?新課標(biāo)I卷）一些氧化物的熔點(diǎn)如下表所示:

氧化物P4O6

Li2OMgOSO2

熔點(diǎn)/℃1570280023.8-75.5

解釋表中氧化物之間熔點(diǎn)差異的原因：________________________________________

（4）（2019?新課標(biāo)n卷）元素As與N同族。預(yù)測(cè)As的氫化物分了的立體結(jié)構(gòu)

為，其沸點(diǎn)比NH3的（填“高”或“低”），其判斷理由是

____________________________________________________________________________O

（5）（2019,新課標(biāo)ni卷）苯胺（）的晶體類型是。苯胺與甲苯

（0%）的相對(duì)分子質(zhì)量相近，但苯胺的熔點(diǎn)（—5.9。。）、沸點(diǎn)（184.4℃）分別高于

甲苯的熔點(diǎn)（-95.0℃）、沸點(diǎn)（110.6℃）,原因是o

答案：（1）金剛石和晶體硅都是共價(jià)晶體，原子半徑越小，共價(jià)鍵的鍵能越大，熔點(diǎn)越

高，原子半徑：CVSi（或鍵長(zhǎng)：C-C<Si-Si）,鍵能：C-C>Si-Si

（2）TiF4為離子晶體，熔點(diǎn)高，TiCU、TiBr4.TL均為分子晶體，隨相對(duì)分子質(zhì)量的增

大，分子間作用力增大，熔點(diǎn)逐漸升高

（3）Li2O>MgO為離子晶體，PQ6、SCh為分子晶體，離子鍵：MgO>Li2O,分子間作

用力：P4O6>SO2

（4）三角錐形低NH3分子間存在氫鍵

⑸分子晶體苯胺可以形成分子間氫鍵

解析：（3）由于Li?、MgO為離子晶體，P4O6>SO2為分子晶體，離子鍵：MgO>

Li2O,分子間作用力：P4O6>SO2,所以熔點(diǎn)大小順序是MgO>Li2O>P4O6>SO2；

（4）As與N同族，則ASH3分子的立體結(jié)構(gòu)類似于NH3，為三角錐形；由于NHs分子間

存在氫鍵使沸點(diǎn)升高，故As%的沸點(diǎn)較NH3低。

5.按要求回答問(wèn)題。

第HA族金屬碳酸鹽分解溫度如下：

物質(zhì)

BeCOsMgCO3CaCOsSrCO3BaCOa

分解

100℃540℃960℃1289℃1360℃

溫度

分解溫度為什么越來(lái)越高？__________________________________________________

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________O

答案：陽(yáng)離子半徑越小，對(duì)氧的吸引力越大，碳酸根越容易分解，同主族元素隨著原

子序數(shù)的增加，離子半徑增大，對(duì)氧的吸引力減弱，故第nA族金屬碳酸鹽的分解溫

度越來(lái)越高

課時(shí)測(cè)評(píng)30物質(zhì)的聚集狀態(tài)常見(jiàn)晶體類型翟需

用書(shū)P431

（時(shí)間:45分鐘滿分:60分）

（本欄目?jī)?nèi)容，在學(xué)生用書(shū)中以獨(dú)立形式分冊(cè)裝訂?。?/p>

選擇題1—13題，每小題3分，共39分。

1.下列關(guān)于晶體的說(shuō)法，不正確的是（）

①晶體中粒子呈周期性有序排列，有自范性，而非晶體中粒子排列相對(duì)無(wú)序，無(wú)自范

性；②含有金屬陽(yáng)離子的晶體一定是離子晶體；③共價(jià)鍵可決定分子晶體的熔、沸

點(diǎn)；④MgO和NaCl兩種晶體中，MgO的離子鍵弱，所以其熔點(diǎn)比較低；⑤晶胞是晶

體結(jié)構(gòu)的基本單元，晶體內(nèi)部的微粒按一定規(guī)律作周期性重復(fù)排列；⑥晶體盡可能采

取緊密堆積方式，以使其變得比較穩(wěn)定；⑦干冰晶體中，一個(gè)CO2分子周圍有12個(gè)

CCh分子緊鄰

A.①②③B.②③⑦

C.④⑤⑥D(zhuǎn).②③④

答案:D

解析：晶體的自范性是粒子微觀上周期性排列的宏觀表現(xiàn)，因此非晶體排列無(wú)序，無(wú)

