PEC材料工程英語證書考試-電子材料術(shù)語

英語詞匯

1.Admittance導(dǎo)納

指交流電路中，其電流在導(dǎo)體中流動的難易限度，亦即為“阻抗Impedance”的倒數(shù)。

2.AluminiumNitride(AIN)氮化鋁

是一種相稱新式的陶窗材料，可做為高功率零件急需散熱的封裝材料。此氮化鋁之導(dǎo)熱

度極佳，可達(dá)200m2/K,遠(yuǎn)高于鋁金屬的20m2/K,且其熱脹系數(shù)(TCE)也十分接近半

導(dǎo)體晶粒的3.0,成為一種IC的良好封裝材料，有替代氧化鍍(BeO)及氧化鋁(A12O3)

等陶瓷材料的也許性。

3.AnalogCircuit/AnalogSignal模擬電路/模擬訊號

如左圖當(dāng)逐漸旋轉(zhuǎn)電位器之旋鈕，使輸入電流慢慢變化即可得到一種“模擬訊號”.所謂“

模擬”是指輸出訊號針對輸入訊號做比較時，其間存在著一些類似或形成一定比例的變化量,

采用此種方式組成的電路系統(tǒng)稱為“模擬電路”(如麥克風(fēng))。其中傳輸?shù)挠嵦杽t稱為"模擬訊

號”，多以正弦波表達(dá)之。又如左圖的一個電子計算器，系按。?9以十進(jìn)制制輸入。但在計

算內(nèi)部卻是另采0與1的二進(jìn)制制進(jìn)行數(shù)據(jù)解決。兩者不同進(jìn)位數(shù)字之間是運(yùn)用編色和譯

碼器予以溝通，使得在輸出方面又回到十進(jìn)制制。以此種方式組成的電路系統(tǒng)稱為“數(shù)字電

路”.其中傳輸?shù)挠嵦柗Q為“數(shù)字訊號”，系采低準(zhǔn)位的0與高準(zhǔn)位的1所組成的方波形式

表達(dá)之。初期在0與1之間的電位差是5V,但為省電起見，新式個人計算機(jī)的邏輯運(yùn)算方

面已降壓至3.3V.不久將來當(dāng)硬件組件的精度再度提高后，還會再降壓至2.5V,其極限電位

差應(yīng)在1.5V.

4.Attenuation訊號衰減

指高頻訊號于導(dǎo)體中傳輸時，在振幅電壓(能量)方面的衰減而言，無論模擬訊號或數(shù)

字訊號，都會因電路板的板材與制做各異，而出現(xiàn)不同限度的衰減。

5.BalancedTransmissionLJnes平衡式傳輸線

指傳輸線體系中的訊號線，是由兩條并行線并合而成。這種平衡電路(Balanced

Circuit)也稱為“差動線對"(DifferentialPair)或差動線(DifferentialLine),又

稱為偶合(Coupled)式傳輸線。至于由單條訊號線所組成的傳輸線，則稱為"未平衡式傳

輸線"(UnbalancedTransmissionLines)o此種雙條式"差動線”其特性阻抗值的量，須用到

TOR的兩組“取樣器"(SamplingHeader),分別產(chǎn)生兩個梯階波(StepWave)使進(jìn)入兩條訊

號線中。若兩梯階波之極性相同時，則從示波器所得讀值稱為”偶模阻抗二須再除以2始得”

共模阻抗"(Zcm)。若二梯階波之極性相反時稱為“奇模雙抗”，須將讀值相減再除以2始得

到“差動阻抗”.在現(xiàn)場實測時儀器的軟件將會自動計算而得到所需的Zo值。

6.CapacitiveCoupling電容耦合

板面上相鄰兩導(dǎo)體間、因電容的積蓄能量而引發(fā)彼此各式額外的電性作用，甚至也許導(dǎo)

致原有訊號的失直，稱為‘電容耦合".特別在高頻高速訊號的細(xì)線密線板，這種互相干擾的

行為，必須要盡量設(shè)法避免，以提高終端產(chǎn)品的整體性能，因而板材介質(zhì)數(shù)就非常講究，要

愈低愈好。

7、Conductance導(dǎo)電

是“電阻值”的顛倒詞.電阻值的單位是歐姆ohm,而導(dǎo)電值的單位也是倒過來的”姆歐

mho"當(dāng)欲測其上限的電阻值時，則不如測“導(dǎo)電度值”來的方便。例如欲測板子清潔度時，即

可測其抽出液導(dǎo)電的"姆歐'值。然而一般人比較懂得電阻的“歐姆”值，故還需要換算”電阻值

”才比較容易認(rèn)同。

8、Creep潛變

金屬材料在受到壓力或拉力下，會出現(xiàn)少許伸長性應(yīng)變，但當(dāng)壓力一直未消除，將逐漸

老化而形成金屬疲勞。一旦超過其應(yīng)變伸長性的限度時，也許會出現(xiàn)斷裂的情形(Rupture),

這種逐漸發(fā)生尺寸改變的情形稱為潛變。電路板上的焊點(diǎn)就有這種情形存在。

9、Conductivity導(dǎo)電度

是指物質(zhì)導(dǎo)通電流的能力，以每單位電壓下所能通過的電流大小做為表達(dá)的數(shù)據(jù)，也同

樣是以“姆歐”為單位。

10、CrystallineMeltingPoint晶體熔點(diǎn)

指物質(zhì)內(nèi)部結(jié)晶構(gòu)體崩解之溫度。

11.Doping摻雜

指半導(dǎo)體的高純度”硅元素“中，為了改變其導(dǎo)電特性，而刻意加入少量的某種雜質(zhì)，以

得到所需要的物理性質(zhì)，此種“摻雜"謂之Doping.

12.Electro-migration電遷移

在基板材料的玻璃束中，當(dāng)板子處在高溫高濕及長期外加電壓下，在金屬導(dǎo)體與玻璃束

跨接之間,會出現(xiàn)絕緣失效的漏電情形稱為“電遷移”,又稱為CAF(ConductiveAnodic

Filaments)漏電。

13.Crosstalk噪聲、串訊

電路板上相鄰的訊號線(SignalLines)中，在工作狀態(tài)下會發(fā)生能量互相偶合的現(xiàn)象

(EnergyCoupling),而產(chǎn)生不受歡迎的干擾，稱為Crosstalk.

