(19)世界知識(shí)產(chǎn)權(quán)組織(43)國際公布日(10)國際公布號(hào)(51)國際專利分類號(hào)：(21)國際申請(qǐng)?zhí)枺篜CT/CN2024/1(22)國際申請(qǐng)日：2024年12月9日(09.12.2024)(25)申請(qǐng)語言：中文(26)公布語言：中文(30)優(yōu)先權(quán)：號(hào)315201(CN)。(LIU,Zunke);中國浙江省寧波市鎮(zhèn)海區(qū)莊市大道省寧波市鎮(zhèn)海區(qū)莊市大道519號(hào)315201(CN)。海區(qū)莊市大道519號(hào)315201(CN)。市鄞州區(qū)學(xué)士路298號(hào)科技局裙樓1樓科技綜合服務(wù)中心315100(CN)。(81)指定國(除另有指明，要求每一種可提供的國家(54)發(fā)明名稱：一種功能多晶硅隧穿氧化硅鈍化接觸結(jié)構(gòu)及其制備方法BH,BN,BR,BW,BY,BZ,CA,CH,CL,CN,CCV,CZ,DE,DJ,DK,DM,DO,DZ,EC,EEGB,GD,GE,GH,GM,GT,HN,HR,HU,ID,IR,IS,IT,JM,JO,JP,KE,KG,KH,KN,KP,KRLA,LC,LK,LR,LS,LU,LY,MA,MD,MGMU,MW,MX,MY,MZ,NA,NG,NI,NO,NZ,PE,PG,PH,PL,PT,QA,RO,RS,RU,RW,SASE,SG,SK,SL,ST,SV,SY,TH,TJ,UA,UG,US,UZ,VC,VN,WS,ZA,ZM(84)指定國(除另有指明，要求每一種可提供的地區(qū)保護(hù)):ARIPO(BW,CV,GH,GM,NA,RW,SC,SD,SL,ST,SZ,TZ,UG,ZM,ZW),歐亞(AM,AZ,BY,KG,KZ,RU,TJ,TM),歐洲(AL,AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GBHU,IE,IS,IT,LT,LU,LV,MC,ME,MK,MT,PL,PT,RO,RS,SE,SI,SK,SM,TR),OAPI(BFCG,CI,CM,GA,GN,GQ,GW,KM,ML本國際公布：(57)摘要：本發(fā)明提供一種功能多晶硅隧穿氧化硅鈍化接觸結(jié)構(gòu)(TOPCon)及其制備方法，功能多晶硅隧穿氧化硅鈍化接觸結(jié)構(gòu)包括依次層疊設(shè)置的晶硅襯底、納米氧化硅和功能多晶硅結(jié)構(gòu)，功能多晶硅結(jié)構(gòu)由碳、氮共摻多晶硅層構(gòu)成，或者由摻碳多晶硅層和摻氮多晶硅層交替疊層構(gòu)成。本發(fā)明利用摻雜工程制備出了功能不同的新型多晶硅，即摻碳多晶硅、摻氮多晶硅和碳、氮共摻多晶硅，并形成功能多晶硅結(jié)構(gòu)，發(fā)揮碳和氮摻雜原子不同的功能作用，同時(shí)實(shí)現(xiàn)對(duì)硅片體內(nèi)鈍化和表面鈍化，進(jìn)而獲得超高鈍化性能的TOPCon結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)具有超高的少子壽命、隱含開路電壓和超低的表面復(fù)合電流，并且能在一定程度上增強(qiáng)硅片的機(jī)械強(qiáng)度。1WO2025/139725說明書發(fā)明名稱：一種功能多晶硅隧穿氧化硅鈍化接觸結(jié)構(gòu)及其制備方法技術(shù)領(lǐng)域背景技術(shù)[0002]隧穿氧化鈍化接觸(TOPC具有較佳的鈍化性能，其量產(chǎn)電池效率目前已經(jīng)達(dá)到25%以上；加之生產(chǎn)工藝的兼容性，目前TOPCon電池的計(jì)劃產(chǎn)能增加迅猛據(jù)研究發(fā)現(xiàn)晶體硅太陽電池獲得最高光電轉(zhuǎn)化效率時(shí)對(duì)應(yīng)0μm,在此硅片厚度較薄的情況下，電池性能對(duì)表面復(fù)合更加敏感，即更加依如硅片少子壽命為15ms的電池，其理論效率至少比發(fā)明內(nèi)容依次層疊設(shè)置的晶硅襯底、納米氧化硅和功能多晶2WO2025/139725構(gòu)由碳、氮共摻多晶硅層構(gòu)成，或者由摻碳多原子不同的功能作用，同時(shí)實(shí)現(xiàn)對(duì)硅片體內(nèi)鈍化和表面鈍化，進(jìn)而獲得超高鈍或硼。