光伏組件研發(fā)工程師崗位招聘考試試卷及答案試題部分一、填空題（共10題，每題1分）1.晶體硅光伏組件的核心光電轉換材料是______。2.光伏組件封裝中，位于電池片兩側起保護作用的主要材料是______和背板。3.太陽電池的開路電壓用符號______表示。4.光伏組件的功率單位是______（填寫W或kW）。5.多晶硅電池片的制備過程中，常用的鑄錠方法是______。6.太陽電池的填充因子用符號______表示。7.光伏組件的最大功率點通常用符號______表示。8.單晶硅電池片的制備過程中，常用的生長方法是______。9.光伏組件的衰減率是指組件功率隨______的下降比例。10.晶體硅電池片清洗時，常用的酸洗液是______。二、單項選擇題（共10題，每題2分）1.下列哪種材料不屬于光伏組件封裝材料？A.鋼化玻璃B.EVA膠膜C.鋁邊框D.銅導線2.晶體硅太陽電池實驗室最高轉換效率約為？A.20%B.26%C.30%D.35%3.光伏組件溫度升高時，功率會？A.升高B.降低C.不變D.不確定4.下列屬于薄膜光伏電池的是？A.單晶硅電池B.多晶硅電池C.CIGS電池D.砷化鎵電池5.光伏組件絕緣電阻測試常用儀器是？A.萬用表B.兆歐表C.功率計D.光譜儀6.太陽電池短路電流Isc與下列哪個因素無關？A.光照強度B.電池面積C.溫度D.電池顏色7.EVA膠膜在組件封裝中的作用不包括？A.粘結B.封裝C.導電D.緩沖8.下列屬于高效晶體硅電池技術的是？A.PERCB.多晶硅C.單晶硅D.薄膜9.MPPT的主要目的是？A.提高轉換效率B.降低成本C.延長壽命D.減少衰減10.晶體硅電池片制絨的主要目的是？A.增加光反射B.減少光吸收C.提高光吸收D.降低成本三、多項選擇題（共10題，每題2分）1.光伏組件主要性能參數(shù)包括？A.PmaxB.VocC.IscD.FF2.光伏組件衰減原因包括？A.封裝材料老化B.電池片缺陷C.光照衰減D.溫度變化3.屬于薄膜光伏電池的是？A.CIGSB.CdTeC.非晶硅D.PERC4.光伏組件封裝關鍵工藝包括？A.層壓B.焊接C.測試D.邊框組裝5.影響組件轉換效率的外部因素包括？A.光照強度B.溫度C.濕度D.灰塵6.太陽電池制備工藝步驟包括？A.硅片清洗B.摻雜C.制絨D.電極制備7.光伏組件認證標準包括？A.IEC61215B.UL1703C.ISO9001D.CE8.PERC電池優(yōu)勢包括？A.背面鈍化B.局部背電極C.轉換效率高D.成本低9.光伏組件長期可靠性影響因素包括？A.封裝材料老化B.電池片衰減C.環(huán)境應力D.工藝缺陷10.高效光伏電池技術包括？A.PERCB.TOPConC.HJTD.IBC四、判斷題（共10題，每題2分）1.光伏組件溫度升高，Voc會降低。（）2.多晶硅電池效率比單晶硅高。（）3.薄膜電池成本比晶體硅低。（）4.EVA膠膜具有導電性。（）5.填充因子FF越大，轉換效率越高。（）6.Isc與光照強度成正比。（）7.PERC電池背面有鈍化層。（）8.絕緣電阻測試需在潮濕環(huán)境下進行。（）9.砷化鎵電池屬于薄膜電池。（）10.組件第一年衰減率通常不超過5%。（）五、簡答題（共4題，每題5分）1.簡述PERC電池的結構特點及優(yōu)勢。2.光伏組件封裝中EVA膠膜的作用是什么？3.影響光伏組件長期可靠性的主要因素有哪些？4.簡述太陽電池的光電轉換原理。六、討論題（共2題，每題5分）1.高效光伏電池技術（TOPCon、HJT）的發(fā)展趨勢及面臨的挑戰(zhàn)是什么？2.如何降低光伏組件衰減率，提高長期可靠性？答案部分一、填空題答案1.晶體硅2.鋼化玻璃3.Voc4.W5.鑄造多晶硅法6.FF7.Pmax8.直拉法（CZ法）9.時間（使用時間）10.氫氟酸二、單項選擇題答案1.D2.B3.B4.C5.B6.D7.C8.A9.A10.C三、多項選擇題答案1.ABCD2.ABC3.ABC4.ABD5.ABD6.ABCD7.ABD8.ABC9.ABCD10.ABCD四、判斷題答案1.√2.×3.√4.×5.√6.√7.√8.×9.×10.×五、簡答題答案1.PERC電池核心是背面加氧化鋁鈍化層+局部背電極。結構：正面制絨、發(fā)射極、鈍化/減反射膜、正面電極；背面鈍化層、局部背電極、背反射層。優(yōu)勢：背面鈍化降低復合損失，局部背電極減少接觸復合，背反射層提高光吸收，效率比常規(guī)電池高1-2%，成本增加少，是主流高效技術。2.EVA膠膜作用：①粘結鋼化玻璃、電池片、背板成整體；②封裝保護，隔離水汽/灰塵/紫外線；③緩沖減震，吸收機械應力；④透光性好，減少光損失；⑤電氣絕緣，防止漏電。3.主要因素：①封裝材料老化（EVA發(fā)黃、背板開裂、鋁框腐蝕）；②電池片衰減（初始LID、長期PID）；③環(huán)境應力（高溫、高濕、UV、沙塵、冰雹）；④工藝缺陷（焊接不良、層壓氣泡、密封不嚴）；⑤電氣應力（過載、熱斑）。4.基于光伏效應：光子能量>硅禁帶寬度（1.12eV）時，激發(fā)電子-空穴對；PN結內建電場分離電子（N區(qū)）和空穴（P區(qū)）；外電路連接負載時，電子流動形成電流，實現(xiàn)光能→電能轉換。六、討論題答案1.發(fā)展趨勢：TOPCon、HJT效率目標突破25%，成本逐步降低，規(guī)?；瘧?。挑戰(zhàn)：①工藝復雜：HJT需低溫非晶硅沉積，設備貴；TOPCon需精確控制隧穿氧化層；②材料成本：HJT非晶硅/TCO膜成本高；③穩(wěn)定性：HJT光致衰減需優(yōu)化；④量產良率：新工藝良率提升慢，影響規(guī)?；?。2.措施：①材料優(yōu)化：抗老化EVA、高耐