14.Electro-phoresis電泳動,電滲

原始定義是指在溶液中施加某一電場后，會令帶電膠體粒子或陽子團(tuán)產(chǎn)生游動現(xiàn)象。電

路板業(yè)新開發(fā)的“電著光阻“，即屬于“電泳動”方式的一種。

I5.EMI電磁干擾

是ElectromagneticInterference的縮寫，原是指無線電接受機(jī)所受到的電磁干擾而言。

現(xiàn)已泛指板面上相鄰線路間，在高頻訊號傳遞時互相之間的干擾，其近似字尚有Noise噪

聲,RFI射頻干擾等，但各詰使用環(huán)境并不相同。

16Tatiqucstrength抗疲勞強(qiáng)度

當(dāng)一種物料或產(chǎn)品，通過多次指定最大應(yīng)力的實驗周期后，尚未發(fā)生故障，此種在出現(xiàn)

“故障”前的最高應(yīng)力實驗周期，渭之"Fatiquestrength".

17、Filler填充料

指性質(zhì)安定及價格便宜的物質(zhì)，可加進(jìn)某些塑料材料中做為電子產(chǎn)品用途，以減少成本

或改善性質(zhì)。如石棉、云母、石英、瓷粉等可?加工成絲狀、片狀、粉狀等加入塑料材料中，皆

稱為填充料。

18、FlexuralModule彎曲模數(shù)，抗撓性模數(shù)

在彈性限度內(nèi)(ElaslicLimit),物體受到應(yīng)力(Stress)的壓迫，其所產(chǎn)生彎曲變形

(Strain)的比率稱為“彎曲模數(shù)”，亦即抵抗外力而拒彎的忍耐性。

I9>FlurocarbonResin碳氟樹脂

是一系列有機(jī)含氟的熱塑型高分子聚合物，可用于電子工業(yè)的重要產(chǎn)品有FEP

(FluorinatedEthylenePolypylene,氟化乙烯丙烯)及PTFE(Polytetrafluoroethylene,聚四氨乙

烯)等兩種塑料材料。

20.Farad法拉是電容量的單位，即在電容器上兩極片間，當(dāng)其電量充加到1庫倫，而其間的

電位差又恰為1伏特時，則其兩極片間的電容量即為1法拉。

21.GalvanicCorrosion賈凡尼式腐蝕

即”電解式腐蝕”之同義字。賈凡尼為18世紀(jì)之意大利解剖學(xué)家，曾運(yùn)用銅與鐵等不同

金屬鉤去鉤住生物體（電解質(zhì)），而發(fā)現(xiàn)電池性的電流現(xiàn)象。為紀(jì)念其之發(fā)現(xiàn)，后人在電化

學(xué)方面常用此字表達(dá)“電池“或“電化學(xué)”之意念。

22.Inductance（L）電感

電感具有自感應(yīng)（Self-Inductance）及互感應(yīng)（MutualInductance）等兩部份。（1）所

謂“自感”是指導(dǎo)體中有電流流動時，其周邊會產(chǎn)生磁力線。每當(dāng)電流出現(xiàn)變化時磁力線也隨

之變化，此時會發(fā)生一種阻止磁力線變化之”反電動勢"，此種現(xiàn)象稱為“自感應(yīng)"作用，現(xiàn)以

簡圖及公式表達(dá)如下：?設(shè)在秒內(nèi)其電流之變化為而所產(chǎn)生的磁束變化為

則自感應(yīng)之電動勢e將與成比例。?又當(dāng)導(dǎo)部率一定期，則磁束之變化符與電

流變化成比例，設(shè)其比例常數(shù)為L,于是：△I,e=-L,Z\T,此處之L即為自感，其單位為亨

利（Henry）br>?即當(dāng)1秒內(nèi)電流之變化為I安培（A）時，若所感應(yīng)之電動勢為1伏特

（V）,則其自感即為1亨利（H）。（2）所謂互感（）是指類似在變壓器中兩種線圈之

間的感應(yīng)而言。如圖當(dāng)L1線圈中有電流通過時則會產(chǎn)生磁束巾，而此磁束又將使L2線

圈受到感應(yīng)而產(chǎn)生電流（其電動勢為e）。由于此種新產(chǎn)生的e會與△<|）/At形成比例，若

當(dāng)其導(dǎo)磁系數(shù)固定期，則磁束的變化又與電流強(qiáng)度成比例（設(shè)比例常數(shù)為因而新生的電動勢

大小應(yīng)為：式中M即為互感。其單位為亨利H,當(dāng)L1線圈中之電流變化為1安培/秒

時，其在L2線圈中所感應(yīng)的電動勢為1伏特，則其M為1亨利。

23.Input/Output輸入/輸出

乃是指“組件“或“系統(tǒng)二或中央作業(yè)單元等，其與外界溝通的進(jìn)出口稱為I/O.例如一枚”

集成電路器”（IC）,其組件中心的芯片（Chip,大陸業(yè)界譯為“芯片"）上的線路系統(tǒng)，必須

先打線（WireLeadBond）到腳架（LeadFrame）上，再完畢組件本體之密封及成形彎腳后

才干成為IC的成品。當(dāng)軟將此種IC焊接在電路板上時，其各“接腳”焊點(diǎn)就是該“集成電路

器”的對外I/O.

24.Interconnection互連

按MIL-STD-429C的說法，是指兩電子產(chǎn)品或電器品上，其兩組件，兩單元、或兩系統(tǒng)

之間的“電性互連"而言（故含零件與電路板組裝）。此外在電路板上兩層之間的導(dǎo)體，以鍍

通孔方式加以連通者，稱為InterfacialConnection或InterlayerConnection.此各種互連的形

式，將可用Interconnecting做為總體表達(dá)。大陸業(yè)界卻將之譯為"內(nèi)互連二想必是將Inter

（之間）與Inner（之內(nèi)）兩定混淆所致。

25.IonMigration離子遷移

在某物料之內(nèi)，或兩種物料之間，經(jīng)由外加電場（ElectricField）影響之下，其某些已

存在的自由離子（FreeIon）,若產(chǎn)生緩慢的遷移或移居動作者，稱為“離子遷移”.

26.IonizationVoltage（CoronaLevel）電離化電壓（電暈水準(zhǔn)）

原義是指電纜內(nèi)部的狹縫空氣中，引起其電離所施加之最低電壓。廣義上可引申為在兩

絕緣導(dǎo)體之間的空氣，受到高電壓之感應(yīng)而出現(xiàn)離子化發(fā)光的情形，此種引起空氣電離的起

碼電壓，謂之”電高化電壓”.當(dāng)發(fā)現(xiàn)“電暈”現(xiàn)象時，若再繼續(xù)增長其電壓，則將會引起絕緣體

之崩潰(BreakdownorBreakThrough)導(dǎo)致短路，此即所謂的“潰電壓”.