自范性，①正確；金屬晶體中含有金屬陽(yáng)離子，所以含有金屬陽(yáng)離子的晶體不一定是

離子晶體，也可能是金屬晶體，②錯(cuò)誤；分子晶體熔沸點(diǎn)取決于分子間作用力，而非

共價(jià)鍵，③錯(cuò)誤；MgO中離子所帶電荷多，半徑小，離子鍵強(qiáng)，因此熔點(diǎn)比NaCl

高，④錯(cuò)誤；晶體中微粒周期性排列，晶胞是晶體結(jié)構(gòu)的基本單元，⑤正確；晶體微

粒間的作用力使其盡可能緊密堆積，⑥正確；干冰采用分子密堆積的排列方式，1個(gè)

分子緊鄰12個(gè)CO2分子，⑦正確。

2.（2024?浙江金華三模）明研常用作凈水劑，下列關(guān)于明磯大晶體制備實(shí)驗(yàn)的說(shuō)法不正

確的是（）

A.配制明機(jī)飽和溶液的溫度要控制在比室溫高10?15℃

B.明研小晶核要懸掛在飽和溶液中央，可避免形成形狀不規(guī)整的晶體

C.形成大晶體的過(guò)程中，需要敞開(kāi)玻璃杯靜置較長(zhǎng)時(shí)間

D.本實(shí)驗(yàn)中所用儀器都要用蒸儲(chǔ)水洗凈

答案：C

解析：溫度降低的時(shí)候，飽和度也會(huì)降低，明磯會(huì)吸附在小晶核上，所以要得到較大

顆粒的明磯晶體，要配制比室溫高10?15℃明磯飽和溶液，A正確；明磯小晶核要懸

掛在飽和溶液中央，增大接觸面積，有利于品胞的均勻成長(zhǎng)，可避免形成形狀不規(guī)整

的晶體，B正確；敞開(kāi)玻璃杯靜置較長(zhǎng)時(shí)間，容易引入空氣中雜質(zhì)，應(yīng)該用硬紙片蓋

好玻璃杯，C錯(cuò)誤；本實(shí)驗(yàn)中所用儀器都要用蒸餡水洗凈，防止雜質(zhì)污類，若存在雜

質(zhì)，可能在溶液中形成多個(gè)晶核，不利于大晶體的生成，D正確。

3.（2024?湖北黃岡二模）下列關(guān)于準(zhǔn)晶的說(shuō)法正確的是（）

A.準(zhǔn)晶和晶體可以通過(guò)X射線衍射實(shí)驗(yàn)加以區(qū)別

B.準(zhǔn)晶具有良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性

C.自然界中不存在天然條件下形成的準(zhǔn)晶

D.已知的準(zhǔn)晶中都含有共價(jià)鍵

答案：A

解析：晶體具有自范性，而準(zhǔn)晶不具有自范性，可以通過(guò)X射線衍射實(shí)驗(yàn)加以區(qū)別，

A項(xiàng)正確；準(zhǔn)晶具有各向異性，不具有良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性，B項(xiàng)錯(cuò)誤；自然界中存

在天然條件下形成的準(zhǔn)晶，如AhCi^Fe⑵C項(xiàng)錯(cuò)誤；已知的準(zhǔn)晶中不一定含有共價(jià)

鍵，如A165Cu23Fei2中沒(méi)有共價(jià)鍵，D項(xiàng)錯(cuò)誤。

4.（2024.山西長(zhǎng)治高二下期中）下列關(guān)于物質(zhì)的聚集狀態(tài)的說(shuō)法正確的是（）

A.晶體與非晶體的根本區(qū)別在于是否具有規(guī)則的幾何外形

B.氣態(tài)和液態(tài)物質(zhì)一定是由分子構(gòu)成

C.液晶是介于液態(tài)和晶態(tài)之間的物質(zhì)狀態(tài)，但不具有各向異性

D.等離子體具有良好的導(dǎo)電性和流動(dòng)性

答案：D

解析：晶體與非晶體的根本區(qū)別在于粒子在微觀空間是否呈周期性的有序排列，有規(guī)

