2025年專利代理師考試模擬題（附答案）一、單項(xiàng)選擇題（每題1分，共30題）1.甲公司于2023年5月10日向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交了一件關(guān)于“一種新型光伏組件封裝膠膜”的發(fā)明專利申請（申請?zhí)?0231048XXXX），說明書中明確記載了膠膜的原料包括乙烯-醋酸乙烯共聚物（EVA）50-70份、增粘劑5-10份，實(shí)施例1使用EVA60份、增粘劑8份。2024年3月15日，甲公司提出主動(dòng)修改，將權(quán)利要求1中的原料范圍調(diào)整為“EVA55-65份、增粘劑6-9份”。根據(jù)《專利法》及相關(guān)規(guī)定，下列說法正確的是：A.修改后的范圍在原說明書實(shí)施例1的范圍內(nèi)，符合《專利法》第33條要求B.修改后的范圍是原權(quán)利要求范圍的下位概念，符合《專利法》第33條要求C.修改后的范圍超出了原說明書和權(quán)利要求書記載的范圍，不符合《專利法》第33條要求D.修改后的范圍屬于合理縮小保護(hù)范圍，符合《專利法》第33條要求2.乙公司2024年1月5日收到國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局發(fā)出的發(fā)明專利申請實(shí)質(zhì)審查意見通知書，指出權(quán)利要求1不具備創(chuàng)造性（對(duì)比文件1為最接近現(xiàn)有技術(shù)）。乙公司擬于2024年3月10日提交答復(fù)，下列哪種修改方式可能被審查員接受？A.在權(quán)利要求1中增加“所述催化劑為二氧化鈦”，該特征在原說明書背景技術(shù)部分有提及但未具體描述B.將權(quán)利要求1的技術(shù)方案由“一種制備A物質(zhì)的方法”修改為“一種制備A物質(zhì)的方法，其中反應(yīng)溫度為80-100℃”，該溫度范圍在原說明書實(shí)施例1中明確記載為“85℃”C.刪除權(quán)利要求1中“所述反應(yīng)在常壓下進(jìn)行”的特征，該特征未在原說明書中記載D.將權(quán)利要求1的保護(hù)范圍擴(kuò)大至“一種制備A物質(zhì)或B物質(zhì)的方法”，其中B物質(zhì)的制備方法在原說明書中無任何記載3.根據(jù)《專利法》及相關(guān)規(guī)定，下列哪種情形不喪失新穎性？A.申請人于2023年10月1日在國內(nèi)某行業(yè)展覽會(huì)上公開了發(fā)明創(chuàng)造，展覽會(huì)為國務(wù)院有關(guān)主管部門批準(zhǔn)舉辦的國際性展覽B.申請人的同事因工作關(guān)系知悉該發(fā)明創(chuàng)造，于2023年11月1日在個(gè)人博客上公開了技術(shù)細(xì)節(jié)C.申請人于2023年9月1日在大學(xué)實(shí)驗(yàn)室向15名學(xué)生演示了發(fā)明創(chuàng)造的具體實(shí)施方式D.申請人的競爭對(duì)手通過盜竊獲得技術(shù)資料，并于2023年8月1日在行業(yè)期刊上發(fā)表二、多項(xiàng)選擇題（每題2分，共20題）31.關(guān)于專利申請的單一性，下列說法正確的有：A.兩項(xiàng)以上發(fā)明屬于一個(gè)總的發(fā)明構(gòu)思的，應(yīng)當(dāng)在同一申請中提出B.化學(xué)領(lǐng)域中，馬庫什權(quán)利要求的單一性判斷需滿足“所有成員具有共同的性能或作用”C.方法權(quán)利要求與該方法直接獲得的產(chǎn)品權(quán)利要求必然具備單一性D.分案申請可以保留原申請的申請日，但不得超出原申請記載的范圍32.下列哪些情形構(gòu)成專利侵權(quán)？A.甲公司在專利授權(quán)前已制造相同產(chǎn)品，授權(quán)后繼續(xù)在原有范圍內(nèi)制造B.乙公司購買未經(jīng)專利權(quán)人許可制造并售出的專利產(chǎn)品后進(jìn)行銷售C.