超配（維持）AI驅(qū)動存儲擴(kuò)容，設(shè)備環(huán)節(jié)確定性凸顯超配（維持）AI驅(qū)動存儲擴(kuò)容，設(shè)備環(huán)節(jié)確定性凸顯分析師：劉夢麟SAC執(zhí)業(yè)證書編號：S0340521070002電話iumenglin@分析師：陳偉光SAC執(zhí)業(yè)證書編號：S0340520060001電話henweiguang@資料來源：Wind，東莞證券研究所動進(jìn)行復(fù)盤，我們發(fā)現(xiàn)行業(yè)幾乎每一輪上行周期都來自下游需求爆發(fā)與新品迭代帶來的供需錯配。2024年以來，受益AI驅(qū)動DDR5RDIMM、eSSD等高性能存儲面上漲，機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)2026年有望延續(xù)漲勢。地域分布方面，中國大陸地區(qū)是僅次于美國的全球第二大存儲銷售市場，但內(nèi)地廠商在市占率方面存在較大提升空間，以長鑫存儲、長江存儲為代表的內(nèi)資存儲企業(yè)在技術(shù)端抓緊追趕，有望依托龐大的下游市場需求，通過持續(xù)研發(fā)與工藝改良提升競爭力，逐步縮小與海能擴(kuò)張仍為未來幾年全球半導(dǎo)體行業(yè)的主旋律，中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備支出引領(lǐng)全球，存儲設(shè)備將成為重要動能。隨著DRAM、NAND架構(gòu)向3D化方向發(fā)展，對光為原來的1.7倍和1.8倍。通過對LamResearch的成長歷程進(jìn)行復(fù)盤，我們發(fā)現(xiàn)其成長路徑大致符合“單品突破=》平臺化擴(kuò)張=》設(shè)備、工藝、服務(wù)一體化”的發(fā)展脈絡(luò)，一方面加碼研發(fā)投入夯實(shí)內(nèi)功，另一方面外延并購?fù)貙挳a(chǎn)品線實(shí)現(xiàn)平臺化布局，并重視后道服務(wù)市場（CSBG），打合解決方案商，有效熨平周期波動并增強(qiáng)客戶黏性。以北方華創(chuàng)、中微公司為n投資建議：AI驅(qū)動存儲行業(yè)景氣上行，疊加以長鑫存儲、長江存儲為資廠商持續(xù)進(jìn)行產(chǎn)能擴(kuò)充，存儲設(shè)備需求彈性有望加大。建議關(guān)注北方華創(chuàng)（002371）、中微公司（688012）、拓荊科技（688072）等在細(xì)分領(lǐng)域取得領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備龍頭企業(yè)，以及長川科技（300604）、精智達(dá)（688627）等積n風(fēng)險提示：晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度不及預(yù)期、研發(fā)投入不及預(yù)期、國產(chǎn)替代進(jìn)程不及投投資策略行業(yè)研究證券研究報(bào)告請務(wù)必閱讀末頁聲明。1.AI驅(qū)動需求擴(kuò)容，存儲板塊迎大級別景氣周期 42.大陸半導(dǎo)體設(shè)備支出有望引領(lǐng)全球，存儲設(shè)備成重要動能 3.國內(nèi)部分半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)介紹 4.投資建議 5.風(fēng)險提示 插圖目錄圖1：全球半導(dǎo)體市場規(guī)模及同比增速預(yù)測（單位：十億美元） 4圖2：2024-2026年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模及增長率-按地區(qū)/品類 5圖3：集成電路各品類市場價值占比 5圖4：2024年存儲市場細(xì)分品類占比 5圖5：DRAM下游應(yīng)用占比情況 5圖6：NANDFlash下游應(yīng)用占比情況 5圖7：2024-2030年不同下游領(lǐng)域存儲需求量預(yù)測 6圖8：2024-2030年全球存儲市場規(guī)模變化（單位：美元） 7圖9：2013-2025年全球存儲芯片銷售額及同比增長率 8圖10：集成電路及其細(xì)分品類年銷售額同比增長率（%） 8圖11：近期DRAM現(xiàn)貨價格全面上漲（截至2025/12/29） 9圖12：2026年服務(wù)器市場價格環(huán)比幅度預(yù)測 9圖13：2026年Mobile和PC市場價格環(huán)比幅度預(yù)測 9圖14：2024年全球DRAM市場-按地域劃分 圖15：2024年全球NAND市場-按地域劃分 圖16：DRAM市場份額（24Q3-25Q3） 圖17：NAND市場份額（24Q2-25Q2） 圖18：長鑫存儲-中國首個自主研發(fā)的DDR5 圖19：長鑫存儲-中國首個自主研發(fā)的LPDDR5X 圖20：長江存儲晶棧Xtacking技術(shù)示意圖 圖21：2024-2028年全球300mm晶圓廠設(shè)備支出（含預(yù)測值） 圖22：2026-2028年全球300mm晶圓廠設(shè)備支出占比-按品類 圖23：2026-2028年全球300mm晶圓廠設(shè)備支出占比-按地區(qū) 圖24：我國半導(dǎo)體制造設(shè)備進(jìn)口金額（2021Q1-2025Q3） 圖25：全球半導(dǎo)體設(shè)備年度銷售額（單位：億美元，2019-2026E） 圖26：GDDR5與HBM結(jié)構(gòu)對比 圖27：2020—2024年各存儲原廠3DNAND技術(shù)發(fā)展路線圖 圖28：2022-2027年10種主要設(shè)備的市場體量的增長和變化 圖29：DRAMSAMperwafer增長至1.7倍（1b至3D） 圖30：NANDSAMperwafer增長至1.8倍（128層至5xx層） 圖31：泛林半導(dǎo)體2016財(cái)年-2025財(cái)年?duì)I業(yè)收入情況 圖32：泛林半導(dǎo)體2016財(cái)年-2025財(cái)年凈利潤情況 圖33：LamResearch2016-2025年研發(fā)支出及占營收比重 圖34：LamResearch2022-2025財(cái)年分部門營收、毛利率 圖35：美系三大設(shè)備廠商2018-2025財(cái)年來自中國內(nèi)地收入（單位：億美元） 20請務(wù)必閱讀末頁聲明。