多晶硅層中摻雜n型或p型活性摻雜原子，可以~50at%,所述摻氮多晶硅層的氮原子[0011]進(jìn)一步地，所述碳、氮共摻多晶硅層的厚度為1nm～2000nm,所述摻碳多晶硅層的厚度為1nm～1000nm,所述摻氮多晶硅層的厚度為1nm～1000nm。原子進(jìn)入硅體內(nèi)后可以有效避免一些磷團(tuán)簇、硼團(tuán)簇等團(tuán)簇原子會(huì)抑制氧熱施主缺陷的形成，或者使熱施主失原子的捕獲能力也較強(qiáng)，因此體內(nèi)更多的H原子也能鈍化更多的缺陷；總之以上晶硅體內(nèi)的N雜質(zhì)可以有效抑制硅材料中漩渦缺陷和D缺陷的生成；另外N雜質(zhì)3WO2025/139725原子可以有效釘扎位錯(cuò)，阻止其移動(dòng)，因此可以提高硅片的機(jī)械強(qiáng)度；態(tài)；更重要的是，N原子在納米氧化硅界面上會(huì)出現(xiàn)一定的富集，因此大大增加了界面處H原子的濃度，以此來鈍化更多的缺陷態(tài)，實(shí)現(xiàn)更低的界面態(tài)密度。總的不同功能，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了硅體內(nèi)和表面的鈍化，降低了復(fù)合電流、增加了少子材料為不摻碳/氮的多晶硅。在摻碳、摻氮的功能多晶[0019]進(jìn)一步地，所述步驟S4中，高溫退火溫度為800℃~1100℃。選擇合適的高溫[0020]進(jìn)一步地，所述步驟S3中，采用PECVD原位沉積非晶硅層。功能多晶硅結(jié)構(gòu)同時(shí)將C、N原子引入硅體內(nèi)，并且提高了晶4WO2025/139725陷和D缺陷的生成；另外C、N原子對(duì)H原子的捕獲能力均較強(qiáng)，可以使硅體內(nèi)保留更多的H原子，有利于缺陷鈍化。[0023](2)本發(fā)明使硅片表面得到優(yōu)異的鈍化。由于N原子會(huì)在超薄氧化硅界面上有一定富集，得益于N原子的優(yōu)異捕H能力，因此界面H的含量增加，鈍化了更多缺陷態(tài)，降低了界面態(tài)密度；另外，摻C、摻N多晶硅中的H含量也被提高，有利于表面鈍化。[0024](3)本發(fā)明將摻C、摻N多晶硅組合使用，發(fā)揮不同的功能作用，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了體內(nèi)鈍化和表面鈍化，從而獲得了超高鈍化性能的TOPCon結(jié)構(gòu)，隱含開路電壓可以達(dá)到760mV,少子壽命可以達(dá)到20ms以上(110μm厚，電阻率為1～7Ω·cm的n型CZ硅片襯底),該指標(biāo)已經(jīng)顯著高于常規(guī)多晶硅TOPCon結(jié)構(gòu)所能實(shí)現(xiàn)的最高指標(biāo)。[0025](4)本發(fā)明還能提高硅片的機(jī)械強(qiáng)度，降低經(jīng)過高溫處理后較薄硅片出現(xiàn)翹曲的風(fēng)險(xiǎn)，這是因?yàn)镹原子對(duì)位錯(cuò)的釘扎能力較強(qiáng)，可以有效阻止位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)。附圖說明[0026]圖1為本發(fā)明具體實(shí)施方式中功能多晶硅隧穿氧化鈍化接觸結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意[0027]圖2為本發(fā)明具體實(shí)施方式中制備功能多晶硅隧穿氧化鈍化接觸結(jié)構(gòu)的流程示意圖。[0028]圖3為本發(fā)明實(shí)施例與對(duì)比例TOPCon結(jié)構(gòu)的隱含開路電壓對(duì)比圖。