2025年下學(xué)期高三化學(xué)物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)綜合題專項訓(xùn)練(二)_第1頁
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2025年下學(xué)期高三化學(xué)物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)綜合題專項訓(xùn)練(二)一、選擇題(每小題3分,共45分)下列關(guān)于原子結(jié)構(gòu)的說法正確的是()A.基態(tài)碳原子的電子排布式為1s22s12p3違背了泡利不相容原理B.價電子排布為5s25p1的元素位于第五周期第ⅠA族,是s區(qū)元素C.同一周期中,隨著核電荷數(shù)的增加,元素的第一電離能逐漸增大D.日常生活中廣泛使用的LED屏幕材料(砷化鎵)晶體中存在配位鍵化合物[Cu(NH?)?]SO?的相關(guān)性質(zhì)分析正確的是()A.中心離子Cu2?的配位數(shù)為4,配位原子為N和OB.SO?2?的空間構(gòu)型為正四面體,其中S原子的雜化方式為sp3C.該化合物中存在離子鍵、共價鍵、配位鍵和氫鍵D.向其水溶液中加入足量BaCl?溶液,所有SO?2?均能轉(zhuǎn)化為沉淀短周期主族元素X、Y、Z、W的原子序數(shù)依次增大,X原子核外最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子數(shù)的3倍,Y的原子半徑是所有短周期主族元素中最大的,Z與X同主族,W與Y同主族。下列說法正確的是()A.簡單氣態(tài)氫化物的熱穩(wěn)定性:X<ZB.化合物Y?X?中既含離子鍵又含極性共價鍵C.原子半徑:r(W)>r(Z)>r(Y)>r(X)D.W的最高價氧化物對應(yīng)水化物的堿性比Y的弱下列關(guān)于晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的說法錯誤的是()A.金剛石和石墨的熔點差異主要源于碳原子的雜化方式不同B.NaCl晶體中每個Na?周圍距離最近的Cl?有6個C.金屬晶體的延展性主要與金屬鍵的方向性有關(guān)D.SiO?晶體中最小環(huán)由12個原子構(gòu)成(6個Si原子和6個O原子)已知某配合物的化學(xué)式為[Co(NH?)?Cl]Cl?,下列說法正確的是()A.該配合物的配位數(shù)為5B.向其溶液中加入AgNO?溶液,所有Cl?均能生成AgCl沉淀C.中心離子Co3?的核外電子排布式為[Ar]3d?D.配合物中NH?分子的VSEPR模型為三角錐形二、非選擇題(共55分)(14分)A、B、C、D、E是元素周期表前四周期中的常見元素,原子序數(shù)依次增大。A元素基態(tài)原子的核外電子排布式為1s22s22p3;B元素的價電子排布式為ns?np??2;C元素原子的最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子數(shù)的3倍;D元素與C元素同主族;E元素的單質(zhì)是一種常見的金屬,其基態(tài)原子的價電子排布式為3d?4s2。請回答下列問題:(1)A元素位于元素周期表第______周期第______族,其第一電離能比同周期相鄰元素的第一電離能______(填“大”或“小”),原因是________________________。(2)B元素的最高價氧化物對應(yīng)水化物的化學(xué)式為______,該分子中B原子的雜化方式為______,分子的空間構(gòu)型為______。(3)C、D兩種元素的簡單氫化物中,沸點較高的是______(填化學(xué)式),原因是________________________。(4)E元素的基態(tài)原子中,核外未成對電子數(shù)為______個;E3?的電子排布式為______;E與C形成的化合物的晶體類型為______,其熔點比E與D形成的化合物的熔點______(填“高”或“低”)。(15分)銅及其化合物在工業(yè)生產(chǎn)中具有廣泛的應(yīng)用。請回答下列問題:(1)基態(tài)Cu原子的核外電子排布式為________________________,其價電子軌道表示式為________________________。(2)Cu2?能與NH?形成配合物[Cu(NH?)?]2?,其中NH?分子中的N原子提供______,Cu2?提供______,二者之間形成______鍵。