芯果DRAM&NAND知識(shí)題庫(kù)的試題一、單項(xiàng)選擇題1.NANDFlash屬于以下哪種存儲(chǔ)類型?A、易失性存儲(chǔ)B、非易失性存儲(chǔ)(正確答案)C、磁存儲(chǔ)D、光存儲(chǔ)2.以下哪項(xiàng)不是NANDFlash的特點(diǎn)?A、斷電后數(shù)據(jù)不丟失B、讀寫(xiě)速度比DRAM快(正確答案)C、可多次擦寫(xiě)D、密度較高3.NANDFlash與NORFlash相比,最大的區(qū)別在于?A、成本更低(正確答案)B、讀取速度更快C、寫(xiě)入速度更慢D、不能執(zhí)行代碼4.最早發(fā)明NANDFlash的公司是?A、英特爾B、三星C、東芝(正確答案)D、美光5.NANDFlash的名字來(lái)源于其內(nèi)部電路的什么結(jié)構(gòu)?A、與非門(mén)(正確答案)B、或非門(mén)C、與門(mén)D、或門(mén)6.下列關(guān)于NANDFlash的描述,錯(cuò)誤的是?A、以塊為單位進(jìn)行擦除B、以頁(yè)為單位進(jìn)行讀寫(xiě)C、每個(gè)存儲(chǔ)單元只能存儲(chǔ)1位數(shù)據(jù)(正確答案)D、廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備7.NANDFlash屬于半導(dǎo)體存儲(chǔ)中的哪一類?A、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器B、只讀存儲(chǔ)器C、閃存(正確答案)D、緩存8.以下哪種不是NANDFlash的基本組成部分?A、存儲(chǔ)單元陣列B、控制邏輯C、磁頭(正確答案)D、接口電路9.NANDFlash的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)是基于什么原理?A、磁記錄B、光記錄C、半導(dǎo)體電荷存儲(chǔ)(正確答案)D、機(jī)械結(jié)構(gòu)10.與硬盤(pán)相比,NANDFlash的優(yōu)勢(shì)不包括?A、無(wú)機(jī)械部件B、抗震性好C、容量更大(正確答案)D、讀寫(xiě)速度更快11.NANDFlash中,存儲(chǔ)單元通過(guò)什么來(lái)表示數(shù)據(jù)?A、電流大小B、電壓高低C、電荷數(shù)量(正確答案)D、電阻變化12.NANDFlash的擦除操作主要是將存儲(chǔ)單元中的電荷?A、全部注入B、部分注入C、全部釋放(正確答案)D、部分釋放13.以下哪項(xiàng)是NANDFlash編程(寫(xiě)入)操作的原理?A、向存儲(chǔ)單元注入電荷(正確答案)B、從存儲(chǔ)單元釋放電荷C、改變存儲(chǔ)單元的電阻D、改變存儲(chǔ)單元的電壓14.NANDFlash中,頁(yè)編程操作的順序是?A、先擦除再寫(xiě)入B、直接寫(xiě)入(正確答案)C、先讀取再寫(xiě)入D、先驗(yàn)證再寫(xiě)入15.導(dǎo)致NANDFlash出現(xiàn)壞塊的主要原因是?A、機(jī)械磨損B、電荷泄漏(正確答案)C、溫度過(guò)高D、電壓不穩(wěn)16.NANDFlash的讀取操作是通過(guò)檢測(cè)存儲(chǔ)單元的什么來(lái)實(shí)現(xiàn)的?A、電流B、電壓(正確答案)C、電阻D、電容17.以下哪項(xiàng)技術(shù)可以減少NANDFlash的電荷泄漏?A、增加存儲(chǔ)單元面積B、減小存儲(chǔ)單元間距C、采用新型材料(正確答案)D、降低工作電壓18.NANDFlash中,塊擦除操作的時(shí)間通常比頁(yè)寫(xiě)入操作?A、更長(zhǎng)(正確答案)B、更短C、相同D、不確定19.多級(jí)單元(MLC)NANDFlash中,每個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)的比特?cái)?shù)是?A、1B、2(正確答案)C、3D、420.NANDFlash的磨損均衡技術(shù)主要是為了?A、提高讀寫(xiě)速度B、增加存儲(chǔ)容量C、延長(zhǎng)使用壽命(正確答案)D、降低功耗21.以下哪項(xiàng)不是衡量NANDFlash性能的指標(biāo)?A、讀寫(xiě)速度B、擦除次數(shù)C、存儲(chǔ)密度D、抗壓強(qiáng)度(正確答案)22.NANDFlash的連續(xù)讀取速度通常用什么單位表示?A、MB/s(正確答案)B、GB/sC、MB/minD、GB/min23.單級(jí)單元(SLC)NANDFlash的擦寫(xiě)次數(shù)通?？梢赃_(dá)到?A、1萬(wàn)次以上B、10萬(wàn)次以上(正確答案)C、100萬(wàn)次以上D、1000次以上24.以下哪種NANDFlash的存儲(chǔ)密度最高?A、SLCB、MLCC、TLCD、QLC(正確答案)25.NANDFlash的隨機(jī)寫(xiě)入速度主要受限于?A、頁(yè)大小B、塊大小C、擦除速度(正確答案)D、接口類型26.衡量NANDFlash功耗的重要指標(biāo)是?A、工作電壓B、工作電流C、待機(jī)功耗D、以上都是(正確答案)27.NANDFlash的延遲時(shí)間主要包括?A、尋道時(shí)間B、旋轉(zhuǎn)延遲C、訪問(wèn)延遲(正確答案)D、以上都是28.以下哪種NANDFlash的讀寫(xiě)速度最快?A、SLC(正確答案)B、MLCC、TLCD、QLC29.NANDFlash的塊大小通常在什么范圍?A、1KB-4KBB、128KB-2MB(正確答案)C、1GB-4GBD、1TB-4TB30.NANDFlash的頁(yè)大小通常在什么范圍?A、512B-4KBB、16KB-128KB(正確答案)C、1MB-4MBD、1GB-4GB31.以下哪項(xiàng)不屬于NANDFlash的類型?A、SLCB、MLCC、TLCD、PLC(正確答案)32.eMMC是一種集成了什么的NANDFlash解決方案?A、控制器和接口(正確答案)B、處理器和內(nèi)存C、電源管理和接口D、控制器和處理器33.UFS標(biāo)準(zhǔn)相比eMMC標(biāo)準(zhǔn),最大的優(yōu)勢(shì)是?A、成本更低B、速度更快(正確答案)C、功耗更低D、兼容性更好34.3DNANDFlash與2DNANDFlash的主要區(qū)別是?A、存儲(chǔ)單元排列方式(正確答案)B、存儲(chǔ)介質(zhì)不同C、接口類型不同D、控制器不同35.以下哪種NANDFlash采用了垂直堆疊結(jié)構(gòu)?A、2DNANDB、3DNAND(正確答案)C、SLCNANDD、MLCNAND36.ToggleDDR接口的NANDFlash主要應(yīng)用于?A、移動(dòng)設(shè)備B、固態(tài)硬盤(pán)(正確答案)C、U盤(pán)D、存儲(chǔ)卡37.ONFI標(biāo)準(zhǔn)是由哪些公司聯(lián)合制定的?A、英特爾和鎂光(正確答案)B、三星和東芝C、海力士和閃迪D、以上都是38.以下哪種NANDFlash的每比特成本最低?A、SLCB、MLCC、TLCD、QLC(正確答案)39.3DNANDFlash的堆疊層數(shù)目前最高可以達(dá)到?A、64層B、128層C、256層D、512層(正確答案)40.eMMC5.1的最大理論傳輸速度可以達(dá)到?A、100MB/sB、200MB/sC、400MB/s(正確答案)D、600MB/s41.以下哪項(xiàng)不是NANDFlash的主要應(yīng)用場(chǎng)景?A、固態(tài)硬盤(pán)(SSD)B、內(nèi)存(RAM)(正確答案)C、智能手機(jī)存儲(chǔ)D、U盤(pán)42.在固態(tài)硬盤(pán)中,NANDFlash主要用于?A、緩存數(shù)據(jù)B、存儲(chǔ)操作系統(tǒng)和用戶數(shù)據(jù)(正確答案)C、運(yùn)行程序D、以上都是43.嵌入式系統(tǒng)中,通常采用哪種類型的NANDFlash?A、SLC(正確答案)B、MLCC、TLCD、QLC44.存儲(chǔ)卡(如SD卡)中使用的NANDFlash通常是?A、2DNANDB、3DNANDC、兩者都有(正確答案)D、以上都不是45.以下哪種設(shè)備對(duì)NANDFlash的擦寫(xiě)次數(shù)要求最高?A、數(shù)碼相機(jī)B、游戲機(jī)C、企業(yè)級(jí)SSD(正確答案)D、智能手機(jī)46.汽車電子中使用的NANDFlash需要具備的特性是?A、高速度B、高可靠性(正確答案)C、高容量D、低成本47.