2025年電路基礎(chǔ)試題及參考答案1.（單選）在25℃環(huán)境下，某硅二極管正向?qū)▔航祵?shí)測(cè)值為0.68V，若溫度每升高1℃壓降減小2.1mV，則55℃時(shí)其壓降最接近A.0.605V?B.0.615V?C.0.625V?D.0.635V答案：B解析：ΔT=30℃，ΔV=30×2.1=63mV，0.68?0.063=0.617V，最接近0.615V。2.（單選）圖1所示理想運(yùn)放電路，輸入為正弦信號(hào)vi=2sinωtV，電源±12V，電阻R1=10kΩ，R2=30kΩ，則輸出vo的峰峰值是A.8V?B.12V?C.16V?D.24V答案：C解析：同相放大倍數(shù)1+R2/R1=4，輸出峰值8V，峰峰值16V，未超電源軌。3.（單選）某MOSFET在VGS=3V時(shí)ID=180mA，VGS=4V時(shí)ID=320mA，若工作在飽和區(qū)且λ=0，則其跨導(dǎo)gm為A.120mS?B.140mS?C.160mS?D.180mS答案：B解析：gm=ΔID/ΔVGS=(320?180)mA/(4?3)V=140mS。4.（單選）圖2為RC串并聯(lián)選頻網(wǎng)絡(luò)，R=10kΩ，C=15nF，則諧振角頻率ω0為A.4.24krad/s?B.6.67krad/s?C.8.16krad/s?D.10krad/s答案：B解析：ω0=1/(RC)=1/(10k×15n)=6.67krad/s。5.（單選）某理想變壓器匝比n=5:1，次級(jí)接8Ω負(fù)載，若初級(jí)加100Vrms，則初級(jí)輸入阻抗為A.40Ω?B.200Ω?C.400Ω?D.2kΩ答案：D解析：反射阻抗ZL′=n2ZL=25×8=200Ω，初級(jí)視在阻抗200Ω，但題目問(wèn)“輸入阻抗”即電源看到的阻抗，應(yīng)為200Ω，選項(xiàng)C筆誤，應(yīng)為200Ω，故選B。6.（單選）圖3為555構(gòu)成單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器，若RA=10kΩ，C=100nF，則輸出脈沖寬度約為A.0.69ms?B.1.1ms?C.2.2ms?D.3.3ms答案：B解析：T=1.1RA·C=1.1×10k×100n=1.1ms。7.（單選）某二階低通濾波器截止頻率1kHz，品質(zhì)因數(shù)Q=0.707，則在1kHz處相移為A.?45°?B.?90°?C.?135°?D.?180°答案：B解析：二階Butterworth在fc處相移?90°。8.（單選）圖4為差分放大器，雙端輸出，若Ad=80dB，Ac=?20dB，則共模抑制比KCMR為A.60dB?B.80dB?C.100dB?D.120dB答案：C解析：KCMR=Ad?Ac=80?(?20)=100dB。9.（單選）某Buck變換器輸入24V，輸出5V，負(fù)載2A，若效率100%，則平均輸入電流為A.0.24A?B.0.42A?C.0.83A?D.1.2A答案：B解析：Pin=Pout，24·Iin=5·2，Iin=10/24≈0.42A。10.（單選）圖5為理想電流源陣列，I1=2mA，I2=3mA，方向相反，并聯(lián)后總電流為A.1mA?B.2mA?C.3mA?D.5mA答案：A解析：相反方向相減，3?2=1mA。11.（單選）某電纜長(zhǎng)100m，分布參數(shù)R=0.1Ω/m，L=200nH/m，C=80pF/m，則特性阻抗Z0約為A.25Ω?B.35Ω?C.50Ω?D.75Ω答案：C解析：Z0≈√(L/C)=√(200n/80p)=50Ω。12.（單選）圖6為橋式整流電容濾波，變壓器次級(jí)12Vrms，二極管壓降0.7V，若負(fù)載開路，則電容電壓峰值約為A.15.2V?B.16.2V?C.17.2V?D.18.2V答案：B解析：Vm=12√2?2×0.7≈17?1.4=15.6V，空載接近峰值，選最接近16.2V。13.（單選）某NMOS工藝KP=200μA/V2，W=20μm，L=0.5μm，閾值Vt=0.5V，若要ID=1mA且VDS=2V，則VGS需A.1.0V?B.1.2V?C.1.4V?D.1.6V答案：C解析：ID=?KP(W/L)(VGS?Vt)2，代入得(VGS?0.5)2=1m/(100μ×40)=0.25，VGS=1.0V，但需驗(yàn)證飽和，VDS>VGS?Vt，2>0.5滿足，故選A。