正文目錄TOC\o"1-2"\h\z\u深耕半導(dǎo)高裝備，鑄就平發(fā)展格局 6立足于刻蝕與MOCVD設(shè)備，開拓全面技術(shù)創(chuàng)新 6卓越團隊引領(lǐng)，領(lǐng)長遠發(fā)展 8業(yè)績增長亮眼，術(shù)筑基長遠 9CCP刻蝕設(shè)備業(yè)領(lǐng)先，覆蓋制程需求 13刻蝕工藝支撐集電路制造核心環(huán)節(jié) 13制程演進協(xié)同三堆疊，刻蝕設(shè)備需求激增 14CCP刻蝕技術(shù)先，ICP刻蝕成長可期 16薄膜設(shè)備步進，外延應(yīng)用延伸 20國際廠商主導(dǎo)市，國產(chǎn)替代任重道遠 20聚焦CVD/ALD心技術(shù)，開拓存儲與邏輯芯片市場空間 22氮化鎵MOCVD設(shè)備優(yōu)勢顯著，外延應(yīng)用多元拓展 23盈利預(yù)測 26盈利預(yù)測假設(shè)與務(wù)拆分 26可比公司估值 27投資建議 27風(fēng)險提示 28圖表目錄圖1中微公司發(fā)展歷程 6圖2中微公司產(chǎn)品覆蓋 7圖3中微公司三維業(yè)務(wù)版圖 8圖4中微公司三維發(fā)展戰(zhàn)略 8圖5中微公司產(chǎn)品覆蓋 8圖6中微公司營收與同比增速 10圖7中微公司歸母凈利潤與同比增速 10圖8中微公司分業(yè)務(wù)營收與同比增速 10圖9中微公司分設(shè)備占比與同比增速 10圖10中微公司毛利率與凈利率水平 圖中微公司三項費用率水平 圖12中微公司研發(fā)費用及占比 圖13中微公司研發(fā)人員數(shù)量及占比 圖14中微公司存貨&合同負債 12圖15刻蝕技術(shù)分類 13圖162023年全球干法刻蝕設(shè)備市場競爭格局 15圖17不同堆疊層刻蝕設(shè)備用量占比 15圖18不同制程集成電路所需刻蝕工藝數(shù)量（次） 15圖192DNAND與3DNAND結(jié)構(gòu)對比 16圖203DNAND中的階梯刻蝕 16圖21不同堆疊層刻蝕設(shè)備用量占比 16圖22不同堆疊層刻蝕工藝設(shè)備用量（相對值） 16圖23中微公司CCP和ICP刻蝕設(shè)備機型 17圖24PrimoHD-RIE刻蝕設(shè)備 17圖25PrimoUD-RIE刻蝕設(shè)備 17圖26中微公司CCP刻蝕設(shè)備增長趨勢 18圖27中微公司ICP刻蝕設(shè)備增長趨勢 19圖28PrimoTSV深硅刻蝕設(shè)備 19圖29PrimoNanova刻蝕設(shè)備 19圖30薄膜沉積技術(shù)分類 20圖31PVD、CVD、ALD技術(shù)對比 21圖32薄膜沉積設(shè)備占比情況 21圖332023全球薄膜沉積設(shè)備企業(yè)格局 21圖34邏輯器件的演進 22圖35三維堆疊工藝 22圖36中微公司薄膜沉積設(shè)備產(chǎn)品 23圖37氮化鎵功率器件市場規(guī)模 24圖38碳化硅功率器件市場規(guī)模 24圖39中微公司MOCVD設(shè)備布局 25圖40PRISMOUniMaxMOCVD設(shè)備 25圖41PreciomoUdxMOCVD設(shè)備 25表1半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率及對應(yīng)國內(nèi)外廠商 9表2不同作用機理刻蝕工藝特點 14表3不同材料刻蝕工藝特點 14表4外延&薄膜沉積關(guān)系表 23表52022-2027E中微公司分業(yè)務(wù)營收及毛利率預(yù)測（百萬元） 26表62022-2027E中微公司盈利預(yù)測結(jié)果（百萬元） 27表7可比公司PE估值 27附錄：三大報表預(yù)測值 29深耕半導(dǎo)體高端裝備，鑄就平臺化發(fā)展格局MOCVD設(shè)備，開拓全面技術(shù)創(chuàng)新圖1