則的幾何外形的物質(zhì)不一定是晶體，比如：玻璃，故A錯(cuò)誤；常溫下，金屬汞為液

態(tài)，由汞原子構(gòu)成，故B錯(cuò)誤；液晶不像普通物質(zhì)直接由固態(tài)晶體熔化成液體，而是

經(jīng)過(guò)一個(gè)既像晶體又似液體的中間狀態(tài)，同時(shí)它還具有液體和晶體的某些性質(zhì)，其既

具有液體的流動(dòng)性，又具有晶體的各向異性，故C錯(cuò)誤；等離子體是由電子、陽(yáng)離子

和電中性粒子組成的整體上呈電中性的氣態(tài)物質(zhì)，具有良好的導(dǎo)電性和流動(dòng)性，故D

正確。

5.下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）

A.只含分子的晶體一定是分子晶體

B.碘晶體升華時(shí)破壞了共價(jià)鍵

C.幾乎所有的酸都屬于分子晶體

D.稀有氣體中只含原子，但稀有氣體的晶體屬于分子晶體

答案：B

解析：分子晶體是分子通過(guò)相鄰分子間的作用力形成的，只含分子的晶體一定是分子

晶體，故A正確；碘晶體屬于分子晶體，升華時(shí)破壞了分子間作用力，故B錯(cuò)誤；幾

乎所有的酸都是由分子構(gòu)成的，故幾乎所有的酸都屬于分子晶體，故C正確；稀有氣

體是由原子直接構(gòu)成的，只含原子，但稀有氣體的晶體屬于分子晶體，故D正確。

6.已知：NaF的熔點(diǎn)993℃、MgF2的熔點(diǎn)1261下列分析錯(cuò)誤的是（）

A.NaF和MgF2均由陰、陽(yáng)離子構(gòu)成

B.離子半徑和離子所帶電荷數(shù)決定離子鍵強(qiáng)弱

C.NaF中的離子鍵比MgF2中的弱

D.MgF?的摩爾質(zhì)量比NaF的大，所以MgF?熔點(diǎn)高

答案：D

解析：NaF與MgF2均為離子化合物，由陰、陽(yáng)離子構(gòu)成，A項(xiàng)正確；離子鍵的強(qiáng)弱與

離子半徑和離子所帶電荷有關(guān)，一般來(lái)說(shuō)，離子半徑越小，離子所帶電荷越多，離子

鍵越強(qiáng)，B項(xiàng)正確；Mg2+的半徑小于Na=且Mg2'帶電荷多，離子半徑越小，離子所

帶電荷越多，離子鍵越強(qiáng)，故MgF?中離子鍵更強(qiáng)，C項(xiàng)正確；兩者固態(tài)均屬于離子晶

體，離子晶體的熔沸點(diǎn)可根據(jù)離子鍵判斷，一般來(lái)說(shuō)，離子半徑越小，離子所帶電荷

越多，離子鍵越大，相應(yīng)離子晶體熔沸點(diǎn)越高，由于半徑：，（Mg2」）Vr（Na+）且Mg2"帶

電荷多，故MgF2晶體離子鍵更大，熔沸點(diǎn)更高，離子晶體熔沸點(diǎn)與摩爾質(zhì)量無(wú)關(guān)，D

項(xiàng)錯(cuò)誤。

7.根據(jù)下表中給出的有關(guān)數(shù)據(jù)，判斷下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）

A1C13SiCU晶體硼金剛石晶體硅

熔點(diǎn)/℃190—682300>35501415

沸點(diǎn)/℃17857255048272355

A.SiCU是分子晶體

B.晶體硼是共價(jià)晶體

C.AlCb是分子晶體，加熱能升華

D.金剛石中的C-C鍵比晶體硅中的Si—Si鍵弱

答案：D

解析：SiCL、AlCh的熔、涕點(diǎn)低，都是分子晶體，AlCh的沸點(diǎn)低于其熔點(diǎn)，故AlCh

加熱能升華，A、C正確；晶體硼的矮、沸點(diǎn)很高，所以晶體硼是共價(jià)晶體，B正確；

金剛石與晶體硅均為共價(jià)晶體，由熔、沸點(diǎn)相對(duì)高低可知，金剛石中的C-C鍵比晶

體硅中的Si—Si鍵強(qiáng)，D錯(cuò)誤。

8.碳化硅（SiC）晶體具有多種結(jié)構(gòu)，其中一種晶體的晶胞（如圖所示）與金剛石的類似。

下列判斷正確的是（）

A.該晶體屬于分子晶體

B.該晶體中存在極性鍵和非極性鍵

C.該晶體中Si的化合價(jià)為一4

D.該晶體中C的雜化類型為sp3

答案：D

解析：該晶體與金剛石類似，屬于共價(jià)晶體，A錯(cuò)誤；根據(jù)該晶體的晶胞結(jié)構(gòu)圖可

知，該晶體只存在Si-C極性共價(jià)鍵，B錯(cuò)誤；Si—C中，C的電負(fù)性更強(qiáng)，共用電子

對(duì)偏向C原子，所以Si的化合價(jià)為+4,C錯(cuò)誤；每個(gè)C原子與4個(gè)Si原子形成4個(gè)

