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文檔簡介
船舶電氣(大管輪)第一章船舶電工基礎(chǔ)第二章船舶電力拖動控制第三章船舶甲板設(shè)備的電氣控制第四章電氣和電子控制設(shè)備的故障診斷第五章船舶配電系統(tǒng)第六章船舶高壓裝置第一章船舶電工基礎(chǔ)第1節(jié)船舶電工材料與工藝第2節(jié)半導(dǎo)體器件第3節(jié)電子技術(shù)的應(yīng)用第1節(jié)船舶電工材料與工藝按電磁性質(zhì)分類,分為導(dǎo)電材料、半導(dǎo)體材料、絕緣材料、磁性材料和其他常用的船舶低壓電工材料等。一、船舶常用的導(dǎo)體材料電線、電纜、銅排、接地排等,還有熔體、電磁線等1.船舶常用電纜和電線:
BVR-聚氯乙烯絕緣銅芯軟線、AV-聚氯乙烯絕緣儀表安裝線2.電磁線:漆包線、紗包線和紗包漆包線3.保護(hù)性導(dǎo)電材料:熔體,銀4.接觸性導(dǎo)電材料:觸頭、觸點第1節(jié)船舶電工材料與工藝二、船舶常用的絕緣材料
耐熱,抗潮,抗霉,耐酸、堿、鹽、油和長期使用等1.性能指標(biāo):
耐壓、耐熱、耐潮、強度2.耐熱等級:Y、A(105℃)、E、B(130℃)、F、H(180℃)、C3.常用的絕緣材料:固體、液體(漆、溶劑)第1節(jié)船舶電工材料與工藝三、 船用電氣設(shè)備的要求一般要求:1.溫濕度影響:
潮濕
霉菌
絕緣降低
設(shè)備燒壞
絕緣耐壓下降
高溫
導(dǎo)體軟化
接觸氧化
電子失效2,特殊設(shè)計要求:爬電、三防、IP、防爆失壓保護(hù)值3,阻燃材料應(yīng)用:
有機、無機
降溫抽濕隔熱、風(fēng)冷、水冷設(shè)備緊固、清潔處理巡檢加強第1節(jié)船舶電工材料與工藝四、船用電纜1.結(jié)構(gòu):導(dǎo)電芯線、絕緣層、護(hù)套和鎧裝層2.電纜的使用方法:型號、截面
載流量
單芯電線周邊的磁場集膚效應(yīng)第1節(jié)船舶電工材料與工藝五、船舶電工工藝
1.電纜的處理:切割、包扎、標(biāo)記、敷設(shè)、貫穿與密封、電纜彎曲半徑(R≥4D) 2.熱縮材料:
3.安裝基本原則:檢查電路是否帶電,只能用萬能表、驗電筆和燈,在未確定無電前不能進(jìn)行工作。帶電作業(yè)必須經(jīng)由電氣負(fù)責(zé)人批準(zhǔn),必須有兩人一同進(jìn)行,盡可能用一只手觸及帶電設(shè)備及進(jìn)行操作。第1節(jié)船舶電工材料與工藝六、船舶安全用電
1.人體電流 2.觸電預(yù)防 3.安全程序
4.觸電急救
5.設(shè)備接地
保護(hù)接地第2節(jié)半導(dǎo)體器件一、二極管Diode
單向?qū)щ?/p>
1.結(jié)構(gòu)
2.特性 3.參數(shù) 4.選用
5.穩(wěn)壓
6.電力
陰極引線陽極引線二氧化硅保護(hù)層P型硅N型硅
平面型金屬觸絲陽極引線N型鍺片陰極引線外殼點接觸型鋁合金小球N型硅陽極引線PN結(jié)金銻合金底座陰極引線
面接觸型1.結(jié)構(gòu)陰極陽極
符號D10UI反向擊穿電壓U(BR)導(dǎo)通壓降正向特性反向特性死區(qū)電壓PN+–PN–+反向電流在一定電壓范圍內(nèi)保持常數(shù)。硅0.6~0.8V鍺0.2~0.3V硅管0.5V鍺管0.1V。
外加電壓大于死區(qū)電壓二極管才能導(dǎo)通。
外加電壓大于反向擊穿電壓二極管被擊穿,失去單向?qū)щ娦浴?特性指二極管加最高反向工作電壓時的反向電流。反向電流大,說明管子的單向?qū)щ娦圆睿琁RM受溫度的影響,溫度越高反向電流越大。硅管的反向電流較小,鍺管的反向電流較大,為硅管的幾十到幾百倍。113參數(shù)1)最大整流電流
IOM2)反向工作峰值電壓URWM是保證二極管不被擊穿而給出的反向峰值電壓,一般是二極管反向擊穿電壓UBR的一半或三分之二。二極管擊穿后單向?qū)щ娦员黄茐?,甚至過熱而燒壞。3)反向峰值電流IRM二極管長期使用時,允許流過二極管的最大正向平均電流。4.選用12IF<IOMUBR>(2~3)URWM使用:D6V12V3k
BAUAB+–V陽