[0029]圖4為本發(fā)明實(shí)施例與對(duì)比例TOPCon結(jié)構(gòu)的單面復(fù)合電流對(duì)比圖。[0030]圖5為本發(fā)明實(shí)施例與對(duì)比例TOPCon結(jié)構(gòu)的少子壽命和SRH復(fù)合電流對(duì)比[0031]圖6為本發(fā)明實(shí)施例與對(duì)比例TOPCon結(jié)構(gòu)的界面態(tài)密度分布對(duì)比圖。[0032]附圖標(biāo)記說明：[0033]1-晶硅襯底，2-納米氧化硅，3-第一多晶硅層，4-第二多晶硅層，5-內(nèi)擴(kuò)散層，6-鈍化減反層。具體實(shí)施方式5WO2025/139725明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說明。需要說明的是，以下各實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明的實(shí)施方法和典型參數(shù)，而不用于限定本發(fā)明所述的參數(shù)范圍，由此引或值，這些范圍或值應(yīng)當(dāng)理解為包含接近這些說，各個(gè)范圍的端點(diǎn)值之間、各個(gè)范圍的端點(diǎn)的點(diǎn)值之間可以彼此組合而得到一個(gè)或多個(gè)新的數(shù)值范圍，這些數(shù)值范圍應(yīng)被依次層疊設(shè)置的晶硅襯底、納米氧化硅和功能多由碳、氮共摻多晶硅層構(gòu)成，或者由摻碳多晶硅層和摻氮多晶硅層交替疊層構(gòu)1、納米氧化硅2、第一多晶硅層3和第二多晶硅層4,第一多晶硅層3和第二多晶硅層4組成功能多晶硅結(jié)構(gòu)。第一多晶硅層3的材料為摻碳晶硅層4的材料為摻氮/摻碳多晶硅，兩個(gè)多晶硅層中碳原子或氮原子的分布為均勻摻雜或梯度摻雜。摻碳多晶硅和摻氮多晶摻雜原子不同的功能作用，可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)對(duì)硅片體%,第二多晶硅層4的氮原子/碳原子的摻雜濃度為0.1at%～50at%;第一多晶硅硅層3和第二多晶硅層4含有活性摻雜原子，典型p型活性摻雜原子為硼等，摻雜~1E21cm-3,可以實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的場(chǎng)鈍化效應(yīng)。優(yōu)選地，第一多晶硅層3的材料為摻6WO2025/139725碳多晶硅，第二多晶硅層4的材料為摻氮多晶硅。第二多晶硅層4上還可以沉積一層不摻碳/氮的常規(guī)多晶硅作為第三多晶硅層，用于提高接觸性能。結(jié)合圖2所示，上述功能多晶硅隧穿氧化硅鈍化接觸結(jié)構(gòu)的典型制備方法包括以下步驟：[0040]S1、對(duì)晶硅襯底1進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗。[0041]S2、采用PECVD進(jìn)行N?O等離子體氧化，在晶硅襯底1表面沉積超薄氧化硅形成納米氧化硅2。[0042]S3、采用PECVD原位沉積，在納米氧化硅2表面依次沉積第一多非硅層和第二非晶硅層。[0043]S4、高溫退火，典型溫度范圍為800℃~1100℃,優(yōu)選溫度范圍為900℃~950℃,使第一多非硅層和第二非晶硅層結(jié)晶，形成第一多晶硅層3和第二多晶硅層4,激活活性摻雜并將碳原子和氮原子推進(jìn)晶硅襯底1體內(nèi)，晶硅襯底1表面形成內(nèi)擴(kuò)散層5。[0044]S5、利用ALD和PECVD在第二多晶硅層4上沉積氧化鋁/氮化硅/氧化鋁形成鈍化減反層6。[0045]上述制備方法可以同時(shí)將C、N原子引入晶硅體內(nèi)，并且提高了體內(nèi)H含量，由此可以降低晶硅體內(nèi)缺陷態(tài)，提高體壽命；N原子擴(kuò)散時(shí)在超薄氧化硅中富集，以此在界面處捕獲更多的H原子，降低界面態(tài)密度；退火過程的同時(shí)將硅體進(jìn)行了微摻N,以此來提高硅片的機(jī)械強(qiáng)度，避免不均勻熱應(yīng)力引起的硅片翹曲。