第一章2025年存儲芯片行業(yè)市場概述第二章2025年存儲芯片行業(yè)競爭格局第三章2025年存儲芯片行業(yè)政策環(huán)境第四章2025年存儲芯片行業(yè)技術發(fā)展第五章2025年存儲芯片行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈分析第六章2025年存儲芯片行業(yè)未來展望01第一章2025年存儲芯片行業(yè)市場概述第1頁2025年存儲芯片行業(yè)市場概述引入：2025年全球存儲芯片市場規(guī)模預計將突破5000億美元，年復合增長率達到12%。中國作為全球最大的存儲芯片消費市場，其需求量占全球總量的35%，其中企業(yè)級存儲芯片需求增長最快，預計2025年將超過200億美元。分析：近年來，隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、云計算等技術的快速發(fā)展，存儲芯片行業(yè)面臨前所未有的機遇與挑戰(zhàn)。企業(yè)級存儲芯片需求持續(xù)增長，其中高性能、高密度、低功耗成為市場主流趨勢。同時，地緣政治風險、供應鏈安全問題也制約著行業(yè)發(fā)展。論證：以三星、SK海力士、美光為代表的存儲芯片巨頭占據(jù)全球市場份額的60%以上，但中國企業(yè)如長江存儲、長鑫存儲等也在積極追趕。2025年，中國企業(yè)市場份額預計將提升至15%，成為全球存儲芯片市場的重要力量。總結：2025年，存儲芯片行業(yè)將繼續(xù)保持快速發(fā)展，成為全球信息技術產(chǎn)業(yè)的重要支柱。高性能、高密度、低功耗成為市場主流趨勢，新興技術如3DNAND、HBM等逐漸成熟，推動行業(yè)技術進步。市場概述市場驅動因素市場格局市場趨勢第2頁全球存儲芯片產(chǎn)能分布引入：全球存儲芯片產(chǎn)能分布不均衡，主要集中在東亞和北美地區(qū)。2025年，東亞地區(qū)產(chǎn)能占比將達到45%，其中中國占據(jù)28%，韓國占據(jù)17%。分析：東亞地區(qū)憑借完善的產(chǎn)業(yè)鏈和成本優(yōu)勢，成為全球存儲芯片產(chǎn)能的主要基地。中國存儲芯片產(chǎn)能在過去五年中增長了50%，其中長江存儲和長鑫存儲的產(chǎn)能擴張最為顯著。論證：北美地區(qū)憑借技術優(yōu)勢，占據(jù)全球高端存儲芯片市場的主導地位。美光、英特爾等企業(yè)在高性能存儲芯片領域具有顯著優(yōu)勢，其產(chǎn)品廣泛應用于數(shù)據(jù)中心、云計算等領域?？偨Y：2025年，全球存儲芯片產(chǎn)能分布將繼續(xù)保持不均衡狀態(tài)，東亞地區(qū)產(chǎn)能占比將進一步提升，北美地區(qū)將繼續(xù)占據(jù)高端存儲芯片市場的主導地位。產(chǎn)能分布概述東亞地區(qū)產(chǎn)能優(yōu)勢北美地區(qū)產(chǎn)能優(yōu)勢全球產(chǎn)能分布趨勢第3頁存儲芯片價格波動分析引入：2025年，存儲芯片價格波動較大，其中DRAM價格預計將下降15%，NAND閃存價格預計將下降10%。價格波動主要受供需關系、原材料成本、市場競爭等因素影響。分析：2024年，全球存儲芯片產(chǎn)能過剩導致價格大幅下降，企業(yè)紛紛進行產(chǎn)能調(diào)整。2025年，隨著企業(yè)級存儲芯片需求增長，價格有望逐步回升。論證：原材料成本波動也是影響存儲芯片價格的重要因素。2025年，硅、磷、鎢等原材料價格預計將保持穩(wěn)定，但鋰、稀土等新材料價格可能上漲，對存儲芯片成本造成壓力。總結：2025年，存儲芯片價格波動將繼續(xù)受到供需關系、原材料成本、市場競爭等因素的影響。企業(yè)需要密切關注市場動態(tài)，及時調(diào)整產(chǎn)能和價格策略。價格波動概述供需關系影響原材料成本影響市場競爭影響第4頁存儲芯片應用需求分析引入：2025年，企業(yè)級存儲芯片需求持續(xù)增長，其中數(shù)據(jù)中心、云計算、人工智能等領域需求增長最快。