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團體標(biāo)準(zhǔn)
T/CAMSXXXXX—XXXX
微機電系統(tǒng)(MEMS)半導(dǎo)體氣敏元件穩(wěn)定
性快速評價方法
StabilityRapidEvaluationMethodOfMEMSSemiconductorGasSensors
(征求意見稿)
在提交反饋意見時,請將您知道的相關(guān)專利連同支持性文件一并附上。
XXXX-XX-XX發(fā)布XXXX-XX-XX實施
中國機械工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會發(fā)布
T/CAMSXXXXX—XXXX
微機電系統(tǒng)(MEMS)半導(dǎo)體氣敏元件穩(wěn)定性快速評價方法
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了微機電系統(tǒng)(MEMS)半導(dǎo)體氣敏元件穩(wěn)定性快速評價方法的試驗要求、試驗條件、試
驗步驟、試驗結(jié)果分析等內(nèi)容。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中,注日期的引用文件,
僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改單)適用于本
文件。
GB/T7665-2005傳感器通用術(shù)語
GB/T4475-1995敏感元器件術(shù)語
GB/T26111-2023微機電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)術(shù)語
GB/T15652-1995金屬氧化物半導(dǎo)體氣敏元件總規(guī)范
GB/T15653-1996金屬氧化物半導(dǎo)體氣敏元件測試方法
SJ20079金屬氧化物半導(dǎo)體氣敏元件試驗方法
QJ908B-2012電子產(chǎn)品老煉試驗方法
GB/T1772-1979電子元器件失效率試驗方法
3術(shù)語和定義
GB/T7665-2005、GB/T4475-1995、GB/T26111-2023、GB/T15652-1995界定的以及下列術(shù)語和定
義適用于本文件。
微機電系統(tǒng)(MEMS)micro-electromechanicalsystem
關(guān)鍵(部件)特征尺寸在亞微米至亞毫米之間,能獨立完成機電光等功能的系統(tǒng)。
氣敏元件gassensor
電參數(shù)隨環(huán)境氣體種類或濃度變化而變化的敏感元器件。
半導(dǎo)體氣敏元件semiconductorgassensor
用半導(dǎo)體材料制成的氣敏元件。
穩(wěn)定性stability
在所有其他條件都相同時,敏感元件保持其性能特征隨時間變化而恒定的能力。
4試驗要求
試驗原理
穩(wěn)定性測試的實質(zhì)是考察氣敏元件基線電阻與敏感性的變化情況。對于基線電阻,實際使用中對其
影響最大的因素就是熱沖擊。常規(guī)氣敏元件穩(wěn)定性測試試驗需要較長的通電時間。較高的工作溫度和頻
繁的溫度驟變有利于加快氣敏材料的穩(wěn)定性測試。
試驗類型
3
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電壓過載試驗:通過調(diào)節(jié)輸入更高的電壓,使氣敏元件的工作溫度處于較高水平,模擬長期使用,
實現(xiàn)加速。
脈沖電壓試驗:通過調(diào)節(jié)輸入電壓的循環(huán)頻率,使氣敏元件溫度不斷高低交替變化,模擬長期使用,
實現(xiàn)加速。
試驗項目的選取
產(chǎn)品開展試驗前,應(yīng)根據(jù)其使用環(huán)境、檢測氣體、氣敏材料類型、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、壽命等特點和型號要
求制定對應(yīng)的試驗方法大綱,可選取4.2中的一種或兩種試驗類型組合開展試驗。
受試產(chǎn)品
受試產(chǎn)品要求如下:
a)原則上受試產(chǎn)品出廠前,均應(yīng)開展老化試驗;