擴(kuò)散后晶硅襯底1靠近納米氧化硅2的近表面區(qū)含有氮、碳、氫、磷/硼元素，隨深度增加，各元素濃度逐漸降低。晶硅襯底1表面部位的氮濃度高于1×102?cm?3,通常可以超過1×1021cm?3;碳濃度高于1×102cm?3,通?？梢猿^1×1021cm?3;氫濃度高于1×101?cm?3,通常可以超過1×102?cm?3,且氫濃度與C、N元素的分布具有相關(guān)性。磷/硼的摻雜深度通常在10～1000nm之間，可以通過優(yōu)化退火溫度與時(shí)間，使摻雜深度控制在400nm以內(nèi)，通常晶硅襯底1表面部位的磷濃度范圍為1×101?~5×102?cm-3,硼濃度范圍為0.5×101?~1×102?cm?3。[0046]制備得到的功能多晶硅隧穿氧化硅鈍化接觸結(jié)構(gòu)具有超高鈍化性能，對(duì)應(yīng)厚度110um的n型硅片襯底(電阻率1-7Ωcm),其SRH復(fù)合電流可以低至0.1fA/cm2以下，單面復(fù)合電流可以低至0.6fA/cm2以下，少子壽命可以達(dá)到20ms以上。7WO2025/139725[0049]準(zhǔn)備N型晶硅襯底，對(duì)晶硅襯底進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗；采用PECVD在晶硅襯底表面沉積厚度為2nm的超薄氧化硅層；采用PECV晶硅層表面沉積摻氮非晶硅層，厚度為100nm,氮原子的摻雜濃度為5at%;在管式退火爐中進(jìn)行高溫退火，溫度為900℃,時(shí)間為30min,形成摻碳多晶硅層和[0051]準(zhǔn)備N型晶硅襯底，對(duì)晶硅襯底進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗；采用PECVD在晶硅襯底表面沉積厚度為2nm的超薄氧化硅層；采用PECVD在超薄氧化硅層表面沉積第一摻碳非晶硅層，厚度為50nm,碳原子的摻雜濃度為5at%;采用PECV碳非晶硅層表面沉積第一摻氮非晶硅層，厚度為50nm,氮原子的摻雜濃度為5at%;采用PECVD在第一摻氮非m,碳原子的摻雜濃度為5at%;采用P非晶硅層，厚度為50nm,氮原子的摻雜濃度為5at%;在管式退火爐中進(jìn)行高溫退火，溫度為950℃,時(shí)間為30min,形成摻碳多晶硅層和摻氮多晶硅層交替疊[0053]準(zhǔn)備N型晶硅襯底，對(duì)晶硅襯底進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗表面沉積厚度為2nm的超薄氧化硅層；采用PECVD在超薄氧化硅層表面氮非晶硅層，厚度為100nm,氮原子的摻雜濃度為5at%晶硅層表面沉積摻碳非晶硅層，厚度為100nm,碳原子的摻雜濃度為5at%;在管式退火爐中進(jìn)行高溫退火，溫度為900℃,時(shí)間為30min,形成摻氮多晶硅層和[0055]準(zhǔn)備N型晶硅襯底，對(duì)晶硅襯底進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗；采用PECVD在晶硅襯底表面沉積厚度為2nm的超薄氧化硅層；采用PECVD在超薄氧化硅層表面沉積8WO2025/139725碳、氮共摻非晶硅層，厚度為300nm,碳原子的摻雜濃度為濃度為15at%;在管式退火爐中進(jìn)行高溫退火，溫度為1000℃,時(shí)間為30min,形成碳、氮共摻非晶硅層；在碳、氮共摻非晶硅層[0057]準(zhǔn)備N型晶硅襯底，對(duì)晶硅襯底進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗；采用PECVD在晶硅襯底表面沉積厚度為2nm的超薄氧化硅層；采用PECVD在超薄氧化硅層表面沉積摻碳非晶硅層，厚度為200nm,碳原子的摻雜溫退火，溫度為900℃,時(shí)間為30min,形成摻碳多晶硅層；在摻碳多晶硅層上[0059]準(zhǔn)備N型晶硅襯底，對(duì)晶硅襯底進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗表面沉積厚度