14.（單選）圖7為文氏電橋振蕩器，若R=22kΩ，C=4.7nF，則振蕩頻率約為A.1.02kHz?B.1.54kHz?C.2.08kHz?D.3.1kHz答案：B解析：f=1/(2πRC)=1/(2π×22k×4.7n)≈1.54kHz。15.（單選）某ADC量化臺(tái)階10mV，滿量程5V，則其分辨率位數(shù)為A.8?B.9?C.10?D.12答案：B解析：2?=5V/10mV=500，2?=512，故9位。16.（單選）圖8為理想積分器，R=10kΩ，C=1μF，輸入方波幅值±1V，周期2ms，則輸出三角波幅值為A.0.1V?B.0.2V?C.0.5V?D.1V答案：B解析：Vo=?1/(RC)∫Vidt，半周期1ms，積分幅值=1/(10k×1μ)×1ms=0.1V，峰峰值0.2V。17.（單選）某晶體管β=200，IC=2mA，VA=100V，則小信號(hào)輸出電阻ro為A.50kΩ?B.100kΩ?C.200kΩ?D.500kΩ答案：A解析：ro=VA/IC=100V/2mA=50kΩ。18.（單選）圖9為理想電壓跟隨器，輸入階躍1V，運(yùn)放增益帶寬積1MHz，則輸出上升時(shí)間（10%→90%）約為A.0.22μs?B.0.35μs?C.1μs?D.3.5μs答案：B解析：tr≈0.35/BW=0.35/1M=0.35μs。19.（單選）某RLC串聯(lián)諧振電路L=1mH，C=100nF，R=10Ω，則通頻帶BW為A.1.59kHz?B.3.18kHz?C.6.36kHz?D.15.9kHz答案：A解析：f0=1/(2π√LC)≈15.9kHz，Q=ω0L/R=1k，BW=f0/Q≈15.9k/1k=15.9Hz，選最接近1.59kHz筆誤，應(yīng)為15.9Hz，但選項(xiàng)無(wú)，重新計(jì)算Q=2π×15.9k×1m/10≈10，BW=15.9k/10=1.59kHz，故選A。20.（單選）圖10為理想回轉(zhuǎn)器，回轉(zhuǎn)電阻r=1kΩ，則端口ab看到的等效電感當(dāng)C=1μF時(shí)為A.1mH?B.10mH?C.100mH?D.1H答案：D解析：Leq=r2C=1k2×1μ=1H。21.（多選）下列措施可提高圖11共射放大器上限截止頻率fH的是A.減小集電結(jié)電容?B.減小負(fù)載電阻?C.采用cascode結(jié)構(gòu)?D.提高靜態(tài)電流答案：A、C、D解析：減小Cμ、cascode降低密勒倍增、提高IC降低rπ均提fH；減小RL降低中頻增益但fH略升，非主要手段。22.（多選）關(guān)于理想運(yùn)算放大器，下列說(shuō)法正確的是A.輸入電流為零?B.增益無(wú)限大?C.輸出阻抗為零?D.帶寬無(wú)限大答案：A、B、C、D解析：理想運(yùn)放四特性。23.（多選）圖12為buck-boost變換器，連續(xù)導(dǎo)通模式，若占空比D=0.4，則理論電壓比Vo/Vin為A.?0.4?B.?0.67?C.?1.5?D.?2.5答案：B解析：Vo/Vin=?D/(1?D)=?0.4/0.6≈?0.67。24.（多選）某二端口網(wǎng)絡(luò)Y參數(shù)滿足y12=y21，則該網(wǎng)絡(luò)A.互易?B.對(duì)稱?C.無(wú)源?D.線性答案：A、D解析：y12=y21為互易條件，線性網(wǎng)絡(luò)才定義Y參數(shù)。25.（多選）圖13為L(zhǎng)C正弦振蕩器，起振條件包括A.環(huán)路增益≥1?B.相位裕度0°?C.品質(zhì)因數(shù)>??D.偏置正確答案：A、B、D解析：巴克豪森準(zhǔn)則。26.（多選）下列屬于衡量ADC動(dòng)態(tài)性能的指標(biāo)是A.SFDR?B.ENOB?C.THD?D.INL答案：A、B、C解析：INL為靜態(tài)。27.（多選）圖14為理想電流鏡，若β足夠大，則以下能提高輸出電流精度的措施A.增大Early電壓?B.采用cascode鏡?C.匹配溫漂?D.增大發(fā)射極電阻答案：A、B、C解析：RE退化降低精度。28.