高考化學(xué)物質(zhì)的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)專項(xiàng)訓(xùn)練與熱點(diǎn)解答題組合練附解析一、物質(zhì)的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的綜合性考察1．我國(guó)科學(xué)家最近成功合成了世界上首個(gè)五氮陰離子鹽(N5)6(H3O)3(NH4)4Cl（用R代表）?；卮鹣铝袉?wèn)題：(1)氮原子價(jià)層電子的軌道表達(dá)式（電子排布圖）為_(kāi)____________。(2)元素的基態(tài)氣態(tài)原子得到一個(gè)電子形成氣態(tài)負(fù)一價(jià)離子時(shí)所放出的能量稱作第一電子親和能（E1）。第二周期部分元素的E1變化趨勢(shì)如圖（a）所示，其中除氮元素外，其他元素的E1自左而右依次增大的原因是___________；氮元素的E1呈現(xiàn)異常的原因是__________。(3)經(jīng)X射線衍射測(cè)得化合物R的晶體結(jié)構(gòu)，其局部結(jié)構(gòu)如圖（b）所示。①?gòu)慕Y(jié)構(gòu)角度分析，R中兩種陽(yáng)離子的相同之處為_(kāi)________，不同之處為_(kāi)_________。（填標(biāo)號(hào)）A．中心原子的雜化軌道類型B．中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)C．立體結(jié)構(gòu)D．共價(jià)鍵類型②R中陰離子N5中的σ鍵總數(shù)為_(kāi)_______個(gè)。分子中的大π鍵可用符號(hào)表示，其中m代表參與形成大π鍵的原子數(shù)，n代表參與形成大π鍵的電子數(shù)（如苯分子中的大π鍵可表示為），則N5—中的大π鍵應(yīng)表示為_(kāi)___________。③圖（b）中虛線代表氫鍵，其表示式為(NH4+)N?H…Cl、____________、____________。(4)R的晶體密度為dg·cm?3，其立方晶胞參數(shù)為anm，晶胞中含有y個(gè)單元，該單元的相對(duì)質(zhì)量為M，則y的計(jì)算表達(dá)式為_(kāi)_____________。2．2020年，自修復(fù)材料、自適應(yīng)材料、新型傳感材料等智能材料技術(shù)將大量涌現(xiàn)，為生物醫(yī)療、國(guó)防軍事以及航空航天等領(lǐng)域發(fā)展提供支撐。（1）我國(guó)科研工作者基于丁二酮肟氨酯基團(tuán)的多重反應(yīng)性，研制了一種強(qiáng)韌、自愈的超級(jí)防護(hù)材料，其中的分子機(jī)制如圖所示。Cu在元素周期表中位于_____區(qū)，M層中核外電子能量最高的電子云在空間有_____個(gè)伸展方向。C、N、O第一電離能由大到小的順序?yàn)開(kāi)____________（2）氧化石墨烯基水凝膠是一類新型復(fù)合材料，對(duì)氧化石墨烯進(jìn)行還原可得到還原氧化石墨烯，二者的結(jié)構(gòu)如圖所示：還原石墨烯中碳原子的雜化形式是______，上圖中氧化石墨烯轉(zhuǎn)化為還原石墨烯時(shí)，1號(hào)C與其相鄰C原子間鍵能的變化是_____________（填“變大”、“變小”或“不變”），二者當(dāng)中在水溶液中溶解度更大的是____________（填物質(zhì)名稱），原因?yàn)開(kāi)_________________（3）砷化硼是近期受到廣泛關(guān)注一種III—V半導(dǎo)體材料。砷化硼為立方晶系晶體，該晶胞中原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為：B：（0，0，0）；（，，0）；（，0，）；（0，，）；……As：（，，）；（，，）；（，，）；（，，）請(qǐng)?jiān)趫D中畫出砷化硼晶胞的俯視圖___________，已知晶體密度為dg/cm3，As半徑為apm，假設(shè)As、B原子相切，則B原子的半徑為_(kāi)________pm（寫計(jì)算表達(dá)式）。3．國(guó)慶70周年閱兵式展示了我國(guó)研制的各種導(dǎo)彈。導(dǎo)彈之所以有神奇的命中率，與材料息息相關(guān)，鎵(Ga)、鍺(Ge)、硅(Si)、硒(Se)的單質(zhì)及某些化合物(如砷化鎵、磷化鎵等)都是常用的半導(dǎo)體材料?；卮鹣铝袉?wèn)題：（1）硒常用作光敏材料，基態(tài)硒原子的核外電子排布式為[Ar]__。（2）根據(jù)元素周期律，原子半徑Ga__As，第一電離能Ga__As。(填“大于”或“小于”)（3）水晶的主要成分是二氧化硅，在水晶中硅原子的配位數(shù)是__。（4）GaN、GaP、GaAs都是很好的半導(dǎo)體材料，晶體類型與晶體硅類似，熔點(diǎn)如下表所示，分析其變化原因：__。晶體GaNGaPGaAs熔點(diǎn)/℃170014801238（5）GaN晶胞的結(jié)構(gòu)如圖1所示。已知六棱柱底邊邊長(zhǎng)為acm，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。①晶胞中Ga原子采用六方最密堆積方式，每個(gè)Ga原子周圍距離最近的Ga原子數(shù)目為_(kāi)_。②從GaN晶體中“分割”出的平行六面體如圖2。若該平行六面體的體積為a3cm3，則GaN晶體的密度為_(kāi)_(用含a、NA的代數(shù)式表示)g·cm-3。4．自然界中含錳元素的主要礦物有軟錳礦（MnO2·xH2O）、黑錳礦Mn3O4，大洋底部有大量錳結(jié)核礦。錳元素在多個(gè)領(lǐng)域中均有重要應(yīng)用，用于制合金，能改善鋼的抗沖擊性能等。（1）Mn在元素周期表中位于___區(qū)，核外電子占據(jù)最高能層的符號(hào)是___，金屬錳可導(dǎo)電，導(dǎo)熱，具有金屬光澤，有延展性，這些性質(zhì)都可以用“___理論”解釋。（2）Mn3+在水溶液中容易歧化為MnO2和Mn2+，下列說(shuō)法合理的是___。A．Mn3+的價(jià)電子構(gòu)型為3d4，不屬于較穩(wěn)定的電子構(gòu)型B．根據(jù)Mn2+的電子構(gòu)型可知，Mn2+中不含成對(duì)電子C．第四周期元素中，錳原子價(jià)電子層中未成對(duì)電子數(shù)最多D．Mn2+與Fe3+具有相同的價(jià)電子構(gòu)型，所以它們的化學(xué)性質(zhì)相似（3）在K2MnF6中，MnF62-的空間構(gòu)型是正八面體，則中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為_(kāi)_。該化合物中含有的共價(jià)鍵在形成過(guò)程中原子軌道的重疊方式為_(kāi)_。