27、Ionization游離，電離

此字在廣義上是指當(dāng)原子或分子，吸取外來能量而失去外圍的電子后，將由本來的”電

中性”變成帶有正電荷或負(fù)電荷的離子或帶電體，其過程稱為“離子化“或“電離化”.在電子工

程中，其狹義上是指某些絕緣體(Insulator)于長時間外加電壓下，會產(chǎn)生少許帶電的粒子,

而出現(xiàn)漏電的現(xiàn)象，謂之電離。

28、Kovar科伐合金

為含鐵53%、含銀29%、含鉆17%及其它少量金屬所組成的一種合金，其"膨脹系

數(shù)”與玻璃非常接近，且其氧化物更能玻璃之間形成強(qiáng)力的鍵接，使于封裝時可采用玻璃做

為密封材料，以完畢一體結(jié)合的功能，希望在后續(xù)的使用中不致受到熱脹冷縮的影響。此種

Kovar特殊合金是美國”西屋電子公司”所開發(fā)的，現(xiàn)已普遍用于半導(dǎo)體界。又，電路板面裸

銅斷線處(OpenCircuit),也可用扁薄細(xì)長之鍍金科伐線，以特殊點(diǎn)焊機(jī)進(jìn)行熔接(Welding)

修補(bǔ)，右圖即為休斯公司之熔補(bǔ)機(jī)。

29>Kevlar聚醯胺纖維

是杜邦公司所發(fā)明“聚醯胺"(Aramid,Polyarmid)纖維的商標(biāo)名稱，此種聚合物線材的抗

拉強(qiáng)度(TensileStrength)極高，其延展性比鋼鐵更好。能吸取很大的動能，且又能耐溫耐燃

(達(dá)220C),故可做為防彈衣、輪胎中的補(bǔ)強(qiáng)織材，以及強(qiáng)力繩索等用途。更由于其'介質(zhì)

常數(shù)”比玻纖更低，故電路板業(yè)也曾用以代替玻纖制作基板，但卻因鉆孔時不易切斷，所鉆

出的孔壁毛頭極多，品質(zhì)很難控制，以致井未大量使用。此外此種聚醯胺布材，亦可做為過

濾及防塵之用，其商標(biāo)名為Nomex.

30、LightEmittingDiodes,LED發(fā)光二極管

半導(dǎo)體有正型(P-type)及負(fù)型(N-lype)兩種。當(dāng)在負(fù)型體上施加電壓時，可使故意

加入雜質(zhì)的原子進(jìn)行電離、于是將出現(xiàn)穿梭流動的游離電子，可讓半導(dǎo)體完畢導(dǎo)電的動作。

另一方面正型半導(dǎo)體內(nèi)的雜質(zhì)則可供應(yīng)“電洞”，可吸引負(fù)型的電子而掉入洞中。若將正負(fù)型

接合在?起，其接合區(qū)將形成導(dǎo)電的屏障。每當(dāng)電子通過屏障落入洞中時，其所多余的能量

便可以光或熱的形式發(fā)出.此即LED發(fā)光的原理。最早的LED是以腫及像所組成而只能

發(fā)紅光，現(xiàn)在則已可發(fā)出各種顏色的光。由于LED比砂粒還小，其發(fā)光效率約可達(dá)50%,

遠(yuǎn)超過白熾燈所表現(xiàn)的20%,故所需電展也極小，僅().2瓦而已，旦發(fā)光壽命也長達(dá)數(shù)十年。

亮度雖不能用之于照明，但做為數(shù)字顯示則非常抱負(fù)。但是LED需在黑暗中才可發(fā)光顯示,

而LCD不僅更省電，并且在明視環(huán)境中仍清楚可見。LED及LCD兩種電視的商業(yè)化，目

前仍在發(fā)展中。我國的光寶公司已是世界生產(chǎn)LED最大的公司，由于制程甚耗人力現(xiàn)已大

部份移往泰國生產(chǎn)。

31.LiquidCrystalDisplay,LCD液晶顯示器

是指某種物質(zhì)在某一溫度時，將兼具固態(tài)晶體的異方向(Anisotropic)及液態(tài)的流動性質(zhì),

此種介乎固態(tài)晶體及液相之間的“中間物質(zhì)"，特稱為"介晶相"(Mesomorphicphase)也就是

俗稱的“液晶”即：液晶物的發(fā)現(xiàn)已有一百數(shù)年歷史，直至1968年才一方面由RCA公司應(yīng)

用在顯示器上。目前己實用于電子工業(yè)者，有小面積之TN型(TwistNematic扭曲向列型),

例如手表、定期器或小型計算器；而較大面積之STN型(SuperTwistNematic)，則可用于

掌上型或筆記型之計算機(jī)顯示屏：面積更大的TFT型(ThinFilmTransitor)則仍在發(fā)展

中，良品率尚局限性以商業(yè)化。目前全球業(yè)界以日本Sharp及東芝較為領(lǐng)先,一旦成功后則

大畫面薄型彩色電視機(jī)，將可掛在墻上如同油畫一般欣賞，想必能大幅節(jié)省空間及電力。

32.LeakageCurrent漏甩電流

板面兩相比鄰線路之區(qū)域中(兼指綠漆之有無)，一旦有電解質(zhì)或金屬殘渣存在，且相

隔兩導(dǎo)體又出現(xiàn)電位差時，則也許有電流漏過。此乃電路板制做時蝕刻不盡品質(zhì)不佳的表

征。

33.LogicCircuit邏輯電路

數(shù)字計算機(jī)中，用以完畢計算或解題作用的各種“閘電路”、觸發(fā)器，以及其它互換電路

的通用術(shù)語，稱為"LogicCircuit.

34.Logic邏輯

指計算機(jī)或其它數(shù)字化(Digital)電子機(jī)器中的特殊電路系統(tǒng)，此等電路中具有多枚

IC,可執(zhí)行各式計算功能(CompulalionFunctions),稱為Logic或邏輯電路。常見之邏輯如

EmitterCoupledLogic(ECL)、Transistor-TransitorLogic(TTL)、CMOSLogic等。又

FuzzyLogic是指除了。與I之外，另插入其它數(shù)值，是一種模棱兩可的邏輯。即在“是“與“

非”之間加入“幾乎"“大約”等字眼的邏輯。

35.Micro-electronios微電子

是電子技術(shù)的一部份，系針對極小的電子零件或元素，以及由其所構(gòu)成的產(chǎn)品體系，在

理論及實務(wù)方面加以闡述及應(yīng)用的學(xué)問。

36.MicrostripLine微條線，微帶線

是高速訊號傳輸線的一種，以多層板而言，則為涉及表面接觸空氣的訊號線，與承教體

的介質(zhì)層，再襯以接地層等三者所做結(jié)構(gòu)的組合，即稱為(扁平)“微條線”.假如在訊號線表

面另行涂布綠漆或壓合上膠片時，則改稱為EmbededMicrostripLine"埋入式微條線".兩者

計算公式均為:Zo=87/J(er+1.41in[5.98h/0.8W+T])

37、Microstrip微條線

是六種訊號傳輸線(TransmissionLine)中的一種，系專指"導(dǎo)線"浮在大地層(Ground

Plane）之上，兩者保持平行，其間尚有介質(zhì)充塞所形成的組合。此種“微條”的截面示意圖，及

其“特性阻抗”之計算關(guān)系式如下左圖。左圖為上下皆有天地層的另一種“Stripline線條，的傳

輸線組合，及其計算特性阻抗之關(guān)系式。

38、Network網(wǎng)狀組件

指各種動態(tài)（Active）或靜態(tài)（Passive）電子組件，如電阻器、電容器，或線圈等，可

互連成一種網(wǎng)狀組合體，稱為Network.