消費級存儲芯片需求增速放緩，但市場份額仍占比較高。分析：數(shù)據(jù)中心領域對高性能、高密度存儲芯片需求旺盛，NVMeSSD市場規(guī)模預計將超過100億美元。云計算領域對低延遲、高可靠性的存儲芯片需求持續(xù)增長，云存儲市場規(guī)模預計將超過200億美元。論證：人工智能領域對高帶寬、低功耗的存儲芯片需求快速增長，AI加速器市場規(guī)模預計將超過50億美元。消費級存儲芯片需求增速放緩，但市場份額仍占比較高，其中移動設備、智能家居等領域需求穩(wěn)定增長?？偨Y：2025年，企業(yè)級存儲芯片需求將持續(xù)增長，數(shù)據(jù)中心、云計算、人工智能等領域需求增長最快。消費級存儲芯片需求增速放緩，但市場份額仍占比較高，其中移動設備、智能家居等領域需求穩(wěn)定增長。應用需求概述數(shù)據(jù)中心需求人工智能需求應用需求趨勢02第二章2025年存儲芯片行業(yè)競爭格局第5頁2025年存儲芯片行業(yè)競爭格局引入：2025年，全球存儲芯片行業(yè)競爭格局日趨激烈，企業(yè)數(shù)量增加，市場份額分散。三星、SK海力士、美光等巨頭仍占據(jù)主導地位，但中國企業(yè)如長江存儲、長鑫存儲等正在快速崛起。分析：三星憑借其技術優(yōu)勢和規(guī)模效應，在DRAM和NAND閃存市場均占據(jù)第一份額。SK海力士在DRAM市場占據(jù)第二份額，其高性能內(nèi)存產(chǎn)品廣泛應用于汽車、工業(yè)等領域。論證：美光在NAND閃存市場占據(jù)第二份額，其產(chǎn)品廣泛應用于數(shù)據(jù)中心、消費電子等領域。中國企業(yè)如長江存儲、長鑫存儲等近年來產(chǎn)能擴張迅速，市場份額逐步提升?？偨Y：2025年，中國企業(yè)如長江存儲、長鑫存儲等在DRAM和NAND閃存領域取得顯著進展，市場份額逐步提升。中國企業(yè)需要繼續(xù)加大研發(fā)投入，提升技術水平，以在市場競爭中占據(jù)更有利地位。競爭格局概述三星競爭優(yōu)勢美光競爭優(yōu)勢中國企業(yè)競爭優(yōu)勢第6頁中國存儲芯片行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀引入：2025年，中國存儲芯片行業(yè)發(fā)展迅速，政策支持力度加大，產(chǎn)業(yè)鏈逐步完善。中國企業(yè)如長江存儲、長鑫存儲等在DRAM和NAND閃存領域取得顯著進展。分析：中央政府出臺的《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》明確提出支持存儲芯片行業(yè)發(fā)展，鼓勵企業(yè)加大研發(fā)投入，提升技術水平。地方政府也紛紛出臺配套政策，支持存儲芯片企業(yè)項目建設、人才培養(yǎng)等。論證：長江存儲和長鑫存儲在DRAM和NAND閃存領域取得顯著進展，其產(chǎn)品廣泛應用于數(shù)據(jù)中心、消費電子等領域。這些企業(yè)的成功經(jīng)驗為中國存儲芯片行業(yè)的發(fā)展提供了重要參考?？偨Y：2025年，中國存儲芯片行業(yè)將繼續(xù)保持快速發(fā)展，政策支持力度加大，產(chǎn)業(yè)鏈逐步完善。中國企業(yè)需要繼續(xù)加大研發(fā)投入，提升技術水平，以在全球市場競爭中占據(jù)更有利地位。發(fā)展現(xiàn)狀概述政策支持企業(yè)進展未來展望第7頁存儲芯片行業(yè)技術發(fā)展趨勢引入：2025年，存儲芯片行業(yè)技術發(fā)展趨勢明顯，高性能、高密度、低功耗成為市場主流。新興技術如3DNAND、HBM等逐漸成熟，推動行業(yè)技術進步。分析：3DNAND技術逐漸成熟，層數(shù)達到200層以上，存儲密度大幅提升。3DNAND技術的主要優(yōu)勢包括存儲密度高、功耗低、性能好等。論證：HBM（高帶寬內(nèi)存）技術也逐漸應用于高性能計算、人工智能等領域，其帶寬和功耗優(yōu)勢顯著。