（4）二價(jià)錳的化合物MnO和MnS熔融態(tài)均能導(dǎo)電，熔點(diǎn)MnO___MnS（選填“高于”、“等于”、“低于”）并解釋原因___。（5）某錳氧化物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖：該錳的氧化物的化學(xué)式為_(kāi)__，該晶體中Mn的配位數(shù)為_(kāi)___，該晶體中Mn之間的最近距離為_(kāi)__pm（用a、b來(lái)表示）。5．溴、銅及其化合物用途非常廣泛?；卮鹣铝袉?wèn)題：（1）基態(tài)Br原子核外電子排布式為[Ar]___。（2）已知反應(yīng)：Cu(BF4)2.6H2O+Cu+8CH3CN=2[Cu(CH3CN)4]BF4+6H2O。①配合物[Cu(CH3CN)4]BF4中，與銅形成配位鍵的原子是___，BF4-的空間構(gòu)型是___，與BF4-互為等電子體的分子有___(任寫一種)。②CH3CN分子中碳原子的雜化方式是___；1個(gè)CH3CN分子中含有___個(gè)σ鍵。（3）電子親合能與電離能相對(duì)應(yīng)，元素的氣態(tài)基態(tài)原子獲得一個(gè)電子成為氣態(tài)一價(jià)負(fù)離子所釋放的能量稱為該元素的第一電子親合能，其大小主要取決于原子的有效核電荷、原子半徑和原子的電子構(gòu)型等因素。Br與F、Cl位于同一主族，第一電子親合能(如圖1所示)原比氯和溴都小，其原因是___。（4）溴化亞銅(晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示)可用作有機(jī)合成的催化劑，密度為4.71g·cm-3。①晶胞中Br-的配位數(shù)為_(kāi)__。②晶胞參數(shù)a=___(列出表達(dá)式即可)nm。(設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值)6．碳族元素的單質(zhì)和化合物具有非常重要的作用。請(qǐng)回答下列問(wèn)題。（1）碳族元素中最早用于制造半導(dǎo)體器件的是__(填元素名稱)，其價(jià)電子排布式為_(kāi)__。（2）CH3OH分子中C原子的雜化方式為_(kāi)_，SCN-的空間構(gòu)型為_(kāi)__。（3）①烷烴(CnH2n+2)隨n的增大其熔沸點(diǎn)升高，原因是__。②硅與碳同族，也有系列氫化物，但硅烷在種類和數(shù)量上都很少，原因是__。（4）如圖是SiO2晶胞，構(gòu)成二氧化硅晶體結(jié)構(gòu)的最小環(huán)是由__個(gè)原子構(gòu)成。已知晶胞參數(shù)為apm，則其晶胞密度為_(kāi)_g·cm-3。7．氟及其化合物用途十分廣泛，回答下列問(wèn)題(1)聚四氟乙烯是一種準(zhǔn)晶體，準(zhǔn)晶體是一種無(wú)平移周期序的獨(dú)特晶體，可通過(guò)_____方法區(qū)分晶體、準(zhǔn)晶體和非晶體。(2)基態(tài)銅原子價(jià)電子排布的軌道式為_(kāi)____。(3)[H2F]+[SbF6]－(氟銻酸)是一種超強(qiáng)酸，其陽(yáng)離子的空間構(gòu)型為_(kāi)____，與[H2F]+具有相同空間構(gòu)型和鍵合形式的分子和陰離子分別是____。(各舉一例)(4)SF6中含____個(gè)σ鍵，根據(jù)____理論，可判斷出其空間構(gòu)型為正八面體，其中S的雜化方式為_(kāi)____。(5)SF6被廣泛用于高壓電器設(shè)備的絕緣介質(zhì)。其鍵能可通過(guò)類似于Born-Haber循環(huán)能量構(gòu)建能量圖a計(jì)算鍵能。則F-F鍵的鍵能為_(kāi)____kJ·mol－1。(6)CuCl熔點(diǎn)為426℃，熔化時(shí)幾乎不導(dǎo)電；CuF的熔點(diǎn)是908℃，密度為7.1g·cm－3。①CuF的熔點(diǎn)比CuCl高的原因是_____。②已知NA為阿伏伽德羅常數(shù)的值，立方CuF晶胞結(jié)構(gòu)如圖b，則CuF的晶胞參數(shù)a=____nm。(列出計(jì)算式即可)8．（物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)）硅電池、鋰離子電池都是現(xiàn)代高性能電池的代表，高性能的電極材料與物質(zhì)結(jié)構(gòu)密切相關(guān)。(l)LiFePO4因具有良好的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性而成為新一代正極材料，這與PO43-的結(jié)構(gòu)密切相關(guān)，PO43-的立體構(gòu)型為_(kāi)___。P、O、S的電負(fù)性從大到小的順序?yàn)開(kāi)_____________(2)通常在電極材料表面進(jìn)行“碳”包覆處理以增強(qiáng)其導(dǎo)電性。抗壞血酸常被用作碳包覆的碳源，其易溶于水的原因是___，抗壞血酸中碳原子的雜化方式為_(kāi)__，1mol抗壞血酸中手性碳原子的數(shù)目為_(kāi)_____。(取材于選修3課本51頁(yè))。(3)Li+過(guò)度脫出易導(dǎo)致鋰電池結(jié)構(gòu)坍塌產(chǎn)生O2而爆炸，實(shí)驗(yàn)證實(shí)O2因具有單電子而成為順磁性分子，下列結(jié)構(gòu)式(黑點(diǎn)代表電子)中最有可能代表O2分子結(jié)構(gòu)的是____(填標(biāo)號(hào))。A．B．C．D．(4)目前最常用的電極材料有鋰鈷復(fù)合氧化物和石墨。①鋰鈷復(fù)合氧化物中Li、Co、O分別形成了六邊層狀結(jié)構(gòu)(圖a)，按照Li-O-Co-O-Li–O-Co-O-Li--順序排列，則該化合物的化學(xué)式為_(kāi)___，Co3+的價(jià)層電子排布式為_(kāi)____。②石墨晶胞(圖b)層間距為dpm，C—C鍵長(zhǎng)為apm，石墨晶體的密度為pg/cm3，列式表示阿伏加德羅常數(shù)為_(kāi)___mol-l。(5)硅酸鹽中Si元素一般顯+4價(jià)，如下圖所示是一種無(wú)限長(zhǎng)單鍵的多聚硅酸根離子的結(jié)構(gòu)，其中“”表示Si原子，“”表示氧原子，則該長(zhǎng)鏈硅酸根離子的通式為_(kāi)_______________________。9．Ⅰ、Cu2O廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能電池領(lǐng)域。以CuSO4、NaOH和抗壞血酸為原料，可制備Cu2O。（1）Cu2+基態(tài)核外電子排布式為_(kāi)_______。（2）SO42﹣的空間構(gòu)型為_(kāi)________（用文字描述），Cu2+與OH-反應(yīng)能生成[Cu(OH)4]2-，[Cu(OH)4]2-中的配位原子為_(kāi)______（填元素符號(hào)）。