39、Node節(jié)點(diǎn)

是指線路系統(tǒng)中導(dǎo)線的交匯點(diǎn)，為電學(xué)上的名詞，在板面其實就是通孔與其孔環(huán)所組成

的網(wǎng)絡(luò)交點(diǎn)。

40、Ohm歐姆

是電阻的單位。當(dāng)線珞中有1安培的電流，而其電壓又恰為1伏特時，其電阻值即為

1歐姆。

41.Output產(chǎn)出，輸出

就一部機(jī)器或一條生產(chǎn)線而言，其產(chǎn)品之“物流“有“產(chǎn)入量“（Input）及“產(chǎn)出量"（Output）

之分。另就某一零件所“輸出”的訊號而言，相對的Inpul貝指“輸入”的訊號，兩者合并簡稱

為I/O,故對各種零件的接腳或引腳也就稱為“出入埠”（I/OPort或I/O）。

42.PeakVoltage峰值電壓

指電路系統(tǒng)中瞬間出現(xiàn)的最大電壓數(shù)值。

43.Permittivity誘電率，透電率

是指介于導(dǎo)體之間的絕緣材料，在高頻情況下，也許將無法完全阻止彼此訊號的串通,

這種漏失的限度稱為“Permittivity”.但是尚另有一術(shù)語DielectricConstant（介質(zhì)常數(shù)）其意義

與此詞完全相同，并且流傳更廣。兩者相比較時，仍以Permilliviiy的意義較為為明確，也比

較容易懂。最常用的板材FR-4在1MHz頻率下，其“透電率”約為4.5,而鐵氟龍卻可低到2.2,

是各種商品板材中介質(zhì)能最佳，也最適于高頻用途者。

44.Piezoelectric壓電性

當(dāng)某些物質(zhì)受到外來的機(jī)械壓力后會產(chǎn)生電流，此種性質(zhì)稱為“壓電性”.大多數(shù)晶體涉

及常見的石英在內(nèi)都具有壓電性。反之若使電流通過其口時.，則也會產(chǎn)生每秒數(shù)百萬次的機(jī)

械振蕩。因而運(yùn)用其“可逆”之雙重性質(zhì)，可以制造揚(yáng)聲器、定期器、電唱機(jī)唱頭等精密電子

產(chǎn)品。

45.Porcelain驍材，驍面

系硼硅玻璃（BorosilicateGlass）與少吊:的二氧化偌（Zirconia）,以及少;苴其它物料所

形成的混合物，稱為Porcelain.有時也稱為Enamel.

46.Propagation傳播

是指各種電磁波（ElectromagneticWaves）,在介質(zhì)之內(nèi)或沿著介質(zhì)表面的傳送行為謂

之“傳播”.

47>Reactance電抗

是交流電在線路中或零件中流動時，所受到的反抗阻力謂之”電抗"，是以大寫的X為代

表符號。這種電抗的來源有二：（1）來自電容器的反抗則稱為"容抗"（XC）；（2）來自線圈

或其它電感者謂之“感抗"（XL）。

48、Shunt分路

在有電流的主導(dǎo)體上所額外加掛的副導(dǎo)線，以分散掉原有電流者，稱為分路。

49>Siemens電阻值

直流電的電阻值歷來以“歐姆”做為單位，但是近年來亦有人主張改用此“西門子”做為電

阻值，并以大寫的S為其符號。

50、Signal訊號

電子學(xué)上系指在已預(yù)定的電壓、電流、極性（Polarity）,以及脈波寬度（PulseWidth

指脈波起點(diǎn)至終點(diǎn)間的時電）的情形下，所得到之脈沖（Impulse）稱為Signal.俗稱的“訊號”

是指可聽到，或以其它形式表達(dá)的“記號”.

51.Strain變形，應(yīng)變

指物體受到外力而發(fā)生的變形而言。這種己”變形”的物體將存在一股欲回到本來自然狀

態(tài)之反抗力量，即通稱之“應(yīng)力"（Stress）。

52.StressRelief消除應(yīng)力

原指金屬體通過機(jī)械加工后，可運(yùn)用熱解決方式，以消除變形部份所蘊(yùn)藏之內(nèi)應(yīng)力，其

解決過程謂之“消除應(yīng)力”.在電子工業(yè)中則多指零件腳的彎折成型處，為避免應(yīng)力集中之后

患，?？桃鈱澱厶幱枰詳U(kuò)大成弧形，以預(yù)先消減其也許形成的應(yīng)力。

53.SkinEffect集膚效應(yīng)

在高頻情況下(即日文之高周波)，電流的傳遞多於中在導(dǎo)線的表面，使得導(dǎo)線內(nèi)部通

過的電流甚少，導(dǎo)致內(nèi)部導(dǎo)體的浪費(fèi)，并也使得表面導(dǎo)體部份的電阻升高。為避免此現(xiàn)象一

般高頻用途的導(dǎo)線常采多股集束或多股編線方式，以增長更多表面導(dǎo)體消除集膚效應(yīng)，減少

因電阻上升而導(dǎo)致的發(fā)熱情形。

54.Stripline條線

是指單一導(dǎo)體線路與大地(Ground)之間已有介質(zhì)層隔開；這種由“單一導(dǎo)線;介質(zhì)

層“及“大地”三者所搭配而成的“傳輸組合”，可用以傳飾微波訊號者，稱為Stripline或

Microstrip.

55.TensileStrength抗拉強(qiáng)度

是指金屬材料的一種重要的機(jī)械性質(zhì)，可將待試金屬做成固定的“實驗桿“或“實驗片“裝

在拉力機(jī)上進(jìn)行拉試。其拉斷前之最大拉力謂之“抗拉強(qiáng)度”.