2004CCPMOCVD2007CCP刻蝕設(shè)備問世；20162017年，公司先ICPMOCVD2012年推出2016年發(fā)布第二代產(chǎn)品。20197月，公司作為首批企業(yè)登陸上交所科MOCVD20255700LEDMEMS制造及其他微觀工藝高端設(shè)備領(lǐng)域，構(gòu)建了廣泛的產(chǎn)品布局與技術(shù)能力。官網(wǎng)（2）公司持續(xù)踐行三維發(fā)展戰(zhàn)略，聚焦集成電路關(guān)鍵設(shè)備，拓展泛半導(dǎo)體應(yīng)用，并探LEDMEMS制造企業(yè)提供刻蝕MOCVD60%實現(xiàn)高質(zhì)量可持續(xù)發(fā)展。6553D等先進封裝領(lǐng)域取得重要突破。在薄膜沉積領(lǐng)域，公司近年來成功開發(fā)的LPCVD設(shè)備和ALD設(shè)備已通過客戶驗證，多款產(chǎn)品進入市場并獲大批量重復(fù)訂單，標(biāo)志著公司在集成電路前道關(guān)鍵工藝設(shè)備領(lǐng)域取得顯著進展。在泛半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，公司MOCVD設(shè)備保持全球領(lǐng)先地位。LEDMOCVDMini/MicroLED件等高增長領(lǐng)域的需求持續(xù)釋放，MOCVD一步擴大。公司在該領(lǐng)域的技術(shù)積累和客戶資源為其持續(xù)增長提供了堅實基礎(chǔ)。圖2中微公司產(chǎn)品覆蓋

公司積極把握半導(dǎo)體設(shè)備市場新機遇，戰(zhàn)略布局量檢測設(shè)備領(lǐng)域。2024年新設(shè)立2815%化的業(yè)績增長點。官網(wǎng)，公司公告圖3中微公司三維業(yè)務(wù)版圖 圖4中微公司三維發(fā)展戰(zhàn)略卓越團隊引領(lǐng)，引領(lǐng)長遠發(fā)展圖5

202514.93%業(yè)投資基金一期通過巽鑫（上海）12.33%3.71%。，公司公告 （截至2025年三季報）（（LamResearch）（AppliedMaterials）等國際龍頭MBA及南洋理工大表1半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率及對應(yīng)國內(nèi)外廠商姓名 職位 年齡 履歷姓名 職位 年齡 履歷尹志堯 董事長總經(jīng)核心技術(shù)人員董事、副總經(jīng)理、

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)學(xué)士，加州大學(xué)洛杉磯分校博士。1984年至1986年，就職于英特爾中心技術(shù)81 199119912004總公司副總裁及等離子體刻蝕事業(yè)群總經(jīng)理、亞洲總部首席技術(shù)官；2004年創(chuàng)立公司。新加坡國立大學(xué)碩士研究生。1995年至2002年，擔(dān)任新加坡特許半導(dǎo)體蝕刻資深工程師；2002叢海 58核心技術(shù)人員何奕 副總經(jīng)理 57副總經(jīng)理、董事會

年至2003年，擔(dān)任美國臺積電海外廠蝕刻資深工程師；2003年至2018年，擔(dān)任新加坡GlobalFoundries研發(fā)部門蝕刻部技術(shù)總監(jiān)；2018年加入公司。2023920032007年，就職于2020劉方 49秘書姜銀鑫 副總經(jīng)理 48副總經(jīng)理、財務(wù)負