圖36：美系三大設(shè)備廠商2018-2025財(cái)年來自中國內(nèi)地收入占總營收比重 20圖37：2025年上半年全球前十大半導(dǎo)體設(shè)備廠商 圖38：北方華創(chuàng)營業(yè)收入情況 圖39：北方華創(chuàng)歸母凈利潤情況 21圖40：北方華創(chuàng)半導(dǎo)體裝備產(chǎn)品系列 22圖41：中微公司營業(yè)收入情況 圖42：中微公司歸母凈利潤情況 22圖43：中微公司主要產(chǎn)品 圖44：拓荊科技營業(yè)收入情況 圖45：拓荊科技?xì)w母凈利潤情況 24圖46：拓荊科技薄膜沉積設(shè)備累計(jì)流片量 24圖47：拓荊科技主要鍵合產(chǎn)品和量檢測產(chǎn)品 圖48：長川科技營業(yè)收入情況 圖49：長川科技?xì)w母凈利潤情況 25圖50：長川科技部分測試系統(tǒng)產(chǎn)品線 25圖51：長川科技擬募集資金投向 26圖52：精智達(dá)營業(yè)收入情況 26圖53：精智達(dá)歸母凈利潤情況 圖54：精智達(dá)部分半導(dǎo)體存儲器件測試業(yè)務(wù) 表格目錄表1：晶圓廠產(chǎn)能擴(kuò)充給刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備帶來較大需求彈性 表2：重點(diǎn)公司盈利預(yù)測及投資評級（截至2025/12/29） AI驅(qū)動半導(dǎo)體行業(yè)景氣上行，機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)2026年銷售規(guī)模有望接近萬億美元。隨著人工智能技術(shù)的加速演進(jìn)，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的需求結(jié)構(gòu)正經(jīng)歷深刻重塑，行業(yè)已經(jīng)邁入已開啟新一輪上行周期。根據(jù)WSTS（世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織）12月發(fā)布的最新預(yù)測，預(yù)計(jì)2025年全球半導(dǎo)體營收為7,720億美元，同比大幅增長22.5%。2026年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模將在2025年的高基數(shù)基礎(chǔ)上進(jìn)一步增長26.3%，達(dá)到約9,750億美元，接近萬億美元大關(guān)。圖1：全球半導(dǎo)體市場規(guī)模及同比增速預(yù)測（單位：十億美元）存儲芯片、邏輯芯片將成為本輪周期上行的核心驅(qū)動力。分地區(qū)看，美洲和亞太成為全球半導(dǎo)體銷售增速最快地區(qū)，2025年半導(dǎo)體銷售額同比分別增長29.1%和24.9%，預(yù)計(jì)2026年增速分別為34.4%和24.9%；分品類看，存儲芯片、邏輯芯片將成為增幅最大的細(xì)分品類，2025年同比增速分別為27.8%和37.1%，預(yù)計(jì)2026年同比分別增長39.4%和32.1%。一方面，AI訓(xùn)練與推理對高性能計(jì)算芯片需求旺盛，推動高端邏輯器件持續(xù)放量；另一方面，算力規(guī)模擴(kuò)張顯著提升存儲容量與帶寬需求，驅(qū)動存儲芯片實(shí)現(xiàn)高速增長。請務(wù)必閱讀末頁聲明。圖2：2024-2026年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模及增長率-按地區(qū)/品類存儲芯片是集成電路第二大細(xì)分品類，DRAM、NAND占比主流。據(jù)WSTS，2024年存儲行業(yè)占集成電路比重為31.3%，為第二大的集成電路品類，僅次于邏輯電路。從存儲板塊的細(xì)分占比來看，據(jù)YoleGroup，2024年全球存儲行業(yè)市場規(guī)模約1700億美元，同比大幅增長約78%，其中DRAM（不含HBM）占比約47%，HBM占比約10%，NAND占比40%，其余細(xì)分品類占比較低。圖3：集成電路各品類市場價值占比圖4：2024年存儲市場細(xì)分品類占比存儲芯片下游劃分：下游應(yīng)用廣泛，手機(jī)、PC占比較高，構(gòu)成傳統(tǒng)主力。存儲器產(chǎn)業(yè)鏈下游涵蓋智能手機(jī)、平板電腦、計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備、可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)硬件、安防監(jiān)控、工業(yè)控制、汽車電子等多個應(yīng)用領(lǐng)域，不同應(yīng)用場景對存儲器的參數(shù)要求復(fù)雜多樣，涉及容量、讀寫速度、可擦除次數(shù)、協(xié)議、接口、功耗、尺寸、穩(wěn)定性、兼容性等多項(xiàng)內(nèi)容。其中，手機(jī)、PC為存儲器下游應(yīng)用領(lǐng)域的傳統(tǒng)主力，合計(jì)占比約50%，而AI、智能汽車加速滲透為行業(yè)注入新動能。圖5：DRAM下游應(yīng)用占比情況圖6：NANDFlash下游應(yīng)用占比情況請務(wù)必閱讀末頁聲明。資料來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院，東莞證券研究所資料來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院，東莞證券研究所存儲下游需求結(jié)構(gòu)正發(fā)生系統(tǒng)性變化，由消費(fèi)電子主導(dǎo)轉(zhuǎn)向“智能汽車+數(shù)據(jù)中心”雙輪驅(qū)動。據(jù)Yole預(yù)測，2024-2030年全球NAND與DRAM市場晶圓消耗量復(fù)合增速約為5%，但不同下游應(yīng)用分化顯著。受益車載計(jì)算平臺集中化、傳感器數(shù)量增加以及高階智能駕駛滲透率提升，單車存儲容量有望快速上行，帶動汽車存儲市場在2024-2030年間實(shí)現(xiàn)約21%的復(fù)合增速，成為增長最快的下游領(lǐng)域；此外，AI訓(xùn)練與推理需求擴(kuò)張推動數(shù)據(jù)中心持續(xù)加大對高容量、高帶寬存儲的投入，數(shù)據(jù)中心存儲24-30年需求復(fù)合增速預(yù)計(jì)達(dá)到9%，成為另一核心支撐。