正文目錄一AI時下儲求發(fā)推周上，需張態(tài)下格速漲 5二、外廠利力斷增，內(nèi)儲組商等潤續(xù)放 12三、資議 17圖表目錄圖1：數(shù)中對儲強勁求 5圖2：多態(tài)用存需求長 6圖3：AI動NANDFlash位需增（位：EB） 6圖4：華電CUBE3D疊結(jié)構(gòu) 8圖5：CBA構(gòu)造藝 8圖6：存單和CMOS電路合一起 8圖7：HBF品態(tài) 9圖8：部存原季資本支億元） 10圖9：NAND備本支（美） 11圖10：DXI指數(shù) 11圖11：DRAM現(xiàn)價美金） 12圖12：NANDFlash價格美） 12圖13：外儲頭額（美）增速 13圖14：外儲頭率 13圖15：外儲頭率 13圖16：內(nèi)分儲公司利率 13圖17：內(nèi)分儲公司非利率 13圖18：內(nèi)分儲公司貨百元） 14圖19：聯(lián)子度（10月億臺） 14圖20：見息度（10月億臺） 14圖21：剛控度（10月億臺） 15圖22：國灣基廠商度收億臺） 15圖23：內(nèi)基儲廠商利率 16圖24：內(nèi)基儲廠商利率 16表1：HBM產(chǎn)規(guī)比較 7表2：存原資支規(guī)劃 10表3：2025年10月現(xiàn)貨價 12表4：國存及套業(yè)鏈市的 17一、一、AI時代下存儲需求爆發(fā)推動周期上行，供需緊張態(tài)勢下價格加速上漲我們在今年3月發(fā)布《儲 ：需善下NAND價格拐點趨高端存儲和端側(cè)創(chuàng)帶增量需求》詳述存行拐點邏輯，并在6-10月半體月報中對存儲上趨進行持續(xù)跟蹤進入25Q3以來存儲行業(yè)全面入上行周期不同于此前給側(cè)減產(chǎn)或退出帶的格短暫上行本輪存儲業(yè)行周期主要系AI時代下存儲需求爆發(fā)推動，時給側(cè)產(chǎn)能開出有限因業(yè)供需缺口持續(xù)擴，格加速上漲。存儲行業(yè)具有強周期性，AI時代下存儲需求推動本輪價格周期持續(xù)上行。20102025年3月以來利基DRAM25Q2-25Q3以來NANDFlash、DDR525Q426H12024AI26H12026從需求端來看，AIAIEBZBAI2020年的600EB（1EB=1024PB）20282.4ZB（1ZB=1024EB）心驅(qū)動力從手機、互聯(lián)網(wǎng)廠商等轉(zhuǎn)變?yōu)樯墒紸I。圖1：數(shù)據(jù)中心對存儲的強勁需求希捷投資者日材料多模態(tài)應用推動存儲需求增長，Sora2代表著從視頻生成的"GPT-1時刻"向"GPT-3.5時刻"Sora2104K100MBKB級存儲需求提升數(shù)百甚至數(shù)千倍。圖2：多模態(tài)應用對存儲需求增長希捷投資者日材料AI推理增加冷數(shù)據(jù)和溫數(shù)據(jù)需求，SSD有望接力HDD成為萬卡集群主流存儲器。根據(jù)閃迪預估，2026年全球NANDFlash位元需求有望增長超200EB至1237EB，到2029年需求有望增至2236EB。AI推理存儲需求一般分為熱數(shù)據(jù)、溫數(shù)據(jù)、冷數(shù)據(jù)三種，熱數(shù)據(jù)一般存儲在HBM或DRAM中，以滿足實時推理需求；溫數(shù)據(jù)一般使用SSD存儲，以實現(xiàn)較快的讀寫速度；冷數(shù)據(jù)一般使用HDD，用來進行大規(guī)模數(shù)據(jù)備份。盡管HDD讀寫速度較慢，但相較于SSD成本低廉，因此目前萬卡集群存儲解決方案中，常見40%SSD+60%HDD的混合模式。不過考慮到AI推理工作負載涉及大量小型數(shù)據(jù)的隨機讀取，以及對模型參數(shù)的快速調(diào)用，從效能角度分析，SSD的IOPS（每秒讀寫次數(shù)）是HDD的數(shù)百甚至數(shù)千倍，其微秒級的延遲（Latency）相較HDD毫秒級延遲縮短數(shù)倍。同時SSD在運作時無需馬達驅(qū)動磁盤，每TB的功耗遠低于HDD。對于大型數(shù)據(jù)中心而言，改用SSD所節(jié)省的電費、冷卻成本以及機柜空間，長期足以抵銷其較高的初始購置成本，未來SSD有望接力HDD成為數(shù)據(jù)中心萬卡集群主流存儲器。圖3：AI推動NANDFlash位元需求增長（單位：EB）閃迪投資者日材料下游PC2025系ows系統(tǒng)迭代和AIPCPC2025年新款AIPC16GB容量32-64GB20252024DRAM手機DRAM12-16GBAI車載及智駕系統(tǒng)發(fā)展，內(nèi)存和存儲容量持續(xù)增加；④可穿戴產(chǎn)品方面，根據(jù)維深XRRaybanStories512MBLPDDR3+4GBeMMC5.0的eMCPRaybanMeta2GBLPDDR4X+32GBeMMC5.1eMCPAIOlaFriend2128MbNORFlash，容量較普通TWS64-128MbNOR和NANDCBAHBF等催生增量需求。HBM三大原廠HBM4產(chǎn)品將在2026年批量出貨，美光2026年HBM產(chǎn)能售罄。1）SK海力士：公司于25Q4啟動出貨HBM4，2026年擴大HBM4產(chǎn)能，同時指引2027年HBM產(chǎn)品仍供不應求；2）三星：公司HBM3E產(chǎn)品占比擴大至超80H2BE銷售占比超90B4FY25Q4HBM20HBMHBM4HBM42026產(chǎn)品發(fā)布時間核心die容量層數(shù)產(chǎn)品發(fā)布時間核心die容量層數(shù)速度（Gbps）I/OHBM42026F24Gb12,168-102048HBM3E202424Gb8,12,168-9.81024HBM3202216Gb8,125.6-6.41024HBM2E202016Gb4,83.2-3.61024HBM220188Gb4,82-2.41024Trendforce，各公司公告CUBE、3DDRAM等發(fā)展。AIAIHBMAIHBMJEDEC因此無法直接用于各類AI端側(cè)場景?？紤]到AIAI華邦電率先推出CUBEAI華20239CUBE（）HBM3Dchip-on-wafer（CoW）2.5D/3Dchip-on-Si-interposer（Fanout）CUBE可大幅優(yōu)化內(nèi)存技術(shù)，主要與SoC實現(xiàn)在混合云和邊緣云應用中運行生成式AI的性能，適用于可穿戴設備、邊緣服務器設備、監(jiān)控設備、ADAS及協(xié)作機器人等高級應用。圖4：華邦電CUBE3D堆疊結(jié)構(gòu)華邦電官網(wǎng)CBA架構(gòu)CBA架構(gòu)將存儲單元和CMOSCMOSCBACMOS圖5：CBA架構(gòu)制造工藝 圖6：存儲單元和CMOS電路鍵合在一起閃迪投資者日材料 閃迪投資者日材料CBACBA3D密度。例如，鎧俠的第八代BiCSFLASH21815%-20%；CBACMOSBiCSFLASH為例，與其前代產(chǎn)品（第六代）相比，寫入性能提升約20%，讀取速度提10%30%3.6Gbps?；贜AND架構(gòu)的基于NAND堆疊架構(gòu)的用于解決數(shù)據(jù)中心和邊緣AI應用的內(nèi)存墻問題，提升互聯(lián)速度和帶寬。HBFHBMHBFTSVNANDI/OBiCS94.8Gb/sHBFNANDHBFHBF可在數(shù)據(jù)中心中可增強HBMTBGPUHBFHBM8-16倍。圖7：HBF產(chǎn)品形態(tài)閃迪投資者日材料BMD產(chǎn)能開出非常有限。海外存儲原廠資本開支聚焦BMD由于HBMNAND1-2NANDNANDHBM2025HBMHBMFY20251381γnmDRAMHBMFY2026DRAMHBM25Q42026圖8：部分存儲原廠季度資本開支（億美元）美光 SK海力士 西部數(shù)據(jù) yoy0