為2nm的超薄氧化硅層；采用PECVD在超薄氧化硅層表面氮非晶硅層，厚度為200nm,氮原子的摻雜濃度為5at%;在管式退火爐中進(jìn)行高溫退火，溫度為900℃,時(shí)間為30min,形成摻氮多晶硅層；在摻氮多晶硅層上[0061]準(zhǔn)備N型晶硅襯底，對(duì)晶硅襯底進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗；采用PECVD在晶硅襯底晶硅層，厚度為200nm;在管式退火爐中進(jìn)行高溫退火，溫度為900℃,時(shí)間為3Con結(jié)構(gòu)相對(duì)于單層摻碳多晶硅、摻氮多晶硅或合電流，表現(xiàn)出超高的鈍化性能。實(shí)施例1樣品與對(duì)9WO2025/139725布對(duì)比如圖6所示，結(jié)果顯示，摻碳、摻氮疊層多晶硅可以降低界面態(tài)密度，使硅片表面得到優(yōu)異的鈍化。[0063]采用實(shí)施例1-4與對(duì)比例1-3的方法分別制備TOPCon電池，測(cè)試各電池的性能，結(jié)果如下表1所示。結(jié)果顯示，功能多晶硅結(jié)構(gòu)可以提高TOPCon電池的開路電壓、填充因子和電池轉(zhuǎn)換效率。[0064]表1實(shí)施例1-3和對(duì)比例1-3的電池性能對(duì)比實(shí)施例1實(shí)施例2實(shí)施例3對(duì)比例1[0065]雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。WO2025/139725PCT/C[權(quán)利要求1][權(quán)利要求2][權(quán)利要求3][權(quán)利要求4][權(quán)利要求5][權(quán)利要求6]一種功能多晶硅隧穿氧化硅鈍化接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括依次層疊設(shè)置的晶硅襯底、納米氧化硅和功能多晶硅結(jié)構(gòu)，所述功能多晶硅結(jié)構(gòu)由碳、氮共摻多晶硅層構(gòu)成，或者由摻碳多晶硅層和摻氮多晶硅層交替疊層構(gòu)成。根據(jù)1所述的功能多晶硅隧穿氧化硅鈍化接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述功能多晶硅結(jié)構(gòu)中具有活性摻雜原子，所述活性摻雜原子為磷或硼。根據(jù)權(quán)利要求2所述的功能多晶硅隧穿氧化硅鈍化接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述晶硅襯底靠近所述納米氧化硅的近表面區(qū)含有氮、碳、氫、磷/硼元素，所述晶硅襯底表面部位的氮濃度高于1×102?cm?3,碳濃度高于1×102cm-3,氫濃度高于1×101?cm-3,磷濃度范圍為1×101?~5×102?cm?3或者硼濃度范圍為0.5×101?~1×102?cm-3,隨深度增加，所述晶硅襯底中氮、碳、氫、磷/硼元素濃度逐漸降低。根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的功能多晶硅隧穿氧化硅鈍化接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述碳、氮共摻多晶硅層的碳原子摻雜濃度為0.1at%～50at%,氮原子摻雜濃度為0.1at%～50at%,所述摻碳多晶硅層的碳原子摻雜濃度為0.1at%～50at%,所述摻氮多晶硅層的氮原子摻雜濃度為0.1at%～50at%。根據(jù)權(quán)利要求4所述的功能多晶硅隧穿氧化硅鈍化接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述碳、氮共摻多晶硅層中碳原子和氮原子的分布形式為均勻摻雜或梯度摻雜，所述摻碳多晶硅層中碳原子的分布形式為均勻摻雜或梯度摻雜，所述摻氮多晶硅層中碳原子的分布形式為均勻摻雜或梯度摻雜。