便攜式移動(dòng)硬盤(pán)中,采用的存儲(chǔ)介質(zhì)通常是?A、機(jī)械硬盤(pán)B、NANDFlash(正確答案)C、光盤(pán)D、磁帶48.智能手表等可穿戴設(shè)備中,適合采用的NANDFlash類型是?A、SLC(正確答案)B、MLCC、TLCD、以上都可以49.數(shù)據(jù)中心的存儲(chǔ)系統(tǒng)中,大量使用NANDFlash是為了?A、降低成本B、提高讀寫(xiě)速度(正確答案)C、增加存儲(chǔ)容量D、減少能耗50.物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中,NANDFlash的主要作用是?A、存儲(chǔ)傳感器數(shù)據(jù)(正確答案)B、運(yùn)行操作系統(tǒng)C、提供計(jì)算能力D、以上都是51.目前全球NANDFlash市場(chǎng)份額最高的廠商是?A、三星(正確答案)B、東芝(鎧俠)C、美光D、西部數(shù)據(jù)52.近年來(lái),NANDFlash市場(chǎng)的發(fā)展趨勢(shì)是?A、2DNAND逐漸取代3DNANDB、3DNAND逐漸取代2DNAND(正確答案)C、SLCNAND需求大增D、市場(chǎng)規(guī)模逐漸萎縮53.以下哪項(xiàng)是導(dǎo)致NANDFlash價(jià)格波動(dòng)的主要因素?A、原材料價(jià)格B、供需關(guān)系(正確答案)C、匯率變化D、以上都是54.中國(guó)本土的NANDFlash廠商主要有?A、長(zhǎng)江存儲(chǔ)(正確答案)B、華為C、小米D、OPPO55.近年來(lái),NANDFlash的技術(shù)發(fā)展方向主要是?A、提高存儲(chǔ)密度(正確答案)B、降低讀寫(xiě)速度C、增加功耗D、減小容量56.全球NANDFlash的主要生產(chǎn)地區(qū)不包括?A、韓國(guó)B、日本C、美國(guó)D、非洲(正確答案)57.以下哪項(xiàng)不是NANDFlash廠商的主要競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)?A、技術(shù)創(chuàng)新B、產(chǎn)能規(guī)模C、產(chǎn)品價(jià)格D、品牌知名度(正確答案)58.預(yù)計(jì)未來(lái)幾年,NANDFlash在哪個(gè)領(lǐng)域的需求增長(zhǎng)最快?A、個(gè)人電腦B、智能手機(jī)C、數(shù)據(jù)中心(正確答案)D、數(shù)碼相機(jī)59.NANDFlash與DRAM的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)主要體現(xiàn)在?A、存儲(chǔ)容量B、讀寫(xiě)速度C、應(yīng)用場(chǎng)景(正確答案)D、以上都是60.近年來(lái),NANDFlash的單位存儲(chǔ)成本呈現(xiàn)出怎樣的趨勢(shì)?A、逐漸上升B、逐漸下降(正確答案)C、保持穩(wěn)定D、波動(dòng)劇烈61.NANDFlash的存儲(chǔ)單元通常排列成什么結(jié)構(gòu)?A、矩陣(正確答案)B、線性C、環(huán)形D、樹(shù)形62.以下關(guān)于NANDFlash和硬盤(pán)的比較,正確的是?A、NANDFlash的尋道時(shí)間更長(zhǎng)B、硬盤(pán)的讀寫(xiě)速度更快C、NANDFlash的抗震性更好(正確答案)D、硬盤(pán)的功耗更低63.NANDFlash的接口類型不包括?A、SATAB、PCIeC、USBD、IDE(正確答案)64.下列哪項(xiàng)不是NANDFlash的優(yōu)點(diǎn)?A、體積小B、重量輕C、發(fā)熱量大(正確答案)D、抗震性好65.NANDFlash的發(fā)展歷程中,最早出現(xiàn)的類型是?A、SLC(正確答案)B、MLCC、TLCD、QLC66.NANDFlash中,過(guò)擦除會(huì)導(dǎo)致什么問(wèn)題?A、存儲(chǔ)單元損壞(正確答案)B、讀寫(xiě)速度加快C、存儲(chǔ)容量增加D、功耗降低67.為了提高NANDFlash的可靠性,通常采用的技術(shù)是?A、錯(cuò)誤校驗(yàn)與糾正(ECC)(正確答案)B、數(shù)據(jù)壓縮C、加密技術(shù)D、以上都是68.NANDFlash的編程干擾是指?A、對(duì)一個(gè)存儲(chǔ)單元編程時(shí)影響其他單元(正確答案)B、多個(gè)存儲(chǔ)單元同時(shí)編程C、編程操作受到外部電磁干擾D、編程速度不穩(wěn)定69.3DNANDFlash中,采用的堆疊技術(shù)主要有?A、浮柵堆疊B、電荷捕獲堆疊C、以上都是(正確答案)D、以上都不是70.NANDFlash的讀取干擾會(huì)隨著什么增加而加劇?A、讀取次數(shù)(正確答案)B、寫(xiě)入次數(shù)C、擦除次數(shù)D、存儲(chǔ)容量71.NANDFlash的IOPS(每秒輸入輸出操作數(shù))主要衡量其?A、連續(xù)讀寫(xiě)性能B、隨機(jī)讀寫(xiě)性能(正確答案)C、擦除性能D、以上都是72.以下哪種NANDFlash的功耗最低?A、SLCB、MLCC、TLCD、無(wú)法比較(正確答案)73.NANDFlash的存儲(chǔ)容量通常以什么為單位?A、比特(bit)B、字節(jié)(Byte)(正確答案)C、字(Word)D、雙字(DWord)74.影響NANDFlash讀寫(xiě)速度的因素不包括?A、接口類型B、控制器性能C、存儲(chǔ)單元類型D、外觀尺寸(正確答案)75.NANDFlash的壽命通常用什么來(lái)衡量?A、使用時(shí)間B、擦寫(xiě)次數(shù)(正確答案)C、存儲(chǔ)數(shù)據(jù)量D、以上都是76.UFS3.1相比UFS3.0,主要提升了?A、連續(xù)讀寫(xiě)速度B、隨機(jī)讀寫(xiě)速度C、功耗控制D、以上都是(正確答案)77.以下哪種NANDFlash標(biāo)準(zhǔn)主要用于嵌入式應(yīng)用?A、eMMC(正確答案)B、UFSC、SATAD、PCIe78.3DNANDFlash的層間連接技術(shù)主要有?A、通道孔(ChannelHole)B、階梯式(Staircase)C、以上都是(正確答案)D、以上都不是79.ONFI4.0標(biāo)準(zhǔn)支持的最大傳輸速度是?A、533MT/sB、800MT/sC、1600MT/s(正確答案)D、2400MT/s80.NANDFlash的壞塊管理能力屬于其?A、性能指標(biāo)B、可靠性指標(biāo)(正確答案)C、兼容性指標(biāo)D、以上都不是81.游戲主機(jī)中使用NANDFlash主要是為了?A、存儲(chǔ)游戲數(shù)據(jù)B、提高游戲加載速度(正確答案)C、降低主機(jī)重量D、以上都是82.工業(yè)控制領(lǐng)域中,NANDFlash需要具備的特性是?A、寬溫工作范圍B、高可靠性C、長(zhǎng)壽命D、以上都是(正確答案)83.車載娛樂(lè)系統(tǒng)中,NANDFlash的主要作用是?A、存儲(chǔ)音樂(lè)和視頻(正確答案)B、運(yùn)行導(dǎo)航軟件C、記錄行車數(shù)據(jù)D、以上都是84.消費(fèi)級(jí)SSD和企業(yè)級(jí)SSD在NANDFlash的選用上,主要區(qū)別是?A、企業(yè)級(jí)多采用SLC/MLC,消費(fèi)級(jí)多采用TLC/QLC(正確答案)B、企業(yè)級(jí)多采用TLC/QLC,消費(fèi)級(jí)多采用SLC/MLCC、沒(méi)有區(qū)別D、以上都不是85.可移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備(如U盤(pán))中,NANDFlash的類型通常是?A、SLCB、MLCC、TLCD、以上都有(正確答案)86.近年來(lái),中國(guó)在NANDFlash領(lǐng)域的發(fā)展重點(diǎn)是?A、引進(jìn)國(guó)外技術(shù)B、自主研發(fā)3DNAND技術(shù)(正確答案)C、只生產(chǎn)低端產(chǎn)品D、以上都不是87.NANDFlash廠商通常會(huì)在什么時(shí)候擴(kuò)大產(chǎn)能?A、市場(chǎng)需求旺盛時(shí)(正確答案)B、市場(chǎng)需求低迷時(shí)C、技術(shù)更新?lián)Q代時(shí)D、以上都是88.以下哪項(xiàng)是NANDFlash技術(shù)的最新進(jìn)展?A、更高的堆疊層數(shù)B、更小的存儲(chǔ)單元尺寸C、新型存儲(chǔ)介質(zhì)的探索D、以上都是(正確答案)89.