（3）抗壞血酸的分子結(jié)構(gòu)如圖1所示，分子中碳原子的軌道雜化類型為_(kāi)_______；推測(cè)抗壞血酸在水中的溶解性：_______（填“難溶于水”或“易溶于水”）。（4）一個(gè)Cu2O晶胞（如圖2）中，Cu原子的數(shù)目為_(kāi)________。Ⅱ、磷酸亞鐵鋰（LiFePO4）可用作鋰離子電池正極材料，具有熱穩(wěn)定性好、循環(huán)性能優(yōu)良、安全性高等特點(diǎn)，文獻(xiàn)報(bào)道可采用FeCl3、NH4H2PO4、LiCl和苯胺等作為原料制備?；卮鹣铝袉?wèn)題：（5）在周期表中，與Li的化學(xué)性質(zhì)最相似的鄰族元素是___，該元素基態(tài)原子核外M層電子的自旋狀態(tài)_______（填“相同”或“相反”）。（6）苯胺（）的晶體類型是_________。苯胺與甲苯（）的相對(duì)分子質(zhì)量相近，但苯胺的熔點(diǎn)（-5.9℃）、沸點(diǎn)（184.4℃）分別高于甲苯的熔點(diǎn)（-95.0℃）、沸點(diǎn)（110.6℃），原因是________。10．金屬鉬(Mo)常用于工業(yè)、軍事等領(lǐng)域，已被多個(gè)國(guó)家列為戰(zhàn)略金屬，我國(guó)的鉬儲(chǔ)量居世界第二。回答下列問(wèn)題（1）Mo與Cr是同族元素，并且位于相鄰周期，寫出基態(tài)Mo原子的價(jià)電子的軌道表達(dá)式為_(kāi)____________。（2）輝鉬(MoS2)在納米電子設(shè)備制造領(lǐng)域比硅或富勒烯(如C60)更有優(yōu)勢(shì)，可用H2S硫化(NH4)2MoO4溶液生產(chǎn)輝鉬。H2S分子VSEPR模型為_(kāi)___________，(NH4)2MoO4中所有元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)開(kāi)_______________；MoS2納米粒子具有類似于石墨的層狀結(jié)構(gòu)，具有優(yōu)異的潤(rùn)滑性能，其原因是___________________________。（3）碳酸鈉作固硫劑并用氫還原輝鉬礦的原理為MoS2+4H2+2Na2CO3Mo+2CO+4H2O+2Na2S，分子或離子中的大π鍵可用符號(hào)表示，其中m代表參與形成的大π鍵原子數(shù)，n代表參與形成的大π鍵電子數(shù)（如苯分子中的大π鍵可表示為），則碳酸鈉中CO32-離子中的大π鍵應(yīng)表示為_(kāi)_______。（4）鉬的一種配合物化學(xué)式為：Na3[Mo(CN)8]?8H2O，其中除共價(jià)鍵、配位鍵以外還存在的作用力有_____________，其中配體離子中σ鍵與π鍵數(shù)目之比為_(kāi)________。（5）金屬鉬晶體中的原子堆積方式如圖所示，這種堆積方式為_(kāi)________堆積。若晶體鉬的密度為ρg·cm－3，鉬原子半徑為rpm，NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值，M表示鉬的相對(duì)原子質(zhì)量，則鉬晶胞中原子的空間利用率為_(kāi)_________________(用含有ρ、r、NA、M的代數(shù)式表示)。11．硼的無(wú)機(jī)化學(xué)問(wèn)題比周期表里任何一種元素都更復(fù)雜和變化多端。（1）基態(tài)B原子的價(jià)電子軌道表達(dá)式為_(kāi)_，第二周期第一電離能比B高的元素有__種。（2）B易形成配離子，如[B(OH)4]-、[BH4]-等。[B(OH)4]-的結(jié)構(gòu)式為_(kāi)_(標(biāo)出配位鍵)，其中心原子的VSEPR模型名稱為_(kāi)_，寫出[BH4]－的兩種等電子體__。（3）圖1表示偏硼酸根的一種無(wú)限長(zhǎng)的鏈?zhǔn)浇Y(jié)構(gòu)，其化學(xué)式可表示為_(kāi)_(以n表示硼原子的個(gè)數(shù))，圖2表示的是一種五硼酸根離子，其中B原子的雜化方式為_(kāi)_。圖1圖2圖3（4）硼酸晶體是片層結(jié)構(gòu)，圖3表示的是其中一層的結(jié)構(gòu)。同一層微粒間存在的作用力有__。（5）1892年，化學(xué)家已用Mg還原B2O3制得硼單質(zhì)。Mg屬六方最密堆積，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖4所示，若在晶胞中建立如圖5所示的坐標(biāo)系，以A為坐標(biāo)原點(diǎn)，把晶胞的底邊邊長(zhǎng)和高都視作單位1，則B、E、C的坐標(biāo)分別為B(1，0，0)、E(0，1，0)、C(0，0，1)，請(qǐng)寫出D點(diǎn)的坐標(biāo)：D：___。12．（1）基態(tài)溴原子的價(jià)層電子軌道排布圖為_(kāi)_______。（2）第四周期中，與溴原子未成對(duì)電子數(shù)相同的金屬元素有________種。（3）某同學(xué)畫出基態(tài)碳原子的核外電子排布圖為，該電子排布圖違背了________。（4）CaC2中C22-與O22+互為等電子體。①O22+的電子式可表示為_(kāi)_____。②CaC2晶體的晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl晶體的相似（如圖所示），但CaC2晶體中含有啞鈴形C22-的存在，使晶胞沿一個(gè)方向拉長(zhǎng)。則CaC2晶體中1個(gè)Ca2+周圍距離最近的C22-數(shù)目為_(kāi)____。（5）磷化硼是一種耐磨涂料，它可用作金屬的表面保護(hù)層。①磷化硼晶體晶胞如圖甲所示：己知晶胞邊長(zhǎng)apm，阿伏加德羅常數(shù)為NA。則磷化硼晶體的密度（g/cm3）為_(kāi)_______（寫出計(jì)算式即可）。②圖甲中表示P原子，在圖乙（磷化硼晶胞沿著體對(duì)角線方向的投影）中用畫出P原子的投影位置。__________________________【參考答案】***試卷處理標(biāo)記，請(qǐng)不要?jiǎng)h除一、物質(zhì)的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的綜合性考察1．