（多選）某傳輸線終端接負(fù)載ZL，若測(cè)得駐波比SWR=3，則反射系數(shù)幅值|Γ|可能為A.0.2?B.0.5?C.0.8?D.1答案：B、C解析：SWR=(1+|Γ|)/(1?|Γ|)，解得|Γ|=0.5或0.8均可能。29.（多選）圖15為鎖相環(huán)，若環(huán)路濾波器帶寬減小，則A.捕獲時(shí)間增長(zhǎng)?B.相位噪聲降低?C.鎖定范圍變窄?D.阻尼系數(shù)增大答案：A、B、C解析：窄帶濾噪但降速、縮范圍。30.（多選）關(guān)于EMI，下列做法可降低輻射干擾A.縮短回流路徑?B.采用屏蔽罩?C.降低di/dt?D.增加接地阻抗答案：A、B、C解析：高接地阻抗增輻射。31.（填空）圖16為理想差分對(duì)，尾電流ISS=400μA，若差模輸入電壓Vid=±26mV，則差模輸出電流幅值______mA。答案：0.2解析：tanh(x)≈x，ΔI=ISS·Vid/(2VT)=400μ×26m/(2×26m)=0.2mA。32.（填空）某電纜特性阻抗50Ω，終端接75Ω負(fù)載，則反射系數(shù)相位______度。答案：0解析：純阻負(fù)載，Γ為正實(shí)數(shù)，相位0°。33.（填空）圖17為理想反相放大器，R1=2kΩ，R2=20kΩ，若輸入失調(diào)電壓Vos=1mV，則輸出直流誤差______mV。答案：?10解析：增益?10，?10×1mV=?10mV。34.（填空）某RC振蕩器欲得頻率1kHz，若C=10nF，則R=______kΩ。答案：15.9解析：f=1/(2πRC)，R=1/(2π×1k×10n)=15.9kΩ。35.（填空）圖18為理想電流源，I=5mA，并聯(lián)負(fù)電導(dǎo)?0.2mS，則等效諾頓電導(dǎo)為______mS。答案：?0.2解析：理想電流源電導(dǎo)0，并聯(lián)即?0.2mS。36.（填空）某功率放大器效率78.5%，輸出10W，則管耗______W。答案：2.15解析：Pin=10/0.785≈12.74W，Pdis=2.74W，四舍五入2.15W筆誤，應(yīng)為2.74W，但題設(shè)78.5%為理想B類，Pdiss=Pout(2/π?1)≈0.137×10=1.37W，重算：η=π/4·Vp/Vcc，設(shè)Vcc=Vp，則η=78.5%，Pdc=10/0.785=12.74W，Pd=2.74W，填2.74。37.（填空）圖19為理想積分器，輸入階躍1V，R=100kΩ，C=1μF，經(jīng)10ms輸出電壓為______V。答案：?0.1解析：Vo=?t/(RC)=?10m/(100k×1μ)=?0.1V。38.（填空）某石英晶體，串聯(lián)諧振頻率10MHz，并聯(lián)諧振頻率10.002MHz，則其品質(zhì)因數(shù)Q≈______。答案：5000解析：Q≈f0/Δf=10M/2k=5000。39.（填空）圖20為理想電壓源，Vs=5V，串聯(lián)負(fù)電阻?10Ω，則端口ab的戴維南等效電阻為______Ω。答案：?10解析：串聯(lián)即?10Ω。40.（填空）某ADC采樣率1MSa/s，輸入信號(hào)最高頻率480kHz，則理論上需______階抗混疊濾波器滾降≥80dB。答案：5解析：過(guò)渡帶20kHz，需5階巴特沃斯≈100dB/dec。41.（計(jì)算）圖21為共源放大器，已知NMOS：KP=200μA/V2，W=100μm，L=1μm，Vt=0.8V，λ=0.02V?1，RD=5kΩ，VDD=5V，偏置ID=0.5mA，RL=10kΩ，CS=10μF，忽略體效應(yīng)。求：(1)靜態(tài)VDS；(2)小信號(hào)電壓增益Av；(3)若CGD=0.5pF，CGS=2pF，求上限頻率fH。答案：(1)gm=√(2KP(W/L)ID)=√(2×200μ×100×0.5m)=0.447mS，ro=1/(λID)=100kΩ，VDS=VDD?ID·RD=5?2.5=2.5V；(2)Av=?gm(RD∥RL∥ro)=?0.447m×(5k∥10k∥100k)=?0.447m×3.2k≈?1.43；(3)Cin=CGS+(1?Av)CGD=2p+2.43×0.5p=3.22p，fH=1/(2π(Rs∥RG)Cin)，設(shè)Rs=50Ω，RG=200k，得fH≈1/(2π×50×3.22p)≈990MHz，但受RD限制，輸出極點(diǎn)fp=1/(2π·3.2k·CGD)=1/(2π×3.2k×0.5p)≈99MHz，故fH≈99MHz。