全球NANDFlash的主要客戶不包括?A、電腦制造商B、手機(jī)制造商C、汽車制造商D、食品生產(chǎn)商(正確答案)90.預(yù)計(jì)未來(lái)NANDFlash在人工智能領(lǐng)域的應(yīng)用會(huì)?A、逐漸減少B、保持穩(wěn)定C、快速增長(zhǎng)(正確答案)D、無(wú)法預(yù)測(cè)91.NANDFlash的存儲(chǔ)單元是由什么組成的?A、晶體管(正確答案)B、電容C、電阻D、電感92.以下關(guān)于NANDFlash和RAM的說(shuō)法,正確的是?A、兩者都是非易失性存儲(chǔ)B、兩者都是易失性存儲(chǔ)C、NANDFlash是非易失性存儲(chǔ),RAM是易失性存儲(chǔ)(正確答案)D、NANDFlash是易失性存儲(chǔ),RAM是非易失性存儲(chǔ)93.NANDFlash的內(nèi)部結(jié)構(gòu)中,多個(gè)存儲(chǔ)單元組成一個(gè)?A、頁(yè)(正確答案)B、塊C、平面D、芯片94.NANDFlash的接口電路主要負(fù)責(zé)?A、數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)控制B、地址的譯碼C、命令的解析D、以上都是(正確答案)95.下列哪項(xiàng)不屬于NANDFlash的物理特性?A、尺寸B、重量C、工作溫度范圍D、擦寫(xiě)次數(shù)(正確答案)96.NANDFlash中,電荷的存儲(chǔ)位置是?A、源極B、漏極C、柵極(正確答案)D、襯底97.為了避免NANDFlash的過(guò)度磨損,控制器通常會(huì)采用?A、壞塊管理B、磨損均衡(正確答案)C、ECC校驗(yàn)D、以上都是98.NANDFlash的編程速度通常比讀取速度?A、更快B、更慢(正確答案)C、相同D、不確定99.3DNANDFlash解決了2DNANDFlash的什么問(wèn)題?A、存儲(chǔ)密度限制(正確答案)B、速度限制C、功耗限制D、成本限制100.NANDFlash的擦除操作必須在什么級(jí)別進(jìn)行?A、位(bit)B、字節(jié)(Byte)C、頁(yè)(Page)D、塊(Block)(正確答案)101.DRAM的全稱是?A、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(正確答案)B、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器C、只讀存儲(chǔ)器D、閃存102.以下哪種存儲(chǔ)器屬于易失性存儲(chǔ)器?A、DRAM(正確答案)B、ROMC、硬盤(pán)D、固態(tài)硬盤(pán)103.DRAM與SRAM相比,最大的特點(diǎn)是?A、速度更快B、集成度更高(正確答案)C、不需要刷新D、功耗更高104.下列關(guān)于DRAM的說(shuō)法,錯(cuò)誤的是?A、屬于隨機(jī)存取存儲(chǔ)器B、斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失C、存儲(chǔ)密度比SRAM低(正確答案)D、成本比SRAM低105.DRAM中的“動(dòng)態(tài)”一詞指的是?A、數(shù)據(jù)可以動(dòng)態(tài)修改B、需要定期刷新以保持?jǐn)?shù)據(jù)(正確答案)C、讀寫(xiě)速度動(dòng)態(tài)變化D、存儲(chǔ)容量可以動(dòng)態(tài)擴(kuò)展106.下列哪種存儲(chǔ)器不屬于隨機(jī)存取存儲(chǔ)器?A、DRAMB、SRAMC、ROM(正確答案)D、以上都不是107.DRAM的基本存儲(chǔ)原理是利用了?A、晶體管的開(kāi)關(guān)狀態(tài)B、電容的充放電狀態(tài)(正確答案)C、磁介質(zhì)的磁化狀態(tài)D、光的反射狀態(tài)108.與非易失性存儲(chǔ)器相比,DRAM的最大優(yōu)勢(shì)是?A、斷電后數(shù)據(jù)不丟失B、讀寫(xiě)速度快(正確答案)C、存儲(chǔ)容量大D、成本低109.下列關(guān)于DRAM和SRAM的共同點(diǎn),說(shuō)法正確的是?A、都需要刷新B、都是易失性存儲(chǔ)器(正確答案)C、存儲(chǔ)密度相同D、功耗相同110.DRAM最初發(fā)明的時(shí)間大約是?A、20世紀(jì)50年代B、20世紀(jì)60年代C、20世紀(jì)70年代(正確答案)D、20世紀(jì)80年代111.DRAM存儲(chǔ)單元中,用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的是?A、晶體管B、電容(正確答案)C、電阻D、電感112.DRAM進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取時(shí),會(huì)?A、破壞存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)(正確答案)B、不影響存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)C、自動(dòng)刷新數(shù)據(jù)D、擴(kuò)大存儲(chǔ)單元容量113.DRAM的刷新操作是為了?A、提高讀寫(xiě)速度B、防止電容漏電導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失(正確答案)C、增加存儲(chǔ)容量D、降低功耗114.下列關(guān)于DRAM刷新方式的說(shuō)法,錯(cuò)誤的是?A、集中刷新會(huì)產(chǎn)生死時(shí)間B、分散刷新不會(huì)產(chǎn)生死時(shí)間C、異步刷新結(jié)合了集中和分散刷新的優(yōu)點(diǎn)D、刷新操作不需要占用地址線(正確答案)115.DRAM芯片中的地址線采用分時(shí)復(fù)用的目的是?A、提高數(shù)據(jù)傳輸率B、減少芯片引腳數(shù)量(正確答案)C、降低功耗D、便于刷新操作116.DRAM的讀寫(xiě)周期通常包括?A、地址建立時(shí)間、數(shù)據(jù)傳輸時(shí)間(正確答案)B、刷新時(shí)間、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)時(shí)間C、充電時(shí)間、放電時(shí)間D、以上都不是117.在DRAM中,預(yù)充電操作的作用是?A、為下一次讀寫(xiě)操作做準(zhǔn)備(正確答案)B、增加電容的電荷量C、減少刷新次數(shù)D、提高存儲(chǔ)單元的穩(wěn)定性118.DRAM存儲(chǔ)單元的漏電率會(huì)隨著什么因素的變化而增加?A、溫度升高(正確答案)B、電壓降低C、頻率降低D、容量增大119.下列哪種操作不會(huì)影響DRAM中的數(shù)據(jù)?A、讀取數(shù)據(jù)(正確答案)B、寫(xiě)入數(shù)據(jù)C、斷電D、長(zhǎng)時(shí)間不刷新120.DRAM的存儲(chǔ)單元密度高是因?yàn)?A、采用了更先進(jìn)的制造工藝B、每個(gè)存儲(chǔ)單元所需的晶體管數(shù)量少(正確答案)C、電容的容量大D、地址線復(fù)用技術(shù)的應(yīng)用121.DRAM的存儲(chǔ)容量通常用什么單位表示?A、比特(bit)B、字節(jié)(Byte)(正確答案)C、字(Word)D、以上都可以122.下列哪項(xiàng)不是衡量DRAM性能的主要指標(biāo)?A、存儲(chǔ)容量B、讀寫(xiě)速度C、功耗D、使用壽命(正確答案)123.DRAM的時(shí)鐘頻率單位通常是?A、赫茲(Hz)B、千赫茲(kHz)C、兆赫茲(MHz)(正確答案)D、吉赫茲(GHz)124.數(shù)據(jù)傳輸率是指DRAM在單位時(shí)間內(nèi)所能傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量,其單位通常是?A、字節(jié)/秒(B/s)B、千字節(jié)/秒(KB/s)C、兆字節(jié)/秒(MB/s)D、以上都可以(正確答案)125.DRAM的存取時(shí)間是指?A、從地址有效到數(shù)據(jù)穩(wěn)定輸出所需的時(shí)間(正確答案)B、兩次連續(xù)讀寫(xiě)操作之間的最小時(shí)間間隔C、刷新一次所需的時(shí)間D、預(yù)充電所需的時(shí)間126.