b)進行穩(wěn)定性測試試驗的產(chǎn)品,應(yīng)為測試合格的產(chǎn)品;
5試驗條件
基本條件
5.1.1試驗環(huán)境條件
無特殊條件規(guī)定,氣體傳感器穩(wěn)定性評價試驗應(yīng)在GB2421規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)大氣條件下進行。清潔空氣
的要求應(yīng)按符合GB3095中規(guī)定的2級環(huán)境空氣標(biāo)準(zhǔn)。并符合以下條件:
a)溫度:15~35℃;
b)相對濕度:45%~75%;
c)氣壓:86~106kPa;
環(huán)境條件容許誤差:
a)環(huán)境濕度:在試驗過程中,環(huán)境溫度變化不應(yīng)超過±2℃;
b)相對濕度:在試驗過程中,相對濕度變化不應(yīng)超過±5℃;
c)氣壓:在試驗過程中,大氣壓力變化不應(yīng)超過±5%。
5.1.2試驗用氣體標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)
氣體標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì),不確定度應(yīng)不大于2%。
采用特征氣體標(biāo)準(zhǔn)氣樣檢測時,其濃度誤差應(yīng)符合表1的規(guī)定
表1濃度容許誤差
標(biāo)準(zhǔn)氣樣濃度(1×10-6)容許誤差%
≤100±20
100-1000±10
1000-5000±5
>5000±5
5.1.3試驗設(shè)備
a)用于測試受試產(chǎn)品的專用測試儀器應(yīng)是計量部門檢定合格的產(chǎn)品,并在有效使用期內(nèi);
b)用于試驗的通用設(shè)備,如:電源、測試儀器儀表等應(yīng)符合技術(shù)文件要求,應(yīng)有計量部門檢定的
合格標(biāo)識,并在有效期內(nèi);
c)用于穩(wěn)定性測試試驗的試驗箱、配氣系統(tǒng)等專用裝置,應(yīng)滿足試驗大綱中規(guī)定的技術(shù)需求。
6試驗文件
試驗文件依據(jù)產(chǎn)品技術(shù)條件或試驗大綱要求,一般包括以下內(nèi)容:
4
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a)受試產(chǎn)品、測試設(shè)備、測試儀器、儀表及測試軟件要求;
b)試驗線路連接框圖;
c)試驗條件參數(shù);
d)試驗檢測項目、參數(shù)、數(shù)據(jù)采集格式及記錄要求;
e)試驗程序;
f)試驗注意事項;
g)試驗數(shù)據(jù)處理及評定要求;
h)試驗結(jié)果分析。
7試驗方法
試驗準(zhǔn)備
試驗開始前,應(yīng)開展如下試驗準(zhǔn)備:
a)檢查試驗文件、受試產(chǎn)品、試驗設(shè)備、測試儀器、試驗環(huán)境等均應(yīng)符合要求。
b)按照受試產(chǎn)品技術(shù)文件要求,開展產(chǎn)品性能測試,產(chǎn)品性能正常。
c)專用測試設(shè)備、通用測試儀器通電自檢正常后斷電。
電壓過載試驗
7.2.1試驗參數(shù)
對電壓過載試驗而言,影響試驗效果的主要參數(shù)有:
a)電壓載荷
電壓載荷值主要影響受試產(chǎn)品的工作溫度。電壓載荷過載范圍應(yīng)使受試產(chǎn)品工作溫度提高,同時不
使受試產(chǎn)品失效。電壓載荷的建議值為:比常規(guī)穩(wěn)定性測試試驗時電壓高10%~20%。
b)載荷時間
施加過載電壓時保持的時間。加載時間應(yīng)持續(xù)直至受試產(chǎn)品達(dá)到常規(guī)試驗后規(guī)定的波動偏差范圍
為止。
電壓過載試驗加載曲線如圖1所示。
電壓
V高壓電壓過載試驗
V常規(guī)常規(guī)試驗
時間
圖1電壓過載試驗加載曲線
7.2.2試驗步驟
電壓過載試驗的試驗步驟如下所述:
a)將受試產(chǎn)品放置在氣敏測試腔室內(nèi),連接電壓過載試驗裝置與氣敏測試系統(tǒng)并調(diào)試成功;
b)在規(guī)定的使用環(huán)境下,氣敏測試腔室內(nèi)通入潔凈空氣,接通電源并給受試產(chǎn)品施加額定加熱電