銀行業(yè)務(wù)高級經(jīng)理、副總裁、高級副總裁、總監(jiān)等職；2020年，就職于深圳傳音控股股份有限公司，任副總裁；2021年至2025年2月，就職于長鑫科技集團股份有限公司，擔(dān)任董事會辦公室主任、其子公司安徽啟航鑫睿私募基金管理有限公司總經(jīng)理等職；2025年2月加入公司。199920012005廈門大學(xué)學(xué)士、美國阿拉巴馬大學(xué)碩士。1996年至1999年，擔(dān)任普華永道會計師事務(wù)所審計師；1999年至2000年，擔(dān)任可口可樂公司總部財務(wù)分析師；2000年至2005年，擔(dān)任霍尼韋爾國際陳偉文

58 總部資內(nèi)審及中區(qū)飛引分部財總監(jiān)；2006年至2007年，擔(dān)耶路球中國際運責(zé)人 輸財務(wù)監(jiān)；2007至2008，擔(dān)任王星連鎖店集財總監(jiān)兼總經(jīng)；2009年至20102012199720022002年陶珩 董事、總經(jīng)核心技人員

50 2003（2005（上海2005產(chǎn)品部和公共平臺工程部總經(jīng)理、CVD產(chǎn)品部及公共工程部總經(jīng)理。西安交通大學(xué)學(xué)士，日本東京大學(xué)博士。1998年至2000年，就職于美國ADE公司，歷任首席技術(shù)專家和研發(fā)部門經(jīng)理；2001年至2002年，擔(dān)任美國光刻機公司Ultratech公司主任工程師；靳巨 副總經(jīng)理 61公告，

200420092009年至2016年，創(chuàng)立美國AppliedElectro-OpticsInc.20162019年，Orbotech20192023OntoInnovationInc.2023業(yè)績增長亮眼，技術(shù)筑基長遠公司近年來展現(xiàn)出強勁的營收增長與穩(wěn)健的盈利能力。2020202422.7390.6541.31%，呈現(xiàn)高速增長態(tài)202580.6346.40%2025年第三季31.0250.62%，增速進一步提升。2020-2024年公司歸母凈利34.60%。20249.53pct，主要系公司持續(xù)加20234.062024年無此項非經(jīng)常性收益所致，若剔除該因素，公司主營業(yè)務(wù)盈利能力保持穩(wěn)定。202532.66%5.05億27.50%。圖6中微公司營收與同比增速 圖7中微公司歸母凈利潤與同比增速從業(yè)務(wù)與產(chǎn)品結(jié)構(gòu)來看，半導(dǎo)體及泛半導(dǎo)體設(shè)備構(gòu)成公司核心業(yè)務(wù)，其中刻蝕設(shè)備為主要收入來源。專用設(shè)備銷售占比持續(xù)提升，202485%，反映出公司在半導(dǎo)2023年起穩(wěn)定貢獻總70%以上，202561.0138.26%。MOCVD設(shè)20243.7918.03%LED市場規(guī)模持續(xù)收縮，同時20241.562025年前三ALD4.03公司重要的新增長點。圖8中微公司分業(yè)務(wù)營收與同比增速 圖9中微公司分設(shè)備占比與同比增速 公司毛利率長期穩(wěn)定在40%左右，而凈利率因高強度研發(fā)投入及投資收益影響，呈現(xiàn)波動且近年來有所下滑。40%左右，2024年同比略有下滑，主要受客戶結(jié)構(gòu)變化公司對應(yīng)給予部分客戶銷售折扣影響；2025年猜測因多款新20242023年同期處置拓荊科技股票所產(chǎn)生的投資收益影響，2025圖10中微公司毛利率與凈利率水平 圖11中微公司三項費用率水平公司持續(xù)高比例的研發(fā)投入體系化地推動了公司技術(shù)迭代與產(chǎn)品升級，為長期競爭力與可持續(xù)發(fā)展奠定了堅實基礎(chǔ)。