。鍵，C原子沒(méi)有孤電子對(duì)，所以C的雜化類型為sp3,D正確。

9.有關(guān)晶體的結(jié)構(gòu)如圖所示，下列說(shuō)法不正確的是（）

3品體（。3?oF）

曲EMfiflFRif構(gòu)成

冰的給構(gòu)校P的氣態(tài)團(tuán)整分子根用

A.在NaCl晶體中，距C「最近的Na+形成正八面體

B.在CaF2晶體中，每個(gè)晶胞平均含有4個(gè)Ca2+

C.冰晶體中每個(gè)水分子與另外四個(gè)水分子形成四面體結(jié)構(gòu)

D.該氣態(tài)團(tuán)簇分子的分子式為EF

答案：D

解析：CaF2晶胞中，Ca2+位于頂點(diǎn)和面心，數(shù)目為8義工+6義工=4,故B正確；氣態(tài)

82

團(tuán)簇分子不同于晶胞，該氣態(tài)團(tuán)簇分子中含有4個(gè)E原子、4個(gè)F原子，則分子式為

E4F4或F4E4,故D錯(cuò)誤。

10.（2024?山東泰安一模）氮化硼晶體有多種結(jié)構(gòu)，六方相氮化硼結(jié)構(gòu)與石墨相似，但

不具有導(dǎo)電性，立方相氮化硼結(jié)構(gòu)與金剛石相似。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）

A.六方相氮化硼層上兀鍵電子不能自由移動(dòng)

B.六方相氮化硼熔點(diǎn)高于立方相氮化硼

C.立方相氮化硼中存在的配位鍵

D.1mol（BN）式六方相氮化硼）中含3molo鍵

答案：D

解析：六方相氮化硼結(jié)構(gòu)與石墨相似，有大71鍵，但氮的電負(fù)性大，吸引電子能力

強(qiáng)，導(dǎo)致兀電子不能自由移動(dòng)，故A正確；六方相氮化硼層間為分子間作用力，和石

墨結(jié)構(gòu)類似，為混合型晶體，立方相氮化硼為空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，不存在分子，為共價(jià)晶

體；類比石墨的熔點(diǎn)高于金剛石，所以六方相氮化硼熔點(diǎn)高于立方相氮化硼，故B正

確；B原子最外層有3個(gè)電子，存在空軌道，N原子最外層有5個(gè)電子，存在孤電子

對(duì)，所以立方相氮化硼含配位鍵N—B,故C正確；六方相氮化硼晶體己層內(nèi)每個(gè)硼

原子與相鄰的3個(gè)氟原子構(gòu)成平面三角形，每個(gè)共價(jià)鍵未被共有，所以Imol六方相

氟化硼含3xmolo鍵，故D錯(cuò)誤。

11.（2024?天津河西一模）下列物質(zhì)的有關(guān)敘述正確的是（）

A.它們的物理性質(zhì)相同

B.它們充分燃燒后的產(chǎn)物相同

C.石墨能導(dǎo)電故屬于金屬晶體

D.Ca）分子中僅含〃鍵

答案：B

解析：同素異形體的物理性質(zhì)不相同，A錯(cuò)誤；組成元素都為碳元素，充分燃燒的產(chǎn)

物都為CO2,B正確；石墨能導(dǎo)電，但石墨屬于混合型晶體，C錯(cuò)誤；Go分子中含。

鍵和冗鍵，D錯(cuò)誤。

12.（2024?海南海口一模）磷元素有白磷、紅磷等單質(zhì)，白磷（P”結(jié)構(gòu)及晶胞如圖所示，

白磷和紅磷轉(zhuǎn)化的熱化學(xué)方程式為654（白磷，s）-4Px（紅磷，s）AH<Oo下列說(shuō)法

正確的是（）

/\°°°0O>>FP4

p--P—（5^

P,分子門(mén)嘮ME

A.P4屬于共價(jià)晶體

B.白磷中的P—P—P夾角為109°28,

C.白磷晶胞中，P—P鍵的作用弱于P4的分子間作用力

D.白磷（S）和紅磷（S）在O2（g）中充分燃燒生成等量P2O5⑸，白磷放出的熱量更多

答案：D

解析：P4是由分子構(gòu)成的，屬于分子晶體，故A錯(cuò)誤；白磷分子為正四面體結(jié)構(gòu)，每

個(gè)頂點(diǎn)1個(gè)P原子，分子中的p—p—P鍵角為60°,故B錯(cuò)誤；p—P鍵為共價(jià)鍵其

作用遠(yuǎn)大于P4的分子間作用力，故C錯(cuò)誤；從題中可知，白磷轉(zhuǎn)化為紅磷放