成考（高起本）理化晶體結(jié)構(gòu)Catalogue目錄晶體生長與性質(zhì)2.1.晶體結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)理論晶體結(jié)構(gòu)與性能的關(guān)系3.晶體結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)理論0101有規(guī)則排列的原子或分子固定的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)各向異性晶體的特征02原子或分子無規(guī)則排列沒有固定的熔點(diǎn)各向同性非晶體的特性03X射線衍射分析電子顯微鏡觀察熔點(diǎn)測試晶體與非晶體的鑒別方法04晶格與晶胞晶面指數(shù)晶體對稱性晶體學(xué)的基本概念晶體與非晶體的區(qū)別金屬晶體金屬原子通過金屬鍵結(jié)合自由電子海洋良好的導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性原子晶體原子通過共價鍵結(jié)合構(gòu)成宏觀網(wǎng)絡(luò)高硬度和高熔點(diǎn)離子晶體由正負(fù)離子組成強(qiáng)的靜電引力高熔點(diǎn)分子晶體由分子通過范德華力結(jié)合分子間力較弱低熔點(diǎn)晶體的分類晶胞的尺寸參數(shù)表示為a,

b,

c決定晶體的空間結(jié)構(gòu)晶格常數(shù)晶胞的形狀和大小包含晶格常數(shù)和角度描述晶體對稱性晶胞參數(shù)晶體操作的規(guī)律性對稱元素和對稱操作影響晶體物理性質(zhì)晶體對稱性晶體中的局部不規(guī)則點(diǎn)缺陷、線缺陷和面缺陷影響晶體性能晶體缺陷晶體結(jié)構(gòu)的基本參數(shù)晶體生長與性質(zhì)02晶體生長的熱力學(xué)條件確保系統(tǒng)的自由能降低需要過飽和度以觸發(fā)成核生長速率與溫度和壓力相關(guān)晶體生長的動力學(xué)過程涉及成核、生長和終止階段生長速率受界面動力學(xué)控制微觀機(jī)制包括原子或分子的附著和擴(kuò)散晶體生長的形態(tài)學(xué)晶體形態(tài)取決于生長速率和條件生長界面穩(wěn)定性影響晶體形狀晶體的習(xí)性與其內(nèi)部結(jié)構(gòu)有關(guān)晶體生長的缺陷控制缺陷影響晶體質(zhì)量和性能控制溫度和速率可以減少缺陷缺陷類型包括空位、位錯和層錯晶體生長原理熔點(diǎn)和沸點(diǎn)熔點(diǎn)和沸點(diǎn)與晶體內(nèi)部的結(jié)合力有關(guān)純凈晶體的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)較高添加雜質(zhì)會影響熔點(diǎn)和沸點(diǎn)導(dǎo)電性導(dǎo)電性取決于晶體中的載流子濃度導(dǎo)電性受溫度和雜質(zhì)影響半導(dǎo)體晶體的導(dǎo)電性可通過摻雜調(diào)節(jié)硬度硬度與晶體結(jié)構(gòu)中的原子排列緊密相關(guān)不同晶面具有不同的硬度硬度測試方法包括摩氏硬度和維氏硬度壓縮性壓縮性取決于原子間的結(jié)合力壓縮性隨溫度和壓力變化晶體的各向異性影響壓縮性晶體的物理性質(zhì)晶體的化學(xué)穩(wěn)定性化學(xué)穩(wěn)定性與晶體結(jié)構(gòu)中的化學(xué)鍵強(qiáng)度有關(guān)環(huán)境因素如溫度和濕度影響穩(wěn)定性穩(wěn)定性可以通過表面處理提高晶體的合成與應(yīng)用晶體合成方法包括溶液生長和氣相沉積合成條件影響晶體的質(zhì)量和性能晶體在電子、光子和生物技術(shù)領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用晶體的腐蝕與防護(hù)腐蝕是晶體與環(huán)境相互作用的結(jié)果防護(hù)措施包括涂層和合金化腐蝕速率受介質(zhì)和溫度影響晶體的化學(xué)反應(yīng)特性晶體的化學(xué)反應(yīng)速率受表面能影響反應(yīng)路徑和機(jī)理與晶體結(jié)構(gòu)相關(guān)晶體的活性可以通過催化劑調(diào)節(jié)晶體的化學(xué)性質(zhì)晶體結(jié)構(gòu)與性能的關(guān)系03結(jié)構(gòu)與硬度的關(guān)系晶體的晶格排列緊密程度影響其硬度硬度隨晶格中原子間的鍵類型和鍵強(qiáng)度變化晶體缺陷如位錯和空位會降低硬度結(jié)構(gòu)與導(dǎo)電性的關(guān)系晶體中自由電子的數(shù)量和移動性決定導(dǎo)電性金屬鍵合的晶體通常具有良好的導(dǎo)電性半導(dǎo)體晶體的導(dǎo)電性受摻雜和溫度影響結(jié)構(gòu)與熱穩(wěn)定性的關(guān)系晶體的熱穩(wěn)定性與其熔點(diǎn)直接相關(guān)晶格能越高，其熱穩(wěn)定性越強(qiáng)晶體中的雜質(zhì)和缺陷可能降低熱穩(wěn)定性結(jié)構(gòu)與光學(xué)性質(zhì)的關(guān)系晶體的光學(xué)性質(zhì)取決于電子對光的吸收和發(fā)射晶體的對稱性和周期性影響光的傳播方向晶體的能帶結(jié)構(gòu)影響光的吸收和發(fā)射特性晶體結(jié)構(gòu)對物理性能的影響01020403結(jié)構(gòu)與化學(xué)活性的關(guān)系晶體的化學(xué)活性受其表面結(jié)構(gòu)和缺陷影響晶體的表面能和表面態(tài)影響化學(xué)反應(yīng)速率晶體的化學(xué)鍵類型和鍵能決定其化學(xué)反應(yīng)活性結(jié)構(gòu)與催化性能的關(guān)系結(jié)構(gòu)與吸附性能的關(guān)系結(jié)構(gòu)與腐蝕性能的關(guān)系催化劑的活性位點(diǎn)和晶體的微觀結(jié)構(gòu)密切相關(guān)晶體的晶面和晶格缺陷提供催化反應(yīng)的活性中心晶體的電子性質(zhì)和幾何結(jié)構(gòu)影響催化效率和選擇性晶體的孔道結(jié)構(gòu)和比表面積決定吸附能力晶體的表面官能團(tuán)和電荷分布影響吸附作用吸附質(zhì)的分子結(jié)構(gòu)和晶體之間的相互作用影響吸附效果晶體的微觀結(jié)構(gòu)和缺陷影響腐蝕速率晶體的成分和晶界特性決定腐蝕的均勻性晶體的保護(hù)膜和鈍化行為影響耐腐蝕性晶體結(jié)構(gòu)對化學(xué)性能的影響通過改變溫度和壓力來調(diào)控晶體生長過程利用化學(xué)氣相沉積等方法制備特定結(jié)構(gòu)的晶體通過離子注入和表面修飾來調(diào)整晶體結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)調(diào)控方法通過摻雜和合金化改善材料的物理化學(xué)性能設(shè)計(jì)具有特定功能的晶體結(jié)構(gòu)利用納米技術(shù)優(yōu)化晶體尺寸和形貌性能優(yōu)化策略結(jié)合計(jì)算模擬和實(shí)驗(yàn)方法設(shè)計(jì)晶體結(jié)構(gòu)采用先進(jìn)的合成技術(shù)制備高性能晶體材料通過性能測試和評估指導(dǎo)晶體材料