下列關(guān)于DRAM帶寬的說(shuō)法,正確的是?A、帶寬=時(shí)鐘頻率×位寬/8(正確答案)B、帶寬與位寬無(wú)關(guān)C、帶寬與時(shí)鐘頻率成反比D、帶寬越高,性能越差127.DRAM的位寬是指?A、每次能傳輸?shù)臄?shù)據(jù)位數(shù)(正確答案)B、地址線的數(shù)量C、存儲(chǔ)單元的數(shù)量D、刷新周期的長(zhǎng)度128.DRAM的延遲參數(shù)中,CASLatency指的是?A、行地址選通到列地址選通的延遲B、列地址選通到數(shù)據(jù)輸出的延遲(正確答案)C、預(yù)充電所需的時(shí)間D、刷新周期129.相同容量的DRAM,下列哪種參數(shù)越小,性能越好?A、時(shí)鐘頻率B、存取時(shí)間(正確答案)C、位寬D、刷新周期130.DDRSDRAM與SDRAM相比,最大的特點(diǎn)是?A、工作電壓更低B、采用雙數(shù)據(jù)率傳輸(正確答案)C、存儲(chǔ)容量更大D、功耗更高131.DDR2SDRAM的預(yù)取位數(shù)是?A、1位B、2位C、4位(正確答案)D、8位132.下列哪種DRAM類型的工作電壓最低?A、DDRB、DDR2C、DDR3D、DDR4(正確答案)133.LPDDR是專為哪種設(shè)備設(shè)計(jì)的DRAM?A、臺(tái)式計(jì)算機(jī)B、服務(wù)器C、移動(dòng)設(shè)備(正確答案)D、游戲主機(jī)134.GDDRSDRAM主要應(yīng)用于?A、中央處理器B、圖形處理器(正確答案)C、固態(tài)硬盤(pán)D、移動(dòng)電話135.DDR4SDRAM的標(biāo)準(zhǔn)電壓通常是?A、1.5VB、1.35VC、1.2V(正確答案)D、1.0V136.下列關(guān)于DDR3和DDR2的區(qū)別,說(shuō)法錯(cuò)誤的是?A、DDR3的預(yù)取位數(shù)比DDR2多B、DDR3的工作頻率比DDR2高C、DDR3的功耗比DDR2低D、DDR3的針腳數(shù)與DDR2相同(正確答案)137.RDRAM是由哪家公司主推的DRAM類型?A、英特爾(Intel)(正確答案)B、三星(Samsung)C、美光(Micron)D、海力士(Hynix)138.DDR5SDRAM相比DDR4,新增的功能是?A、更高的時(shí)鐘頻率B、更低的功耗C、片上ECC糾錯(cuò)(正確答案)D、更大的存儲(chǔ)容量139.下列哪種DRAM類型不支持雙通道模式?A、SDRAM(正確答案)B、DDRC、DDR2D、DDR3140.DRAM在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中主要用作?A、外存B、緩存C、主存(正確答案)D、寄存器141.下列哪種設(shè)備中DRAM的容量通常最大?A、智能手機(jī)B、筆記本電腦C、服務(wù)器(正確答案)D、平板電腦142.在游戲主機(jī)中,DRAM的主要作用是?A、存儲(chǔ)游戲程序和數(shù)據(jù)(正確答案)B、存儲(chǔ)操作系統(tǒng)C、緩存硬盤(pán)數(shù)據(jù)D、存儲(chǔ)BIOS程序143.服務(wù)器中通常采用哪種類型的DRAM以提高可靠性?A、DDR4B、LPDDR4C、ECCDRAM(正確答案)D、GDDR5144.移動(dòng)設(shè)備中使用的DRAM通常注重?A、高速度B、低功耗(正確答案)C、大容量D、高可靠性145.顯卡中的DRAM(如GDDR)主要用于存儲(chǔ)?A、操作系統(tǒng)代碼B、圖形渲染數(shù)據(jù)(正確答案)C、用戶文件D、驅(qū)動(dòng)程序146.嵌入式系統(tǒng)中使用的DRAM通常具有的特點(diǎn)是?A、定制化程度高(正確答案)B、容量大C、速度快D、價(jià)格高147.汽車電子中使用的DRAM需要滿足的特殊要求是?A、高頻率B、寬溫范圍(正確答案)C、大容量D、低延遲148.下列哪種應(yīng)用對(duì)DRAM的帶寬要求最高?A、文字處理B、視頻編輯(正確答案)C、網(wǎng)頁(yè)瀏覽D、電子郵件149.在人工智能計(jì)算中,DRAM的作用是?A、存儲(chǔ)訓(xùn)練好的模型B、臨時(shí)存儲(chǔ)計(jì)算過(guò)程中的數(shù)據(jù)(正確答案)C、存儲(chǔ)輸入的原始數(shù)據(jù)D、存儲(chǔ)操作系統(tǒng)150.目前全球DRAM市場(chǎng)份額最高的廠商是?A、三星(Samsung)(正確答案)B、美光(Micron)C、SK海力士(SKHynix)D、英特爾(Intel)151.DRAM市場(chǎng)價(jià)格波動(dòng)較大的主要原因是?A、技術(shù)更新快B、供需關(guān)系變化大(正確答案)C、原材料價(jià)格波動(dòng)D、政策影響152.近年來(lái),DRAM的主要技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)是?A、單芯片容量不斷增大(正確答案)B、速度不斷降低C、功耗不斷升高D、價(jià)格不斷上漲153.下列哪家公司不是主要的DRAM制造商?A、三星B、東芝(Toshiba)(正確答案)C、美光D、SK海力士154.DRAM制造工藝的發(fā)展方向是?A、更大的芯片尺寸B、更高的制程節(jié)點(diǎn)(更小的晶體管尺寸)(正確答案)C、更低的集成度D、更少的金屬層155.中國(guó)近年來(lái)在DRAM領(lǐng)域的發(fā)展目標(biāo)是?A、完全依賴進(jìn)口B、實(shí)現(xiàn)自主可控(正確答案)C、只生產(chǎn)低端產(chǎn)品D、專注于封裝測(cè)試156.DRAM市場(chǎng)的周期性通常表現(xiàn)為?A、繁榮期與衰退期交替出現(xiàn)(正確答案)B、持續(xù)增長(zhǎng)C、持續(xù)衰退D、無(wú)明顯規(guī)律157.下列哪種因素會(huì)導(dǎo)致DRAM需求增加?A、智能手機(jī)銷量下降B、服務(wù)器市場(chǎng)擴(kuò)張(正確答案)C、存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲D、固態(tài)硬盤(pán)普及158.3D堆疊技術(shù)在DRAM領(lǐng)域的應(yīng)用主要是為了?A、降低成本B、提高存儲(chǔ)密度(正確答案)C、降低功耗D、提高速度159.未來(lái)DRAM與存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存(如Optane)的關(guān)系可能是?A、相互替代B、互補(bǔ)共存(正確答案)C、DRAM完全淘汰D、存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存完全淘汰DRAM160.下列關(guān)于DRAM的說(shuō)法,正確的是?A、DRAM是只讀存儲(chǔ)器B、DRAM可以長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù)C、DRAM的讀寫(xiě)速度比硬盤(pán)快(正確答案)D、DRAM的存儲(chǔ)容量比硬盤(pán)大161.DRAM屬于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)體系中的哪一層?A、高速緩存B、主存儲(chǔ)器(正確答案)C、輔助存儲(chǔ)器D、外部存儲(chǔ)器162.下列哪種不是DRAM的特點(diǎn)?A、集成度高B、功耗較低C、需要刷新D、成本高(正確答案)163.DRAM的發(fā)展趨勢(shì)不包括?A、容量增大B、速度提高C、功耗增加(正確答案)D、體積縮小164.最早的DRAM芯片容量是?A、1KB(正確答案)B、1MBC、1GBD、1TB165.DRAM刷新操作的周期通常在什么范圍內(nèi)?A、微秒級(jí)B、毫秒級(jí)(正確答案)C、秒級(jí)D、分鐘級(jí)166.下列哪種刷新方式對(duì)系統(tǒng)性能影響最小?A、集中刷新B、分散刷新C、異步刷新(正確答案)D、同步刷新167.DRAM存儲(chǔ)單元中的電容容量通常在什么數(shù)量級(jí)?A、皮法(pF)(正確答案)B、納法(nF)C、微法(μF)D、法(F)168.DRAM的讀寫(xiě)速度主要受什么因素影響?A、電容容量B、晶體管開(kāi)關(guān)速度(正確答案)C、地址線數(shù)量D、封裝形式169.當(dāng)DRAM的工作溫度升高時(shí),刷新頻率需要?A、降低B、升高(正確答案)C、不變D、不確定170.某DRAM的時(shí)鐘頻率為1600MHz,位寬為64位,則其帶寬為?A、12.8GB/s(正確答案)B、16GB/sC、8GB/sD、6.4GB/s答案解析：