根據(jù)權(quán)利要求4所述的功能多晶硅隧穿氧化硅鈍化接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述碳、氮共摻多晶硅層的厚度為1nm～1000nm,所述摻細(xì)則26,細(xì)則26,WO2025/139725PCT/C碳多晶硅層的厚度為1nm～1000nm,所述摻氮多晶硅層的厚度為1[權(quán)利要求7]根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的功能多晶硅隧穿氧化硅鈍化接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述功能多晶硅結(jié)構(gòu)上還設(shè)有常規(guī)多晶硅層，所述常規(guī)多晶硅層的材料為不摻碳/氮的多晶硅。[權(quán)利要求8]一種如權(quán)利要求1-7任一所述的功能多晶硅隧穿氧化硅鈍化接觸結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：S1、清洗晶硅襯底；S2、在晶硅襯底表面沉積納米氧化硅；S3、在納米氧化硅表面沉積碳、氮共摻非晶硅層，或者沉積摻碳非晶硅層和摻氮非晶硅層交替疊層；S4、高溫退火，使非晶硅結(jié)晶，形成功能多晶硅結(jié)構(gòu)，并將碳原子和氮原子推進(jìn)晶硅襯底體內(nèi)。[權(quán)利要求9]根據(jù)權(quán)利要求8所述的功能多晶硅隧穿氧化硅鈍化接觸結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述步驟S4中，高溫退火溫度為800℃~1100[權(quán)利要求10]根據(jù)權(quán)利要求9所述的功能多晶硅隧穿氧化硅鈍化接觸結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中，采用PECVD原位沉積非晶硅層。WO2025/139725[圖1][圖2]WO2025/139725[圖3]實(shí)施例1對(duì)比例1對(duì)比例2對(duì)比[圖4];40實(shí)施例1對(duì)比例1對(duì)比例2對(duì)比例3[圖5]……[圖6]對(duì)比例15MinorityCarrier對(duì)比例3AccordingtoInternationalPatentClassification(IPC)ortobothnationaMinimumdocumentationsearched(classificationsystemfollowedbyCNTXT,ENTXT,ENTXTC,DWPI,WPABS,CNKI:太陽能，電池，碳，氮，摻雜，非晶硅，多晶硅，退火，鈍化，solar,cell,carbon,nitrogen,doped,amorphoussilicon,polysilicon,anneal,Citationofdocument,withindication,whereappropriate,oftherENGINEERING,CHINESEACADEMYOFSCIENCES)26April2024(2024XAAENGINEERING,CHINESEACADEMYOFSCIENCES)01November2022(2022-11-01)ENGINEERING,CHINESEACADEMYOFSCIENCES)11July2023(2023-ACN217881546U(JOLYWOOD(TAIZHOU)SOLARtobeofparticularrelevance“D”documentcitedbytheapplicantintheinternationalapplication“X”d“E”earlierapplicationorpatentbutpub“L”documentwhichmaythrowdoubtsonpriorityclaim(s)orwhichis“Y”documentspecialreason(asspecified)“0”documentreferringtoanoraldisclosure,use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