同周期元素隨核電荷數(shù)依次增大，原子半徑逐漸變小，故結(jié)合一個(gè)電子釋放出的能量依次增大N原子的2p軌道為半充滿狀態(tài)，具有額外穩(wěn)定性，故不易結(jié)合一個(gè)電子ABDC5解析：同周期元素隨核電荷數(shù)依次增大，原子半徑逐漸變小，故結(jié)合一個(gè)電子釋放出的能量依次增大N原子的2p軌道為半充滿狀態(tài)，具有額外穩(wěn)定性，故不易結(jié)合一個(gè)電子ABDC5(H3O+)O-H…N(N5-)(NH4+)N-H…N(N5-)【解析】【分析】【詳解】(1)氮原子價(jià)層電子為最外層電子，即2s22p3，則電子排布圖為；(2)元素的非金屬性越強(qiáng)，越易得到電子，則第一電子親和能越大，同周期從左到右核電荷數(shù)依次增大，半徑逐漸減小，從左到右易結(jié)合電子，放出的能量增大；N的最外層為半充滿結(jié)構(gòu)，較為穩(wěn)定，不易結(jié)合一個(gè)電子；答案為同周期元素隨核電荷數(shù)依次增大，原子半徑逐漸變小，故結(jié)合一個(gè)電子釋放出的能量依次增大；N原子的2p軌道為半充滿狀態(tài)，具有額外穩(wěn)定性，故不易結(jié)合一個(gè)電子；(3)圖示中的陽(yáng)離子分別為H3O＋和NH4＋；①A．陽(yáng)離子為H3O＋和NH4＋，NH4＋中心原子N形成4個(gè)σ鍵，孤電子對(duì)數(shù)為價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，雜化類型為sp3；H3O＋中心原子是O，形成3σ鍵，孤電子對(duì)數(shù)為，價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，為sp3雜化；B．由以上分析可知H3O＋和NH4＋中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)都為4；C．NH4＋為空間構(gòu)型為正四面體，H3O＋為空間構(gòu)型為三角錐形；D．含有的共價(jià)鍵類型都為σ鍵。兩種陽(yáng)離子的相同之處為ABD，不同之處為C；②根據(jù)圖（b）N5－中σ鍵總數(shù)為5個(gè)；根據(jù)圖示，每個(gè)N原子和周邊的N原子形成2個(gè)鍵，則每個(gè)N原子還有1個(gè)2P軌道沒(méi)有成鍵?？芍?個(gè)N原子，共有5個(gè)2p軌道，形成一個(gè)大π鍵，該大π鍵含有5+1個(gè)=6電子，可用符號(hào)表示；③O、N的非金屬性較強(qiáng)，對(duì)應(yīng)的O-H、N-H都可與N形成氫鍵，根據(jù)圖示，氫鍵還有2種，可表示為(H3O+)O-H…N(N5-)、(NH4+)N-H…N(N5-)；(4)由，NA=6.02×1023mol－1，帶入數(shù)據(jù)，得。2．ds5N＞O＞Csp3和sp2變大氧化石墨烯氧化石墨烯中含有的羥基和羧基更多，與水分子間形成的氫鍵更多，溶解度更大【解析】解析：ds5N＞O＞Csp3和sp2變大氧化石墨烯氧化石墨烯中含有的羥基和羧基更多，與水分子間形成的氫鍵更多，溶解度更大【解析】【分析】(3)由各原子坐標(biāo)，可知晶胞中B原子處于晶胞的頂點(diǎn)、面心位置，而As原子處于晶胞內(nèi)部，處于B原子形成的正四面體體心位置，晶胞三維結(jié)構(gòu)如圖所示：，據(jù)此進(jìn)行解答?！驹斀狻?1)Cu原子核外有29個(gè)電子，基態(tài)Cu原子的核外電子排布式為[Ar]3d104s1，Cu在元素周期表中位于ds區(qū)，M層中核外電子能量最高的電子云為3d能級(jí)電子云，在空間有5個(gè)伸展方向；C、O、N元素都是第二周期非金屬元素，同一周期元素自左而右第一電離能呈增大趨勢(shì)，但N元素原子2p能級(jí)是半滿穩(wěn)定狀態(tài)，能量較低，第一電離能高于同周期相鄰元素，故第一電離能N＞O＞C；(2)根據(jù)還原石墨烯的結(jié)構(gòu)可知該物質(zhì)中碳原子有形成碳碳雙鍵的不飽和碳原子還有只形成單鍵的飽和碳原子，所以碳原子的雜化方式為sp3和sp2；氧化石墨烯中1號(hào)C

連接的O原子吸引電子能力較強(qiáng)，導(dǎo)致與1號(hào)C原子相鄰C原子對(duì)電子的吸引力減小，所以氧化石墨烯轉(zhuǎn)化為還原石墨烯時(shí)，1號(hào)C與其相鄰C原子間鍵能變大；氧化石墨烯中含有的羥基和羧基更多，與水分子間形成的氫鍵更多，所以氧化石墨烯溶解度更大；(3)由各原子坐標(biāo)，可知晶胞中B原子處于晶胞的頂點(diǎn)、面心位置，而As原子處于晶胞內(nèi)部，處于B原子形成的正四面體體心位置，晶胞三維結(jié)構(gòu)如圖所示：(注：小球大小不代表原子半徑大小)，投影時(shí)頂點(diǎn)原子形成正方形的頂點(diǎn)，左、右側(cè)面及前、后面的面心原子投影處于正方形棱心，而上、下底面面心原子投影重合處于正方形的中心，As原子投影處于原子處于正方形內(nèi)部且處于正方形對(duì)角線上(As原子投影、上下底面面心B原子投影將對(duì)角線4等分)，故砷化硼晶胞的俯視圖為：；根據(jù)晶胞三維結(jié)構(gòu)示意圖可知，位于體對(duì)角線上的原子相切，即As原子和B原子的半徑之和的四倍即體對(duì)角線的長(zhǎng)度；根據(jù)均攤法，一個(gè)晶胞中As原子個(gè)數(shù)為4，B原子個(gè)數(shù)為，所以晶胞的質(zhì)量為，晶胞密度為dg/cm3，則晶胞的體積為，則晶胞的邊長(zhǎng)為，則晶胞的體積對(duì)角線的長(zhǎng)度為，所以B原子的半徑為()pm。【點(diǎn)睛】第3題為難點(diǎn)，需要學(xué)生有一定的空間想象能力，對(duì)數(shù)學(xué)的立體幾何要有一定了解，要能夠根據(jù)平面圖和坐標(biāo)能夠準(zhǔn)確畫出該晶胞的三維晶胞結(jié)構(gòu)，再進(jìn)行解答。3．3d104s24p4大于小于4原子半徑N＜P＜As，鍵長(zhǎng)Ga—N＜Ga—P＜Ga—As，鍵能Ga—N＞Ga—P＞Ga—As，故CaN、GaP、GaAs的熔點(diǎn)逐漸降低解析：3d104s24p4大于小于4原子半徑N＜P＜As，鍵長(zhǎng)Ga—N＜Ga—P＜Ga—As，鍵能Ga—N＞Ga—P＞Ga—As，故CaN、GaP、GaAs的熔點(diǎn)逐漸降低12【解析】【分析】(1)基態(tài)硒原子序數(shù)為34，根據(jù)構(gòu)造原理寫出其核外電子排布式；(2)同一周期中從左到右，原子半徑逐漸減小，同一周期從左到右，元素的第一電離能有增大趨勢(shì)，但I(xiàn)IA、VA族第一電離能大于同周期相鄰元素；(3)二氧化硅晶體中含有“SiO4”結(jié)構(gòu)單元，1個(gè)Si原子結(jié)合4個(gè)O原子，同時(shí)每個(gè)O原子結(jié)合2個(gè)Si原子；(4)原子晶體中，原子半徑越大，共價(jià)鍵鍵長(zhǎng)越長(zhǎng)，共價(jià)鍵越弱，鍵能越小，晶體的熔點(diǎn)越低；(5)①晶胞中Ga原子采用六方最密堆積方式，每個(gè)Ga原子周圍距離最近的Ga原子數(shù)目為12；②均攤法計(jì)算晶胞(平行六面體)中Ga、N原子數(shù)目，計(jì)算原子總質(zhì)量，根據(jù)晶體密度=晶胞質(zhì)量÷晶胞體積。