56.Surge突波，突壓

指電路中某?點(diǎn)，其電流或電壓呈現(xiàn)瞬間忽然增大或升高的暫短現(xiàn)象。

57、TransmissionLine傳輸線

是指由導(dǎo)線及介質(zhì)所共同組成而用以載送訊號(Signal)的“線路”(Circuit),其電性

己加以管制，得以輸送高頻電子訊號，或狹窄的高速脈沖訊號(NarrowPulseElectrical

Signal)等，此種用途之線路謂之“傳輸線”.電路板上最常見的傳輸線有附圖中的Microstripe

及Stripline等兩種。

58、VoltageDrop電壓降落

指某系統(tǒng)從輸入電流為原始接點(diǎn)起，通過一段導(dǎo)體長度或?qū)w的體積后，其所喪失掉的

電壓值，謂之VoltageDrop.大陸術(shù)語為“電壓降”.

59、Voltage電壓

廣義上是指驅(qū)動電子流動的原動力，如同水壓一般迫使水流在管路中產(chǎn)生流動。通常

Voltage在不同的場合，也當(dāng)成某些類似術(shù)語的代詞，如電動勢(ElecimotiveForce),電位

(Potential)>電位差(PotentialDifference)、電壓降落(VoltageDrop)等。也可從另一觀

點(diǎn)加以解釋，如在完整的回路中，某兩點(diǎn)間如有電子流或電流產(chǎn)生時，其兩點(diǎn)在電位上的差

別就是Voltage.

60、Walt瓦特

為功率(Power)的單位，是指每秒中所做的“功量"(WorkDown),所謂的”瓦特卿每

秒所做的功為1焦耳(Watt二Joule/sec)之謂也。Watt簡寫為W.在電功方面，凡1安培的

電流在一伏特電壓下，所做的電功，亦稱為1瓦特；即Watt=Volt.Ampere.

61.WipingAction滑動接觸（導(dǎo)電）

指兩導(dǎo)體間的電性連通，是靠其一之滑動接觸來完畢者，稱之Wipping.AAmpere;安

培是電流強(qiáng)度的單位。當(dāng)導(dǎo)體兩點(diǎn)之間的電阻為1ohm,電壓為1Voli時，其間的電流強(qiáng)度

即為1Ampere.ACAlternatingCurrent;交流電ACLAdvancedCMOSLogic;改善式

「互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體J邏輯DCDirectCurrenl;直流電DTLDiodeTransislorLogic;二

極管晶體管邏輯ECLEmitter-CoupledLogic;射極耦合邏輯由許多晶體管和電阻器在祥芯片

上所合并而形成的一種高速邏輯運(yùn)算電路。EMC臼ectromagneticCompatible;電磁共容EMF

Electro-MotiveForce;電動勢ESDElectrostaticDischarge;靜電放電許多電子零件及電子組

裝機(jī)器，常因靜電聚積而導(dǎo)致瞬間放電而也許發(fā)生損壞，故常需接地（Grounding）,將所

聚集靜電逐漸釋放，以避免ESD的為害。RTLResistor-TransisiorLogic;電阻體/晶體管邏輯

TTLTransistorTransistorLogic;晶體管晶體管邏1.Admittance導(dǎo)納

指交流電路中，其電流在導(dǎo)體中流動的難易限度，亦即為“阻抗Impedance”的倒數(shù)。

2.AluminiumNitridc（AIN）氮化鋁

是一種相稱新式的陶究材料，可做為高功率零件急需散熱的封裝材料。此氮化鋁之導(dǎo)熱

度極佳，可達(dá)200m2/K,遠(yuǎn)高于鋁金屬的20m2/K,且其熱脹系數(shù)（TCE）也十分接近半

導(dǎo)體晶粒的3.（）,成為一種IC的良好封裝材料，有替代氧化皺（BeO）及氧化鋁（A12O3）

等陶瓷材料的也許性。

3.AnalogCircuit/AnalogSignal模擬電路/模擬訊號

如左圖當(dāng)逐漸旋轉(zhuǎn)電位器之旋鈕，使輸入電流慢慢變化即可得到一種“模擬訊號”.所謂“

模擬”是指輸出訊號針對輸入訊號做比較時，其間存在著?些類似或形成?定比例的變化量,

采用此種方式組成的電路系統(tǒng)稱為“模擬電路”（如麥克風(fēng)）。其中傳輸?shù)挠嵦杽t稱為“模擬訊

號二多以正弦波表達(dá)之。又如左圖的一個電子計算器，系按。?9以十進(jìn)制制輸入。但在計

算內(nèi)部卻是另采0與1的二進(jìn)制制進(jìn)行數(shù)據(jù)解決。兩者不同進(jìn)位數(shù)字之間是運(yùn)用編碼和譯

碼器予以溝通，使得在輸出方面又回到十進(jìn)制制。以此種方式組成的電路系統(tǒng)稱為“數(shù)字電

路”.其中傳輸?shù)挠嵦柗Q為“數(shù)字訊號”，系采低準(zhǔn)位的0與高準(zhǔn)位的1所組成的方波形式

表達(dá)之。初期在0與1之間的電位差是5V,但為省電起見，新式個人計算機(jī)的邏輯運(yùn)算方

面已降壓至3.3V.不久將來當(dāng)硬件組件的精度再度提高后，還會再降壓至2.5V,其極限電位

差應(yīng)在1.5V.

4.Attenuation訊號衰減

指高頻訊號于導(dǎo)體中傳輸時，在振幅電壓（能量）方面的衰減而言，無論模擬訊號或數(shù)

字訊號，都會因電路板的板材與制做各異，而出現(xiàn)不同限度的衰減。

5.BalancedTransmissionLines平衡式傳輸線

指傳輸線體系中的訊號線，是由兩條并行線并合而成。這種平衡電路(Balanced

Circuit)也稱為“差動線對“(DifferentialPair)或差動線(DifferentialLine),又

稱為偶合(Coupled)式傳輸線。至于由單條訊號線所組成的傳輸線，則稱為“未平衡式傳

輸線"(UnbalancedTransmissionLines)o此種雙條式"差動線"其特性阻抗值的量，須用到

TOR的兩組"取樣器"(SamplingHeader),分別產(chǎn)生兩個梯階波(StepWave)使進(jìn)入兩條訊

號線中。若兩梯階波之極性相同時，則從示波器所得讀值稱為“偶模阻抗"，須再除以2始得”

共模阻抗"(Zcm)。若二梯階波之極性相反時稱為“奇模阻抗”，須將讀值相減再除以2始得

到“差動阻抗”.在現(xiàn)場實測時儀器的軟件將會自動計算而得到所需的Zo值。

6.CapacitiveCoupling電容耦合

板面上相鄰兩導(dǎo)體間、因電容的積蓄能量而引發(fā)彼此各式額外的電性作用，甚至也許導(dǎo)