HBM技術的主要優(yōu)勢包括帶寬高、功耗低、體積小等。總結：2025年，新興存儲技術如ReRAM、PRAM等也在快速發(fā)展，這些技術具有更高的速度、更低的功耗和更長的壽命，有望在未來存儲芯片市場中占據(jù)重要地位。技術發(fā)展趨勢概述3DNAND技術HBM技術新興存儲技術第8頁存儲芯片行業(yè)投資分析引入：2025年，存儲芯片行業(yè)投資熱度持續(xù)升溫，資本市場對存儲芯片企業(yè)的關注度不斷提高。投資者關注重點包括技術優(yōu)勢、產(chǎn)能擴張、市場份額等。分析：投資者應關注技術優(yōu)勢明顯的存儲芯片企業(yè)，這些企業(yè)具有較強的研發(fā)能力和技術水平，能夠在市場競爭中占據(jù)優(yōu)勢地位。論證：投資者應關注產(chǎn)能擴張迅速的存儲芯片企業(yè)，這些企業(yè)能夠滿足市場需求，市場份額有望提升。同時，投資者還應關注產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)，這些企業(yè)的發(fā)展也將推動存儲芯片行業(yè)快速發(fā)展?？偨Y：投資者應關注市場份額較高的存儲芯片企業(yè)，這些企業(yè)具有較強的市場競爭力，盈利能力較好。2025年，存儲芯片行業(yè)投資機會豐富，投資者需要謹慎選擇投資標的。投資分析概述技術優(yōu)勢產(chǎn)能擴張市場份額03第三章2025年存儲芯片行業(yè)政策環(huán)境第9頁2025年存儲芯片行業(yè)政策環(huán)境引入：2025年，全球存儲芯片行業(yè)政策環(huán)境復雜多變，各國政府紛紛出臺政策支持本國存儲芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展。中國、美國、韓國等國家和地區(qū)政策支持力度較大，推動行業(yè)快速發(fā)展。分析：中國政府出臺多項政策支持存儲芯片行業(yè)發(fā)展，如《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》、《“十四五”集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》等。這些政策為企業(yè)提供了良好的發(fā)展環(huán)境，推動了中國存儲芯片行業(yè)的快速發(fā)展。論證：美國政府近年來也出臺多項政策支持存儲芯片行業(yè)發(fā)展，如《芯片法案》等。這些政策為美國存儲芯片企業(yè)提供了資金和技術支持，推動美國存儲芯片行業(yè)的技術進步和產(chǎn)業(yè)升級?？偨Y：2025年，各國政府的政策支持力度不同，對行業(yè)發(fā)展產(chǎn)生不同影響。中國、美國、韓國等國家和地區(qū)政策支持力度較大，推動行業(yè)快速發(fā)展。企業(yè)需要密切關注政策變化，及時調(diào)整發(fā)展策略。政策環(huán)境概述中國政策支持美國政策支持政策環(huán)境影響第10頁中國存儲芯片行業(yè)政策支持引入：2025年，中國政府對存儲芯片行業(yè)的支持力度持續(xù)加大，政策體系逐步完善。中央和地方政府紛紛出臺政策，支持存儲芯片企業(yè)技術研發(fā)、產(chǎn)能擴張、產(chǎn)業(yè)鏈完善等。分析：中央政府出臺的《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》明確提出支持存儲芯片行業(yè)發(fā)展，鼓勵企業(yè)加大研發(fā)投入，提升技術水平。地方政府也紛紛出臺配套政策，支持存儲芯片企業(yè)項目建設、人才培養(yǎng)等。論證：地方政府通過設立產(chǎn)業(yè)基金、提供稅收優(yōu)惠等方式，支持存儲芯片企業(yè)發(fā)展。這些政策為企業(yè)提供了良好的發(fā)展環(huán)境，推動了中國存儲芯片行業(yè)的快速發(fā)展?？偨Y：2025年，中國政府的政策支持力度持續(xù)加大，政策體系逐步完善。