【詳解】(1)Se是34號(hào)元素，位于第四周期ⅥA族，核外電子排布式為[Ar]3d104s24p4；(2)根據(jù)元素周期律，Ga與As位于同一周期，Ga原子序數(shù)小于As，故原子半徑Ga大于As，同周期第一電離能變化趨勢(shì)是從左到右增大，故第一電離能Ga小于As；(3)水晶中1個(gè)硅原子結(jié)合4個(gè)氧原子，同時(shí)每個(gè)氧原子結(jié)合2個(gè)硅原子，所以水晶是以[SiO4]四面體向空間延伸的立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，水晶中硅原子的配位數(shù)為4；(4)原子半徑N＜P＜As，鍵長(zhǎng)Ga—N＜Ga—P＜Ga—As，鍵能Ga—N＞Ga—P＞Ga—As，故GaN、GaP、GaAs的熔點(diǎn)逐漸降低；(5)從六方晶胞的面心原子分析，上、中、下層分別有3、6、3個(gè)配位原子，故配位數(shù)為12。六方晶胞中原子的數(shù)目往往采用均攤法：①位于晶胞頂點(diǎn)的原子為6個(gè)晶胞共用，對(duì)一個(gè)晶胞的貢獻(xiàn)為；②位于晶胞面心的原子為2個(gè)晶胞共用，對(duì)一個(gè)晶胞的貢獻(xiàn)為；③位于晶胞側(cè)棱的原子為3個(gè)晶胞共用，對(duì)一個(gè)晶胞的貢獻(xiàn)為；④位于晶胞體心的原子為1個(gè)晶胞共用，對(duì)一個(gè)晶胞的貢獻(xiàn)為1。GaN晶胞中Ga原子個(gè)數(shù)為，N原子個(gè)數(shù)為，所以該晶胞化學(xué)式為Ga6N6，質(zhì)量為g，該六棱柱的底面為正六邊形，邊長(zhǎng)為acm，底面的面積為6個(gè)邊長(zhǎng)為acm的正三角形面積之和，根據(jù)正三角形面積的計(jì)算公式，該底面的面積為，由圖2可知六棱柱的高為，所以晶胞的體積為，密度為g?cm?3。【點(diǎn)睛】物質(zhì)結(jié)構(gòu)的綜合考題，涉及核外電子排布、電離能、化學(xué)鍵、等電子體、晶體類型與性質(zhì)、晶胞結(jié)構(gòu)與計(jì)算等知識(shí)，理解原子相對(duì)位置并計(jì)算晶胞的體積是解題關(guān)鍵，其中均攤法確定立方晶胞中粒子數(shù)目的方法是：①頂點(diǎn)：每個(gè)頂點(diǎn)的原子被8個(gè)晶胞共有，所以晶胞對(duì)頂點(diǎn)原子只占份額；②棱：每條棱的原子被4個(gè)晶胞共有，所以晶胞對(duì)頂點(diǎn)原子只占份額；③面上：每個(gè)面的原子被2個(gè)晶胞共有，所以晶胞對(duì)頂點(diǎn)原子只占份額；④內(nèi)部：內(nèi)部原子不與其他晶胞分享，完全屬于該晶胞。4．dN電子氣A6“頭碰頭”高于均為離子晶體，O2-半徑比S2-半徑小，MnO晶格能大，熔點(diǎn)高M(jìn)nO26【解析】解析：dN電子氣A6“頭碰頭”高于均為離子晶體，O2-半徑比S2-半徑小，MnO晶格能大，熔點(diǎn)高M(jìn)nO26【解析】【分析】(1)Mn是25號(hào)元素，原子核外電子排布式是1s22s22p63s23p63d54s2；錳可導(dǎo)電，導(dǎo)熱，具有金屬光澤，有延展性，是因?yàn)橛凶杂呻娮樱@些性質(zhì)都可以用“電子氣理論”解釋；(2)A．Mn3＋在水溶液中容易歧化為MnO2和Mn2＋，說(shuō)明Mn3＋不穩(wěn)定；B．Mn2＋中價(jià)電子層不含成對(duì)電子，但是內(nèi)層中含有成對(duì)電子；C．第四周期中價(jià)電子層中未成對(duì)電子數(shù)最多的元素價(jià)電子排布式為：3d54s1；D．Mn2＋與Fe3＋具有相同的價(jià)電子構(gòu)型，微粒的化學(xué)性質(zhì)不僅與價(jià)電子構(gòu)型有關(guān)，也和微粒的電荷數(shù)、微粒半徑、原子序數(shù)有關(guān)；(3)MnF62?的空間構(gòu)型是正八面體，則中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為6；F與Mn之間的共價(jià)鍵都是共價(jià)單鍵；(4)物質(zhì)都屬于離子晶體，離子晶體的陰離子帶有相同電荷，離子半徑越小，離子鍵越強(qiáng)，晶格能越大，熔點(diǎn)越高；(5)用均攤法計(jì)算確定化學(xué)式，并結(jié)合微粒的空間排列確定Mn的配位數(shù)；由晶胞結(jié)構(gòu)可知：在該晶胞中距離相等且最近的2個(gè)Mn在晶胞體對(duì)角線的一半?！驹斀狻?1)Mn是25號(hào)元素，原子核外電子排布式是1s22s22p63s23p63d54s2，可知M在元素周期表中位于第四周期第VIIB，屬于d區(qū)元素，核外電子占據(jù)最高能層的符號(hào)是N；錳可導(dǎo)電，導(dǎo)熱，具有金屬光澤，有延展性，是因?yàn)橛凶杂呻娮樱@些性質(zhì)都可以用“電子氣理論”解釋，故答案為：d；N；電子氣；(2)A．Mn3＋的價(jià)電子構(gòu)型為3d4，Mn3＋在水溶液中容易歧化為MnO2和Mn2＋，說(shuō)明Mn3＋不穩(wěn)定，Mn3＋容易變成電子半充滿的穩(wěn)定的價(jià)電子構(gòu)型為3d5，3d4則屬于不穩(wěn)定的電子構(gòu)型，故A正確；B．Mn2＋中價(jià)電子層不含成對(duì)電子，但是內(nèi)層中含有成對(duì)電子，故B錯(cuò)誤；C．第四周期中價(jià)電子層中未成對(duì)電子數(shù)最多的元素價(jià)電子排布式為：3d54s1，是Cr元素，故C錯(cuò)誤；D．Mn2＋與Fe3＋具有相同的價(jià)電子構(gòu)型，微粒的化學(xué)性質(zhì)不僅與價(jià)電子構(gòu)型有關(guān)，也和微粒的電荷數(shù)、微粒半徑、原子序數(shù)有關(guān)，因此它們的化學(xué)性質(zhì)不相似，Mn2＋具有強(qiáng)的還原性，而Fe3＋具有強(qiáng)的氧化性，故D錯(cuò)誤；故答案選：A；(3)MnF62?的空間構(gòu)型是正八面體，則中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為6．在化合物化合物K2MnF6中含有的F與Mn之間的共價(jià)鍵都是共價(jià)單鍵，屬于σ鍵，在形成過(guò)程中原子軌道的重疊方式為“頭碰頭”，故答案為：6；“頭碰頭”；(4)MnO和MnS都是離子晶體，離子電荷數(shù)相同，O2?離子半徑小于S2?的離子半徑，MnO的晶格能大，熔點(diǎn)更高，故答案為：高于；均為離子晶體，O2-半徑比S2-半徑小，MnO晶格能大，熔點(diǎn)高；(5)在該晶體中含有的Mn原子個(gè)數(shù)為：×8＋1＝2，含有的O原子數(shù)目為：×4＋2＝4，Mn：O＝2：4＝1：2，所以該錳的氧化物的化學(xué)式為MnO2；根據(jù)晶胞投影圖可知：在該晶體體中與Mn原子距離相等且最近的O原子有6個(gè)，所以Mn的配位數(shù)為6；由晶胞結(jié)構(gòu)可知：在該晶胞中距離相等且最近的2個(gè)Mn在晶胞體對(duì)角線的一半，晶胞的體對(duì)角線為pm，所以該晶體中Mn之間的最近距離為×pm=pm，故答案為：MnO2；6；。