致原有訊號的失真，稱為‘電容耦合".特別在高頻高速訊號的細(xì)線密線板，這種互相干擾的

行為，必須要盡量設(shè)法避免，以提高終端產(chǎn)品的整體性能，因而板材介質(zhì)數(shù)就非常講究，要

愈低愈好。

7、Conductance導(dǎo)電

是“電阻值”的顛倒詞.電阻值的單位是歐姆ohm,而導(dǎo)電值的單位也是倒過來的”姆歐

mho”當(dāng)欲測其上限的電阻值時，則不如測”導(dǎo)電度值”來的方便。例如欲測板子清潔度時，即

可測其抽出液導(dǎo)電的“姆歐”值。然而一般人比較懂得電阻的“歐姆”值，故還需要換算”電阻值

”才比較容易認(rèn)同。

8、Creep潛變

金屬材料在受到壓力或拉力下，會出現(xiàn)少許伸長性應(yīng)變，但當(dāng)壓力一直未消除，將逐漸

老化而形成金屬疲勞。一旦超過其應(yīng)變伸長性的限度時，也許會出現(xiàn)斷裂的情形(Rupture),

這種逐漸發(fā)生尺寸改變的情形稱為潛變。電路板上的焊點(diǎn)就有這種情形存在。

Conductivity導(dǎo)電度

是指物質(zhì)導(dǎo)通電流的能力，以每單位電壓下所能通過的電流大小做為表達(dá)的數(shù)據(jù)，也同

樣是以”姆歐“為單位。

10、CrystallineMeltingPoint晶體熔點(diǎn)

指物質(zhì)內(nèi)部結(jié)晶構(gòu)體崩解之溫度。

11.Doping摻雜

指半導(dǎo)體的高純度“硅元素”中，為了改變其導(dǎo)電特性，而刻意加入少量的某種雜質(zhì)，以

得到所需要的物理性質(zhì)，此種“摻雜"謂之Doping.

12.Electro-migration電遷移

在基板材料的玻璃束中，當(dāng)板子處在高溫高濕及長期外加電壓下，在金屬導(dǎo)體與玻璃束

跨接之間,會出現(xiàn)絕緣失效的漏電情形稱為“電遷移”,又稱為CAF(ConductiveAnodic

Filaments)漏電。

13,Crosstalk噪聲、串訊

電路板上相鄰的訊號線(SignalLines)中，在工作狀態(tài)下會發(fā)生能量互相偶合的現(xiàn)象

(EnergyCoupling)，而產(chǎn)生不受歡迎的干擾,稱為Crosstalk.

14.Electro-phoresis電泳動，電滲

原始定義是指在溶液中施加某一電場后，會令帶電膠體粒子或離子團(tuán)產(chǎn)生游動現(xiàn)象。電

路板業(yè)新開發(fā)的”也看光阻二即屬于“電泳動”方式的一種。

I5.EMI電磁干擾

是ElectromagneticInterference的縮寫，原是指無線電接受機(jī)所受到的電磁干擾而言。

現(xiàn)已泛指板面上相鄰線路間，在高頻訊號傳遞時互相之間的干擾，其近似字尚有Noise噪

聲,RFI射頻干擾等，但各詰使用環(huán)境并不相同。

16.Fatiqucstrength抗疲勞強(qiáng)度

當(dāng)??種物料或產(chǎn)品，通過多次指定最大應(yīng)力的實驗周期后，尚未發(fā)生故障，此種在出現(xiàn)

“故障”前的最高應(yīng)力實驗周期，謂之"Fatiquestrength".

17、Filler填充料

指性質(zhì)安定及價格便宜的物質(zhì)，可加進(jìn)某些塑料材料中做為電子產(chǎn)品用途，以減少成本

或改善性質(zhì)。如石棉、云母、石英、瓷粉等可加工成絲狀、片狀、粉狀等加入塑料材料中，皆

稱為填允料。

18、FlexuralModule彎曲模數(shù),抗撓性模數(shù)

在彈性限度內(nèi)(ElaslicLimit),物體受到應(yīng)力(Stress)的壓迫，其所產(chǎn)生穹曲變形

(Strain)的比率稱為“彎曲模數(shù)”，亦即抵抗外力而拒彎的忍耐性。

19、FlurocarbonResin碳一樹月旨

是一系列有機(jī)含氟的熱塑型高分子聚合物，可用于電子工業(yè)的重要產(chǎn)品有FEP

（FluorinatedEthylenePolypylene,氟化乙烯丙烯）及PTFE（Polytetrafluoroethylene,聚四氨乙

烯）等兩種塑料材料。

20.Farad法拉是電容量的單位，即在電容器上兩極片間，當(dāng)其電量充加到1庫倫，而其間的

電位差又恰為1伏特時，則其兩極片間的電容量即為1法拉。

21.GalvanicCorrosion賈凡尼式腐蝕

即”電解式腐蝕”之同義字。賈凡尼為18世紀(jì)之意大利解剖學(xué)家，曾運(yùn)用銅與鐵等不同

金屬鉤去鉤住生物體（電解質(zhì)），而發(fā)現(xiàn)電池性的電流現(xiàn)象。為紀(jì)念其之發(fā)現(xiàn)，后人在電化

學(xué)方面常用此字表達(dá)“電池"或“電化學(xué)”之意念。

22.Inductance（L）電感

電感具有自感應(yīng)（Self-Inductance）及互感應(yīng)（MutualInductance）等兩部份。（1）所

謂“自感”是指導(dǎo)體中有電流流動時，其周邊會產(chǎn)生磁力線。每當(dāng)電流出現(xiàn)變化時磁力線也隨

之變化，此時會發(fā)生一種阻止磁力線變化之”反電動勢"，此種現(xiàn)象稱為“自感應(yīng)"作用，現(xiàn)以

簡圖及公式表達(dá)如下：?設(shè)在at秒內(nèi)其電流之變化為△］，而所產(chǎn)生的磁束變化為△<!）,

則自感應(yīng)之電動勢e將與△巾/成比例。?又當(dāng)導(dǎo)部率一定期，則磁束之變化將與電

流變化成比例，設(shè)其比例常數(shù)為L,于是：△l,e=L,Z\T,此處之L即為自感，其單位為亨

利（Henry）br>?即當(dāng)1秒內(nèi)電流之變化為I安培（A）時，若所感應(yīng)之電動勢為1伏特

（V）,則其自感即為1亨利（H）。（2）所謂互感（;是指類似在變壓器中兩種線圈之

間的感應(yīng)而言。如圖當(dāng)L1線圈中有電流通過時則會產(chǎn)生磁束巾，而此磁束又將使L2線

圈受到感應(yīng)而產(chǎn)生電流（其電動勢為e）。由于此種新產(chǎn)生的e會與△<!>/△1形成比例，若

當(dāng)其導(dǎo)磁系數(shù)固定期，則磁束的變化又與電流強(qiáng)度成比例（設(shè)比例常數(shù)為因而新生的電動勢

大小應(yīng)為：式中M即為互感。其單位為亨利H,當(dāng)L1線圈中之電流變化為I安培/秒

時，其在L2線圈中所感應(yīng)的電動勢為1伏特，則其M為1亨利。

23.Input/Output輸入/輸出

乃是指“組件“或“系統(tǒng)”，或中央作業(yè)單元等，其與外界溝通的進(jìn)出口稱為I/O.例如一枚”