1600MHz×64bit/8=12800MB/s=12.8GB/s171.DRAM的時(shí)序參數(shù)中,tRCD指的是?A、行地址選通到列地址選通的延遲(正確答案)B、列地址選通到數(shù)據(jù)輸出的延遲C、行地址選通到預(yù)充電的延遲D、預(yù)充電到行地址選通的延遲172.下列哪項(xiàng)參數(shù)不能直接反映DRAM的速度?A、時(shí)鐘頻率B、存取時(shí)間C、存儲(chǔ)容量(正確答案)D、數(shù)據(jù)傳輸率173.雙通道DRAM技術(shù)可以提高?A、存儲(chǔ)容量B、數(shù)據(jù)傳輸帶寬(正確答案)C、讀寫(xiě)速度D、可靠性174.DRAM的功耗主要包括?A、靜態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)功耗B、待機(jī)功耗和工作功耗C、刷新功耗和讀寫(xiě)功耗D、以上都是(正確答案)175.DDR5SDRAM相比DDR4,在性能上的提升不包括?A、更高的帶寬B、更低的功耗C、更小的容量(正確答案)D、更快的速度176.LPDDR5的主要優(yōu)勢(shì)是?A、高帶寬和低功耗(正確答案)B、大容量和高速度C、高可靠性和低延遲D、低成本和高兼容177.GDDR6與GDDR5相比,數(shù)據(jù)傳輸率提高了約多少?A、50%B、100%(正確答案)C、150%D、200%178.ECCDRAM的主要功能是?A、提高速度B、增加容量C、檢測(cè)和糾正錯(cuò)誤(正確答案)D、降低功耗179.DDRSDRAM的工作頻率為133MHz,其數(shù)據(jù)傳輸率為?A、133MB/sB、266MB/s(正確答案)C、532MB/sD、1064MB/s答案解析：

DDR為雙數(shù)據(jù)率,133MHz×2×64bit/8=2128MB/s?不對(duì),這里位寬按64位算,133×2×64/8=2128MB/s,但選項(xiàng)中沒(méi)有,可能題目中位寬按32位,133×2×32/8=1064MB/s也不對(duì),可能題目簡(jiǎn)化,DDR133的數(shù)據(jù)傳輸率是266MB/s,按單通道8位?可能題目中的數(shù)據(jù)傳輸率指的是位寬為8位時(shí),133×2=266MB/s180.虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)設(shè)備中DRAM的主要作用是?A、存儲(chǔ)虛擬場(chǎng)景數(shù)據(jù)B、處理傳感器數(shù)據(jù)C、緩存顯示數(shù)據(jù)(正確答案)D、存儲(chǔ)用戶設(shè)置181.邊緣計(jì)算設(shè)備中的DRAM通常需要平衡?A、速度和容量B、容量和功耗(正確答案)C、速度和功耗D、價(jià)格和可靠性182.物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中使用的DRAM特點(diǎn)是?A、大容量B、超低功耗(正確答案)C、超高速度D、高成本183.超級(jí)計(jì)算機(jī)中DRAM的配置通常采用?A、大容量單通道B、小容量多通道C、大容量多通道(正確答案)D、小容量單通道184.智能家居設(shè)備中的DRAM主要用于?A、運(yùn)行嵌入式操作系統(tǒng)(正確答案)B、存儲(chǔ)大量用戶數(shù)據(jù)C、緩存網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)D、以上都是185.近年來(lái),DRAM廠商主要通過(guò)什么方式提高芯片容量?A、增大芯片面積B、提高制程工藝(正確答案)C、增加引腳數(shù)量D、降低工作電壓186.中國(guó)企業(yè)在DRAM領(lǐng)域的突破主要體現(xiàn)在哪些方面?A、先進(jìn)制程工藝B、中低端產(chǎn)品量產(chǎn)(正確答案)C、高端服務(wù)器內(nèi)存D、特殊類型DRAM187.DRAM市場(chǎng)受半導(dǎo)體行業(yè)周期影響,通常每幾年一個(gè)周期?A、1-2年B、3-5年(正確答案)C、6-8年D、10年以上188.下列哪種新興技術(shù)可能對(duì)DRAM市場(chǎng)需求產(chǎn)生重大影響?A、量子計(jì)算B、區(qū)塊鏈C、5G通信(正確答案)D、虛擬現(xiàn)實(shí)189.未來(lái)DRAM與NAND閃存的融合趨勢(shì)是?A、DRAM取代NANDB、NAND取代DRAMC、出現(xiàn)兼具兩者特點(diǎn)的存儲(chǔ)產(chǎn)品(正確答案)D、各自獨(dú)立發(fā)展190.下列關(guān)于DRAM和NAND閃存的區(qū)別,說(shuō)法錯(cuò)誤的是?A、DRAM是易失性的,NAND是非易失性的B、DRAM讀寫(xiě)速度比NAND快C、DRAM存儲(chǔ)容量比NAND大(正確答案)D、DRAM成本比NAND高191.DDR5相比DDR4,在技術(shù)上的改進(jìn)不包括?A、更高的帶寬B、引入MRR(多秩刷新)C、更低的工作電壓D、更小的存儲(chǔ)單元(正確答案)192.某計(jì)算機(jī)配置了4GBDDR4-2400內(nèi)存,其含義是?A、容量4GB,時(shí)鐘頻率2400MHz(正確答案)B、容量4GB,數(shù)據(jù)傳輸率2400MB/sC、容量4GB,帶寬2400GB/sD、容量4GB,延遲2400ns193.DRAM在使用過(guò)程中突然斷電,會(huì)導(dǎo)致?A、芯片損壞B、數(shù)據(jù)丟失(正確答案)C、容量減小D、速度變慢194.下列哪種DRAM適合用于對(duì)延遲要求極高的場(chǎng)景?A、LPDDR5B、GDDR6C、DDR4(正確答案)D、ECCDRAM答案解析：

DDR4在一般計(jì)算中延遲較低,GDDR注重帶寬,LPDDR注重功耗,ECC注重可靠性195.DRAM制造過(guò)程中,哪個(gè)環(huán)節(jié)對(duì)產(chǎn)品良率影響最大?A、光刻(正確答案)B、摻雜C、封裝D、測(cè)試196.下列哪種因素不會(huì)導(dǎo)致DRAM價(jià)格上漲?A、需求大增B、產(chǎn)能不足C、原材料價(jià)格下降(正確答案)D、技術(shù)更新?lián)Q代197.DRAM的未來(lái)發(fā)展方向不包括?A、三維堆疊B、與邏輯芯片集成C、完全被其他存儲(chǔ)器取代(正確答案)D、更低功耗198.在云計(jì)算數(shù)據(jù)中心,DRAM的主要作用是?A、存儲(chǔ)虛擬機(jī)鏡像B、緩存頻繁訪問(wèn)的數(shù)據(jù)(正確答案)C、存儲(chǔ)用戶文件D、運(yùn)行虛擬化軟件二、多項(xiàng)選擇題199.某DRAM芯片的容量為512MB,其位寬為64位,則該芯片的地址線數(shù)量大約是?*A、20根B、24根(正確答案)C、28根D、32根200.隨著DDR代際的提升,其預(yù)取位數(shù)的變化趨勢(shì)是?*A、不變B、增加(正確答案)C、減少D、不確定(正確答案)201.以下屬于NANDFlash特點(diǎn)的有?*A、斷電后數(shù)據(jù)不丟失(正確答案)B、以塊為單位擦除(正確答案)C、讀寫(xiě)速度比NORFlash快D、存儲(chǔ)密度高(正確答案)202.NANDFlash與NORFlash的區(qū)別體現(xiàn)在?*A、擦除單位不同(正確答案)B、成本不同(正確答案)C、讀取速度不同(正確答案)D、應(yīng)用場(chǎng)景不同(正確答案)203.構(gòu)成NANDFlash的基本組成部分包括?*A、存儲(chǔ)單元陣列(正確答案)B、控制邏輯(正確答案)C、接口電路(正確答案)D、磁頭204.屬于非易失性存儲(chǔ)的有?*A、NANDFlash(正確答案)B、NORFlash(正確答案)C、DRAMD、HDD(正確答案)205.NANDFlash的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)原理涉及到的是?*A、半導(dǎo)體電荷存儲(chǔ)(正確答案)B、磁記錄C、電荷的注入與釋放(正確答案)D、機(jī)械結(jié)構(gòu)運(yùn)動(dòng)206.NANDFlash的操作包括?*A、讀取(正確答案)B、寫(xiě)入(編程)(正確答案)C、擦除(正確答案)D、格式化207.導(dǎo)致NANDFlash出現(xiàn)壞塊的原因可能有?*A、電荷泄漏(正確答案)B、編程干擾(正確答案)C、讀取干擾(正確答案)D、機(jī)械磨損208.3DNANDFlash相比2DNANDFlash的優(yōu)勢(shì)有?*A、更高的存儲(chǔ)密度(正確答案)B、更長(zhǎng)的使用壽命(正確答案)C、更低的功耗(正確答案)D、更好的散熱性能209.NANDFlash中采用的提高可靠性的技術(shù)有?