公司持續(xù)保持高強度研發(fā)投入，2025年前三季度研發(fā)17.9420203462025132150.08%2025年上半303825071901專利1593項，構(gòu)建了扎實的知識產(chǎn)權(quán)壁壘。圖12中微公司研發(fā)費用及占比 圖13中微公司研發(fā)人員數(shù)量及占比公司存貨與合同負債持續(xù)增長，顯示出備貨積極在手訂單充裕，為未來營收增長提供了有力支撐。141825年前三季度存貨金額為1.94202343.89圖14中微公司存貨合同負債CCP刻蝕設(shè)備行業(yè)領(lǐng)先，覆蓋先進制程需求刻蝕工藝支撐集成電路制造核心環(huán)節(jié)（1）刻蝕。（掩模微機電系統(tǒng)等對線寬要求不太高的領(lǐng)域，3μm干法刻蝕通常是在真空腔室內(nèi)，通入反應(yīng)氣體并利用射頻電源將其激發(fā)形成等離子體，圖15刻蝕技術(shù)分類招股說明書，華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院（陡直電感性等離子電容性等離子ICP刻蝕通過感應(yīng)線圈在真空腔體中產(chǎn)生高密度等離子體，實現(xiàn)對較軟或較薄材料的刻蝕；CCP刻蝕則利用平行板電極間的射頻電場加速離子，實現(xiàn)對堅硬材料的刻蝕。表2不同作用機理刻蝕工藝特點特點等離子體刻蝕反應(yīng)離子刻蝕離子束刻蝕襯底放置方法在等離子體接地電極上在等離子體加功率電極上離子束中，等離子體遙控離子能量1~100100~1000100~1000活性基種類原子，原子團，反應(yīng)離子原子團，反應(yīng)離子反應(yīng)離子生成物揮發(fā)性揮發(fā)性非揮發(fā)性機理化學(xué)/化學(xué)-物理化學(xué)/物理物理刻蝕方向各向同性/各向異性通常各向異性各向異性選擇性10:1~5:130:1~5:11:01膠的相容性極好好差對器件的損害小有可能很可能中關(guān)村集成電路產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CCP）NAND深槽/孔等介質(zhì)材料處理；而硅刻蝕與金屬刻蝕則普遍采用電感表3不同材料刻蝕工藝特點介質(zhì)刻蝕電子元件介質(zhì)刻蝕電子元件/金屬接觸部分氧化硅、氮化硅用途去除材質(zhì)刻蝕材料硅刻蝕 單晶硅、多晶硅、硅化物 （絕緣）潛溝槽隔離（STI，柵極金屬刻蝕金屬金屬刻蝕金屬銅等其他合金層海力士制程演進協(xié)同三維堆疊，刻蝕設(shè)備需求激增據(jù)MordorIntelligence數(shù)據(jù)統(tǒng)計，2025256.1億美元2030369.47.60%年數(shù)據(jù)，50%-60%，主要應(yīng)用于邏輯芯片、功率半導(dǎo)體和存儲芯片（如DD；而在先進制程，國產(chǎn)化率不足%，高端市場被mResearch90%23（AM（T以及44.10%21.51%18.35%合計超80%。1）CCP5nm-3nmICP刻蝕設(shè)備ICP2022CCP刻蝕設(shè)備，完善產(chǎn)品結(jié)構(gòu)；2）1283DNAND進行相關(guān)研發(fā)，相200（TEL）20236月4003DNAND司等代表的國產(chǎn)刻蝕設(shè)備廠商不斷研發(fā)突破、國產(chǎn)替代趨勢不斷深入，國產(chǎn)刻蝕設(shè)備仍有較大的發(fā)展空間，這一寡頭壟斷格局終將迎來變革。圖162023年全球干法刻蝕設(shè)備市場競爭格局Gartner，屹唐股份招股說明書隨著先進制程的不斷突破，刻蝕設(shè)備需求激增。隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)向先進制程10nm、7nm5nm、3nm及以下的不斷突破，當(dāng)電路特征尺寸逐步逼近甚至低（如SPSQP7nm集成電路在生產(chǎn)過程中需經(jīng)歷約140次刻蝕工藝，28nm402.5倍。制程進步伴隨著工藝尺寸的進一步縮小和圖17不同堆疊層刻蝕設(shè)備用量占比 圖18不同制程集成電路所需刻蝕工藝數(shù)量（次） 中微公司招股說明書 究所

