2026春招：工藝整合真題及答案

單項選擇題（每題2分，共10題）1.以下哪種工藝常用于半導體摻雜？A.光刻B.離子注入C.化學氣相沉積D.物理氣相沉積2.氧化工藝中，干氧氧化比濕氧氧化生長的氧化層：A.更厚B.更薄C.質量差D.生長速度快3.光刻工藝的主要目的是：A.形成金屬互連B.定義器件圖形C.生長絕緣層D.進行摻雜4.化學機械拋光（CMP）主要用于：A.去除表面雜質B.平整芯片表面C.生長薄膜D.刻蝕圖形5.以下哪種氣體常用于等離子體刻蝕？A.氮氣B.氧氣C.氬氣D.氯氣6.多晶硅常用于制作：A.金屬互連B.絕緣層C.柵極D.襯底7.物理氣相沉積（PVD）中，濺射法與蒸發(fā)法相比，優(yōu)點是：A.沉積速度快B.臺階覆蓋好C.設備簡單D.成本低8.以下哪種工藝可用于形成淺溝槽隔離（STI）？A.刻蝕B.氧化C.離子注入D.化學機械拋光9.退火工藝的主要作用是：A.去除表面雜質B.激活摻雜原子C.生長絕緣層D.刻蝕圖形10.光刻工藝中，分辨率與以下哪個因素無關？A.曝光波長B.數(shù)值孔徑C.光刻膠厚度D.光源強度多項選擇題（每題2分，共10題）1.工藝整合中涉及的主要工藝步驟包括：A.光刻B.刻蝕C.薄膜沉積D.離子注入2.氧化工藝的類型有：A.干氧氧化B.濕氧氧化C.水汽氧化D.低壓氧化3.光刻工藝的關鍵要素有：A.光刻膠B.掩膜版C.曝光系統(tǒng)D.顯影液4.化學氣相沉積（CVD）可分為：A.低壓化學氣相沉積（LPCVD）B.等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）C.超高真空化學氣相沉積（UHV-CVD）D.物理氣相沉積（PVD）5.刻蝕工藝可分為：A.濕法刻蝕B.干法刻蝕C.等離子體刻蝕D.反應離子刻蝕6.離子注入工藝的優(yōu)點有：A.精確控制摻雜濃度B.可實現(xiàn)淺結摻雜C.均勻性好D.成本低7.多晶硅的制備方法有：A.化學氣相沉積B.物理氣相沉積C.離子注入D.外延生長8.工藝整合中，影響芯片性能的因素有：A.工藝參數(shù)B.材料特性C.設備精度D.環(huán)境因素9.以下哪些工藝可用于形成金屬互連？A.物理氣相沉積B.化學氣相沉積C.電鍍D.離子注入10.工藝整合的優(yōu)化目標包括：A.提高芯片性能B.降低成本C.提高生產效率D.減少工藝步驟判斷題（每題2分，共10題）1.工藝整合就是將各種工藝簡單疊加在一起。（）2.干氧氧化生長的氧化層質量比濕氧氧化好。（）3.光刻工藝的分辨率越高，能定義的圖形尺寸越小。（）4.化學機械拋光只能用于平整芯片表面，不能去除材料。（）5.離子注入后不需要進行退火處理。（）6.物理氣相沉積和化學氣相沉積的原理相同。（）7.刻蝕工藝中，濕法刻蝕的選擇性比干法刻蝕好。（）8.多晶硅只能用于制作柵極。（）9.工藝整合過程中，不需要考慮設備的兼容性。（）10.氧化工藝中，溫度越高，氧化層生長速度越快。（）簡答題（每題5分，共4題）1.簡述光刻工藝的主要步驟。2.化學機械拋光（CMP）的原理是什么？3.離子注入后為什么要進行退火處理？4.工藝整合的重要性體現(xiàn)在哪些方面？討論題（每題5分，共4題）1.討論光刻工藝中分辨率的影響因素及提高分辨率的方法。2.分析化學氣相沉積（CVD）和物理氣相沉積（PVD）在工藝整合中的優(yōu)缺點。3.探討工藝整合中如何平衡芯片性能、成本和生產效率。4.談談你對未來工藝整合技術發(fā)展趨勢的看法。答案單項選擇題1.B2.B3.B4.B5.D6.C7.B8.A9.B10.D多項選擇題1.ABCD2.ABC3.ABCD4.ABC5.ABCD6.ABC7.AD8.ABCD9.ABC10.ABCD判斷題1.×2.√3.√4.×5.×6.×7.√8.×9.×10.√簡答題1.主要步驟：涂膠、曝光、顯影。先在硅片上涂光刻膠，用掩膜版對光刻膠曝光，再用顯影液顯影，使光刻膠上形成圖形。2.原理是通過化學腐蝕和機械研磨共同作用。研磨液中的化學物質與材料表面反應，研磨墊的機械摩擦去除反應產物，實現(xiàn)表面平整。3.離子注入會損傷晶格，退火可修復晶格損傷，激活摻雜原子，使其進入晶格替代位置發(fā)揮作用，提高材料性能。4.重要性體現(xiàn)在提高芯片性能、保證產品一致性、降低成本、提高生產效率，是實現(xiàn)高性能芯片制造的關鍵。討論題1.影響因素有曝光波長、數(shù)值孔徑等。提高方法：選用短波長光源、增大數(shù)值孔徑、改進光刻膠和曝光技術。2.CVD優(yōu)點是臺階覆蓋好、可精確控制成分，缺點是設備復雜、成本高；PVD優(yōu)點是設備簡單、沉積速度快，缺點是臺階覆