丙公司為提供行政審批所需要的信息，制造、使用專利藥品D.丁公司在專利產(chǎn)品上標(biāo)注“專利號(hào)：ZL2020XXXXXX.0”（該專利已因未繳費(fèi)終止）三、簡答題（每題5分，共4題）41.簡述說明書“充分公開”的判斷標(biāo)準(zhǔn)（需結(jié)合《專利法》第26條第3款及《專利審查指南》相關(guān)規(guī)定）。42.無效宣告程序中，請求人以“權(quán)利要求1不具備創(chuàng)造性”為由提出無效，需提交哪些證據(jù)？說明理由。四、案例分析題（共30分）案例背景：2022年1月1日，發(fā)明人張某向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交了名稱為“一種半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)”的發(fā)明專利申請（申請?zhí)?0221000XXXX），說明書及附圖記載了以下內(nèi)容：-技術(shù)問題：現(xiàn)有封裝結(jié)構(gòu)散熱效率低，導(dǎo)致芯片高溫失效-技術(shù)方案：封裝結(jié)構(gòu)包括芯片（1）、絕緣層（2）、散熱層（3）；其中散熱層（3）由銅基復(fù)合材料制成，厚度為0.1-0.3mm；絕緣層（2）為環(huán)氧樹脂，厚度為0.05-0.1mm-實(shí)施例1：散熱層厚度0.2mm，絕緣層厚度0.08mm，測試顯示芯片工作溫度降低20℃-實(shí)施例2：散熱層厚度0.25mm，絕緣層厚度0.07mm，測試顯示芯片工作溫度降低18℃2023年5月1日，該申請被授權(quán)公告（專利號(hào)ZL20221000XXXX.5），授權(quán)權(quán)利要求1為：“一種半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片（1）、絕緣層（2）、散熱層（3），其特征在于：所述散熱層（3）由銅基復(fù)合材料制成，厚度為0.1-0.3mm；所述絕緣層（2）為環(huán)氧樹脂，厚度為0.05-0.1mm?！?024年3月1日，甲公司向?qū)＠麖?fù)審委員會(huì)提出無效宣告請求，理由如下：（1）權(quán)利要求1不具備新穎性，證據(jù)1為2021年12月1日公開的中國專利申請CN20211100XXXX.A（公開了一種封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片、絕緣層、散熱層，其中散熱層為銅基復(fù)合材料，厚度0.15-0.25mm；絕緣層為環(huán)氧樹脂，厚度0.06-0.09mm）；（2）權(quán)利要求1不具備創(chuàng)造性，證據(jù)2為2020年6月1日公開的美國專利US10,000,000B2（公開了封裝結(jié)構(gòu)中散熱層厚度可根據(jù)芯片功率調(diào)整，通常為0.1-0.3mm），證據(jù)3為2021年5月1日出版的《半導(dǎo)體封裝技術(shù)》期刊（記載環(huán)氧樹脂作為絕緣層的厚度范圍通常為0.05-0.1mm）。問題：（1）分析甲公司提出的“權(quán)利要求1不具備新穎性”的理由是否成立（需說明對(duì)比方式及結(jié)論）。（10分）（2）分析甲公司提出的“權(quán)利要求1不具備創(chuàng)造性”的理由是否成立（需結(jié)合三步法判斷，說明證據(jù)組合的合理性）。（15分）（3）若專利權(quán)人在無效程序中對(duì)權(quán)利要求1進(jìn)行修改，將“散熱層厚度”限定為“0.2-0.25mm”，該修改是否符合《專利法》及《專利審查指南》的規(guī)定？說明理由。