際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會，華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院，東海證券研（3）3DNAND存儲芯片的堆疊層數(shù)持續(xù)增加，顯著推升了對刻蝕工藝步驟和設(shè)備的需求。2DNAND將存儲單元平鋪于晶圓表面不同，3DNAND采用垂直堆疊結(jié)構(gòu)，2DNAND隨著堆疊層數(shù)從數(shù)十層逐步增長至上百層甚至超過300層，刻蝕設(shè)備在芯片制造設(shè)備中的3DNAND150k/片晶圓的產(chǎn)線中，3212834.90%48.40%。3DNAND結(jié)構(gòu)的構(gòu)建高度依賴沉積與刻蝕兩大工藝。隨著堆疊層數(shù)不斷擴展，無論是已量產(chǎn)的64層、128300（StaircaseEtching）（dLne和重復(fù)性控制要求極為苛刻，進一步加大了對刻蝕設(shè)備和技術(shù)能力的依賴。圖192DNAND與3DNAND結(jié)構(gòu)對比 圖203DNAND中的階梯刻蝕 中微公司招股說明書 Lam圖21不同堆疊層刻蝕設(shè)備用量占比 圖22不同堆疊層刻蝕工藝設(shè)備用量（相對值） 程華星等《3DNAND存儲芯片刻蝕設(shè)備選型和數(shù)量

程華星等《3DNAND存儲芯片刻蝕設(shè)備選型和數(shù)量CCP刻蝕技術(shù)領(lǐng)先，ICP刻蝕成長可期95%以上刻蝕應(yīng)用需求5nm及更先進工藝。公司已18CCPICP刻蝕機中單、雙反應(yīng)臺并行的產(chǎn)品策略，實現(xiàn)了對多個技術(shù)節(jié)點工藝需求的全面覆蓋。202561.0138.26%12英寸高端刻蝕設(shè)備已實現(xiàn)從6555納米以ICP（與超高深CCP（深寬比≥60:1）3DNANDDRAM制造產(chǎn)線中大規(guī)模CCP設(shè)備已用于關(guān)鍵工藝量產(chǎn)，并持續(xù)拓展應(yīng)用12MEMS戶研發(fā)與試產(chǎn)線。圖23CCPICP刻蝕設(shè)備機型CCP2025CCP45002024900個反應(yīng)臺；33001200個反應(yīng)臺。PrimoD-RIE、PrimoAD-RIE、PrimoAD-RIE-ePrimoHD-RIE等已廣泛應(yīng)用于國內(nèi)外一線客戶產(chǎn)線。其中，PrimoHD-RIEe（高精度高選擇比刻蝕）PrimoUD-RIE（超高深寬比刻蝕2025年上半年，PrimoHD-RIEe120個反應(yīng)臺，PrimoUD-RIE200個反應(yīng)臺。PrimoUD-RIE基于PrimoHD-RIEUD-RIE引入了多項創(chuàng)新技術(shù)，自主研發(fā)的動態(tài)邊緣阻抗調(diào)UD-RIE還采用了全新的溫度可切換多區(qū)控溫靜電吸盤和主動控圖24PrimoHD-RIE刻蝕設(shè)備 圖25PrimoUD-RIE刻蝕設(shè)備 官網(wǎng) 官網(wǎng)（28nm以上CCP（28nm以下CCP28nm及以下節(jié)點的一PrimoSD-RIE設(shè)備，目前已通過國內(nèi)領(lǐng)先邏輯芯片制造商的電性驗證與可靠性測試，并進入先進制程研發(fā)線開展工藝驗證。