華潤(rùn)微電子校招真題及答案

單項(xiàng)選擇題（每題2分，共20分）1.半導(dǎo)體中載流子主要是（）A.電子B.空穴C.電子和空穴D.離子2.MOSFET是（）器件。A.電流控制B.電壓控制C.磁控D.光控3.以下哪種屬于模擬電路（）A.計(jì)數(shù)器B.放大器C.寄存器D.編碼器4.晶體三極管工作在放大區(qū)時(shí)，發(fā)射結(jié)（）A.正偏B.反偏C.零偏D.不確定5.集成電路制造中，光刻的目的是（）A.去除雜質(zhì)B.圖形轉(zhuǎn)移C.摻雜D.氧化6.數(shù)字電路中常用的數(shù)制是（）A.十進(jìn)制B.二進(jìn)制C.八進(jìn)制D.十六進(jìn)制7.以下哪種不是半導(dǎo)體封裝形式（）A.QFPB.BGAC.PCBD.SOP8.衡量運(yùn)算放大器性能的指標(biāo)是（）A.放大倍數(shù)B.輸入電阻C.輸出電阻D.以上都是9.半導(dǎo)體材料硅的原子序數(shù)是（）A.12B.14C.16D.1810.在數(shù)字電路中，與非門的邏輯關(guān)系是（）A.有0出1，全1出0B.有1出1，全0出0C.有0出0，全1出1D.有1出0，全0出1多項(xiàng)選擇題（每題2分，共20分）1.半導(dǎo)體的特性有（）A.熱敏性B.光敏性C.摻雜性D.超導(dǎo)性2.以下屬于數(shù)字電路特點(diǎn)的是（）A.信號(hào)是離散的B.抗干擾能力強(qiáng)C.便于集成D.處理模擬信號(hào)3.常見(jiàn)的半導(dǎo)體工藝有（）A.CMOSB.BJTC.BiCMOSD.MEMS4.運(yùn)算放大器的應(yīng)用電路有（）A.反相放大器B.同相放大器C.積分器D.微分器5.半導(dǎo)體制造過(guò)程中的清洗步驟作用有（）A.去除顆粒B.去除有機(jī)物C.去除金屬雜質(zhì)D.改變材料性質(zhì)6.數(shù)字電路中的基本邏輯門有（）A.與門B.或門C.非門D.異或門7.影響半導(dǎo)體器件性能的因素有（）A.溫度B.電壓C.雜質(zhì)濃度D.光照8.以下屬于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的是（）A.SRAMB.DRAMC.FLASHD.ROM9.集成電路設(shè)計(jì)流程包括（）A.系統(tǒng)設(shè)計(jì)B.邏輯設(shè)計(jì)C.物理設(shè)計(jì)D.測(cè)試驗(yàn)證10.半導(dǎo)體封裝的作用有（）A.保護(hù)芯片B.電氣連接C.散熱D.減小體積判斷題（每題2分，共20分）1.半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間。（）2.三極管工作在飽和區(qū)時(shí)，集電極電流受基極電流控制。（）3.數(shù)字電路只能處理二進(jìn)制信號(hào)。（）4.光刻是集成電路制造中最重要的工藝步驟之一。（）5.運(yùn)算放大器的輸入電阻越小越好。（）6.半導(dǎo)體材料在低溫下會(huì)變成絕緣體。（）7.與門的邏輯關(guān)系是全1出1，有0出0。（）8.半導(dǎo)體封裝不會(huì)影響器件的性能。（）9.數(shù)字電路中的觸發(fā)器可以存儲(chǔ)1位二進(jìn)制信息。（）10.集成電路設(shè)計(jì)中，布局布線屬于物理設(shè)計(jì)階段。（）簡(jiǎn)答題（每題5分，共20分）1.簡(jiǎn)述半導(dǎo)體的熱敏性。2.說(shuō)明數(shù)字電路和模擬電路的區(qū)別。3.光刻工藝的主要步驟有哪些？4.簡(jiǎn)述運(yùn)算放大器的虛短和虛斷概念。討論題（每題5分，共20分）1.討論半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展對(duì)現(xiàn)代生活的影響。2.分析集成電路設(shè)計(jì)中面臨的挑戰(zhàn)。3.探討半導(dǎo)體封裝技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)。4.談?wù)勀銓?duì)華潤(rùn)微電子未來(lái)發(fā)展的看法。答案單項(xiàng)選擇題1.C2.B3.B4.A5.B6.B7.C8.D9.B10.A多項(xiàng)選擇題1.ABC2.ABC3.ABCD4.ABCD5.ABC6.ABC7.ABCD8.ABCD9.ABCD10.ABC判斷題1.√2.×3.√4.√5.×6.√7.√8.×9.√10.√簡(jiǎn)答題1.半導(dǎo)體熱敏性指其導(dǎo)電能力隨溫度變化顯著。溫度升高，載流子濃度增加，導(dǎo)電能力增強(qiáng)；溫度降低則相反。2.數(shù)字電路處理離散信號(hào)，抗干擾強(qiáng)、便于集成；模擬電路處理連續(xù)信號(hào)，信號(hào)幅度和時(shí)間連續(xù)，用于處理模擬量。3.光刻主要步驟：涂膠、曝光、顯影。先在硅片涂光刻膠，用掩膜版曝光，使膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，再顯影去除部分膠，實(shí)現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移。4.虛短指運(yùn)算放大器同相和反相輸入端電壓近似相等；虛斷指流入運(yùn)算放大器輸入端的電流近似為零。討論題1.半導(dǎo)體技術(shù)推動(dòng)電子產(chǎn)品小型化、智能化，如手機(jī)、電腦普及，還用于汽車、醫(yī)療等領(lǐng)域，提升生活品質(zhì)和效率。2.集成電路設(shè)計(jì)面臨功耗高、設(shè)計(jì)復(fù)雜度大、工藝尺寸縮小帶來(lái)的物理效應(yīng)等挑戰(zhàn)，