手機(jī)、PC等傳統(tǒng)終端市場則受制于出貨趨穩(wěn)、創(chuàng)新節(jié)奏放緩等因素需求，存儲需求在2024-2030年間整體呈現(xiàn)負(fù)增長。圖7：2024-2030年不同下游領(lǐng)域存儲需求量預(yù)測全球存儲產(chǎn)業(yè)有望進(jìn)入新一輪擴(kuò)容周期，高帶寬存儲成為核心增長方向。根據(jù)Yole預(yù)測，到2030年全球存儲芯片市場規(guī)模將達(dá)到3020億美元，2024—2030年復(fù)合增速約為10%。存儲需求增長的核心驅(qū)動力來自云端AI應(yīng)用的爆發(fā)，并逐步由數(shù)據(jù)中心向邊緣側(cè)與終端側(cè)延伸。其中，受益于AI服務(wù)器與高性能計(jì)算需求持續(xù)攀升，HBM重要性顯著提升，2030年?duì)I收規(guī)模有望達(dá)到980億美元，占據(jù)DRAM市場約一半份額，2024—2030年CAGR高達(dá)33%；NANDFlash方面，隨著數(shù)據(jù)中心擴(kuò)容及企業(yè)級存儲需求回暖，2030年NANDFlash市場規(guī)模有望增至1010億美元，2024-2030年復(fù)合增速約為7%。此外，NORFlash、NVSRAM、FRAM等利基型存儲的體量空間雖然有限，但在汽車電子、工業(yè)控制及端側(cè)AI等場景帶動下，也有望保持穩(wěn)健增長態(tài)請務(wù)必閱讀末頁聲明。圖8：2024-2030年全球存儲市場規(guī)模變化（單位：美元）存儲周期復(fù)盤：供需錯配驅(qū)動周期上行，新品迭代提高產(chǎn)品附加值。2016年以來，存儲行業(yè)共經(jīng)歷三輪上行周期，分別為：2016-2018年，2020-2021年，2024年至今。三次周期上行的主要驅(qū)動力均來自：下游需求爆發(fā)式增長及供給端產(chǎn)能釋放緩慢帶來的供需錯配，以及產(chǎn)品升級換代帶來的附加值提升。2016-2018年：全球公有云建設(shè)提速與DDR4加速滲透。需求端：全球云服務(wù)在這一階段進(jìn)入加速擴(kuò)張期，AWS、Azure、阿里等廠商持續(xù)加大資本開支，推動服務(wù)器出貨量與單機(jī)存儲配置同步提升，顯著拉動DRAM與企業(yè)級NAND需求。此外，DDR4相比DDR3具有更高頻率、更低功耗和更大容量，整機(jī)廠在該階段加速導(dǎo)入，并在2016-2017年實(shí)現(xiàn)對DDR3的快速替代。供給端：存儲原廠產(chǎn)能釋放偏慢，行業(yè)形成偏緊供應(yīng)格局，供需錯配共同推動DRAM與NAND價格快速上行。據(jù)TrendForce統(tǒng)計(jì)，2017年全球DRAM產(chǎn)業(yè)的整體營收同比增長76%，行業(yè)步入營收、利潤雙增的高景氣階段。2020-2021年：遠(yuǎn)程辦公與居家學(xué)習(xí)全面普及，推動終端PC、平板采購量提高。疫情催生遠(yuǎn)程辦公與居家學(xué)習(xí)需要，推動筆電、平板等終端需求結(jié)構(gòu)性爆發(fā)，全球平板、筆電出貨量連續(xù)兩年維持高位，顯著拉動DRAM與SSD需求。據(jù)Gartner統(tǒng)計(jì)，2020年全球PC出貨量為2.75億臺，同比增長4.8%，2021年全年P(guān)C出貨量達(dá)3.398億臺，同比增長9.9%，創(chuàng)近十年新高。云端側(cè)，為支撐視頻會議、在線教育與協(xié)同辦公的高負(fù)載需求，超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心加速擴(kuò)容，服務(wù)器DRAM與企業(yè)級SSD出現(xiàn)階段性供不應(yīng)求。同時，游戲主機(jī)、AR/VR等“宅經(jīng)濟(jì)”相關(guān)終端也加速放量，共同推動行業(yè)步入上行周期。2024年以來：AI基建擴(kuò)張與HBM、DDR5等產(chǎn)品代際升級成為核心驅(qū)動力。2023年末以來，生成式AI訓(xùn)練規(guī)模呈現(xiàn)指數(shù)級提升，云端訓(xùn)練與推理對高帶寬、低延遲存儲依賴顯著增強(qiáng)，推動HBM、高端DRAM及企業(yè)級SSD需求快速增長。AI由云向端側(cè)滲透，AI手機(jī)、AIPC、智能汽車等終端對本地模型存儲、緩存與高速讀寫提出更高要求，帶動LPDDR5X、UFS4.0及車規(guī)級存儲容量與性能同步升級。整體來看，存儲需請務(wù)必閱讀末頁聲明。求由單一容量擴(kuò)張轉(zhuǎn)向“容量+帶寬+功耗”多維升級，上游AI服務(wù)器側(cè)強(qiáng)調(diào)高性能與低時延以匹配訓(xùn)練與推理效率，下游終端側(cè)則更關(guān)注本地模型運(yùn)行、數(shù)據(jù)緩存與高速讀寫能力，推動存儲規(guī)格與單機(jī)價值量持續(xù)抬升。圖9：2013-2025年全球存儲芯片銷售額及同比增長率存儲周期波動幅度大于其他集成電路品類，在上行周期具有更大的業(yè)績彈性。相比其他集成電路品類，存儲芯片標(biāo)準(zhǔn)化程度高，廠商之間競爭主要集中在價格與制程，客戶通常不會綁定單一廠商，訂單流動性強(qiáng)，市場短期價格易出現(xiàn)大幅上漲或下跌。此外，全球存儲芯片競爭格局高度集中，單一廠商的產(chǎn)能擴(kuò)充與收縮行為易被其他廠商效仿或跟隨，頭部廠商之間的“集體行為”也會加劇市場價格的波動程度。因此，通常來說，存儲芯片的價格波動幅度大于其他半導(dǎo)體品類。復(fù)盤集成電路各品類的年度銷售額同比增長率，存儲器的周期波動與集成電路保持基本一致，2003—2024年的年度銷售額同比變化率相關(guān)系數(shù)高達(dá)0.92，二者基本保持同向變化。但與集成電路其他品類相比，存儲器的周期波動率更大，波峰/波谷振幅強(qiáng)于其他集成電路品類，在半導(dǎo)體周期向上時也能獲得高于板塊整體的顯著利潤彈性。圖10：集成電路及其細(xì)分品類年銷售額同比增長率（%）請務(wù)必閱讀末頁聲明。存儲現(xiàn)貨價格全面上漲，2026年有望延續(xù)漲勢。國內(nèi)存儲模組龍頭企業(yè)江波龍表示，隨著生成式AI向多模態(tài)方向發(fā)展，全球科技企業(yè)正加速數(shù)據(jù)中心建設(shè)，推動對DDR5RDIMM、eSSD等高性能存儲產(chǎn)品需求增長。