[Cu(NH?)?]2?中Cu2?的配位數(shù)為______,該配合物的顏色為______。(3)CuCl?的熔點為620℃,熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電,據(jù)此可判斷CuCl?屬于______晶體。CuCl的熔點為430℃,其熔點低于CuCl?的原因是________________________。(4)Cu與Cl形成的化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示(黑球代表Cu原子,白球代表Cl原子),則該化合物的化學(xué)式為______;若晶胞參數(shù)為apm,阿伏加德羅常數(shù)的值為N?,則該晶體的密度為______g·cm?3(列出計算式即可)。(14分)氮族元素(N、P、As、Sb、Bi)在生產(chǎn)、生活中具有廣泛的應(yīng)用。請回答下列問題:(1)N?分子的結(jié)構(gòu)式為______,其中N原子的雜化方式為______,分子中含有______個σ鍵和______個π鍵。(2)磷酸(H?PO?)是一種常見的三元中強酸,其分子中P原子的雜化方式為______,分子的空間構(gòu)型為______。PO?3?的空間構(gòu)型為______,其中P原子的價層電子對數(shù)為______。(3)砷化鎵(GaAs)是一種重要的半導(dǎo)體材料,其晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相似,屬于______晶體。GaAs的熔點為1238℃,其熔點高于GaP的原因是________________________。(4)已知NH?的沸點為-33.5℃,PH?的沸點為-87.7℃,NH?的沸點高于PH?的原因是________________________;SbH?的沸點高于AsH?的原因是________________________。(12分)碳元素是形成化合物種類最多的元素,其單質(zhì)及化合物在生產(chǎn)、生活中具有重要的意義。請回答下列問題:(1)金剛石和石墨是碳元素的兩種常見單質(zhì),二者互為______。金剛石中碳原子的雜化方式為______,石墨中碳原子的雜化方式為______。(2)C??是一種由60個碳原子構(gòu)成的分子,形似足球,因此也被稱為足球烯。C??分子中每個碳原子與______個相鄰碳原子形成共價鍵,分子中含有______個五邊形和______個六邊形。(3)CO?是一種常見的溫室氣體,其分子的空間構(gòu)型為______,其中C原子的雜化方式為______。干冰是CO?的固態(tài)形式,其晶體類型為______,晶體中每個CO?分子周圍距離最近的CO?分子有______個。(4)碳化硅(SiC)是一種重要的無機非金屬材料,其晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相似,其中C原子與Si原子交替排列。SiC的熔點高于金剛石的原因是________________________。參考答案及解析一、選擇題DA項:基態(tài)碳原子的電子排布式應(yīng)為1s22s22p2,題中排布違背了能量最低原理;B項:價電子排布為5s25p1的元素位于第五周期第ⅢA族,是p區(qū)元素;C項:同一周期中,第一電離能呈增大趨勢,但ⅡA族和ⅤA族元素的第一電離能大于相鄰元素(如Mg>Al,P>S);D項:GaAs晶體中,Ga原子提供空軌道,As原子提供孤電子對,形成配位鍵。BA項:[Cu(NH?)?]SO?的中心離子為Cu2?,配位數(shù)為4,配位原子為N(NH?為配體);B項:SO?2?中S原子的價層電子對數(shù)為4,雜化方式為sp3,空間構(gòu)型為正四面體;C項:該化合物中存在離子鍵([Cu(NH?)?]2?與SO?2?)、共價鍵(NH?內(nèi)部)和配位鍵(Cu2?與NH?),但不存在氫鍵;D項:[Cu(NH?)?]2?中的NH?分子不能電離出OH?,加入BaCl?溶液后,只有外界的SO?2?能與Ba2?結(jié)合生成沉淀。D由題意可知,X為O,Y為Na,Z為S,W為K。A項:非金屬性O(shè)>S,故簡單氣態(tài)氫化物的熱穩(wěn)定性H?O>H?S;B項:Na?O?中既含離子鍵又含非極性共價鍵(O-O鍵);C項:原子半徑r(K)>r(Na)>r(S)>r(O);D項:金屬性K>Na,故最高價氧化物對應(yīng)水化物的堿性KOH>NaOH。