這些政策為企業(yè)提供了良好的發(fā)展環(huán)境，推動了中國存儲芯片行業(yè)的快速發(fā)展。企業(yè)需要充分利用政策資源，提升自身競爭力。政策支持概述中央政策支持地方政策支持政策支持效果第11頁存儲芯片行業(yè)政策影響分析引入：2025年，全球存儲芯片行業(yè)政策環(huán)境影響顯著，各國政府的政策支持力度不同，對行業(yè)發(fā)展產(chǎn)生不同影響。中國、美國、韓國等國家和地區(qū)政策支持力度較大，推動行業(yè)快速發(fā)展。分析：中國政府的政策支持力度較大，推動了中國存儲芯片行業(yè)的快速發(fā)展。中國政府通過設立產(chǎn)業(yè)基金、提供稅收優(yōu)惠等方式，支持存儲芯片企業(yè)發(fā)展。這些政策為企業(yè)提供了良好的發(fā)展環(huán)境，推動了中國存儲芯片行業(yè)的快速發(fā)展。論證：美國政府近年來也出臺多項政策支持存儲芯片行業(yè)發(fā)展，如《芯片法案》等。這些政策為美國存儲芯片企業(yè)提供了資金和技術支持，推動美國存儲芯片行業(yè)的技術進步和產(chǎn)業(yè)升級。總結：2025年，各國政府的政策支持力度不同，對行業(yè)發(fā)展產(chǎn)生不同影響。中國、美國、韓國等國家和地區(qū)政策支持力度較大，推動行業(yè)快速發(fā)展。企業(yè)需要密切關注政策變化，及時調(diào)整發(fā)展策略。政策影響概述中國政策影響美國政策影響政策影響總結第12頁存儲芯片行業(yè)未來政策趨勢引入：2025年，全球存儲芯片行業(yè)政策環(huán)境將繼續(xù)保持復雜多變，各國政府將繼續(xù)出臺政策支持本國存儲芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展。未來政策趨勢將更加注重技術創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)鏈完善、人才培養(yǎng)等。分析：中國政府將繼續(xù)出臺政策支持存儲芯片技術研發(fā)，鼓勵企業(yè)加大研發(fā)投入，提升技術水平。未來政策將更加注重技術創(chuàng)新，推動存儲芯片行業(yè)的技術進步。論證：中國政府將繼續(xù)出臺政策支持存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈完善，鼓勵企業(yè)加強產(chǎn)業(yè)鏈合作，完善產(chǎn)業(yè)鏈布局。未來政策將更加注重產(chǎn)業(yè)鏈完善，推動存儲芯片行業(yè)的健康發(fā)展?？偨Y：2025年，中國政府將繼續(xù)出臺政策支持存儲芯片行業(yè)人才培養(yǎng)，鼓勵高校和科研機構加強存儲芯片相關人才的培養(yǎng)。未來政策將更加注重人才培養(yǎng)，推動存儲芯片行業(yè)的人才隊伍建設。政策趨勢概述技術創(chuàng)新支持產(chǎn)業(yè)鏈完善支持人才培養(yǎng)支持04第四章2025年存儲芯片行業(yè)技術發(fā)展第13頁2025年存儲芯片行業(yè)技術發(fā)展概述引入：2025年，存儲芯片行業(yè)技術發(fā)展迅速，高性能、高密度、低功耗成為市場主流。新興技術如3DNAND、HBM等逐漸成熟，推動行業(yè)技術進步。分析：3DNAND技術逐漸成熟，層數(shù)達到200層以上，存儲密度大幅提升。3DNAND技術的主要優(yōu)勢包括存儲密度高、功耗低、性能好等。論證：HBM（高帶寬內(nèi)存）技術也逐漸應用于高性能計算、人工智能等領域，其帶寬和功耗優(yōu)勢顯著。HBM技術的主要優(yōu)勢包括帶寬高、功耗低、體積小等?？偨Y：2025年，新興存儲技術如ReRAM、PRAM等也在快速發(fā)展，這些技術具有更高的速度、更低的功耗和更長的壽命，有望在未來存儲芯片市場中占據(jù)重要地位。技術發(fā)展概述3DNAND技術HBM技術新興存儲技術第14頁3DNAND技術發(fā)展趨勢引入：3DNAND技術是存儲芯片行業(yè)的重要技術之一，其通過在垂直方向上堆疊存儲單元，大幅提高了存儲密度。