據(jù)CFM閃存市場發(fā)布于12月9日發(fā)布的2026年存儲市場展望報(bào)告，預(yù)計(jì)2026一季度服務(wù)器eSSD和DDR5RDIMM仍存在較大供應(yīng)缺口，其中DDR5RDIMM將大幅上漲40%以上，eSSD上漲20%-30%。CFM閃存市場認(rèn)為，2026年服務(wù)器存儲應(yīng)用將出現(xiàn)兩大應(yīng)用變化，一是QLCNAND在服務(wù)器NAND的需求占比將達(dá)到20%，原廠QLCNAND供應(yīng)重心將從消費(fèi)類市場轉(zhuǎn)向服務(wù)器市場，二是服務(wù)器128GB及以上DDR5RDIMM需求和LPDDR5X需求進(jìn)入高速增長，LPDDR5X成為繼HBM之后服務(wù)器重要的新增DRAM應(yīng)用。嵌入式存儲方面，2025年四季度嵌入式NAND和DRAM合約價分別出現(xiàn)高達(dá)30%和45%以上的漲幅，CFM預(yù)計(jì)26Q1還將出現(xiàn)大幅上漲，后續(xù)漲幅呈現(xiàn)逐季收斂，2026年全年手機(jī)嵌入式DRAM平均成本將同比2025年翻倍上漲，嵌入式NANDFlash平均成本相比2025年將上漲逾60%。圖11：近期DRAM現(xiàn)貨價格全面上漲（截至2025/12/29）圖12：2026年服務(wù)器市場價格環(huán)比幅度預(yù)測圖13：2026年Mobile和PC市場價格環(huán)比幅度預(yù)測中國大陸存儲銷售旺盛，但國內(nèi)廠商在市占率方面有較大提升空間。據(jù)YoleGroup數(shù)據(jù)，按銷售區(qū)域劃分，2024年中國地區(qū)DRAM、NAND銷售額分別為250億美元和220億美元，占全球比重分別為26%和33%，均位列全球第二位，僅次于美國。圖14：2024年全球DRAM市場-按地域劃分圖15：2024年全球NAND市場-按地域劃分與旺盛的銷售額相對應(yīng)的是較低的自主可控率。競爭格局方面，據(jù)芯智訊援引和美光（26%），三者合計(jì)份額93%，大陸企業(yè)長鑫存儲25Q3份額約為5%，相比上年同期的3%有所提升；NAND方面，2025Q2全球NAND市場收入環(huán)比增長24%，行業(yè)前五均為美日韓企業(yè)，合計(jì)份額為91%，中國廠商長江存儲25Q2市場份額為9%，相比上年同期的6%提高3個百分點(diǎn)，但相比中國33%的NAND銷售占比仍有較大提升空間。圖16：DRAM市場份額（24Q3-25Q3）圖17：NAND市場份額（24Q2-25Q2）資料來源：Counterpoint，東莞證券研究所資料來源：Counterpoint，東莞證券研究所內(nèi)資存儲廠商在技術(shù)端加緊追趕。相比海外巨頭，以長江存儲、長鑫存儲為代表的內(nèi)資存儲企業(yè)起步時間較晚，在規(guī)模、技術(shù)方面與海外領(lǐng)先水平差距較大，但憑借本土供應(yīng)鏈協(xié)同優(yōu)勢與高效的市場響應(yīng)能力，已在DDR5、3DNAND等領(lǐng)域取得顯著進(jìn)展。依托國內(nèi)龐大的下游市場需求，內(nèi)資存儲廠商通過持續(xù)研發(fā)與工藝改良提升競爭力，有望逐步縮小與海外領(lǐng)先企業(yè)的技術(shù)差距。DRAM：長鑫存儲推出國內(nèi)首個自主研發(fā)的DDR5和DDR5X。2025年10月底，長鑫存儲宣布其自主研發(fā)的LPDDR5X產(chǎn)品已成功量產(chǎn)，通過創(chuàng)新封裝技術(shù)和優(yōu)化內(nèi)存設(shè)計(jì)，長鑫LPDDR5X在容量、速率、功耗上有顯著提升，最高速率為10667Mbps，達(dá)到國際主流水平，較上一代LPDDR5提升了66%，同時可以兼容LPDDR5，功耗則比LPDDR5降低30%；2025年11月，長鑫存儲在ICChina上首次全面展示DDR5和LPDDR5X兩大最新產(chǎn)品。據(jù)官方介紹，公司最新的DDR5產(chǎn)品最高速率可達(dá)8000Mbps，最高顆粒容量24Gb，并推出UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFFMRDIMM等七大模組及新型產(chǎn)品，覆蓋服務(wù)器、工作站及個人電腦等全場景領(lǐng)域，滿足各領(lǐng)域的高端市場需求。圖18：長鑫存儲-中國首個自主研發(fā)的DDR5圖19：長鑫存儲-中國首個自主研發(fā)的LPDDR5X資料來源：長鑫存儲官網(wǎng)，東莞證券研究所資料來源：長鑫存儲官網(wǎng)，東莞證券研究所NAND：長江存儲自主研發(fā)Xtacking技術(shù)，實(shí)現(xiàn)更高存儲密度與更短制造周期。在傳統(tǒng)3DNAND中，存儲陣列與外圍電路通常集成在同一晶圓上，這種方式受限于單一工藝節(jié)點(diǎn)，兩者難以同時優(yōu)化性能與密度。長江存儲于2018年推出晶棧?Xtacking?架構(gòu)，將存儲陣列與邏輯電路在兩片獨(dú)立晶圓上加工，并利用數(shù)十億根垂直互連通道進(jìn)行混合鍵合（HybridBonding）。通過這種技術(shù)，廠商可以為邏輯電路選擇最優(yōu)工藝節(jié)點(diǎn)，并利用數(shù)以億計(jì)的垂直互連通道實(shí)現(xiàn)了極高的數(shù)據(jù)傳輸帶寬與存儲密度，不僅大幅提升I/O速度與芯片密度，還極大縮短了生產(chǎn)制造周期。圖20：長江存儲晶棧Xtacking技術(shù)示意圖SEMI預(yù)計(jì)2028年半導(dǎo)體設(shè)備支出將首次超過1000億美元。根據(jù)國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）2025年10月發(fā)布的《300mm晶圓廠展望報(bào)告》，2025年全球300mm晶圓廠設(shè)備支出將增長7%，達(dá)到1070億美元。SEMI指出，2026-2028年，全球300mm晶圓廠設(shè)備支出將達(dá)到3740億美元，其中2026-2028年金額分別為：1160億美元、1200億美元和1380億美元，同比分別增長9%、4%和15%。圖21：2024-2028年全球300mm晶圓廠設(shè)備支出（含預(yù)測值）預(yù)計(jì)中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備支出將引領(lǐng)全球，存儲成為重要動能。分地區(qū)看，SEMI預(yù)計(jì)中國大陸2026-2028年300mm半導(dǎo)體設(shè)備支出將達(dá)到940億美元，位列全球第一，占全球比重達(dá)到25%，韓國與中國臺灣分列第二、三位。