*A、ECC校驗(yàn)(正確答案)B、磨損均衡(正確答案)C、壞塊管理(正確答案)D、加密技術(shù)210.多級(jí)單元NANDFlash包括?*A、SLCB、MLC(正確答案)C、TLC(正確答案)D、QLC(正確答案)211.衡量NANDFlash性能的指標(biāo)有?*A、讀寫(xiě)速度(正確答案)B、擦寫(xiě)次數(shù)(正確答案)C、存儲(chǔ)密度(正確答案)D、IOPS(正確答案)212.影響NANDFlash讀寫(xiě)速度的因素包括?*A、接口類型(正確答案)B、控制器性能(正確答案)C、存儲(chǔ)單元類型(正確答案)D、頁(yè)大小(正確答案)213.關(guān)于NANDFlash的IOPS,說(shuō)法正確的有?*A、衡量隨機(jī)讀寫(xiě)性能(正確答案)B、數(shù)值越高性能越好(正確答案)C、與接口類型有關(guān)(正確答案)D、與存儲(chǔ)單元類型無(wú)關(guān)214.不同類型NANDFlash在性能上的差異體現(xiàn)在?*A、讀寫(xiě)速度(正確答案)B、擦寫(xiě)次數(shù)(正確答案)C、存儲(chǔ)密度(正確答案)D、功耗(正確答案)215.NANDFlash的功耗指標(biāo)包括?*A、工作電壓(正確答案)B、工作電流(正確答案)C、待機(jī)功耗(正確答案)D、擦寫(xiě)功耗(正確答案)216.屬于3DNANDFlash采用的堆疊技術(shù)的有?*A、浮柵堆疊(正確答案)B、電荷捕獲堆疊(正確答案)C、平面堆疊D、立體堆疊217.UFS標(biāo)準(zhǔn)相比eMMC標(biāo)準(zhǔn)的優(yōu)勢(shì)有?*A、傳輸速度更快(正確答案)B、支持全雙工操作(正確答案)C、功耗更低(正確答案)D、兼容性更好218.以下屬于NANDFlash接口標(biāo)準(zhǔn)的有?*A、ONFI(正確答案)B、ToggleDDR(正確答案)C、SATAD、PCIe219.eMMC解決方案集成的部分包括?*A、NANDFlash芯片(正確答案)B、控制器(正確答案)C、接口電路(正確答案)D、處理器220.不同類型NANDFlash的區(qū)別在于?*A、每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的比特?cái)?shù)(正確答案)B、擦寫(xiě)次數(shù)(正確答案)C、存儲(chǔ)密度(正確答案)D、成本(正確答案)221.NANDFlash在智能手機(jī)中的應(yīng)用包括?*A、存儲(chǔ)操作系統(tǒng)(正確答案)B、存儲(chǔ)應(yīng)用程序(正確答案)C、存儲(chǔ)用戶數(shù)據(jù)(正確答案)D、作為運(yùn)行內(nèi)存222.企業(yè)級(jí)SSD中采用NANDFlash的原因有?*A、讀寫(xiě)速度快(正確答案)B、可靠性高(正確答案)C、抗震性好(正確答案)D、功耗低(正確答案)223.適合采用SLCNANDFlash的設(shè)備有?*A、工業(yè)控制設(shè)備(正確答案)B、智能手表(正確答案)C、企業(yè)級(jí)SSD(正確答案)D、U盤(pán)224.數(shù)據(jù)中心中使用NANDFlash的好處有?*A、提高數(shù)據(jù)處理速度(正確答案)B、降低能耗(正確答案)C、減少占地面積(正確答案)D、提高數(shù)據(jù)可靠性(正確答案)225.車載電子中NANDFlash需要具備的特性有?*A、寬溫工作范圍(正確答案)B、高可靠性(正確答案)C、長(zhǎng)壽命(正確答案)D、抗振動(dòng)(正確答案)226.全球主要的NANDFlash廠商有?*A、三星(正確答案)B、鎧俠(東芝)(正確答案)C、美光(正確答案)D、長(zhǎng)江存儲(chǔ)(正確答案)227.近年來(lái)NANDFlash技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)包括?*A、3DNAND堆疊層數(shù)增加(正確答案)B、存儲(chǔ)密度提高(正確答案)C、讀寫(xiě)速度提升(正確答案)D、成本下降(正確答案)228.影響NANDFlash價(jià)格的因素有?*A、供需關(guān)系(正確答案)B、技術(shù)迭代(正確答案)C、產(chǎn)能情況(正確答案)D、原材料價(jià)格229.中國(guó)在NANDFlash領(lǐng)域的發(fā)展舉措包括?*A、自主研發(fā)3DNAND技術(shù)(正確答案)B、建設(shè)生產(chǎn)基地(正確答案)C、提高產(chǎn)能(正確答案)D、與國(guó)外廠商合作230.未來(lái)NANDFlash的應(yīng)用需求增長(zhǎng)領(lǐng)域可能有?*A、數(shù)據(jù)中心(正確答案)B、人工智能(正確答案)C、物聯(lián)網(wǎng)(正確答案)D、汽車電子(正確答案)231.NANDFlash的存儲(chǔ)單元排列方式有?*A、矩陣式(正確答案)B、線性式C、堆疊式(正確答案)D、環(huán)形式232.與機(jī)械硬盤(pán)相比,NANDFlash的優(yōu)勢(shì)有?*A、無(wú)機(jī)械部件(正確答案)B、讀寫(xiě)速度快(正確答案)C、抗震性好(正確答案)D、功耗低(正確答案)233.NANDFlash的接口類型包括?*A、SATA(正確答案)B、PCIe(正確答案)C、USB(正確答案)D、IDE234.屬于NANDFlash物理特性的有?*A、尺寸(正確答案)B、重量(正確答案)C、工作溫度范圍(正確答案)D、存儲(chǔ)容量235.NANDFlash的發(fā)展歷程中出現(xiàn)過(guò)的類型有?*A、SLC(正確答案)B、MLC(正確答案)C、TLC(正確答案)D、QLC(正確答案)236.NANDFlash中電荷的存儲(chǔ)與操作涉及?*A、柵極存儲(chǔ)電荷(正確答案)B、注入電荷實(shí)現(xiàn)寫(xiě)入(正確答案)C、釋放電荷實(shí)現(xiàn)擦除(正確答案)D、檢測(cè)電壓實(shí)現(xiàn)讀取(正確答案)237.磨損均衡技術(shù)的作用包括?*A、使各塊擦寫(xiě)次數(shù)均勻(正確答案)B、延長(zhǎng)使用壽命(正確答案)C、提高讀寫(xiě)速度D、減少壞塊產(chǎn)生238.NANDFlash的干擾問(wèn)題包括?*A、編程干擾(正確答案)B、讀取干擾(正確答案)C、擦除干擾(正確答案)D、電壓干擾239.多級(jí)單元NANDFlash實(shí)現(xiàn)多比特存儲(chǔ)的方式有?*A、不同電荷數(shù)量對(duì)應(yīng)不同數(shù)據(jù)(正確答案)B、不同電壓值對(duì)應(yīng)不同數(shù)據(jù)(正確答案)C、不同電阻值對(duì)應(yīng)不同數(shù)據(jù)D、不同電流值對(duì)應(yīng)不同數(shù)據(jù)240.NANDFlash控制器的功能有?*A、壞塊管理(正確答案)B、磨損均衡(正確答案)C、ECC校驗(yàn)(正確答案)D、接口控制(正確答案)241.衡量NANDFlash讀寫(xiě)性能的指標(biāo)有?*A、連續(xù)讀寫(xiě)速度(正確答案)B、隨機(jī)讀寫(xiě)速度(正確答案)C、IOPS(正確答案)D、延遲時(shí)間(正確答案)242.影響NANDFlash壽命的因素有?*A、擦寫(xiě)次數(shù)(正確答案)B、工作溫度(正確答案)C、存儲(chǔ)數(shù)據(jù)類型D、使用方式(正確答案)243.NANDFlash的存儲(chǔ)密度與哪些因素有關(guān)?*A、存儲(chǔ)單元尺寸(正確答案)B、堆疊層數(shù)(正確答案)C、每個(gè)單元存儲(chǔ)的比特?cái)?shù)(正確答案)D、接口類型244.以下關(guān)于NANDFlash功耗的說(shuō)法正確的有?*A、擦除操作功耗較高(正確答案)B、待機(jī)時(shí)功耗較低(正確答案)C、不同類型功耗不同(正確答案)D、讀寫(xiě)速度越快功耗越高245.NANDFlash的塊大小會(huì)影響?*A、擦除速度(正確答案)B、存儲(chǔ)效率(正確答案)C、隨機(jī)寫(xiě)入性能(正確答案)D、成本246.3DNANDFlash的層間連接技術(shù)有?*A、通道孔技術(shù)(正確答案)B、階梯式技術(shù)(正確答案)C、平面連接技術(shù)D、立體連接技術(shù)247.ONFI標(biāo)準(zhǔn)的特點(diǎn)有?