集成電路器”（IC）,其組件中心的芯片（Chip,大陸業(yè)界譯為“芯片“）上的線路系統(tǒng)，必須

先打線（WireLeadBond）到腳架（LeadFrame）上，再完畢組件本體之密封及成形彎腳后

才干成為IC的成品。當(dāng)欲將此種IC焊接在電路板上映其各“接腳”焊點(diǎn)就是該"集成電路

器”的對外I/O.

24.Interconnection互連

按MIL-STD-429C的說法，是指兩電子產(chǎn)品或電器品上，其兩組件，兩單元、或兩系統(tǒng)

之間的“電性互連"而言（故含零件與電路板組裝）。此外在電路板上兩層之間的導(dǎo)體，以鍍

通孔方式加以連通者，稱為InterfacialConnection或InterlayerConnection.此各種互連的形

式，將可用Interconnecting做為總體表達(dá)。大陸業(yè)界卻將之譯為"內(nèi)互連"，想必是將Inter

（之間）與Inner（之內(nèi)）兩定混淆所致。

25.IonMigration離子遷移

在某物料之內(nèi)，或兩種物料之間，經(jīng)由外加電場(ElectricField)影響之下，其某些已

存在的自由離子(FreeIon),若產(chǎn)生緩慢的遷移或移居動作者，稱為“離子遷移”.

26.1onizationVoltage(CoronaLevel)電離化電壓(電暈水準(zhǔn))

原義是指電纜內(nèi)部的狹縫空氣中，引起其電眼所施加之最低電壓。廣義上可引申為在兩

絕緣導(dǎo)體之間的空氣，受到高電壓之感應(yīng)而出現(xiàn)離子化發(fā)光的情形，此種引起空氣電離的起

碼電壓，謂之"電離化電壓”.當(dāng)發(fā)現(xiàn)“電暈“現(xiàn)象時，若再繼續(xù)增長其電壓，則將會引起絕緣體

之崩潰(BreakdownorBreakThrough)導(dǎo)致短路，此即所謂的"潰電壓”.

27sIonization游離,電值

此字在廣義上是指當(dāng)原子或分子，吸取外來能量而失去外圍的電子后，將由本來的”電

中性”變成帶有正電荷或負(fù)電荷的離子或帶電體，其過程稱為“離子化“或“電離化”.在電子工

程中，其狹義上是指某些絕緣體(InsukHor)于長時間外加電壓下，會產(chǎn)生少許帶電的粒子,

而出現(xiàn)漏電的現(xiàn)象，謂之電離。

28>Kovar科伐合金

為含鐵53%、含銀29%、含鉆17%及其它少量金屬所組成的?種合金，其"膨脹系

數(shù)”與玻璃非常接近，且其氧化物更能玻璃之間形成強(qiáng)力的鍵接，使于封裝時可采用玻璃做

為密封材料，以完畢一體結(jié)合的功能，希望在后續(xù)的使用中不致受到熱脹冷縮的影響。此種

Kovar特殊合金是美國”西屋電子公司”所開發(fā)的，現(xiàn)已普遍用丁半導(dǎo)體界。又，電路板面裸

銅斷線處(OpenCircuit),也可用扁薄細(xì)長之鍍金科伐線，以特殊點(diǎn)焊機(jī)進(jìn)行熔接(Welding)

修補(bǔ)，右圖即為休斯公司之熔補(bǔ)機(jī)。

29、Kevlar聚醯胺纖維

是杜邦公司所發(fā)明“聚醯胺"(Aramid,Polyarmid)纖鏤的商標(biāo)名稱，此種聚合物線材的抗

拉強(qiáng)度(TensileStrength)極高，其延展性比鋼鐵更好。能吸取很大的動能，且又能耐溫耐燃

(iA22(/C),故可做為防彈衣、輪胎中的補(bǔ)強(qiáng)織材，以及強(qiáng)力繩索等用途。更由于其“介質(zhì)

常數(shù)”比玻纖更低，故電路板業(yè)也曾用以代替玻纖制作基板，但卻因鉆孔時不易切斷，所鉆

出的孔壁毛頭極多，品質(zhì)很難控制，以致并未大量使用。此外此種聚醯胺布材，亦可做為過

濾及防塵之用，其商標(biāo)名為Nomex.

30、LightEmittingDiodes,LED發(fā)光二極管

半導(dǎo)體有正型(P-type)及負(fù)型(N-type)兩種。當(dāng)在負(fù)型體上施加電壓時，可使故意

加入雜質(zhì)的原子進(jìn)行電離、于是將出現(xiàn)穿梭流動的游離電子，可讓半導(dǎo)體完畢導(dǎo)電的動作。

另一方面正型半導(dǎo)體內(nèi)的雜質(zhì)則可供應(yīng)“電洞”，可吸引負(fù)型的電子而掉入洞中。若將正負(fù)型

接合在一起，其接合區(qū)將形成導(dǎo)電的屏障。每當(dāng)電子通過屏障落入洞中時，其所多余的能量

便可以光或熱的形式發(fā)出.此即LED發(fā)光的原理。最早的LED是以珅及像所組成而只能

發(fā)紅光，現(xiàn)在則已可發(fā)出各種顏色的光。由于LED比砂粒還小，其發(fā)光效率約可達(dá)50%,

遠(yuǎn)超過白熾燈所表現(xiàn)的20%,故所需電量也極小，僅0.2瓦而己，且發(fā)光壽命也長達(dá)數(shù)十年。

亮度雖不能用之于照明，但做為數(shù)字顯示則非常抱負(fù)。但是LED需在黑暗中才可發(fā)光顯示,

而LCD不僅更省電，并且在明視環(huán)境中仍清楚可見。LED及LCD兩種電視的商'業(yè)化，目

前仍在發(fā)展中。我國的光寶公司已是世界生產(chǎn)LED最大的公司，由于制程甚耗人力現(xiàn)已大

部份移往泰國生產(chǎn)。

31.LiquidCrystalDisplay,LCD液晶顯示器

是指某種物質(zhì)在某一溫度時，將兼具固態(tài)晶體的異方向(Anisolropic)及液態(tài)的流動性質(zhì),

此種介乎固態(tài)晶體及液相之間的“中間物質(zhì)“，特稱為“介晶相"(Mesomorphicphase)也就是

俗稱的“液晶”即：液晶物的發(fā)現(xiàn)已有一百數(shù)年歷史，直至1968年才一方面由RCA公司應(yīng)