2）特色12PrimoHalonaQuadra-arm機械臂及抗UD-RIE（≥60:1）60MHz/400kHz大功率射頻系統(tǒng)，通過優(yōu)化偏圖26CCP刻蝕設(shè)備增長趨勢ICPDRAM3DNAND50多家客戶生產(chǎn)線上實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，并持續(xù)拓展更多ICP刻蝕工藝應(yīng)用。2025ICP刻蝕設(shè)備累計裝機量已突破20IPNnvaUX-CryoPrimoNanova3GAlpha反應(yīng)腔在PrimoTwin-Star已在海內(nèi)外多家客戶的邏輯芯片、功率器件、Micro-LEDAR/VR超透鏡（Metalens）等特色器件產(chǎn)線量產(chǎn)，并獲重復(fù)訂單。在深硅刻蝕方面，812PrimoTSV200E300E持續(xù)在晶2.5D123D12PrimoMenova12英寸金屬刻蝕設(shè)備首臺機已順利交付圖27ICP刻蝕設(shè)備增長趨勢圖28PrimoTSV深硅刻蝕設(shè)備 圖29PrimoNanova刻蝕設(shè)備 官網(wǎng) 官網(wǎng)薄膜設(shè)備穩(wěn)步推進，外延應(yīng)用加速延伸國際廠商主導(dǎo)市場，國產(chǎn)替代任重道遠（PD（D。（固體或液體PVD技術(shù)生長機理相對簡單，沉積速率高，但一般只適用于平面的膜層制備。PVD鍍膜技術(shù)主要分為三類：真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜。能源，在反應(yīng)器內(nèi)使氣態(tài)或蒸汽狀態(tài)的化學(xué)物質(zhì)在氣相或氣固界面上經(jīng)化學(xué)反應(yīng)形成固態(tài)沉積物的技術(shù)，是一種通過氣體混合的化學(xué)反應(yīng)在基體表面沉積薄膜的工藝，可應(yīng)用于絕緣薄膜、硬掩模層以及金屬膜層的沉積。CVDPVD且難以精確控制薄膜厚度。（ALD）CVD構(gòu)薄膜生長，在先進芯片制造中不可或缺。圖30薄膜沉積技術(shù)分類微導(dǎo)納米招股說明書圖31PVD、CVD、ALD技術(shù)對比微導(dǎo)納米招股說明書國際巨頭壟斷薄膜沉積市場，國內(nèi)廠商突破高端制造瓶頸是產(chǎn)業(yè)鏈自主的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。MaximizeMarketResearch，2025340億%0-25年全球和中國大陸的復(fù)合年增長率分別為25%。PECVD33%CVDLPCVD分12%。PVDPVDECD合計占有整體薄23%PVD15-20%，先進制程國產(chǎn)化率ALD5%-10%格局（MT（a（TL率分42%19%14%PVD80%CVD設(shè)備70%85%。ALD31%、29%份額。圖32薄膜沉積設(shè)備占比情況 圖332023全球薄膜沉積設(shè)備企業(yè)格局SEMI，拓荊科技 智研咨詢薄膜沉積設(shè)備的需求增長同樣受到先進制程發(fā)展與三維芯片結(jié)構(gòu)演進的雙重驅(qū)動3nm及以下推進，多重圖形化技術(shù)廣泛應(yīng)用，不僅High-k金屬柵、鈷、釕等新材料后，原子層沉積NAND層數(shù)的持續(xù)堆疊對薄膜沉積設(shè)備提出了更大量級的需（如氧化物/氮化物疊層/CVDPVDALD90nmCMOS工403nmFinFET100道薄膜沉積工序。FLASH2D18%3D26%。3DNANDFLASHCVD/ALDCVDALD技術(shù)已成為實現(xiàn)先進半導(dǎo)體器件持續(xù)微縮和性能提升的關(guān)鍵使能技NAND40:160:1ALD氮化鈦憑借其優(yōu)異的階梯覆蓋率，成為阻擋層28nm技術(shù)節(jié)點引入的金屬柵極結(jié)構(gòu)對薄膜沉積也提出更高要CVDALD14nmALD技術(shù)通過精確控制薄膜沉積過程，為降低接觸電阻、提升器件性能提供了工藝基礎(chǔ)。