壓,進行受試產(chǎn)品的預(yù)熱穩(wěn)定,時間不少于48小時;
c)設(shè)置試驗參數(shù)(電壓載荷,載荷時間),進行電壓過載試驗,實時記錄受試產(chǎn)品的性能參數(shù),
并換算成穩(wěn)定性波動偏差范圍;
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d)受試產(chǎn)品穩(wěn)定性達(dá)到常規(guī)試驗后的波動偏差范圍內(nèi)時試驗結(jié)束,按產(chǎn)品技術(shù)文件要求全面檢
測受試產(chǎn)品的性能參數(shù)。
脈沖電壓試驗
7.3.1試驗參數(shù)
對脈沖電壓試驗而言,影響試驗效果的主要參數(shù)有:
a)電壓載荷
脈沖電壓載荷按照高電壓、低電壓不斷循環(huán)的方式施加。高電壓可采用與常規(guī)試驗相同電壓,低電
壓亦可采用斷電的方式。
b)載荷時間
單次脈沖施加電壓載荷時保持的時間。載荷時間需要根據(jù)試驗和仿真,得出受試產(chǎn)品達(dá)到常規(guī)穩(wěn)定
試驗相同穩(wěn)定狀態(tài)所需的最短反應(yīng)時間。
c)加載次數(shù)
施加脈沖電壓循環(huán)的次數(shù)。加載次數(shù)應(yīng)持續(xù)直至受試產(chǎn)品穩(wěn)定性達(dá)到常規(guī)試驗后規(guī)定的波動偏差
范圍為止。
脈沖電壓試驗加載曲線如圖2所示。
電壓
t1t1
V高壓t1
...
V低壓
t2t2t2
時間
圖2脈沖電壓試驗加載曲線
7.3.2試驗步驟
脈沖電壓試驗的試驗步驟如下所述:
a)將受試產(chǎn)品放置在氣敏測試腔室內(nèi),連接脈沖電壓試驗裝置與氣敏測試系統(tǒng)并調(diào)試成功;
b)在規(guī)定的使用環(huán)境下,氣敏測試腔室內(nèi)通入潔凈空氣,接通電源并給受試產(chǎn)品施加額定加熱電
壓,進行受試產(chǎn)品的預(yù)熱穩(wěn)定,時間不少于48小時
c)設(shè)置試驗參數(shù)(電壓載荷、載荷時間、加載次數(shù)),進行脈沖電壓試驗,并實時記錄受試產(chǎn)品
的性能參數(shù),并換算成穩(wěn)定性波動偏差范圍;
d)受試產(chǎn)品穩(wěn)定性達(dá)到常規(guī)試驗后的波動偏差范圍內(nèi)時試驗結(jié)束,按產(chǎn)品技術(shù)文件要求全面檢
測受試產(chǎn)品的性能參數(shù)。
8數(shù)據(jù)處理及結(jié)果分析
數(shù)據(jù)處理
試驗結(jié)束后,應(yīng)整理試驗數(shù)據(jù),并將試驗結(jié)果歸檔。
結(jié)果分析
經(jīng)過試驗后的受試產(chǎn)品,應(yīng)與常規(guī)穩(wěn)定性測試試驗數(shù)據(jù)比對,分析受試產(chǎn)品的穩(wěn)定性快速評價所需
時間和常規(guī)試驗所需時間的關(guān)系,獲得穩(wěn)定性快速評價的試驗參數(shù)和對應(yīng)的快速評價時間。
6
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8.2.1穩(wěn)定性評價
氣敏元件穩(wěn)定性的好壞可以用相對波動偏差來描述
∑?(?)2
√?=1????
??=??1×100%
???
式中:
?——穩(wěn)定性檢定期間內(nèi)氣敏元件測量點的個數(shù);
??——穩(wěn)定性檢定期間內(nèi)氣敏元件第i次測量的結(jié)果;
??——穩(wěn)定性檢定期間內(nèi)氣敏元件n次測量的結(jié)果的平均值。
8.2.2穩(wěn)定性快速評價
MEMS半導(dǎo)體氣敏元件穩(wěn)定性快速評價方法系統(tǒng)流程示意圖如圖3所示。
圖3MEMS半導(dǎo)體氣敏元件穩(wěn)定性快速評價系統(tǒng)流程圖
7
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參考文獻
[1]劉璽,楊楠,孫延玉等.催化燃燒式氣體傳感器加速穩(wěn)定方法研究[J].傳感器與微系統(tǒng),2021,40(04):52-54+58.
DOI:10.13873/J.1000-9787(2021)04-0052-03.