*A、開(kāi)放式標(biāo)準(zhǔn)(正確答案)B、支持高速傳輸(正確答案)C、由英特爾和鎂光主導(dǎo)制定(正確答案)D、主要用于移動(dòng)設(shè)備248.UFS3.1相比UFS3.0的提升包括?*A、連續(xù)讀寫(xiě)速度(正確答案)B、隨機(jī)讀寫(xiě)速度(正確答案)C、引入寫(xiě)入增強(qiáng)器(正確答案)D、降低功耗(正確答案)249.不同接口的NANDFlash適用于?*A、SATA接口適用于消費(fèi)級(jí)SSD(正確答案)B、PCIe接口適用于高性能SSD(正確答案)C、ToggleDDR接口適用于企業(yè)級(jí)SSD(正確答案)D、ONFI接口適用于移動(dòng)設(shè)備250.eMMC標(biāo)準(zhǔn)的版本包括?*A、eMMC4.5(正確答案)B、eMMC5.1(正確答案)C、eMMC6.0D、eMMC7.0251.下列屬于DRAM特性的有?*A、易失性(正確答案)B、需定期刷新(正確答案)C、存儲(chǔ)密度高(正確答案)D、速度比SRAM快252.與SRAM相比,DRAM的優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在?*A、成本更低(正確答案)B、功耗更低(正確答案)C、集成度更高(正確答案)D、無(wú)需刷新253.下列關(guān)于隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的說(shuō)法,正確的有?*A、DRAM屬于隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(正確答案)B、隨機(jī)存取指可直接訪問(wèn)任意地址單元(正確答案)C、ROM也屬于隨機(jī)存取存儲(chǔ)器D、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器斷電后數(shù)據(jù)均丟失254.DRAM的“動(dòng)態(tài)”特性帶來(lái)的影響包括?*A、需要刷新電路(正確答案)B、功耗有所增加(正確答案)C、存儲(chǔ)密度提高(正確答案)D、讀寫(xiě)速度加快255.下列存儲(chǔ)器中,斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失的有?*A、DRAM(正確答案)B、SRAM(正確答案)C、硬盤(pán)D、寄存器(正確答案)256.DRAM存儲(chǔ)單元的組成部分包括?*A、晶體管(正確答案)B、電容(正確答案)C、電阻D、電感257.DRAM的刷新操作涉及的步驟有?*A、選中行地址(正確答案)B、讀取數(shù)據(jù)(正確答案)C、重寫(xiě)數(shù)據(jù)(正確答案)D、預(yù)充電258.導(dǎo)致DRAM存儲(chǔ)單元數(shù)據(jù)丟失的原因有?*A、電容漏電(正確答案)B、長(zhǎng)時(shí)間未刷新(正確答案)C、讀取操作D、斷電(正確答案)259.DRAM地址線分時(shí)復(fù)用的優(yōu)點(diǎn)有?*A、減少引腳數(shù)量(正確答案)B、降低成本(正確答案)C、提高集成度(正確答案)D、加快數(shù)據(jù)傳輸260.下列屬于DRAM讀寫(xiě)周期組成部分的有?*A、地址建立時(shí)間(正確答案)B、數(shù)據(jù)傳輸時(shí)間(正確答案)C、預(yù)充電時(shí)間(正確答案)D、刷新時(shí)間261.衡量DRAM性能的關(guān)鍵指標(biāo)包括?*A、存儲(chǔ)容量(正確答案)B、時(shí)鐘頻率(正確答案)C、延遲參數(shù)(正確答案)D、功耗(正確答案)262.DRAM的延遲參數(shù)主要有?*A、CASLatency(正確答案)B、tRCD(正確答案)C、tRP(正確答案)D、tWR(正確答案)263.影響DRAM帶寬的因素有?*A、時(shí)鐘頻率(正確答案)B、位寬(正確答案)C、通道數(shù)(正確答案)D、存儲(chǔ)容量264.下列關(guān)于DRAM功耗的說(shuō)法,正確的有?*A、包括靜態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)功耗(正確答案)B、刷新操作會(huì)產(chǎn)生功耗(正確答案)C、頻率越高,功耗越大(正確答案)D、電壓越低,功耗越小(正確答案)265.雙通道技術(shù)能提高DRAM性能的原因是?*A、增加了位寬(正確答案)B、提高了時(shí)鐘頻率C、數(shù)據(jù)傳輸并行化(正確答案)D、減少了延遲266.DDR系列DRAM相比SDRAM的改進(jìn)有?*A、雙數(shù)據(jù)率傳輸(正確答案)B、更高的時(shí)鐘頻率(正確答案)C、更低的工作電壓(正確答案)D、更大的預(yù)取位數(shù)(正確答案)267.屬于移動(dòng)設(shè)備專用DRAM類型的有?*A、LPDDR4(正確答案)B、LPDDR5(正確答案)C、GDDR6D、DDR4268.DDR5相比DDR4的提升包括?*A、更高的帶寬(正確答案)B、片上ECC(正確答案)C、更低的功耗(正確答案)D、多秩刷新(正確答案)269.ECCDRAM的特點(diǎn)有?*A、能檢測(cè)錯(cuò)誤(正確答案)B、能糾正部分錯(cuò)誤(正確答案)C、主要用于服務(wù)器(正確答案)D、容量比普通DRAM大270.GDDR系列DRAM的應(yīng)用場(chǎng)景包括?*A、顯卡(正確答案)B、游戲主機(jī)(正確答案)C、高性能計(jì)算(正確答案)D、移動(dòng)電話271.服務(wù)器中DRAM的特點(diǎn)有?*A、容量大(正確答案)B、支持ECC(正確答案)C、多通道(正確答案)D、低功耗272.移動(dòng)設(shè)備對(duì)DRAM的要求有?*A、低功耗(正確答案)B、小體積(正確答案)C、高帶寬(正確答案)D、大容量273.下列應(yīng)用中,對(duì)DRAM帶寬要求較高的有?*A、視頻編輯(正確答案)B、3D游戲(正確答案)C、人工智能訓(xùn)練(正確答案)D、文字處理274.汽車電子中DRAM需要滿足的條件有?*A、寬溫范圍(正確答案)B、高可靠性(正確答案)C、抗振動(dòng)(正確答案)D、低延遲275.云計(jì)算數(shù)據(jù)中心中DRAM的作用包括?*A、緩存數(shù)據(jù)(正確答案)B、運(yùn)行虛擬機(jī)(正確答案)C、臨時(shí)存儲(chǔ)計(jì)算結(jié)果(正確答案)D、長(zhǎng)期存儲(chǔ)用戶數(shù)據(jù)276.全球主要的DRAM制造商有?*A、三星(正確答案)B、美光(正確答案)C、SK海力士(正確答案)D、東芝277.影響DRAM價(jià)格的因素有?*A、供需關(guān)系(正確答案)B、技術(shù)更新(正確答案)C、原材料價(jià)格(正確答案)D、市場(chǎng)周期(正確答案)278.DRAM技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)有?*A、更高的制程工藝(正確答案)B、三維堆疊(正確答案)C、與邏輯芯片集成(正確答案)D、更低的功耗(正確答案)279.中國(guó)在DRAM領(lǐng)域的發(fā)展舉措包括?*A、自主研發(fā)(正確答案)B、建廠量產(chǎn)(正確答案)C、政策支持(正確答案)D、國(guó)際合作(正確答案)280.可能推動(dòng)DRAM需求增長(zhǎng)的領(lǐng)域有?*A、5G通信(正確答案)B、人工智能(正確答案)C、數(shù)據(jù)中心(正確答案)D、物聯(lián)網(wǎng)(正確答案)281.DRAM與NAND閃存的區(qū)別有?*A、前者易失性,后者非易失性(正確答案)B、前者速度快,后者容量大(正確答案)C、前者需刷新,后者無(wú)需刷新(正確答案)D、前者成本高,后者成本低(正確答案)282.下列屬于DRAM時(shí)序參數(shù)的有?*A、CAS延遲(正確答案)B、行到列延遲(正確答案)C、預(yù)充電時(shí)間(正確答案)D、刷新周期(正確答案)283.DDR4與DDR3的區(qū)別有?*A、工作電壓不同(正確答案)B、預(yù)取位數(shù)不同C、針腳數(shù)不同(正確答案)D、帶寬不同(正確答案)284.影響DRAM存儲(chǔ)密度的因素有?*A、制程工藝(正確答案)B、存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)(正確答案)C、芯片面積(正確答案)D、工作電壓285.下列關(guān)于LPDDR的說(shuō)法,正確的有?*A、專為移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)(正確答案)B、功耗低于普通DDR(正確答案)C、帶寬與普通DDR相當(dāng)(正確答案)D、體積更小(正確答案)286.DRAM的刷新方式包括?