200%150%100%50%0%-50%16Q116Q216Q116Q216Q316Q417Q117Q217Q317Q418Q118Q218Q318Q419Q119Q219Q319Q420Q120Q220Q320Q421Q121Q221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q223Q323Q424Q124Q224Q324Q425Q125Q2Bloomberg存儲原廠2023年2024存儲原廠2023年2024年2025年規(guī)劃三星電子53.1萬億韓元，其中48.4萬億韓元用于DS部門，2.4萬億韓元用于顯示增加2.5倍及以上HBM產(chǎn)能，其他非HBM產(chǎn)量增長有限，并減產(chǎn)NAND優(yōu)化產(chǎn)品產(chǎn)量，HBM位元供應量同比400V10NAND263月建設SK海力士2023年資本支出同比減少50%以上HBMTSV提升有限超此前指引，用于HBM新產(chǎn)線的支出同比顯著增長美光130億美元，同比減少38%81億美元1381β1γnmDRAMNAND支公告NANDFlash2017-20212017-2018NAND20222022-2023NANDFlashNANDFlash20242025AIADFhSK海力士、閃迪均無明確NANDFlash2026年NANDFlash2026圖9：NAND設備資本開支（億美元）閃迪投資者日材料10年101040-100%AI10DDR48G16G25Q2910DDR3DDR4產(chǎn)品，造成DDR3月40.4%；NANDFlashAI7-8圖10：DXI指數(shù)350000300000250000200000150000100000500000類別現(xiàn)貨價（美元）環(huán)比漲跌幅DDR516G（2G*8）15.6類別現(xiàn)貨價（美元）環(huán)比漲跌幅DDR516G（2G*8）15.6+102.6%DDR416G（2G*8）25.5+96.8%DDR48G（1G*8）10.2+60.4%DDR34G（512M*8）3.3+40.4%TLCNANDFlashWafer512Gb5.0+42.9%Digitimes圖11：DRAM現(xiàn)貨價格（美金） 圖12：NANDFlash現(xiàn)貨價格（美元）DDR5(16Gb(2Gx8)) DDR4(16Gb(1Gx16))DDR4(16Gb(2Gx8)) DDR4(8Gb(1Gx8))DDR4(8Gb(512Mx16)) 73563052542031510 2