（5分）參考答案一、單項(xiàng)選擇題1.C（原說明書僅記載了50-70份和60份的具體實(shí)施例，修改后的55-65份未在原文件中明確記載或能直接、毫無疑義地確定，超出原范圍）2.B（原實(shí)施例明確記載85℃，修改為80-100℃屬于從具體數(shù)值概括至合理范圍，符合《專利法》第33條）3.A（《專利法》第24條第（一）項(xiàng)規(guī)定，國際展覽會(huì)公開可享受6個(gè)月寬限期）二、多項(xiàng)選擇題31.ABD（C錯(cuò)誤，方法與產(chǎn)品需滿足相同的發(fā)明構(gòu)思才具備單一性）32.BD（A屬于先用權(quán)，不侵權(quán)；C屬于行政審批例外，不侵權(quán)；B屬于銷售侵權(quán)產(chǎn)品；D屬于假冒專利）三、簡答題41.說明書充分公開的判斷標(biāo)準(zhǔn)包括：（1）所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)：即根據(jù)說明書記載的內(nèi)容，不需要?jiǎng)?chuàng)造性勞動(dòng)就能再現(xiàn)發(fā)明的技術(shù)方案，解決技術(shù)問題并產(chǎn)生預(yù)期效果；（2）公開足夠的技術(shù)信息：包括技術(shù)領(lǐng)域、背景技術(shù)、發(fā)明內(nèi)容、附圖和具體實(shí)施方式，特別是具體實(shí)施方式需給出足夠的實(shí)施例；（3）例外情形：對(duì)于化學(xué)產(chǎn)品發(fā)明，需公開確認(rèn)物質(zhì)的必要特征（如結(jié)構(gòu)、組成）；對(duì)于生物材料發(fā)明，需保藏并在說明書中說明保藏信息。（依據(jù)《專利法》第26條第3款、《專利審查指南》第二部分第二章第2.1.3節(jié)）42.請求人需提交：（1）對(duì)比文件：需為專利文獻(xiàn)或非專利文獻(xiàn)，且公開日早于專利申請日；（2）創(chuàng)造性論證：需說明最接近現(xiàn)有技術(shù)、區(qū)別特征、實(shí)際解決的技術(shù)問題，以及現(xiàn)有技術(shù)是否存在結(jié)合啟示；（3）證據(jù)形式：專利文獻(xiàn)需提交扉頁、權(quán)利要求書及相關(guān)部分復(fù)印件；非專利文獻(xiàn)需提交全文或相關(guān)部分復(fù)印件及公開時(shí)間證明。（依據(jù)《專利審查指南》第四部分第三章第3.3節(jié)）四、案例分析題（1）新穎性不成立。證據(jù)1的公開日（2021年12月1日）早于本專利申請日（2022年1月1日），構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)。對(duì)比權(quán)利要求1與證據(jù)1：-散熱層材料均為銅基復(fù)合材料，厚度證據(jù)1為0.15-0.25mm（落入本專利0.1-0.3mm范圍）；-絕緣層均為環(huán)氧樹脂，厚度證據(jù)1為0.06-0.09mm（落入本專利0.05-0.1mm范圍）；-結(jié)構(gòu)均包括芯片、絕緣層、散熱層。因此，證據(jù)1公開了權(quán)利要求1的全部技術(shù)特征，權(quán)利要求1不具備新穎性。（2）創(chuàng)造性不成立（若第（1）問結(jié)論為新穎性不成立，則本問需基于“假設(shè)權(quán)利要求1具備新穎性”分析）：①最接近現(xiàn)有技術(shù)：證據(jù)1（與本專利技術(shù)領(lǐng)域、技術(shù)問題最接近）；②區(qū)別特征：本專利散熱層厚度范圍0.1-0.3mm（證據(jù)1為0.15-0.25mm）、絕緣層厚度范圍0.05-0.1mm（證據(jù)1為0.06-0.09mm）；③實(shí)際解決的技術(shù)問題：擴(kuò)大散熱層和絕緣層的厚度適用范圍，提高封裝結(jié)構(gòu)的通用性；④現(xiàn)有技術(shù)啟示：證據(jù)2公開了散熱層厚度可調(diào)整為0.1-0.3mm，證據(jù)3公開了環(huán)氧樹脂絕緣層厚度通常為0.05-0.1mm，本領(lǐng)域技術(shù)人員有動(dòng)機(jī)結(jié)合證