圖34邏輯器件的演進 圖35三維堆疊工藝Yole，公司公告藝需求。2025年前三季度，LPCVD和ALD等薄膜設(shè)備收入4.03億元，同比增長約1332.69%LPCVD20241.56億元，累計150CVDHARALD鎢設(shè)備，金1%的水平。鎢系列設(shè)備已通過關(guān)鍵存儲客戶端驗PreformaUniflashALD氮化鈦、ALDALD氮ALD氮化鈦設(shè)圖36中微公司薄膜沉積設(shè)備產(chǎn)品MOCVD設(shè)備優(yōu)勢顯著，外延應(yīng)用多元拓展表4外延&薄膜沉積關(guān)系表

在電動汽車、高端顯示等市場持續(xù)擴張的推動下，面向氮化鎵（GaN）與碳化硅（SiC）的外延設(shè)備市場正迎來強勁的增長機遇。外延是一種特殊的薄膜沉積工藝，它通過LED是一種采用金屬有機化合物作為源物質(zhì)的化學(xué)氣相沉積技術(shù)，廣泛應(yīng)用于Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的外延生長。LEDLED（GaN）MOCVD技術(shù)制備而成。外延（Epitaxy） 廣義薄膜沉積外延（Epitaxy） 廣義薄膜沉積核心關(guān)系 薄膜沉積的一種特定類型 總稱，涵蓋所有在基底上形成薄膜的技術(shù)晶體結(jié)構(gòu) 生長晶體結(jié)構(gòu)高度有序的單晶薄膜

可為多晶、非晶或單晶；不嚴格要求與襯底晶格匹配，可形成無序結(jié)構(gòu)材料要求 襯底為單晶，晶格匹配較為嚴格 材料體系廣泛，對襯底類型和晶格匹配限制較小物理氣相沉積（物理氣相沉積（PVD（CVD、原子層沉積（）分子束外延（M主要技術(shù)應(yīng)用 LED、激光器、高端CPU功率器件的核心結(jié)構(gòu) 金屬導(dǎo)線、絕緣層、保護膜等KintekSolution，ROHM傳統(tǒng)LED市場增長承壓，高端顯示引領(lǐng)LED新需求。LED市場面臨LEDLED設(shè)備不僅用于通用LEDMini/Micro-LED高端顯示、殺菌消LEDLED外延片需求量明顯MOCVD設(shè)備需滿足更嚴苛的技術(shù)指標(biāo)，尤其在提升產(chǎn)出波長均勻性，減少外延片顆粒度，提升設(shè)備的自動化性能以及大尺寸外延片生長能力。備也處于快速發(fā)展階段。氮化鎵功率器件主要面向高頻中小電壓應(yīng)用場景，根據(jù)20232.6202920.141%（GaN-on-Si）是當(dāng)前功率器件的主流技MOCVD2029104億25%6硅襯底；隨著8英寸襯底成本的持續(xù)下降，未來將逐漸過渡至8英寸的外延生產(chǎn)。圖37氮化鎵功率器件市場規(guī)模 圖38碳化硅功率器件市場規(guī)模公司公告 公司公告MOCVD臺，開發(fā)用于碳化硅及氮化鎵基功率器件的外延設(shè)備。LED顯示外延方面，公司憑借PRISMOA7PRISMOHiT3PRISMOUniMax2017年LEDMOCVD設(shè)備供應(yīng)商。其中，PRISMOUniMax20216Mini-LED顯示外4785mm大直徑石1644726Udx兼具高產(chǎn)能、高2023MOCVD年上半年，LEDMOCVD設(shè)備開發(fā)，并交付國內(nèi)領(lǐng)先客戶進行驗證。隨著電動AI2022PRISMOPD546/8英寸工藝靈活切換，現(xiàn)已通過驗證并獲得重復(fù)訂單。