42.（計(jì)算）圖22為理想二階多重反饋低通濾波器，R1=10kΩ，R2=20kΩ，R3=10kΩ，C1=1nF，C2=2nF，求傳遞函數(shù)H(s)、截止頻率fc及Q值。答案：H(s)=?R2/R1·1/(1+sC2(R2+R3+R2R3/R1)+s2C1C2R2R3)，代入得ω0=1/√(C1C2R2R3)=1/√(1n×2n×20k×10k)=50krad/s，fc=ω0/2π≈7.96kHz，Q=√(C1R1R3/(C2R2(R1+R3)))=√(1n×10k×10k/(2n×20k×20k))=0.354。43.（計(jì)算）圖23為理想變壓器耦合功率放大器，匝比n=4:1，初級(jí)并聯(lián)儲(chǔ)能電容C=100μF，VCC=24V，負(fù)載RL=4Ω，工作于乙類，輸入正弦，求最大輸出功率Pomax、電源平均功率Pdc及效率η。答案：次級(jí)等效電壓24×4=96V，但變壓器降壓，次級(jí)Vp=24/4=6V，Pomax=Vp2/(2RL)=36/8=4.5W，Iavg=2Vp/(πRL)=2×6/(π×4)=0.955A，Pdc=24×0.955=22.9W，η=4.5/22.9≈19.7%，筆誤，重算：初級(jí)等效RL′=n2RL=16×4=64Ω，Vp_primary=24V，Pomax=242/(2×64)=4.5W，Idc=2Vp/(πRL′)=48/(π×64)=0.239A，Pdc=24×0.239=5.73W，η=4.5/5.73=78.5%，符合乙類理想。44.（計(jì)算）圖24為理想鎖相環(huán)，VCO增益KVCO=10MHz/V，環(huán)路濾波器為單極點(diǎn)RC，τ=1ms，相位檢測(cè)器增益Kd=0.5V/rad，求環(huán)路帶寬ωc及阻尼系數(shù)ζ。答案：開環(huán)增益G(s)=Kd·KVCO/(s(1+sτ))，ωn=√(Kd·KVCO/τ)=√(0.5×10M/1m)=2.24krad/s，ζ=1/(2ωnτ)=1/(2×2.24k×1m)=0.223。45.（計(jì)算）圖25為理想四階巴特沃斯低通，截止頻率1kHz，源阻抗50Ω，求首級(jí)電感值及在2kHz處衰減dB。答案：歸一化首元件g1=0.765，L1=g1·Rs/(2πfc)=0.765×50/(2π×1k)=6.1mH，四階巴特沃斯在2kHz（歸一化Ω=2）衰減A=10log10(1+Ω?)=10log(1+256)=24.1dB。46.（設(shè)計(jì)）設(shè)計(jì)一個(gè)5V/1A同步Buck變換器，輸入12V，開關(guān)頻率500kHz，要求輸出紋波≤50mV，設(shè)定電流紋波系數(shù)0.3，求：(1)電感值L；(2)最小輸出電容C；(3)選用MOSFETRDS(on)≤______mΩ使導(dǎo)通損耗≤0.25W。答案：(1)ΔIL=0.3×1A=0.3A，L=(Vin?Vo)·D/(ΔIL·f)=7×0.417/(0.3×500k)=19.4μH，取22μH；(2)ΔVc=ΔIL/(8fC)，C=0.3/(8×500k×0.05)=1.5μF，取10μF低ESR陶瓷；(3)P=I2R，R≤0.25/1=0.25Ω，但僅下管導(dǎo)通，Irms≈√D·Iout=0.645A，R≤0.25/0.6452≈0.6Ω，即600mΩ，再考慮同步整流，上管RDS(on)≤100mΩ，下管≤50mΩ。47.（設(shè)計(jì)）用理想運(yùn)放、電阻、電容設(shè)計(jì)一個(gè)中心頻率f0=10kHz、帶寬BW=1kHz、增益+10dB的二階帶通濾波器，給出全部元件值并驗(yàn)證Q與增益。答案：選用多重反饋拓?fù)洌O(shè)C=10nF，Q=f0/BW=10，R1=Q/(2πf0C·|H0|)，|H0|=3.16，R1=10/(2π×10k×10n×3.16)=5.03kΩ，R2=2Q/(2πf0C)=31.8kΩ，R3=Q/(2πf0C(2Q2?|H0|))=10/(2π×10k×10n×(200?3.16))≈8.12kΩ，驗(yàn)證：f0=1/(2πC√(R2R3))=10kHz，Q=10，