湖北2025自考[大功率半導(dǎo)體科學(xué)]中國(guó)近現(xiàn)代史綱要案例題專練湖北自考《中國(guó)近現(xiàn)代史綱要》案例題專練（大功率半導(dǎo)體科學(xué)專業(yè)適用）一、單項(xiàng)選擇題（共5題，每題2分）1.題干：20世紀(jì)80年代，中國(guó)科技工作者在半導(dǎo)體領(lǐng)域取得重大突破，研制出國(guó)內(nèi)首款大功率MOSFET器件。這一成就與中國(guó)近現(xiàn)代史中的哪一事件密切相關(guān)？A.“一五”計(jì)劃B.“863計(jì)劃”C.“九二共識(shí)”D.“一帶一路”倡議答案：B解析：“863計(jì)劃”是中國(guó)政府在1986年啟動(dòng)的高科技發(fā)展計(jì)劃，重點(diǎn)支持半導(dǎo)體、人工智能等領(lǐng)域，為大功率MOSFET的研發(fā)奠定基礎(chǔ)。2.題干：湖北省在20世紀(jì)90年代成為全國(guó)重要的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地，這與哪位歷史人物的政策推動(dòng)密切相關(guān)？A.周恩來(lái)B.鄧小平C.毛澤東D.劉少奇答案：B解析：鄧小平的改革開放政策促進(jìn)了中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的區(qū)域布局，湖北省依托武漢的光電子產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)，逐步形成大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群。3.題干：2000年前后，中國(guó)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨國(guó)外技術(shù)封鎖，以下哪一歷史事件為突破這一困境提供了契機(jī)？A.加入世界貿(mào)易組織（WTO）B.中美貿(mào)易戰(zhàn)C.日本侵華戰(zhàn)爭(zhēng)D.中蘇關(guān)系正?；鸢福篈解析：加入WTO后，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)獲得國(guó)際技術(shù)交流機(jī)會(huì)，加速了大功率器件的自主研發(fā)進(jìn)程。4.題干：2010年，武漢半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園引進(jìn)德國(guó)Siemens技術(shù)，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)大功率IGBT器件發(fā)展。這一案例體現(xiàn)了中國(guó)近現(xiàn)代史中的哪一政策？A.“科教興國(guó)”戰(zhàn)略B.“人才強(qiáng)國(guó)”戰(zhàn)略C.“自主創(chuàng)新”戰(zhàn)略D.“區(qū)域協(xié)調(diào)發(fā)展戰(zhàn)略”答案：C解析：引進(jìn)國(guó)外技術(shù)并結(jié)合本土化改進(jìn)，符合“自主創(chuàng)新”戰(zhàn)略的核心要求。5.題干：2023年，湖北某企業(yè)研發(fā)出全球首款碳化硅基大功率芯片，其成功與中國(guó)近現(xiàn)代史中的哪一政策高度相關(guān)？A.“雙碳”目標(biāo)B.“精準(zhǔn)扶貧”政策C.“鄉(xiāng)村振興”戰(zhàn)略D.“軍民融合”政策答案：A解析：碳化硅芯片是節(jié)能環(huán)保領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)，與國(guó)家“雙碳”目標(biāo)直接契合。二、多項(xiàng)選擇題（共5題，每題3分）1.題干：20世紀(jì)50年代，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)起步階段，以下哪些事件對(duì)其發(fā)展起到關(guān)鍵作用？A.“兩彈一星”工程B.華中理工大學(xué)（現(xiàn)華中科技大學(xué)）成立半導(dǎo)體專業(yè)C.蘇聯(lián)專家撤走D.“掃盲運(yùn)動(dòng)”E.毛澤東提出“獨(dú)立自主”方針答案：A、B、E解析：“兩彈一星”工程帶動(dòng)了半導(dǎo)體需求，華中理工大學(xué)培養(yǎng)人才，毛澤東的方針提供政策支持。2.題干：湖北省大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型過(guò)程中，以下哪些政策發(fā)揮了推動(dòng)作用？A.“中國(guó)制造2025”B.“長(zhǎng)江經(jīng)濟(jì)帶”戰(zhàn)略C.武漢城市圈建設(shè)D.“一帶一路”科技創(chuàng)新行動(dòng)計(jì)劃E.“精準(zhǔn)扶貧”政策答案：A、B、C解析：國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策、區(qū)域發(fā)展戰(zhàn)略共同促進(jìn)產(chǎn)業(yè)升級(jí)。3.題干：中國(guó)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨的挑戰(zhàn)包括哪些？A.核心技術(shù)依賴進(jìn)口B.部分企業(yè)產(chǎn)能過(guò)剩C.人才短缺D.國(guó)際貿(mào)易摩擦E.氣候變化答案：A、C、D解析：技術(shù)、人才、國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)是主要問(wèn)題。4.題干：湖北省在半導(dǎo)體領(lǐng)域取得的成就，與以下哪些歷史事件相關(guān)？A.武漢光電國(guó)家研究中心成立B.中芯國(guó)際在武漢設(shè)廠C.中國(guó)航天科技集團(tuán)在湖北布局D.“九一八事變”E.