按品類來看，邏輯/微處理器支出金額將達(dá)到1750億美元，存儲板塊將以1360億美元總支出位列第二。預(yù)計(jì)2026-2028年，DRAM相關(guān)設(shè)備投資將超過790億美元，3DNAND投資額將達(dá)到560億美元。AI訓(xùn)練需要更大的數(shù)據(jù)傳輸帶寬與極低延遲，顯著提升HBM需求，而模型推理生成更高質(zhì)量、更多樣化的AI數(shù)字內(nèi)容，也帶來對終端存儲容量的巨大需求，并推升3D閃存需求，有望拉動存儲供應(yīng)鏈投資水平。圖22：2026-2028年全球300mm晶圓廠設(shè)備支出占比-按圖23：2026-2028年全球300mm晶圓廠設(shè)備支出占比-按地區(qū)2025Q3進(jìn)口半導(dǎo)體設(shè)備總值創(chuàng)歷史新高，表明晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)需求持續(xù)。據(jù)海關(guān)總署數(shù)據(jù)，2025Q3國內(nèi)半導(dǎo)體制造設(shè)備進(jìn)口金額為130.65億美元，創(chuàng)歷史新高，同比增長20.83%。其中，2025Q3前道設(shè)備進(jìn)口總額為101.87億美元，同比增長15.28%，環(huán)比增長33.15%，CVD設(shè)備、干法刻蝕設(shè)備等核心工藝設(shè)備進(jìn)口數(shù)量和單價均處于歷史高位。光刻機(jī)方面，據(jù)ASML，中國大陸收入占公司25Q3凈銷售額的42%，環(huán)比25Q2提升15個百分點(diǎn)，成為公司最大的市場來源。中國大陸25Q3半導(dǎo)體制造設(shè)備進(jìn)口金額創(chuàng)歷史新高，表明中國大陸晶圓擴(kuò)產(chǎn)仍在積極推進(jìn)，且相關(guān)設(shè)備尤其是前道設(shè)備國產(chǎn)替代空間較大，隨著ChinaforChina從成熟制程向先進(jìn)制程演繹，有望帶來更大資本開支，拉動半導(dǎo)體設(shè)備需求。圖24：我國半導(dǎo)體制造設(shè)備進(jìn)口金額（2021Q1-2025Q3）預(yù)計(jì)2026年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額有望進(jìn)一步提高。根據(jù)國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）最新的預(yù)測數(shù)據(jù)顯示，在先進(jìn)邏輯、存儲帶動下，2026年半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額有望進(jìn)一步提高至1,300億美元，中國大陸、中國臺灣和韓國將是設(shè)備支出的前三大區(qū)域。此外，根據(jù)中微公司援引YoleGroup的報(bào)告，中國大陸有望在2030年成為全球最大的半導(dǎo)體晶圓代工中心，預(yù)計(jì)占全球總裝機(jī)產(chǎn)能比例將由2024年的21%提升至30%。圖25：全球半導(dǎo)體設(shè)備年度銷售額（單位：億美元，2019-2026E）指通過Die堆疊、TSV（硅通孔）、HybridBonding等先進(jìn)封裝與互連技術(shù)，把多個DRAM芯片在垂直方向集成，實(shí)現(xiàn)更高的單位面積容量、更短的互連距離和更高的帶寬效率。在AI訓(xùn)練、推理等高性能計(jì)算等場景中，傳統(tǒng)2DDRAM面臨物理縮放瓶頸，單純依靠制程微縮提升DRAM密度和性能的邊際收益持續(xù)下降，促使行業(yè)轉(zhuǎn)向以HBM為代表的3D封裝技術(shù)。作為最成熟的3DDRAM形態(tài)之一，HBM通過TSV和微凸點(diǎn)互聯(lián)技術(shù)縮短數(shù)據(jù)路徑，在提供超高帶寬的同時顯著優(yōu)化了能效，成為存儲市場中最受關(guān)注的細(xì)分領(lǐng)域。圖26：GDDR5與HBM結(jié)構(gòu)對比NAND演進(jìn)趨勢：向更高層數(shù)堆疊，通過3DNAND垂直擴(kuò)展實(shí)現(xiàn)密度躍升與成本優(yōu)化。隨著5G、AI、云服務(wù)等技術(shù)的高速發(fā)展，PC、手機(jī)、服務(wù)器、智能汽車等終端應(yīng)用對存儲性能、功耗優(yōu)化、單位容量的需求持續(xù)增長，3D結(jié)構(gòu)、先進(jìn)封裝等技術(shù)推動存儲晶圓不斷向高存儲密度、高帶寬方向演進(jìn)。在3DNAND分段堆棧以及CuA/PuC/Xtacking等架構(gòu)的幫助下，NANDFlash存儲密度和傳輸性能得到進(jìn)一步提升，單位成本也不斷得到優(yōu)化。據(jù)德明利半年報(bào)援引CFM統(tǒng)計(jì)，在全球已量產(chǎn)的NANDFlash中，各大NAND原廠均已推出200層以上堆疊的NANDFlash，下一代產(chǎn)品將向超過300層堆疊的方向進(jìn)一步發(fā)展。此外，閃迪還推出了新型的AI存儲架構(gòu)高帶寬閃存（HBF），其結(jié)合了3DNAND閃存和高帶寬存儲器（HBM），適合讀取密集型的AI推理任務(wù)。圖27：2020—2024年各存儲原廠3DNAND技術(shù)發(fā)展路線圖存儲架構(gòu)向3D化方向發(fā)展會減少對光刻機(jī)的依賴程度，但會顯著提升刻蝕、薄膜沉積設(shè)備相關(guān)需求。在平面存儲（2DNAND）時代，存儲密度的提升遵循摩爾定律的縮放路徑，主要通過縮短柵極長度和間距來增加單位面積內(nèi)的單元數(shù)量，對高數(shù)值孔光刻機(jī)以及多重曝光技術(shù)依賴較高；而進(jìn)入3DNAND時代，廠家可通過增加結(jié)構(gòu)層數(shù)（stackinglayers）來提升存儲密度，相較2DNAND對極致分辨率光刻的依賴程度有所下降。而在3D堆疊過程中，高深寬比的刻蝕（etch）和薄膜沉積（deposition）工藝成為資本開支的重點(diǎn)和技術(shù)投入的難點(diǎn)方向，刻蝕機(jī)、ALD/CVD等設(shè)備需求將會上升。具體而言，刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備是除光刻機(jī)外的兩大核心微觀加工設(shè)備之一，具有制程步驟多、工藝過程開發(fā)難度高等特點(diǎn)。