=-6VV陰=-12VV陽>V陰二極管導(dǎo)通若忽略管壓降,二極管可看作短路,UAB=-6V否則,UAB低于-6V一個管壓降,為-6.3V或-6.7V二極管起鉗位作用。5.穩(wěn)壓13UZIZIZM
UZ
IZ特性
穩(wěn)壓管正常工作時加反向電壓使用時要加限流電阻
穩(wěn)壓管反向擊穿后,電流變化很大,但其兩端電壓變化很小,利用此特性,穩(wěn)壓管在電路中可起穩(wěn)壓作用。_+UIODZ5V1Ruoui++––6.電力二極管141)普通二極管(GeneralPurposeDiode)又稱整流二極管(RectifierDiode)多用于開關(guān)頻率不高(1kHz以下)的整流電路中其反向恢復(fù)時間較長,一般在5
s以上,這在開關(guān)頻率不高時并不重要正向電流定額和反向電壓定額可以達(dá)到很高,分別可達(dá)數(shù)千安和數(shù)千伏以上152)
快速恢復(fù)二極管(FastRecoveryDiode—FRD)分為快速恢復(fù)和超快速恢復(fù)兩個等級。前者反向恢復(fù)時間為數(shù)百納秒或更長,后者則在100ns以下,甚至達(dá)到20~30ns。分為PN和PIN結(jié)構(gòu)兩種。外延型PIN結(jié)構(gòu)的的快速恢復(fù)外延二極管(FastRecoveryEpitaxialDiodes—FRED),其反向恢復(fù)時間比較短(可低于50ns),正向壓降也很低(0.9V左右),但其反向耐壓多在1200V以下。3)
肖特基二極管反向恢復(fù)時間很短(10~40ns)在反向耐壓較低的情況下其正向壓降也很小(一般0.5V左右)其開關(guān)損耗和正向?qū)〒p耗都比快速二極管還要小,效率高反向漏電流較大且對溫度敏感16正向平均電流IF(AV)正向壓降UF反向重復(fù)峰值電壓URRM指對功率二極管所能重復(fù)施加的反向最高峰值電壓通常是其雪崩擊穿電壓UB的2/3使用時,往往按照電路中功率二極管可能承受的反向最高峰值電壓的2倍左右來選定
4)
電力二極管(功率二極管)第2節(jié)半導(dǎo)體器件二、雙極型晶體管Bipolar-Transistor
電流放大
1.結(jié)構(gòu)
2.特性 3.參數(shù) 4.選用
基區(qū):最薄,摻雜濃度最低發(fā)射區(qū):摻雜濃度最高發(fā)射結(jié)集電結(jié)BECNNP基極發(fā)射極集電極1.結(jié)構(gòu)集電區(qū):面積最大2.特性18死區(qū)電壓:硅管0.5V,鍺管0.1V。放大區(qū)截止區(qū)飽和區(qū)3.參數(shù)19常用晶體管的
值在20~
200之間。1)電流放大系數(shù)
=2)集電極最大允許電流ICM:IC上升會導(dǎo)致三極管的
值的下降,當(dāng)
值下降到正常值的三分之二時的集電極電流即為ICM。3)集-射極反向擊穿電壓U(BR)CEO4)集電極最大允許耗散功耗PCM:
取決于三極管允許的溫升4.選用201)NPN還是PNP2)ICM3)U(BR)CEO4)PCM5)溫度每增加10
C,ICBO增大一倍。6)溫度每升高1
C,
增加0.5%~1.0%。第2節(jié)半導(dǎo)體器件三、場效應(yīng)晶體管MOSFET
電壓控制
1.結(jié)構(gòu)
2.特性 3.特點
N溝道增強型P溝道增強型1.結(jié)構(gòu)2.特性22開關(guān)時間在10~100ns之間,其工作頻率可達(dá)100kHz以上,是主要電力電子器件中最高的。3.特點23(1)場效應(yīng)管是電壓控制器件,它通過UGS來控制ID;(2)輸入電阻很高,需要的驅(qū)動功率小,驅(qū)動電路簡單。(3)開關(guān)速度快,工作頻率高。(4)熱穩(wěn)定性好,抗輻射能力強。(5)電流容量小,耐壓低,多用于功率不超過10kW的電力電子裝置。第2節(jié)半導(dǎo)體器件四、晶閘管SCR
電流控制
1.結(jié)構(gòu)
2.原理 3.特性 4.參數(shù)
5.應(yīng)用
1.結(jié)構(gòu)2.原理25等效為兩個晶體管V1和V2串級而成。其工作過程如下:
UGK>0→產(chǎn)生IG→V2通→產(chǎn)生IC2→V1通→IC1↗→IC2↗→出現(xiàn)強烈的正反饋,G極失去控制作用,V1和V2完全飽和,SCR飽和導(dǎo)通。晶閘管導(dǎo)通后,即使去掉門極電流,仍能維持導(dǎo)通。3.特性261,導(dǎo)通需具備兩個條件:正向、觸發(fā)電流2,半控3,零壓或反向關(guān)斷:IH稱為維持電流正向轉(zhuǎn)折電壓維持電流正向平均電流反向轉(zhuǎn)折電壓IF4.參數(shù)27(1)正向重復(fù)峰值電壓UFRM(2)反向重復(fù)峰值電壓URRM,至少為反向轉(zhuǎn)折電壓UBR的80%。
(3)正向平均電流IF:選擇應(yīng)取(1.5~2)倍額定(4)維持電流IH第2節(jié)半導(dǎo)體器件五、絕緣柵雙極型晶體管
IGBT電壓控制
1.結(jié)構(gòu)
2.特性 3.特點 4.應(yīng)用
1.結(jié)構(gòu)292.特性303.特點:31(1)開關(guān)速度高,開關(guān)損耗小。在電壓1000V以上時,開關(guān)損耗只有GTR的1/10,與電力MOSFET相當(dāng)(2)相同電壓和電流定額時,安全工作區(qū)比GTR大,且具有耐脈沖電流沖擊能力(3)通態(tài)壓降比VDMOSFET低,特別是在電流較大的區(qū)域(4)輸入阻抗高,輸入特性與MOSFET類似(5)與MOSFET和GTR相比,耐壓和通流能力還可以進(jìn)一步提高,同時保持開關(guān)頻率高的特點4.應(yīng)用321,逆變;2,整流;3,驅(qū)動集成,帶保護(hù),包括反向二極管;4,并聯(lián)擴展:均流(導(dǎo)通電阻正溫度系數(shù))。第2節(jié)半導(dǎo)體器件六、電力電子器件
不可控、半控型、全控型;
分類:
電流驅(qū)動型和電壓驅(qū)動型;
脈沖觸發(fā)型和電平控制型
高電壓
大電流(大功率)
特點:
低損耗
高速度
驅(qū)動隔離
第3節(jié)電子技術(shù)的應(yīng)用一、 單相半波和橋式整流電路1、單相半波整流電路2、單相橋式整流器35電流的通路是a-D1-RL-D3-b電流的通路是b-D2-RL-D4-aUO=0.9U2
1,如果二極管D2或D4接反2,如果二極管D2或D4因擊穿燒壞而短路問題?第3節(jié)電子技術(shù)的應(yīng)用二、三相整流電路1、全橋不可控整流電路換相的次序為VD1
VD2
VD3
VD4
VD5
VD6輸出直流電壓等于交流側(cè)線電壓中最大的一個37IVD=Id/3=IR/32、三相可控整流器38晶閘管的導(dǎo)通順序為VT1-VT2-VT3-VT4-VT5-VT6時段ⅠⅡⅢⅣⅤⅥ共陰極組中導(dǎo)通的晶閘管VT1VT1VT3VT3VT5VT5共陽極組中導(dǎo)通的晶閘管VT6VT2VT2VT4VT4VT6整流輸出電壓udua-ub=uabua-uc=uacub-uc=ubcub-ua=ubauc-ua=ucauc-ub=ucb394041觸發(fā)角90°1,帶電阻負(fù)載時,觸發(fā)角
的移相范圍是0~120
,
2,帶阻感負(fù)載時,觸發(fā)角
移相范圍為0~90
。
3,帶阻感負(fù)載時,或帶電阻負(fù)載
≤60
時42(1)每個時刻均需2個晶閘管同時導(dǎo)通;(2)按VT1-VT2-VT3-VT4-VT5-VT6的順序,相位依次差60o
(3)VT1、VT3、VT5的脈沖依次差120,VT4、VT6、VT2也依次差120o
;(4)同一相的上下兩個橋臂,即VT1與VT4,VT3與VT6,VT5與VT2,脈沖相差180o;(5)寬脈沖觸發(fā)(使脈沖寬度大于60o)或雙脈沖(多脈沖)觸發(fā)要求數(shù)量關(guān)系:第3節(jié)電子技術(shù)的應(yīng)用三、 濾波和穩(wěn)壓電路1.電容濾波電路2.電感濾波電路3.穩(wěn)壓電路1.電容濾波電路44UOUoavg=(1.1~1.2)U2Uomax=1.4U2缺點:電容濾波時,變壓器供電電流大、波形差、供電功率因數(shù)低2.電感濾波電路45利用電感的儲能作用可以減小輸出電壓和電流的紋波;
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