5．3d104s24p5N正四面體CCl4(或SiF4等）sp3和sp5氟元素的原子半徑非常小，電子云擁擠，電子間的相互排斥力很大，導(dǎo)致原元素的第一電子親解析：3d104s24p5N正四面體CCl4(或SiF4等）sp3和sp5氟元素的原子半徑非常小，電子云擁擠，電子間的相互排斥力很大，導(dǎo)致原元素的第一電子親合能減小4【解析】【分析】(1)溴是35號(hào)元素，根據(jù)構(gòu)造原理寫出核外電子排布式；(2)①配位化合物的形式是一方提供空軌道，另一方提供孤電子對(duì)。配體CH3CN中N原子可提供孤電子對(duì)；判斷空間構(gòu)型時(shí)可利用價(jià)層電子對(duì)互斥理論。BF4－中無(wú)孤電子對(duì)，有4個(gè)σ鍵電子對(duì)，故呈四面體形；尋找等電子體時(shí)可利用價(jià)電子遷移法找到。②可根據(jù)碳原子的成鍵方式來(lái)判斷雜化類型，飽和碳原子為sp3雜化，三鍵碳原子為sp雜化；(3)F原子的半徑小，根據(jù)電子間排斥大，回答該題；(4)②CuBr晶胞中含有4個(gè)Cu和4個(gè)Br，根據(jù)晶體的密度，，求算a，注意單位。【詳解】(1)溴是35號(hào)元素，核外電子排布式為[Ar]3d104s24p5；(2)①配合物的形成中，需要有金屬離子提供空軌道，配體提供孤電子對(duì)，配體CH3CN中能提供孤電子對(duì)的是N，則配為原子是N。BF4－，中心原子B的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為，還有4對(duì)共用電子對(duì)，不含孤對(duì)電子對(duì)，則空間構(gòu)型為正四面體形；將BF4－中所帶的負(fù)電荷遷移給B，轉(zhuǎn)化為C或Si，將F替換為同族元素Cl，可找到等電子體CCl4或SiF4；②配體CH3CN中，甲基上的碳為飽和的碳原子，雜化為sp3雜化，-CN中含有三鍵，碳原子是sp雜化；CH3CN中含有3個(gè)C－H，1個(gè)C－C，和1個(gè)C≡N，所有的單鍵均為σ鍵，三鍵中有1個(gè)σ鍵，則一共有4+1=5個(gè)σ鍵；(3)同主族元素中F原子的半徑最小，且電負(fù)性最大，吸引電離能力強(qiáng)，被吸引的電子距離原子核近，與F原子自身的電子的排斥較大，造成第一電子親合能減?。?4)溴化亞銅晶胞中，4個(gè)Cu均為該晶胞所有，8個(gè)頂點(diǎn)的Br分別為8個(gè)晶胞所有，6個(gè)面心的Br分別為2個(gè)晶胞所有，則1個(gè)晶胞中含有，可知化學(xué)式為CuBr；①根據(jù)圖示，與Cu相連的Br有4個(gè)，Cu的配位數(shù)4，根據(jù)化學(xué)式CuBr，可知Br的配位數(shù)也是4；②晶體的密度計(jì)算，CuBr的摩爾質(zhì)量為144g·mol－1，，轉(zhuǎn)化單位，，帶入數(shù)據(jù)，，可得a=nm?！军c(diǎn)睛】問(wèn)題(4)①，在晶胞示意圖中，最前面的Br和2個(gè)Cu最近，但是配位數(shù)不是2，與其對(duì)應(yīng)面的Br，也和2個(gè)Cu最近，從空間結(jié)構(gòu)看來(lái)，與Br最近的Cu有4個(gè)，這種方法對(duì)空間想象要求較高。6．鍺4s24p2sp3雜化直線型烷烴分子組成和結(jié)構(gòu)相似，隨著n值增大，相對(duì)分子質(zhì)量增大，分子間作用力增大，熔沸點(diǎn)升高Si-Si鍵，Si-H鍵鍵能比較小，易斷裂，解析：鍺4s24p2sp3雜化直線型烷烴分子組成和結(jié)構(gòu)相似，隨著n值增大，相對(duì)分子質(zhì)量增大，分子間作用力增大，熔沸點(diǎn)升高Si-Si鍵，Si-H鍵鍵能比較小，易斷裂，不易形成長(zhǎng)的硅鏈12【解析】【分析】【詳解】（1）最早用于制造半導(dǎo)體器件的的碳族元素是鍺，鍺是32號(hào)元素，位于第四周期，其價(jià)電子排布式為：4s24p2，故答案為：鍺；4s24p2；（2）CH3OH中，價(jià)層電子對(duì)數(shù)=σ鍵電子對(duì)數(shù)（4）+中心原子上的孤電子對(duì)數(shù)（0）=4，所以碳原子采取sp3雜化，SCN-的中心C原子：價(jià)層電子對(duì)數(shù)=σ鍵電子對(duì)數(shù)（2）+中心原子上的孤電子對(duì)數(shù)（0）=2，所以SCN-中C的雜化方式為sp雜化，SCN-的空間構(gòu)型為直線型，故答案為：sp3雜化；直線型；（3）①烷烴分子組成和結(jié)構(gòu)相似，隨著n值增大，相對(duì)分子質(zhì)量增大，分子間作用力增大，熔化和氣化時(shí)，所需克服的分子間作用力增大，熔沸點(diǎn)升高，故答案為：烷烴分子組成和結(jié)構(gòu)相似，隨著n值增大，相對(duì)分子質(zhì)量增大，分子間作用力增大，熔沸點(diǎn)升高；②比起C-C鍵，C-H鍵，Si-Si鍵，Si-H鍵鍵能比較小，易斷裂，不易形成長(zhǎng)的硅鏈，但是C-C是可以形成很長(zhǎng)碳鏈的，故答案為：Si-Si鍵，Si-H鍵鍵能比較小，易斷裂，不易形成長(zhǎng)的硅鏈；（4）從SiO2晶胞來(lái)看，構(gòu)成二氧化硅晶體結(jié)構(gòu)的最小環(huán)包含6個(gè)Si，6個(gè)O，共12個(gè)原子，均攤法可得：每個(gè)SiO2晶胞中Si的個(gè)數(shù)=8×+6+4=8，O原子數(shù)=16，所以1mol晶胞的質(zhì)量=(28×8+16×16)g=480g，那么每個(gè)晶胞的質(zhì)量m=，因?yàn)榫О麉?shù)=apm=a×10-10cm，所以每個(gè)晶胞的體積V=(a×10-10cm)3，由==g·cm-3，故答案為：12；。【點(diǎn)睛】（4）==。7．X射線衍射（XRD）V型和6價(jià)層電子對(duì)互斥理論（VSEPR）155是分子晶體，分子晶體的熔沸點(diǎn)一般低于離子晶體【解析解析：X射線衍射（XRD）V型和6價(jià)層電子對(duì)互斥理論（VSEPR）155是分子晶體，分子晶體的熔沸點(diǎn)一般低于離子晶體【解析】【分析】（1）從外觀上無(wú)法直接區(qū)分晶體、準(zhǔn)晶體和非晶體，因此只能用X射線衍射（XRD）的方法來(lái)鑒別三者；（2）銅是29號(hào)元素，注意其的特殊排布；（3）我們可以使用價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷空間構(gòu)型，用替代法來(lái)書寫等電子體；（4）氟原子最外層有7個(gè)電子，因此還需要成一個(gè)鍵來(lái)達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，則中一共有6個(gè)鍵，據(jù)此來(lái)分析即可；（5）鍵能的定義是在標(biāo)準(zhǔn)狀況下，將1mol氣態(tài)分子解離為氣態(tài)原子所需的能量，根據(jù)圖示來(lái)計(jì)算即可；（6）這是一道典型的晶體計(jì)算題，晶胞內(nèi)有4個(gè)純黑的球，因此一個(gè)晶胞含4個(gè)，再來(lái)列式計(jì)算即可?！