2025年，3DNAND技術的層數(shù)已經(jīng)達到200層以上，存儲密度大幅提升。分析：3DNAND技術的主要優(yōu)勢包括存儲密度高、功耗低、性能好等。這些優(yōu)勢使得3DNAND技術在數(shù)據(jù)中心、云計算、人工智能等領域得到廣泛應用。論證：未來，3DNAND技術將繼續(xù)發(fā)展，層數(shù)不斷提高，存儲密度大幅提升。同時，3DNAND技術還將向更高層數(shù)、更高密度、更低功耗的方向發(fā)展?？偨Y：3DNAND技術是存儲芯片行業(yè)的重要技術之一，其通過在垂直方向上堆疊存儲單元，大幅提高了存儲密度。未來，3DNAND技術將繼續(xù)發(fā)展，層數(shù)不斷提高，存儲密度大幅提升。同時，3DNAND技術還將向更高層數(shù)、更高密度、更低功耗的方向發(fā)展。3DNAND技術概述3DNAND技術優(yōu)勢3DNAND技術發(fā)展趨勢3DNAND技術總結第15頁HBM技術發(fā)展趨勢引入：HBM（高帶寬內(nèi)存）技術是存儲芯片行業(yè)的重要技術之一，其通過在芯片上集成內(nèi)存，大幅提高了內(nèi)存帶寬。2025年，HBM技術的帶寬已經(jīng)達到數(shù)百GB/s，遠高于傳統(tǒng)內(nèi)存技術。分析：HBM技術的主要優(yōu)勢包括帶寬高、功耗低、體積小等。這些優(yōu)勢使得HBM技術在數(shù)據(jù)中心、云計算、人工智能等領域得到廣泛應用。論證：未來，HBM技術將繼續(xù)發(fā)展，帶寬不斷提高，功耗不斷降低。同時，HBM技術還將向更高帶寬、更低功耗、更小體積的方向發(fā)展?？偨Y：HBM技術是存儲芯片行業(yè)的重要技術之一，其通過在芯片上集成內(nèi)存，大幅提高了內(nèi)存帶寬。未來，HBM技術將繼續(xù)發(fā)展，帶寬不斷提高，功耗不斷降低。同時，HBM技術還將向更高帶寬、更低功耗、更小體積的方向發(fā)展。HBM技術概述HBM技術優(yōu)勢HBM技術發(fā)展趨勢HBM技術總結第16頁新興存儲技術發(fā)展趨勢引入：新興存儲技術如ReRAM、PRAM等也在快速發(fā)展，這些技術具有更高的速度、更低的功耗和更長的壽命，有望在未來存儲芯片市場中占據(jù)重要地位。分析：ReRAM（電阻式隨機存取存儲器）技術通過利用材料的電阻變化來存儲數(shù)據(jù)，具有更高的速度、更低的功耗和更長的壽命。目前，ReRAM技術已經(jīng)達到商業(yè)化應用階段，并在數(shù)據(jù)中心、云計算等領域得到應用。論證：PRAM（相變式隨機存取存儲器）技術通過利用材料的相變來存儲數(shù)據(jù)，具有更高的速度、更低的功耗和更長的壽命。目前，PRAM技術還處于研發(fā)階段，但已經(jīng)取得顯著進展，有望在未來存儲芯片市場中占據(jù)重要地位?？偨Y：新興存儲技術如ReRAM、PRAM等也在快速發(fā)展，這些技術具有更高的速度、更低的功耗和更長的壽命，有望在未來存儲芯片市場中占據(jù)重要地位。新興存儲技術概述ReRAM技術PRAM技術新興存儲技術總結05第五章2025年存儲芯片行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈分析第17頁2025年存儲芯片行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈概述引入：存儲芯片行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈復雜且長，涉及原材料、設計、制造、封測等多個環(huán)節(jié)。產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)之間相互依存，共同推動行業(yè)發(fā)展。分析：存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈上游主要包括原材料供應商，如硅片、光刻膠、金屬材料等供應商。