半導(dǎo)體存儲器件從平面2D向立體3D架構(gòu)轉(zhuǎn)換，顯著提升了等離子體刻蝕和薄膜沉積工藝的關(guān)鍵性，相應(yīng)設(shè)備的需求量大大增加。同時，光刻機(jī)由于波長的限制，更小的微觀結(jié)構(gòu)要靠等離子體刻蝕和薄膜沉積設(shè)備的組合“二重模板”和“四重模板”工藝技術(shù)來加工，刻蝕機(jī)和薄膜設(shè)備的重要性和市場空間持續(xù)提升，相關(guān)設(shè)備市場的年平均增長速度遠(yuǎn)高于其他種類的設(shè)備。圖28：2022-2027年10種主要設(shè)備的市場體量的增長和變化表1：晶圓廠產(chǎn)能擴(kuò)充給刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備帶來較大需求彈性從平面結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)向3D立體結(jié)構(gòu)（如GAA晶泛林半導(dǎo)體：3D化驅(qū)動DRAM和NAND所對應(yīng)的設(shè)備需求為原來的1.7倍和1.8倍。全球領(lǐng)先的刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備供應(yīng)商泛林半導(dǎo)體（LamResearch）在2025年投資者日上表示，在3DDRAM、3DNAND技術(shù)持續(xù)向更高層數(shù)演進(jìn)的過程中，單片晶圓所對應(yīng)的設(shè)備可服務(wù)市場（SAMperwafer）顯著放大，其中3DDRAM、3DNAND單片晶圓所對應(yīng)的設(shè)備可服務(wù)市場分別為原來的1.7倍、1.8倍。圖29：DRAMSAMperwafer增長至1.7倍（1b至3D）圖30：NANDSAMperwafer增長至1.8倍（128層至5xx層）資料來源：LamResearch，東莞證券研究所從海外設(shè)備龍頭企業(yè)發(fā)展歷程，看國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)成長之路。我們以全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商泛林半導(dǎo)體（LamResearch）作為研究對象，通過對其發(fā)展脈絡(luò)進(jìn)行梳理，發(fā)現(xiàn)其成長路徑大致符合：單品突破=》平臺化擴(kuò)張=》設(shè)備、工藝、服務(wù)一體化的成長脈絡(luò)。自1980年成立以來，經(jīng)過在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域多年的深耕精耕，公司經(jīng)營業(yè)績?nèi)〉每焖僭鲩L，行業(yè)份額與技術(shù)領(lǐng)先地位不斷鞏固。從2016財(cái)年至2025財(cái)年，公司營收從58.9億美元增長至184.4億美元，年復(fù)合增長率為13.5%，凈利潤從9.1億美元增長至53.6億美元，年復(fù)合增長率為21.7%。圖31：泛林半導(dǎo)體2016財(cái)年-2025財(cái)年?duì)I業(yè)收入情況圖32：泛林半導(dǎo)體2016財(cái)年-2025財(cái)年凈利潤情況資料來源：Wind，LAMResearch，東莞證券研究所成長啟示一：以單一設(shè)備品類起家，不斷加碼研發(fā)投入，通過持續(xù)迭代建立技術(shù)壁壘。公司成立于1980年，并于1984年在美國納斯達(dá)克交易所上市。公司自成立之初專注于刻蝕設(shè)備的生產(chǎn)、研發(fā)和銷售，并不斷推陳出新，逐步建立在該領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢。1981年，公司推出首款刻蝕設(shè)備產(chǎn)品AutoEtch480（自動化多晶硅等離子刻蝕機(jī)1987年，引入Rainbow?蝕刻系統(tǒng)；1995年，推出首款雙頻Confined?介質(zhì)刻蝕產(chǎn)品（DualFrequencyConfineddielectricetch），標(biāo)志公司從單頻向雙頻等離子源轉(zhuǎn)型，提升介質(zhì)刻蝕性能。經(jīng)過在刻蝕設(shè)備領(lǐng)域多年的耕耘與發(fā)展，公司成為半導(dǎo)體全球刻蝕機(jī)絕對龍頭，并在干法、濕法刻蝕份額均保持全球領(lǐng)先。公司在刻蝕設(shè)備產(chǎn)品領(lǐng)域不斷推陳出新，并取得市場領(lǐng)先地位，離不開研發(fā)投入的支持。2016財(cái)年-2025財(cái)年，公司研發(fā)支出從9.14億美元增長至20.96億美元，年復(fù)合增速為9.66%，且每年研發(fā)投入占營收比重均超過10%。研發(fā)投入的不斷加大、研發(fā)人員的經(jīng)驗(yàn)積累與能力提升，為公司保持業(yè)內(nèi)領(lǐng)先地位提供技術(shù)支持。圖33：LamResearch2016-2025年研發(fā)支出及占營收比重成長啟示二：外延并購?fù)黄破奉愄旎ò?，逐步?shí)現(xiàn)平臺化布局。在取得并鞏固刻蝕設(shè)備領(lǐng)域的領(lǐng)先地位后，公司通過對外收購的方式拓寬產(chǎn)品線，通過系列收購從刻蝕專精擴(kuò)展至清洗、沉積、仿真、先進(jìn)封裝，形成全棧布局，打造半導(dǎo)體設(shè)備平臺型企業(yè)。2006年，公司以約1.75億美元現(xiàn)金收購了BullenUltrasonics的硅生長和制造資產(chǎn)，用于供應(yīng)腔體關(guān)鍵部件，提升自供能力；2008年收購晶圓清潔設(shè)備供應(yīng)商SEZ，獲得單片晶圓濕清洗處理能力；2012年，以33億美元購薄膜沉積設(shè)備商N(yùn)ovellusSystems，沉積技術(shù)，強(qiáng)化蝕刻+沉積雙輪驅(qū)動，實(shí)現(xiàn)了前后道工藝的協(xié)同優(yōu)化；2017年收購了CoventorInc.，提升虛擬制造/MEMS仿真能力；2022年，收購SEMSYSCOGmbH，強(qiáng)化先進(jìn)封裝技術(shù)能力。