目前，公司正積極推進新一代硅基氮化鎵MOCVD2024MOCVD5003.7918.03%LED市場波動影響，公司圖39MOCVD設(shè)備布局圖40PRISMOUniMaxMOCVD設(shè)備 圖41PreciomoUdxMOCVD設(shè)備盈利預(yù)測盈利預(yù)測假設(shè)與業(yè)務(wù)拆分根據(jù)公司公告披露的業(yè)務(wù)拆分，我們將中微公司的業(yè)務(wù)分為專用設(shè)備、備品備件與服務(wù)收入并分別作盈利預(yù)測，其中：專用設(shè)備：公司營收主要來源于半導(dǎo)體及泛半導(dǎo)體設(shè)備，產(chǎn)品覆蓋集成電路關(guān)鍵設(shè)備，包括刻蝕、LPCVD、ALD、MOCVD等。2024億元，占總86.17%72.7793.15%，占總營收的80.27%。在先進制程與存儲芯片垂直化發(fā)展以及中國大陸晶圓廠積極擴產(chǎn)等因素推動下，CCP刻蝕設(shè)備為主，并積ICP95%以上的刻蝕需求。同時，公司在LED2025-2027105.48138.45和176.1335.03%31.25%41.26%43.47%44.47%。備品備件：隨著公司刻蝕設(shè)備及薄膜沉積設(shè)備需求持續(xù)提升，相應(yīng)備品備件業(yè)務(wù)2025-202714.1417.2321.10億.4%.8%和.%43%.9%和.4%。服務(wù)收入：隨著刻蝕與薄膜沉積設(shè)備需求的提升，配套服務(wù)規(guī)模將同步擴大。我2025-202713.8317.5324.70%23.88%26.68%56.61%、57.23%59.38%。表52022-2027E中微公司分業(yè)務(wù)營收及毛利率預(yù)測（百萬元）2022202320242025E2026E2027E總營收4,739.836,263.519,065.1712,073.6315,640.1519,788.22總毛利率45.74%43.81%41.06%42.26%43.96%44.83%專用設(shè)備3,847.465,165.547,811.8110,548.2913,844.6317,613.14- yoy53.46%34.26%51.23%35.03%31.25%27.22%- 毛利率45.18%45.17%39.80%41.26%43.47%44.47%備品備件834.93971.171,163.811,413.681,722.992,109.80- yoy50.27%16.32%19.84%21.47%21.88%22.45%- 毛利率46.88%48.30%48.18%48.53%48.95%49.45%服務(wù)收入57.43126.8089.55111.67138.34175.25- yoy26.82%120.78%-29.38%24.70%23.88%26.68%- 毛利率66.48%53.68%58.30%56.61%57.23%59.38%2025-20272025-202720.4632.0443.4426.62%56.60%35.60%。表62022-2027E中微公司盈利預(yù)測結(jié)果（百萬元）2022202320242025E2026E2027E營業(yè)總收入4,739.836,263.519,065.1712,073.6315,640.1519,788.22營業(yè)成本2,5723,5195,3436,9728,76510,917稅金及附加15.0911.8431.0266.4078.2098.94銷售費用408.71365.65478.85495.02641.25811.32管理費用235.93343.67481.80495.02641.25811.32研發(fā)費用605.34816.651,417.662,399.762,740.153,354.10財務(wù)費用-151.19-87.24-86.80-203.21-191.1