[2]胡恩平,羅興柏.氣體傳感器加速壽命試驗方法研究[J].傳感器世界,2000(07):10-13.
DOI:10.16204/ki.sw.2000.07.003.
[3]魏廣芬,唐禎安,陳正豪等.微氣體傳感器的穩(wěn)定性測試研究[J].中國機械工程,2005(14):1247-1250.
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團體標(biāo)準(zhǔn)《微機電系統(tǒng)(MEMS)半導(dǎo)體氣敏元件穩(wěn)定
性快速評價方法》(征求意見稿)編制說明
一、工作簡況
1、任務(wù)來源
本項目根據(jù)2023年10月27日中國機械工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會下發(fā)的“關(guān)于印發(fā)2023
年第六批團體標(biāo)準(zhǔn)制修訂計劃的通知”(中機標(biāo)字[2023]33號)的文件制定,計劃編號
CAMS2023035,標(biāo)準(zhǔn)項目名稱:微機電系統(tǒng)(MEMS)半導(dǎo)體氣敏元件穩(wěn)定性快速評價
方法,標(biāo)準(zhǔn)起草牽頭單位:機械工業(yè)儀器儀表綜合技術(shù)經(jīng)濟研究所,標(biāo)準(zhǔn)制定周期12個
月。
2、主要工作過程
起草(草案、調(diào)研)階段:氣敏元件是識別氣體種類和濃度的敏感元器件,其中微機
電系統(tǒng)(MEMS)半導(dǎo)體氣敏元件由于具有低成本、低功耗、高靈敏度、快速響應(yīng)等特點
受到廣泛應(yīng)用。氣敏元件的穩(wěn)定性是指氣敏元件使用一段時間后,其性能保持不變化的能
力。影響氣敏元件長期穩(wěn)定性的因素復(fù)雜,既包括氣敏元件本身結(jié)構(gòu)的不穩(wěn)定性,也包括
氣敏元件抵抗外界變化的穩(wěn)定性。由于氣敏元件在工作過程中,敏感材料長期處于較高溫
度工作環(huán)境中,當(dāng)目標(biāo)氣體在敏感材料表面發(fā)生燃燒反應(yīng)時,短時間內(nèi)要放出大量的熱
量,使材料溫度迅速升高,這些迅速增加的熱量使得敏感材料相當(dāng)于再次處于燒結(jié)環(huán)境
中,必然會造成材料粒徑的團聚和生長,從而使其靈敏度變化。當(dāng)前常規(guī)穩(wěn)定性測試需要
連續(xù)監(jiān)測氣敏元件數(shù)月甚至更長時間,以確保獲得可靠的數(shù)據(jù)。較高的工作溫度和頻繁的
溫度驟變有利于加快氣敏材料的穩(wěn)定性測試,據(jù)此原理,通過分析過載和循環(huán)兩種不同熱
誘導(dǎo)方式對氣敏元件穩(wěn)定性變化的加速作用機理,可為氣敏元件研制企業(yè)提供最優(yōu)的穩(wěn)
定性試驗方案。因此亟需建立一種氣敏元件的穩(wěn)定性快速試驗方法,形成相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)
范,實現(xiàn)縮短對氣敏元件穩(wěn)定性評價時間的目的。但目前尚無相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)對其試驗方法進
行規(guī)范。根據(jù)MEMS半導(dǎo)體氣敏元件應(yīng)用現(xiàn)狀,為引導(dǎo)產(chǎn)品生產(chǎn),促進關(guān)行業(yè)的健康發(fā)
展,中國機械工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會提出制定團體標(biāo)準(zhǔn)的建議,成立了標(biāo)準(zhǔn)起草工作組,起
草單位包括:機械工業(yè)儀器儀表綜合技術(shù)經(jīng)濟研究所、蘇州慧聞納米科技有限公司、中國
科學(xué)院空天信息創(chuàng)新研究院、北京航空航天大學(xué)、吉林大學(xué)、北京信息科技大學(xué)、中國電
子科技集團公司第四十九研究所。標(biāo)準(zhǔn)起草工作組經(jīng)過研究,確定了工作方案,提出了進
-1-
度安排。工作組經(jīng)過對市場上現(xiàn)有試驗方法情況等的調(diào)研分析,在對資料收集和對比分析
研究基礎(chǔ)上、參考其他MEMS金屬氧化物半導(dǎo)體氣敏元件試驗方法資料,通過全面地總