用在顯示器上。目前已實用于電子工業(yè)者，有小面積之TN型(TwistNematic扭曲向列型),

例如手表、定期器或小型計算器；而較大面積之STN型(SuperTwistNematic),則可用于

掌上型或筆記型之計算機(jī)顯示屏；面積更大的TFT型(ThinFilmTransitor)則仍在發(fā)展

中，良品率尚局限性以商業(yè)化。目前全球'業(yè)界以日本Sharp及東芝較為領(lǐng)先,一旦成功后則

大畫面薄型彩色電視機(jī)，將可掛在墻上如同油畫一般欣賞，想必能大幅節(jié)省空間及電力。

32.LeakageCurrent漏電電流

板面兩相比鄰線路之區(qū)域中(兼指綠漆之有無)，一旦有電解質(zhì)或金屬殘渣存在，且相

隔兩導(dǎo)體乂出現(xiàn)電位差時，則也許有電流漏過。此乃電路板制做時蝕刻不盡品質(zhì)不佳的表

征。

33.LogicCircuit邏輯電路

數(shù)字計算機(jī)中，用以完畢計算或解題作用的各種“閘電路”、觸發(fā)器，以及其它互換電路

的通用術(shù)語,稱為“LogicCircuit”.

34.Logic邏輯

指計算機(jī)或其它數(shù)字化(Digital)電子機(jī)器中的特殊電路系統(tǒng)，此等電路中具有多枚

IC,可執(zhí)行各式計算功能(ComputationFunciions),稱為Logic或邏輯電路。常見之邏輯如

EmitterCoupledLogic(ECL)、Transistor-TransitorLogic(TTL)、CMOSLogic等。又

FuzzyLogic是指除了。與1之外，另插入其它數(shù)值，是一種模棱兩可的邏輯。即在“是“與“

非"之間加入“幾乎"“大約”等字眼的邏輯。

35.Micro-eleclronios微電子

是電子技術(shù)的一部份，系針對極小的電子零件或元素，以及由其所構(gòu)成的產(chǎn)品體系，在

理論及實務(wù)方面加以闡述及應(yīng)用的學(xué)問。

36.MicrostripLine微條線，微帶線

是高速訊號傳輸線的一種，以多層板而言，則為涉及表面接觸空氣的訊號線，與承載體

的介質(zhì)層，再襯以接地層等三者所做結(jié)構(gòu)的組合，即稱為（扁平）“微條線”.假如在訊號線表

面另行涂布綠漆或壓合上膠片時，則改稱為EmbededMicrosiripLine”埋入式微條線”.兩者

計算公式均為:Zo=87/J（er+1.41In[5.98h/0.8W+T]）

37、Microstrip微條線

是六種訊號傳輸線（TransmissionLine）中的一種，系專指"導(dǎo)線"浮在大地層（Ground

Plane）之上，兩者保持平行，其間尚有介質(zhì)充塞所形成的組合。此種“微條”的截面示意圖，及

其“特性阻抗”之計算關(guān)系式如下左圖。左圖為上下皆有天地層的另一種“Stripline線條，的傳

輸線組合，及其計算特性阻抗之關(guān)系式。

38、Network網(wǎng)狀組件

指各種動態(tài)（Active）或靜態(tài)（Passive）電子組件，如電阻器、電容器，或線圈等，可

互連成一種網(wǎng)狀組合體，稱為Network.

39>Node節(jié)點(diǎn)

是指線路系統(tǒng)中導(dǎo)線的交匯點(diǎn)，為電學(xué)上的名詞，在板面其實就是通孔與其孔環(huán)所組成

的網(wǎng)絡(luò)交點(diǎn)。

40、Ohm歐姆

是電阻的單位。當(dāng)線珞中有1安培的電流，而其電壓又恰為1伏特時，其電阻值即為

1歐姆。

41.Output產(chǎn)出，輸出

就一部機(jī)器或一條生產(chǎn)線而言，其產(chǎn)品之“物流“有”產(chǎn)入最"（Input）及“產(chǎn)出量"（Output）

之分。另就某一零件所“輸出”的訊號而言，相對的Inpul貝IJ指“輸入”的訊號，兩者合并簡稱

為I/O,故對各種零件的接腳或引腳也就稱為“出入埠”（I/OPort或I/O）。

42.PeakVoltage峰值電壓

指電路系統(tǒng)中瞬間出現(xiàn)的最大電壓數(shù)值。

43.Permittivi【y誘電率，透電率

是指介于導(dǎo)體之間的絕緣材料，在高頻情況下，也許將無法完全阻止彼此訊號的串通,

這種漏失的限度稱為"Pennitlivily”.但是尚另有一術(shù)語DielectricConstant(介質(zhì)常數(shù))其意義

與此詞完全相同，并且流傳更廣。兩者相比較時，仍以Permittivity的意義較為為明確，也比

較容易懂。最常用的板材FR-4在1MHz頻率下，其“透電率”約為4.5,而鐵氟龍卻可低到2.2,

是各種商品板材中介質(zhì)能最佳，也最適于高頻用途者。

44.Piezoelectric壓電性

當(dāng)某些物質(zhì)受到外來的機(jī)械壓力后會產(chǎn)生電流，此種性質(zhì)稱為“壓電性”.大多數(shù)晶體涉

及常見的石英在內(nèi)都具有壓電性。反之若使電流通過其口時，則也會產(chǎn)生每秒數(shù)百萬次的機(jī)

械振蕩。因而運(yùn)用其“可逆”之雙重性質(zhì)，可以制造揚(yáng)聲器、定期器、電唱機(jī)唱頭等精密電子

產(chǎn)品。

45.Porcelain瓷材，瓷面

系硼硅玻璃(BorosilicateGlass)與少量的二氧化鋅(Zirconia),以及少量其它物料所

形成的混合物，稱為Porcelain.有時也稱為Enamel.

46.Propagation傳播

是指各種電磁波(ElectromagneticWaves),在介質(zhì)之內(nèi)或沿著介質(zhì)表面的傳送行為謂

之“傳播

47、Reactance電抗

是交流電在線路中或零件中流動時，所受到的反抗阻力謂之“電抗"，是以大寫的