通過多次收購，公司實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品線和技術(shù)能力的戰(zhàn)略性拓展，從刻蝕龍頭轉(zhuǎn)型全棧半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)導(dǎo)者。成長啟示三：重視后道服務(wù)市場（CSBG），打造“工藝+服務(wù)+平臺”的綜合解決方案商。CSBG全稱為CustomerSupportBusinessGroup，主要圍繞已裝機(jī)設(shè)備提供備件、維保、升級改造、二手設(shè)備（Reliant）、軟件優(yōu)化等服務(wù)。隨著摩爾定律放緩，晶圓廠對老舊設(shè)備的改造升級（Refurbishment）及耗材維護(hù)需求激增。龐大的存量設(shè)備安裝基數(shù)（InstalledBase）帶來的備件與技術(shù)服務(wù)收入，成為設(shè)備廠商穿越半導(dǎo)體周期的穩(wěn)定現(xiàn)金牛。公司與三星、臺積電、Intel等業(yè)內(nèi)巨頭保持緊密合作關(guān)系，利用長期“聯(lián)合開發(fā)”與后道服務(wù)增強(qiáng)客戶黏性，打造熨平周期波動的第二成長曲線。從營收占比看，公司近年CSBG業(yè)務(wù)占營收比重顯著上升，目前穩(wěn)定在35%-40%區(qū)間，從2022財(cái)年的34.30%提升至2025財(cái)年的38.38%。圖34：LamResearch2022-2025財(cái)年分部門營收、毛利率（金額單位：十億美元）資料來源：LamResearch，Coun貿(mào)易摩擦背景下，美國三大設(shè)備商來自中國大陸營收占比有所下降，國內(nèi)設(shè)備企業(yè)替代敞口加大。美國是全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造中心，共有應(yīng)用材料（AMAT）、泛林集團(tuán)（LAM）和科磊（KLA）三家企業(yè)營收位列全球前五，行業(yè)地位顯著。從營收構(gòu)成來看，三家企業(yè)2024財(cái)年來自中國內(nèi)地營收占比分別為37.23%、42.23%和42.77%，2025財(cái)年分別下降至30.00%、33.66%和33.26%，下降幅度分別為7.23%、8.57%和9.51%。應(yīng)用材料于11月13日表示，受制于出口管制，預(yù)計(jì)其2026財(cái)年在中國的芯片制造設(shè)備支出將會下降。國際貿(mào)易新形勢下，來自美系設(shè)備廠商的產(chǎn)品替代需求十分迫切，國內(nèi)設(shè)備企業(yè)有望通過技術(shù)進(jìn)步和市場擴(kuò)張加快國產(chǎn)替代進(jìn)程。圖35：美系三大設(shè)備廠商2018-2025財(cái)年來自中國內(nèi)圖36：美系三大設(shè)備廠商2018-2025財(cái)年來自中國內(nèi)地地收入（單位：億美元）收入占總營收比重圖37：2025年上半年全球前十大半導(dǎo)體設(shè)備廠商北方華創(chuàng)（002371.SZ）：半導(dǎo)體設(shè)備平臺型企業(yè)，產(chǎn)品品類覆蓋廣泛。公司成立于2001年，并于2010年在深交所上市。公司業(yè)務(wù)涵蓋三大板塊：半導(dǎo)體裝備、真空及新能源裝備、精密電子元器件。在半導(dǎo)體裝備業(yè)務(wù)板塊，北方華創(chuàng)產(chǎn)品品類覆蓋廣泛，主要產(chǎn)品包括刻蝕、薄膜沉積、熱處理、濕法、離子注入、涂膠顯影、鍵合等核心工藝裝備，廣泛應(yīng)用于集成電路、功率半導(dǎo)體、三維集成和先進(jìn)封裝、化合物半導(dǎo)體、新型顯示等制造領(lǐng)域。其中，在附加值較高的刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備，公司2025年上半年收入分別超過50億元人民幣和65億元人民幣，兩類設(shè)備占公司總營收比重約40%。2025年上半年，公司各項(xiàng)業(yè)務(wù)進(jìn)展順利。（1）刻蝕設(shè)備：公司在刻蝕設(shè)備領(lǐng)域，已形成了ICP、CCP、干法去膠設(shè)備、高選擇性刻蝕設(shè)備和Bevel刻蝕設(shè)備的全系列產(chǎn)品布局。2025年上半年，公司刻蝕設(shè)備收入超50億元人民幣2）薄膜沉積設(shè)備：公司在薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域，已形成了物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、外延、原子層沉積、電鍍和金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備的全系列布局。2025年上半年，公司薄膜沉積設(shè)備收入超65億元人民幣3）熱處理設(shè)備：公司已形成了立式爐和快速熱處理設(shè)備（RTP）的全系列布局。2025年上半年，公司熱處理設(shè)備收入超10億元人民幣4）濕法設(shè)備：在濕法設(shè)備領(lǐng)域，公司已形成了單片設(shè)備、槽式設(shè)備全面布局。2025年上半年，公司完成對沈陽芯源微電子設(shè)備股份有限公司的并購，豐富了公司在前道物理清洗和前道化學(xué)清洗領(lǐng)域的布局。圖38：北方華創(chuàng)營業(yè)收入情況圖39：北方華創(chuàng)歸母凈利潤情況圖40：北方華創(chuàng)半導(dǎo)體裝備產(chǎn)品系列中微公司（688012.SH）：國內(nèi)刻蝕設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)，薄膜設(shè)備快速放量。公司成立于2004年，并于2019年在上交所科創(chuàng)板上市。公司主要為集成電路、LED外延片、功率器件、MEMS等半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造企業(yè)提供刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、MOCVD設(shè)備及其他設(shè)備。在刻蝕設(shè)備領(lǐng)域，公司保持國內(nèi)領(lǐng)先，2025年前三季度刻蝕設(shè)備收入61.01億元，同比增長約38.26%，薄膜沉積設(shè)備占比較低但快速放量，2ALD等薄膜設(shè)備收入4.03億元，同比增長約1332.69%。