*A、集中刷新(正確答案)B、分散刷新(正確答案)C、異步刷新(正確答案)D、同步刷新287.下列操作會(huì)影響DRAM數(shù)據(jù)的有?*A、寫(xiě)入數(shù)據(jù)(正確答案)B、斷電(正確答案)C、長(zhǎng)時(shí)間不刷新(正確答案)D、讀取數(shù)據(jù)后未重寫(xiě)(正確答案)288.提高DRAM性能的技術(shù)有?*A、多通道(正確答案)B、更高頻率(正確答案)C、更大預(yù)取位數(shù)(正確答案)D、降低延遲(正確答案)289.下列DRAM類型中,支持雙數(shù)據(jù)率的有?*A、DDR(正確答案)B、DDR2(正確答案)C、DDR3(正確答案)D、SDRAM290.嵌入式系統(tǒng)中DRAM的特點(diǎn)有?*A、定制化(正確答案)B、與處理器集成(正確答案)C、低功耗(正確答案)D、小容量291.下列關(guān)于DRAM制造工藝的說(shuō)法,正確的有?*A、制程越先進(jìn),集成度越高(正確答案)B、光刻技術(shù)影響良率(正確答案)C、金屬層越多,布線越復(fù)雜(正確答案)D、先進(jìn)制程可降低功耗(正確答案)292.DRAM在人工智能領(lǐng)域的應(yīng)用包括?*A、臨時(shí)存儲(chǔ)訓(xùn)練數(shù)據(jù)(正確答案)B、緩存神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)參數(shù)(正確答案)C、加速矩陣運(yùn)算(正確答案)D、長(zhǎng)期保存模型293.下列因素中,會(huì)導(dǎo)致DRAM需求增加的有?*A、新設(shè)備發(fā)布(正確答案)B、數(shù)據(jù)中心擴(kuò)建(正確答案)C、技術(shù)升級(jí)(正確答案)D、價(jià)格上漲294.DDR系列DRAM的預(yù)取位數(shù)分別為?*A、DDR:2位(正確答案)B、DDR2:4位(正確答案)C、DDR3:8位(正確答案)D、DDR5:16位(正確答案)295.下列關(guān)于DRAM功耗的說(shuō)法,正確的有?*A、刷新功耗與刷新頻率成正比(正確答案)B、動(dòng)態(tài)功耗與頻率成正比(正確答案)C、電壓降低可顯著降低功耗(正確答案)D、靜態(tài)功耗與溫度有關(guān)(正確答案)296.邊緣計(jì)算設(shè)備中DRAM的特點(diǎn)有?*A、平衡功耗與性能(正確答案)B、中等容量(正確答案)C、支持實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)處理(正確答案)D、高可靠性(正確答案)297.DRAM市場(chǎng)的周期性表現(xiàn)為?*A、供需失衡(正確答案)B、價(jià)格波動(dòng)(正確答案)C、產(chǎn)能調(diào)整(正確答案)D、技術(shù)迭代(正確答案)298.下列關(guān)于GDDR的說(shuō)法,正確的有?*A、專為圖形處理設(shè)計(jì)(正確答案)B、帶寬高(正確答案)C、延遲比DDR高(正確答案)D、功耗比DDR低299.未來(lái)DRAM可能的發(fā)展方向有?*A、存算一體(正確答案)B、更高集成度(正確答案)C、與NAND融合(正確答案)D、完全被替代300.下列應(yīng)用中,需要大容量DRAM的有?*A、超級(jí)計(jì)算機(jī)(正確答案)B、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器(正確答案)C、智能手機(jī)D、嵌入式傳感器三、判斷題301.NANDFlash屬于非易失性存儲(chǔ)。()答案：正確(正確答案)302.NANDFlash的讀寫(xiě)速度比NORFlash快。()答案：錯(cuò)誤(正確答案)303.NANDFlash以頁(yè)為單位進(jìn)行擦除。()答案：錯(cuò)誤(正確答案)304.NANDFlash和NORFlash都是閃存的一種。()答案：正確(正確答案)305.NANDFlash的存儲(chǔ)密度通常比硬盤(pán)低。()答案：錯(cuò)誤(正確答案)306.NANDFlash的存儲(chǔ)單元通過(guò)電荷數(shù)量來(lái)表示數(shù)據(jù)。()答案：正確(正確答案)307.NANDFlash的擦除操作是將存儲(chǔ)單元中的電荷全部釋放。()答案：正確(正確答案)308.NANDFlash的寫(xiě)入操作可以直接在已有數(shù)據(jù)的頁(yè)上進(jìn)行。()答案：錯(cuò)誤(正確答案)309.3DNANDFlash的存儲(chǔ)單元是平面排列的。()答案：錯(cuò)誤(正確答案)310.磨損均衡技術(shù)可以延長(zhǎng)NANDFlash的使用壽命。()答案：正確(正確答案)311.SLCNANDFlash的擦寫(xiě)次數(shù)比MLC多。()答案：正確(正確答案)312.NANDFlash的IOPS值越高,隨機(jī)讀寫(xiě)性能越好。()答案：正確(正確答案)313.存儲(chǔ)密度是衡量NANDFlash性能的重要指標(biāo)之一。()答案：正確(正確答案)314.NANDFlash的連續(xù)讀寫(xiě)速度通常比隨機(jī)讀寫(xiě)速度慢。()答案：錯(cuò)誤(正確答案)315.不同類型的NANDFlash功耗相同。()答案：錯(cuò)誤(正確答案)316.MLCNANDFlash每個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)2位數(shù)據(jù)。()答案：正確(正確答案)317.UFS標(biāo)準(zhǔn)的傳輸速度比eMMC慢。()答案：錯(cuò)誤(正確答案)318.3DNANDFlash解決了2DNANDFlash存儲(chǔ)密度的限制。()答案：正確(正確答案)319.ONFI是NANDFlash的一種接口標(biāo)準(zhǔn)。()答案：正確(正確答案)320.eMMC集成了NANDFlash芯片和控制器。()答案：正確(正確答案)321.智能手機(jī)中廣泛使用NANDFlash作為存儲(chǔ)介質(zhì)。()答案：正確(正確答案)322.企業(yè)級(jí)SSD通常采用SLC或MLCNANDFlash。()答案：正確(正確答案)323.物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中NANDFlash主要用于提供計(jì)算能力。()答案：錯(cuò)誤(正確答案)324.車載電子中的NANDFlash不需要考慮寬溫工作范圍。()答案：錯(cuò)誤(正確答案)325.數(shù)據(jù)中心使用NANDFlash可以提高數(shù)據(jù)處理速度。()答案：正確(正確答案)326.三星是全球NANDFlash市場(chǎng)份額最高的廠商之一。()答案：正確(正確答案)327.近年來(lái)3DNANDFlash逐漸取代2DNANDFlash。()答案：正確(正確答案)328.NANDFlash的價(jià)格不受供需關(guān)系影響。()答案：錯(cuò)誤(正確答案)329.長(zhǎng)江存儲(chǔ)是中國(guó)本土的NANDFlash廠商。()答案：正確(正確答案)330.未來(lái)NANDFlash在人工智能領(lǐng)域的需求可能會(huì)下降。()答案：錯(cuò)誤(正確答案)331.NANDFlash斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失。()答案：錯(cuò)誤(正確答案)332.NANDFlash的內(nèi)部電路包含與非門(mén)結(jié)構(gòu)。()答案：正確(正確答案)333.NANDFlash的成本通常比NORFlash低。()答案：正確(正確答案)334.最早發(fā)明NANDFlash的公司是英特爾。()答案：錯(cuò)誤(正確答案)335.NANDFlash由存儲(chǔ)單元陣列、控制邏輯和接口電路等組成。()答案：正確(正確答案)336.NANDFlash的讀取操作是通過(guò)檢測(cè)存儲(chǔ)單元的電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)的。()答案：正確(正確答案)337.壞塊的產(chǎn)生是NANDFlash正常使用過(guò)程中不可避免的。()答案：正確(正確答案)338.NANDFlash的編程干擾會(huì)隨著編程次數(shù)增加而加劇。()答案：正確(正確答案)339.多級(jí)單元NANDFlash的存儲(chǔ)密度比單級(jí)單元低。()答案：