CA項:金剛石中C原子為sp3雜化,石墨中C原子為sp2雜化,二者熔點差異源于雜化方式及晶體結(jié)構(gòu)不同;B項:NaCl晶體中Na?的配位數(shù)為6;C項:金屬鍵無方向性和飽和性,金屬晶體的延展性與金屬鍵的自由電子有關(guān);D項:SiO?晶體中最小環(huán)由12個原子構(gòu)成(6個Si原子和6個O原子)。CA項:[Co(NH?)?Cl]Cl?的配位數(shù)為6(5個NH?和1個Cl?);B項:配合物中內(nèi)界的Cl?不能電離,加入AgNO?溶液后,只有外界的2個Cl?能生成AgCl沉淀;C項:Co3?的核外電子排布式為[Ar]3d?;D項:NH?分子的VSEPR模型為四面體形,空間構(gòu)型為三角錐形。二、非選擇題6.(1)二;ⅤA;大;N原子的2p軌道為半充滿狀態(tài),能量較低,較穩(wěn)定(2)H?SO?;sp3;正四面體形(3)H?O;H?O分子間存在氫鍵,而H?S分子間不存在氫鍵(4)4;[Ar]3d?;離子晶體;高解析:A為N,B為S,C為O,D為S(此處應(yīng)為“D為Se”,原解析可能存在筆誤,根據(jù)原子序數(shù)依次增大及C與D同主族,C為O,則D應(yīng)為S的下一周期元素Se),E為Fe。(1)N位于第二周期第ⅤA族,其2p軌道為半充滿狀態(tài),第一電離能大于同周期相鄰元素(O、C)。(2)S的最高價氧化物對應(yīng)水化物為H?SO?,S原子的價層電子對數(shù)為4,雜化方式為sp3,空間構(gòu)型為正四面體形。(3)H?O分子間存在氫鍵,沸點高于H?S(或H?Se)。(4)Fe的價電子排布式為3d?4s2,核外未成對電子數(shù)為4;Fe3?的電子排布式為[Ar]3d?;Fe與O形成的化合物(Fe?O?)為離子晶體,F(xiàn)e與Se形成的化合物(FeSe)為離子晶體,但O的電負(fù)性大于Se,F(xiàn)e-O鍵的離子鍵成分更高,熔點更高。(1)[Ar]3d1?4s1;(2)孤電子對;空軌道;配位;4;深藍色(3)離子;CuCl和CuCl?均為離子晶體,但Cu?的半徑小于Cu2?,CuCl的晶格能小于CuCl?,故熔點較低(4)CuCl;(\frac{4×(64+35.5)}{N?×(a×10^{-10})3})解析:(1)基態(tài)Cu原子的核外電子排布式為[Ar]3d1?4s1,價電子軌道表示式為3d1?4s1。(2)NH?分子中的N原子提供孤電子對,Cu2?提供空軌道,形成配位鍵;[Cu(NH?)?]2?的配位數(shù)為4,顏色為深藍色。(3)CuCl?熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電,屬于離子晶體;CuCl和CuCl?均為離子晶體,但Cu?的半徑小于Cu2?,CuCl的晶格能小于CuCl?,故熔點較低。(4)晶胞中Cu原子數(shù)為4(8×1/8+6×1/2=4),Cl原子數(shù)為4(4×1),化學(xué)式為CuCl;密度(\rho=\frac{m}{V}=\frac{4×(64+35.5)}{N?×(a×10^{-10})3})。(1)N≡N;sp;1;2(2)sp3;四面體形;正四面體形;4(3)原子;GaAs的相對分子質(zhì)量大于GaP,原子間的共價鍵更強,熔點更高(4)NH?分子間存在氫鍵,而PH?分子間不存在氫鍵;SbH?的相對分子質(zhì)量大于AsH?,分子間范德華力更強解析:(1)N?分子的結(jié)構(gòu)式為N≡N,N原子的雜化方式為sp,分子中含有1個σ鍵和2個π鍵。(2)H?PO?中P原子的價層電子對數(shù)為4,雜化方式為sp3,空間構(gòu)型為四面體形;PO?3?中P原子的價層電子對數(shù)為4,空間構(gòu)型為正四面體形。(3)GaAs的晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相似,屬于原子晶體;GaAs的相對分子質(zhì)量大于GaP,原子間的共價鍵更強,熔點更高。(4)NH?分子間存在氫鍵,沸點高于PH?;SbH?和AsH?均為分子晶體,SbH?的相對分子質(zhì)量更大,分子間范德華力更強,沸點更高。(1)同素異形體;sp3;sp2(2)3;12;20(3)直線形;sp;分子晶體;12(4)SiC中C-Si鍵的鍵長比金剛石中C-C鍵的鍵長短,鍵能更大解析:(1)金剛石和石墨互為同素異形體,金剛石中C原子為sp3雜化,石墨中C原子為sp2雜化。(2)C??分子中每個碳原子與3個相鄰碳原子形成共價鍵,分子中含有1

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