驹斀狻浚?）在X射線的照射下，晶體會(huì)出現(xiàn)明銳的衍射圖案，非晶體因?yàn)闆](méi)有規(guī)律的晶格結(jié)構(gòu)，因此不會(huì)產(chǎn)生衍射圖案，而準(zhǔn)晶體的衍射圖案介于二者之間；（2）銅原子的核電荷數(shù)29，1s22S22p63s23p63d104s1或[Ar]3d104s1；銅原子的價(jià)電子排布的軌道式為；（3）離子中氟原子的孤電子對(duì)數(shù)，鍵電子對(duì)數(shù)為2，價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，VSEPR模型為四面體，空間構(gòu)型為V型；與具有相同空間構(gòu)型和鍵合形式的分子有、，陰離子有；（4）根據(jù)分析，分子中一共有6個(gè)鍵，根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論可以判斷其空間構(gòu)型為正八面體，而硫原子一共形成了6個(gè)雜化軌道，而硫原子中只有M層有d軌道，因此為雜化；（5）由圖a可知，則鍵的鍵能為；（6）①?gòu)娜廴跁r(shí)幾乎不導(dǎo)電可以判斷它是一個(gè)分子晶體，而分子晶體一般熔沸點(diǎn)較低，低于離子晶體和原子晶體；②根據(jù)分析，晶胞中一共有4個(gè)，則單個(gè)晶胞的質(zhì)量為，代入密度的表達(dá)式得到其晶胞體積，1cm=107nm，所以則晶胞參數(shù)。8．正四面體O>S>P分子中含有多個(gè)羥基，可與水分子間形成氫鍵sp2、sp32NABLiCoO23d6(SinO3n+1)(2n+解析：正四面體O>S>P分子中含有多個(gè)羥基，可與水分子間形成氫鍵sp2、sp32NABLiCoO23d6(SinO3n+1)(2n+2)-【解析】【分析】(1)PO43-中P原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=4，且不含孤電子對(duì)，根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷空間構(gòu)型；元素的非金屬性越強(qiáng)，其電負(fù)性越大；(2)根據(jù)抗壞血酸分子內(nèi)含基，可與水分子間形成氫鍵判斷；根據(jù)分子內(nèi)有碳原子連接方式判斷雜化方式；與四個(gè)不同的原子或原子團(tuán)相連的碳原子稱為手性碳原子；(3)結(jié)合信息：O2因具有單電子而成為順磁性分子，從示意圖知B結(jié)構(gòu)中化學(xué)鍵有3電子，B有單電子；(4)①根據(jù)結(jié)構(gòu)示意圖判斷Li、Co和O個(gè)數(shù)比，進(jìn)而得到化學(xué)式；鈷的原子序數(shù)為27，Co3+有24個(gè)電子，電子排布式為[Ar]3d6；②計(jì)算石墨晶胞中碳原子數(shù)目，進(jìn)而求出晶胞的質(zhì)量，根據(jù)圖中信息求出晶胞的體積，應(yīng)用晶胞的密度進(jìn)行求算；(5)根據(jù)圖示找出規(guī)律，然后推斷硅原子數(shù)目為n時(shí)含有的氧原子數(shù)目及所帶電荷數(shù)，從而確定其化學(xué)式?！驹斀狻?1)PO43-中P原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=4，且不含孤電子對(duì)，根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷空間構(gòu)型為正四面體結(jié)構(gòu)；元素的非金屬性越強(qiáng)，其電負(fù)性越大，則電負(fù)性O(shè)＞S＞P；故答案為：正四面體；O＞S＞P；(2)抗壞血酸碳原子數(shù)目相對(duì)較少，但分子內(nèi)含4個(gè)羥基，可與水分子間形成氫鍵，因此它易溶于水；分子內(nèi)有碳碳單鍵、對(duì)應(yīng)碳原子sp3雜化方式，也有碳碳雙鍵，對(duì)應(yīng)碳原子sp2雜化方式；與四個(gè)不同的原子或原子團(tuán)相連的碳原子稱為手性碳原子，由圖知，1個(gè)抗壞血酸分子中含2個(gè)手性碳原子，則1mol抗壞血酸中手性碳原子的數(shù)目為2NA；故答案為：分子中含有多個(gè)羥基，可與水分子間形成氫鍵；sp3、sp2；2NA；(3)結(jié)合信息：O2因具有單電子而成為順磁性分子，從示意圖知B結(jié)構(gòu)中化學(xué)鍵有3電子，B有單電子，B滿足；故答案為：B；(4)①鋰鈷復(fù)合氧化物中Li、Co、O分別形成了六邊層狀結(jié)構(gòu)(圖a)，整個(gè)六棱柱結(jié)構(gòu)中：Li個(gè)數(shù)為：12×+2×+6＝9個(gè)，Co個(gè)數(shù)為：7+6×＝9，O個(gè)數(shù)為14+12×＝18，則，Li、Co和O個(gè)數(shù)比為1：1：2，化學(xué)式為L(zhǎng)iCoO2；鈷的原子序數(shù)為27，Co3+有24個(gè)電子，電子排布式為[Ar]3d6，其價(jià)層電子排布式為3d6；故答案為：LiCoO2；3d6；②石墨晶胞中碳原子數(shù)目＝8×+4×+1+2＝4，故晶胞的質(zhì)量=4×g，層內(nèi)(平行四邊形)C-C鍵長(zhǎng)為apm＝a×10-10cm，底面的邊長(zhǎng)為2×a×10-10cm＝a×10-10cm，底面上的高為×底面的邊長(zhǎng)＝a×10-10cm，層間距為dpm，則晶胞的體積＝a×10-10cm×a×10-10cm×2d×10-10cm=da2×10-30cm3，則該晶胞的密度=g/cm3，則NA=，故答案為：；(5)該長(zhǎng)鏈硅酸根離子每個(gè)單元為四面體結(jié)構(gòu)，根據(jù)圖示可知：若一個(gè)單環(huán)狀離子中Si原子數(shù)為n，則含有n個(gè)四面體結(jié)構(gòu)，含有的氧原子數(shù)為(3n+1)個(gè)，即：含有n個(gè)Si，則含有(3n+1)個(gè)O，帶有的負(fù)電荷為：n×(+4)+(3n+1)×(-2)＝?(2n+2)，則其化學(xué)式為：(SinO3n+1)(2n+2)?，故答案為：(SinO3n+1)(2n+2)?。9．1s22s22p63s23p63d9或[Ar]3d9正四面體形Osp3、sp2易溶于水4Mg相反分子晶體苯胺中存在電負(fù)性較強(qiáng)的解析：1s22s22p63s23p63d9或[Ar]3d9正四面體形Osp3、sp2易溶于水4Mg相反分子晶體苯胺中存在電負(fù)性較強(qiáng)的N所以可以形成氫鍵，因此比甲苯的熔沸點(diǎn)高?！