2025年前三季度，公司針對先進(jìn)邏輯和存儲器件制造中關(guān)鍵刻蝕工藝的高端產(chǎn)品新增付運(yùn)量顯著提升，先進(jìn)邏輯器件中段關(guān)鍵刻蝕工藝和先進(jìn)存儲器件的超高深寬比刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。其中CCP方面，公司用于關(guān)鍵刻蝕工藝的單反應(yīng)臺介質(zhì)刻蝕產(chǎn)品保持高速增長，60比1超高深寬比介質(zhì)刻蝕設(shè)備成為國內(nèi)標(biāo)配設(shè)備，量產(chǎn)指標(biāo)穩(wěn)步提升，下一代90比1超高深寬比介質(zhì)刻蝕設(shè)備即將進(jìn)入市場；ICP方面，適用于下一代邏輯和存儲客戶用ICP刻蝕設(shè)備和化學(xué)氣相刻蝕設(shè)備開發(fā)取得了良好進(jìn)展，加工的精度和重復(fù)性已達(dá)到單原子水平；薄膜沉積設(shè)備方面，公司為先進(jìn)存儲器件和邏輯器件開發(fā)的LPCVD、ALD等多款薄膜設(shè)備已經(jīng)順利進(jìn)入市場，并且設(shè)備性能達(dá)到國際領(lǐng)先水平，薄膜設(shè)備的覆蓋率不斷增加。公司硅和鍺硅外延EPI設(shè)備已順利運(yùn)付客戶端進(jìn)行量產(chǎn)驗(yàn)證，并且獲得客戶高度認(rèn)可。在泛半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，公司正在開發(fā)更多化合物半導(dǎo)體外延設(shè)備，已陸續(xù)付運(yùn)至客戶端開展生產(chǎn)驗(yàn)證。圖41：中微公司營業(yè)收入情況圖42：中微公司歸母凈利潤情況圖43：中微公司主要產(chǎn)品資料來源：中微公司2025年半年報(bào)，東莞證券研究所拓荊科技（688072.SH）：深耕薄膜沉積工藝，混合鍵合設(shè)備打造第二成長曲線。公司成立于2010年，并于2022年在上交所科創(chuàng)板上市。作為國內(nèi)領(lǐng)先的薄膜沉積設(shè)備生產(chǎn)商，公司薄膜沉積設(shè)備已在先進(jìn)邏輯與存儲產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)規(guī)?；桓?，截至2025年上半年累計(jì)流片量達(dá)到3.43億片；此外，公司前瞻布局混合鍵合及配套量測檢測設(shè)備，業(yè)務(wù)從單一沉積設(shè)備向“沉積+鍵合”雙輪驅(qū)動演進(jìn)。2025年前三季度，公司不斷拓展新工藝、新產(chǎn)品以及新型平臺、新型反應(yīng)腔的驗(yàn)證與CVD等薄膜沉積設(shè)備產(chǎn)品、先進(jìn)鍵合設(shè)備產(chǎn)品和配套的量檢測設(shè)備產(chǎn)品已在客戶端實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，業(yè)務(wù)規(guī)模逐步擴(kuò)大，其設(shè)備性能和產(chǎn)能均達(dá)到國際同類設(shè)備先進(jìn)水平。以混合鍵合設(shè)備為例，公司研發(fā)的新一代高速高精度晶圓對晶圓混合鍵合產(chǎn)品已發(fā)貨至客戶端驗(yàn)證，致力于為三維集成領(lǐng)域提供全面的技術(shù)解決方案。圖44：拓荊科技營業(yè)收入情況圖45：拓荊科技?xì)w母凈利潤情況圖46：拓荊科技薄膜沉積設(shè)備累計(jì)流片量圖47：拓荊科技主要鍵合產(chǎn)品和量檢測產(chǎn)品長川科技（300604.SZ）：后道測試設(shè)備供應(yīng)商，受益SoC、CIS、存儲測試機(jī)快速放量。公司成立于2008年，并于2017年在深交所上市。公司自成立以來專注于集成電路測試設(shè)備領(lǐng)域，掌握了集成電路測試設(shè)備的相關(guān)核心技術(shù)，下游客戶包括長電科技、華天科技、通富微電、士蘭微、華潤微電子、日月光等頭部集成電路企業(yè)。技術(shù)儲備方面，公司已成功掌握測試機(jī)、AOI設(shè)備的核心技術(shù)，推出了數(shù)模混合測試機(jī)、功率測試機(jī)、數(shù)字測試機(jī)、AOI缺陷檢測設(shè)備等多款設(shè)備，從關(guān)鍵零部件的設(shè)計(jì)、選材到自動控制系統(tǒng)的軟件開發(fā)等均為公司自主完成，積累了豐富的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)和深厚的技術(shù)儲備。2025年上半年，重點(diǎn)開拓了覆蓋SOC、邏輯等多種高端應(yīng)用場景的數(shù)字測試設(shè)備、三溫探針臺、三溫分選機(jī)等產(chǎn)品，不斷拓寬產(chǎn)品線，并積極開拓中高端市場。2025年12月，公司發(fā)布《2025-12-15：長川科技：2025年度向特定對象發(fā)行A股股票預(yù)案（修訂稿）》，本項(xiàng)目總投資383,958.72萬元，擬投入募集資金219,243.05萬元，本項(xiàng)目擬投向測試機(jī)、AOI設(shè)備領(lǐng)域，有助于突破國外半導(dǎo)體設(shè)備廠商的壟斷，增強(qiáng)公司核心競爭力。圖48：長川科技營業(yè)收入情況圖49：長川科技?xì)w母凈利潤情況圖50：長川科技部分測試系統(tǒng)產(chǎn)品線圖51：長川科技擬募集資金投向（單位：萬元）資料來源：《2025-12-15：長川科技：2025年度向特定精智達(dá)（688627.SH）：半導(dǎo)體測試設(shè)備業(yè)務(wù)快速增長，受益存儲景氣上行與產(chǎn)品放量。公司成立于2011年，并于2023年在上交所科創(chuàng)板上市。公司自成立以來專注于提供半導(dǎo)體測試檢測設(shè)備及系統(tǒng)解決方案，產(chǎn)品涵蓋DRAM測試設(shè)備和AMOLD檢測設(shè)備。公司產(chǎn)品線涵蓋晶圓測試機(jī)（CP）、老化修復(fù)設(shè)備、FT測試機(jī)、高速FT測試機(jī)等核心設(shè)備，以及MEMS探針卡、老化治具板（BIB）、FT測試治具（DSA）等關(guān)鍵治具，是國內(nèi)少數(shù)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)