NANDFlash(64Gb8Gx8MLC)NANDFlash(32Gb4Gx8MLC)502023-05-03 2024-05-03 2025-05-03

102023-05-03 2024-05-03 2025-05-03等利潤持續(xù)釋放存儲業(yè)務收入同比加速增長，盈利能力持續(xù)增強。①三星：25Q3存儲業(yè)務在HBM3ESSD19%業(yè)務通過擴大HBM3E26.7（18726%，K3收入5；毛利率為57%，同比+5pcts/環(huán)比+3pcts；凈利率為52%，同比+6pcts/環(huán)比+21pcts25Q3113.2+46%/環(huán)比+22%45.7%，同比+9.2pcts/環(huán)比+6.7pcts31%+14pcts/環(huán)比+7.6pcts1營收823環(huán)比s；1.81331%NANDbit15%圖13：海外存儲龍頭銷售額（億美元）及增速三星電子（存儲業(yè)務） 美光 SK海力士 yoy0

80%60%40%20%0%-20%-40%10Q110Q310Q110Q311Q111Q312Q112Q313Q113Q314Q114Q315Q115Q316Q116Q317Q117Q318Q118Q319Q119Q320Q120Q321Q121Q322Q122Q323Q123Q324Q124Q325Q125Q3財報圖14：海外存儲龍頭毛利率 圖15：海外存儲龍頭凈利率10Q110Q410Q110Q411Q312Q213Q113Q414Q315Q216Q116Q417Q318Q219Q119Q420Q321Q222Q122Q423Q324Q225Q1-20%-40%

三星電子 美光 SK海力士 西部數(shù)據(jù)

10Q110Q410Q110Q411Q312Q213Q113Q414Q315Q216Q116Q417Q318Q219Q119Q420Q321Q222Q122Q423Q324Q225Q1-20%-40%-60%-80%

三星電子 美光 SK海力士 西部數(shù)據(jù)財報 財報25Q4中國大陸模組廠商25Q325Q325Q4圖16：國內(nèi)部分存儲模組公司毛利率 圖17：國內(nèi)部分存儲模組公司扣非凈利率江波龍 佰維存儲 德明利 江波龍 佰維存儲 德明利

30%20%10%0%-10%-20%-30%-40%財報 財報圖18：國內(nèi)部分存儲模組公司存貨（百萬元）江波龍 佰維存儲 德明利10000900080007000600050004000300020001000022Q1 22Q2 22Q3 22Q4 23Q1 23Q2 23Q3 23Q4 24Q1 24Q2 24Q3 24Q4 25Q1 25Q2 25Q3財報1070.65+90%/DRAM25Q41017.2+119.6%/環(huán)比1044.6+31%/-14.9%2026圖19：群聯(lián)電子月度收入（10月，億新臺幣） 圖20：創(chuàng)見信息月度收入（10月，億新臺幣）群聯(lián)電子 yoy807060504030201017M117M617M117M617M1118M418M919M219M719M1220M520M1021M321M822M122M622M1123M423M924M224M724M1225M525M10

100% 2580%60% 2040% 1520%0% 10-20%-40% 5-60% 0

創(chuàng)見信息 yoy

150.0%100.0%50.0%0.0%17M117M717M117M718M118M719M119M720M120M721M121M722M122M723M123M724M124M725M125M7財報 財報圖21：威剛工控月度收入（10月，億新臺幣）威剛 yoy60504030201017M117M517M117M517M918M118M518M919M119M519M920M120M520M921M121M521M922M122M522M923M123M523M924M124M524M925M125M525M9

120%100%80%60%40%20%0%-20%-40%-60%財報利基、SLCNANDDDR4DDR5等主流產(chǎn)品遷移，逐步淡出利基DRAM3季度以來價格呈現(xiàn)加速上升態(tài)勢，NOR、SLCNAND等品類價格維持溫和增長態(tài)勢。1026.5+24%ROMSLCNANDAINOR979.2+9.5%DDR425Q40792D450，DDR3LPDDR3DDR5DDR425Q3（25Q2259138天）圖22：中國臺灣利基存儲廠商月度營收（億新臺幣）旺宏 華邦電 南亞科 yoy25020015010050

60%40%20%0%-20%-40%22M122M222M122M222M322M422M522M622M722M822M922M1022M1122M1223M123M223M323M423M523M623M723M823M923M1023M1123M1224M124M224M324M424M524M624M724M824M924M1024M1124M1225M125M225M325M425M525M625M725M825M9財報2DRAM進一步上行，并在明年維持相對較好的水平；兆易表示，海外大廠在將重心從2DNAND3DNAND2DNANDSLCNANDFlash圖23：國內(nèi)利基存