“南方談話”答案：A、B、C解析：科研機(jī)構(gòu)、企業(yè)投資、軍工需求共同推動(dòng)產(chǎn)業(yè)進(jìn)步。5.題干：大功率半導(dǎo)體技術(shù)對(duì)中國(guó)近現(xiàn)代史的影響包括哪些？A.提升工業(yè)自動(dòng)化水平B.改善能源利用效率C.推動(dòng)5G通信發(fā)展D.減少環(huán)境污染E.促進(jìn)就業(yè)答案：A、B、C解析：技術(shù)進(jìn)步帶動(dòng)多個(gè)領(lǐng)域變革。三、簡(jiǎn)答題（共3題，每題5分）1.題干：簡(jiǎn)述中國(guó)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從無(wú)到有的發(fā)展歷程。答案：-起步階段（1950-1970年代）：受蘇聯(lián)影響，以國(guó)防需求為導(dǎo)向，武漢、上海等地建立半導(dǎo)體廠。-改革后（1980-1990年代）：“863計(jì)劃”推動(dòng)技術(shù)突破，武漢光電子產(chǎn)業(yè)興起。-產(chǎn)業(yè)化（2000-2010年代）：加入WTO后加速，企業(yè)引進(jìn)國(guó)外技術(shù)，形成產(chǎn)業(yè)集群。-創(chuàng)新階段（2010年代至今）：自主研發(fā)碳化硅、氮化鎵等新材料，國(guó)家政策支持。2.題干：湖北在推動(dòng)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策有哪些？答案：-財(cái)政支持：設(shè)立專項(xiàng)基金，補(bǔ)貼研發(fā)投入。-人才引進(jìn)：設(shè)立“楚才卡”，吸引高端人才。-區(qū)域布局：建設(shè)武漢半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園，打造產(chǎn)業(yè)集群。-產(chǎn)學(xué)研合作：華中科技大學(xué)等高校提供技術(shù)支撐。3.題干：中國(guó)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)有哪些？答案：-技術(shù)壁壘：美、日、德企業(yè)掌握核心專利。-市場(chǎng)壟斷：國(guó)際巨頭占據(jù)高端市場(chǎng)。-貿(mào)易限制：出口受限，依賴進(jìn)口關(guān)鍵設(shè)備。-人才競(jìng)爭(zhēng)：海外人才流失嚴(yán)重。四、論述題（共2題，每題10分）1.題干：結(jié)合湖北實(shí)際，論述中國(guó)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展前景。答案：-政策優(yōu)勢(shì)：國(guó)家“十四五”規(guī)劃支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，湖北享政策紅利。-技術(shù)突破：碳化硅芯片實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，打破國(guó)外壟斷。-市場(chǎng)潛力：新能源汽車、5G通信需求旺盛，帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)。-區(qū)域協(xié)同：長(zhǎng)江經(jīng)濟(jì)帶產(chǎn)業(yè)聯(lián)動(dòng)，武漢引領(lǐng)湖北發(fā)展。-挑戰(zhàn)與機(jī)遇：需加大研發(fā)投入，提升核心技術(shù)，但市場(chǎng)空間廣闊。2.題干：分析中國(guó)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與近現(xiàn)代史的重大事件的關(guān)系。答案：-“一五”計(jì)劃時(shí)期：奠定半導(dǎo)體工業(yè)基礎(chǔ)，支持國(guó)防建設(shè)。-改革開放后：“863計(jì)劃”推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步，產(chǎn)業(yè)從依賴進(jìn)口轉(zhuǎn)向自主可控。-加入WTO后：加速與國(guó)際接軌，但技術(shù)差距仍存。-新時(shí)代：“中國(guó)制造2025”推動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)，湖北等地區(qū)成為重要基地。-國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)：中美貿(mào)易戰(zhàn)加劇技術(shù)封鎖，但促使中國(guó)加速創(chuàng)新。五、材料分析題（共1題，15分）題干：閱讀以下材料，回答問(wèn)題：>“2023年，湖北省武漢某企業(yè)宣布突破碳化硅大功率芯片技術(shù)瓶頸，產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。這一成果源于企業(yè)十年研發(fā)投入，并與華中科技大學(xué)聯(lián)合攻關(guān)。湖北省政府為此提供10億元補(bǔ)貼，并配套人才政策。但業(yè)內(nèi)專家指出，中國(guó)仍需在核心設(shè)備、材料等領(lǐng)域突破。”問(wèn)題：1.結(jié)合材料，分析湖北大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的特點(diǎn)。2.中國(guó)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來(lái)應(yīng)如何突破瓶頸？答案：1.特點(diǎn)：-產(chǎn)學(xué)研結(jié)合：企業(yè)主導(dǎo)研發(fā)，高校提供技術(shù)支撐。-政策支持：政府提供資金和人才保障。-區(qū)域集中：武漢成為產(chǎn)業(yè)中心，帶動(dòng)湖北發(fā)展。-自主突破：在碳化硅等領(lǐng)域取得進(jìn)展，但整體仍依賴進(jìn)