窘馕觥俊痉治觥?1)Cu原子失去4s能級(jí)上1個(gè)電子、3d能級(jí)上1個(gè)電子生成銅離子，據(jù)此書寫該基態(tài)離子核外電子排布式；(2)SO42-中S原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)且不含孤電子對(duì)，根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷該微粒空間構(gòu)型；該配離子中Cu2+提供空軌道、O原子提供孤電子對(duì)形成配位鍵；(3)中1、2、3號(hào)C原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)是4，4、5、6號(hào)碳原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)是3，根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷該分子中C原子軌道雜化類型；抗壞血酸中羥基屬于親水基，增大其水解性；(4)該晶胞中白色球個(gè)數(shù)、黑色球個(gè)數(shù)為4，則白色球和黑色球個(gè)數(shù)之比=2：4=1：2，根據(jù)其化學(xué)式知，白色球表示O原子、黑色球表示Cu原子；(5)根據(jù)元素周期表和對(duì)角線原則可知與鋰化學(xué)性質(zhì)相似的是鎂，鎂的M層電子數(shù)是2，占據(jù)s軌道，s軌道最多容納2個(gè)電子，所以自旋方向相反；(6)大多數(shù)有機(jī)物都是分子晶體，除了一部分有機(jī)酸鹽和有機(jī)堿鹽是離子晶體。苯胺比甲苯的熔沸點(diǎn)都高，同一種晶體類型熔沸點(diǎn)不同首先要考慮的就是是否有氫鍵，苯胺中存在電負(fù)性較強(qiáng)的N所以可以形成氫鍵，因此比甲苯的熔沸點(diǎn)高。【詳解】(1)Cu原子失去4s能級(jí)上1個(gè)電子、3d能級(jí)上1個(gè)電子生成銅離子，該基態(tài)離子核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d9或[Ar]3d9；(2)SO42?中S原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)且不含孤電子對(duì)，根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷該微?？臻g構(gòu)型為正四面體形；該配離子中Cu2+提供空軌道、O原子提供孤電子對(duì)形成配位鍵，所以配原子為O；(3)中1、2、3號(hào)C原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)是4，4、5、6號(hào)碳原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)是3，根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷該分子中C原子軌道雜化類型，1、2、3號(hào)C原子采用sp3雜化，4、5、6號(hào)C原子采用sp2雜化；抗壞血酸中羥基屬于親水基，增大其水解性，所以抗壞血酸易溶于水；(4)該晶胞中白色球個(gè)數(shù)、黑色球個(gè)數(shù)為4，則白色球和黑色球個(gè)數(shù)之比=2:4=1:2，根據(jù)其化學(xué)式知，白色球表示O原子、黑色球表示Cu原子，則該晶胞中Cu原子數(shù)目為4；(5)根據(jù)元素周期表和對(duì)角線原則可知與鋰化學(xué)性質(zhì)相似的是鎂，鎂的M層電子數(shù)是2，占據(jù)s軌道，s軌道最多容納2個(gè)電子，所以自旋方向相反；(6)大多數(shù)有機(jī)物都是分子晶體，除了一部分有機(jī)酸鹽和有機(jī)堿鹽是離子晶體。苯胺比甲苯的熔沸點(diǎn)都高，同一種晶體類型熔沸點(diǎn)不同首先要考慮的就是是否有氫鍵，苯胺中存在電負(fù)性較強(qiáng)的N所以可以形成氫鍵，因此比甲苯的熔沸點(diǎn)高。10．四面體形N＞O＞H＞Mo層與層之間的范德華力較弱，外力作用下易發(fā)生滑動(dòng)Π46離子鍵、氫鍵1：2體心立方堆積【解析】【分析】解析：四面體形N＞O＞H＞Mo層與層之間的范德華力較弱，外力作用下易發(fā)生滑動(dòng)Π46離子鍵、氫鍵1：2體心立方堆積【解析】【分析】【詳解】(1)①M(fèi)o與Cr是同族元素，并且位于相鄰周期，則Mo處于周期表中第五周期VIB族，價(jià)電子排布式4d55s1，價(jià)電子軌道排布圖為：；(2)H2S中心原子S原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為=4，VSEPR模型為正四面體；一般金屬性越強(qiáng)第一電離能越小，同周期主族元素隨原子序數(shù)增大第一電離能呈增大趨勢(shì)，N原子2p軌道為半充滿穩(wěn)定狀態(tài)，第一電離能高于氧元素的，故第一電離能：N＞O＞H＞Mo；具有類似于石墨的層狀結(jié)構(gòu)，層與層之間的范德華力較弱，在外力作用下容易發(fā)生滑動(dòng)，具有優(yōu)異的潤(rùn)滑性能；(3)CO32-中，C原子為sp2雜化，空間構(gòu)型為平面三角形，碳原子上有一個(gè)垂直于分子平面的p軌道；端位的3個(gè)氧原子也各有1個(gè)垂直于分子平面的p軌道，離子價(jià)電子總數(shù)為3×6+4+2=24，3個(gè)C－O鍵有6個(gè)電子，每個(gè)氧原子上有2對(duì)不與分子平面垂直的孤對(duì)電子對(duì)，因此4個(gè)平行p軌道中共有24-6-3×4=6個(gè)電子，所以CO32－離子中有1個(gè)4軌道6電子大π鍵，所以記為；(4)還存在Na+與[Mo(CN)8]3-之間的離子鍵以及水分子之間的氫鍵；配體離子為CN-，碳氮之間為三鍵，含有1個(gè)σ鍵和2個(gè)π鍵，所以數(shù)目比為1:2；(5)如圖金屬鉬晶體中的原子堆積方式中，Mo原子處于立方體的體心與頂點(diǎn)，屬于體心立方堆積；晶胞中Mo原子數(shù)目=1+8×=2，故晶胞中Mo原子總體積=2×π×(r×10-10cm)3，晶胞質(zhì)量=g，則晶胞體積=2×cm3，晶胞中原子的空間利用率=?！军c(diǎn)睛】一般金屬性越強(qiáng)第一電離能越小，同周期主族元素隨原子序數(shù)增大第一電離能呈增大趨勢(shì)，IIA、VA族為全充滿或半充滿穩(wěn)定狀態(tài)，第一電離能高于同周期相鄰元素的；可以根據(jù)CN-的等電子體N2來(lái)判斷離子構(gòu)型和成鍵方式。11．正四面體形CH4、NH4＋(BO2)nn-sp3、sp2氫鍵、共價(jià)鍵、范德華力【解析】【分析】（1）B位于周期表中第2周期，第ⅢA族，同周期主解析：正四面體形CH4、NH4＋