結(jié)和歸納,確立了該標(biāo)準(zhǔn)的制訂原則和標(biāo)準(zhǔn)的框架,在此基礎(chǔ)上編制了《微機電系統(tǒng)
(MEMS)半導(dǎo)體氣敏元件穩(wěn)定性快速評價方法》標(biāo)準(zhǔn)工作組討論初稿。
3、主要參加單位
本標(biāo)準(zhǔn)由中國機械工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會提出。
本標(biāo)準(zhǔn)由中國機械工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會儀器儀表及自動化專業(yè)委員會歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:機械工業(yè)儀器儀表綜合技術(shù)經(jīng)濟研究所、蘇州慧聞納米科技有限公
司、中國科學(xué)院空天信息創(chuàng)新研究院、北京航空航天大學(xué)、吉林大學(xué)、北京信息科技大學(xué)、
中國電子科技集團公司第四十九研究所
二、標(biāo)準(zhǔn)編制原則和主要內(nèi)容的確定依據(jù)
1、標(biāo)準(zhǔn)編制原則
本標(biāo)準(zhǔn)在制定工作中遵循“面向市場、服務(wù)產(chǎn)業(yè)、自主制定、適時推出、及時修訂、
不斷完善”的原則,標(biāo)準(zhǔn)制定與技術(shù)創(chuàng)新、試驗驗證、產(chǎn)業(yè)推進、應(yīng)用推廣相結(jié)合,統(tǒng)籌
推進。
本標(biāo)準(zhǔn)在結(jié)構(gòu)編寫和內(nèi)容編排等方面依據(jù)GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1
部分:標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》進行編寫。在確定本標(biāo)準(zhǔn)主要技術(shù)性能指標(biāo)時,綜
合考慮MEMS半導(dǎo)體氣敏元件生產(chǎn)企業(yè)的狀況和用戶的利益,尋求最大的經(jīng)濟、社會效
益,充分體現(xiàn)了標(biāo)準(zhǔn)在技術(shù)上的先進性和技術(shù)上的合理性。
2、標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容的確定
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了MEMS半導(dǎo)體氣敏元件穩(wěn)定性快速評價方法的試驗要求、試驗條件、
試驗步驟、試驗結(jié)果分析等內(nèi)容。
氣敏元件穩(wěn)定性評價需要較長的通電時間,往往以年為單位來計。該標(biāo)準(zhǔn)確立了一種
快速評價穩(wěn)定性的方法,在試驗步驟方面主要提出了利用電壓過載和脈沖電壓兩項試驗,
其原理是通過循環(huán)和過載兩種不同熱誘導(dǎo)方式使氣敏元件穩(wěn)定性加速變化。較高的工作
溫度和頻繁的溫度驟變有利于加快氣敏材料粒徑的團聚和生長,從而使其靈敏度快速變
化。
3、確定主要技術(shù)內(nèi)容的依據(jù)
-2-
具體內(nèi)容的確定主要考慮了MEMS半導(dǎo)體氣敏元件的實際生產(chǎn)使用情況,尤其是穩(wěn)
定性試驗通電測試和實際應(yīng)用中的穩(wěn)定性狀況。
試驗步驟及參數(shù)要求:由于各MEMS半導(dǎo)體氣敏元件的氣敏材料和結(jié)構(gòu)設(shè)計各不相
同,因此沒有規(guī)定試驗的具體參數(shù),僅對試驗步驟提出要求。試驗參考《GB/T15653-1996
金屬氧化物半導(dǎo)體氣敏元件測試方法》《SJ20079金屬氧化物半導(dǎo)體氣敏元件試驗方法》。
4、解決的主要問題
本標(biāo)準(zhǔn)系首次制定。
本標(biāo)準(zhǔn)填補了MEMS半導(dǎo)體氣敏元件穩(wěn)定性快速評價方法的標(biāo)準(zhǔn)空白,建立了系統(tǒng)
科學(xué)的MEMS半導(dǎo)體氣敏元件穩(wěn)定性快
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