這些原材料供應商為存儲芯片制造企業(yè)提供原材料支持，是存儲芯片行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈的重要基礎。論證：存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈中游主要包括存儲芯片設計企業(yè)和存儲芯片制造企業(yè)。存儲芯片設計企業(yè)負責存儲芯片的設計，存儲芯片制造企業(yè)負責存儲芯片的制造?？偨Y：存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈下游主要包括存儲芯片封測企業(yè)和應用企業(yè)。存儲芯片封測企業(yè)負責存儲芯片的封測，應用企業(yè)負責存儲芯片的應用。未來，存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈將繼續(xù)向高端化、智能化、綠色化方向發(fā)展。產(chǎn)業(yè)鏈概述產(chǎn)業(yè)鏈結構產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展產(chǎn)業(yè)鏈未來趨勢第18頁存儲芯片行業(yè)上游產(chǎn)業(yè)鏈分析引入：存儲芯片行業(yè)上游主要包括原材料供應商，如硅片、光刻膠、金屬材料等供應商。這些原材料供應商為存儲芯片制造企業(yè)提供原材料支持，是存儲芯片行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈的重要基礎。分析：硅片供應商是存儲芯片行業(yè)上游產(chǎn)業(yè)鏈的重要企業(yè)，其產(chǎn)品主要用于存儲芯片的制造。目前，全球硅片供應商主要包括信越化學、SUMCO等企業(yè)，這些企業(yè)占據(jù)全球硅片市場份額的80%以上。論證：光刻膠供應商是存儲芯片行業(yè)上游產(chǎn)業(yè)鏈的重要企業(yè)，其產(chǎn)品主要用于存儲芯片的光刻工藝。目前，全球光刻膠供應商主要包括JSR、信越化學等企業(yè)，這些企業(yè)占據(jù)全球光刻膠市場份額的70%以上?？偨Y：金屬材料供應商是存儲芯片行業(yè)上游產(chǎn)業(yè)鏈的重要企業(yè)，其產(chǎn)品主要用于存儲芯片的金屬化工藝。目前，全球金屬材料供應商主要包括日本rareearths、JSR等企業(yè)，這些企業(yè)占據(jù)全球金屬材料市場份額的60%以上。上游產(chǎn)業(yè)鏈概述硅片供應商光刻膠供應商金屬材料供應商第19頁存儲芯片行業(yè)中游產(chǎn)業(yè)鏈分析引入：存儲芯片行業(yè)中游主要包括存儲芯片設計企業(yè)和存儲芯片制造企業(yè)。存儲芯片設計企業(yè)負責存儲芯片的設計，存儲芯片制造企業(yè)負責存儲芯片的制造。分析：存儲芯片設計企業(yè)是存儲芯片行業(yè)中游產(chǎn)業(yè)鏈的重要企業(yè)，其產(chǎn)品主要用于存儲芯片的設計。目前，全球存儲芯片設計企業(yè)主要包括三星、SK海力士、美光等企業(yè)，這些企業(yè)占據(jù)全球存儲芯片設計市場份額的70%以上。論證：存儲芯片制造企業(yè)是存儲芯片行業(yè)中游產(chǎn)業(yè)鏈的重要企業(yè)，其產(chǎn)品主要用于存儲芯片的制造。目前，全球存儲芯片制造企業(yè)主要包括三星、SK海力士、美光等企業(yè)，這些企業(yè)占據(jù)全球存儲芯片制造市場份額的60%以上?？偨Y：存儲芯片行業(yè)中游產(chǎn)業(yè)鏈將繼續(xù)向高端化、智能化、綠色化方向發(fā)展。中游產(chǎn)業(yè)鏈概述存儲芯片設計企業(yè)存儲芯片制造企業(yè)中游產(chǎn)業(yè)鏈未來趨勢第20頁存儲芯片行業(yè)下游產(chǎn)業(yè)鏈分析引入：存儲芯片行業(yè)下游主要包括存儲芯片