2026工藝整合招聘面試題及答案

單項(xiàng)選擇題（每題2分，共20分）1.光刻工藝中，光刻膠的作用是（）A.保護(hù)晶圓B.圖案轉(zhuǎn)移C.增加導(dǎo)電性D.散熱2.以下哪種氣體常用于化學(xué)氣相沉積（CVD）工藝？（）A.氧氣B.氮?dú)釩.硅烷D.氫氣3.離子注入的主要目的是（）A.改變晶圓表面粗糙度B.改變晶圓電學(xué)性質(zhì)C.去除晶圓表面雜質(zhì)D.增加晶圓硬度4.清洗工藝的主要作用是（）A.去除晶圓表面顆粒和雜質(zhì)B.改變晶圓顏色C.提高晶圓透明度D.使晶圓表面更光滑5.化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）的作用是（）A.去除晶圓表面有機(jī)物B.使晶圓表面平整C.增加晶圓厚度D.提高晶圓韌性6.以下哪種工藝用于制造晶體管的柵極？（）A.光刻B.刻蝕C.氧化D.以上都是7.工藝整合的核心目標(biāo)是（）A.降低成本B.提高產(chǎn)量C.實(shí)現(xiàn)各工藝步驟協(xié)同優(yōu)化D.減少設(shè)備損耗8.熱退火工藝的作用是（）A.去除晶圓內(nèi)部應(yīng)力B.降低晶圓溫度C.增加晶圓重量D.改變晶圓形狀9.濕法刻蝕和干法刻蝕相比，濕法刻蝕的優(yōu)點(diǎn)是（）A.刻蝕精度高B.各向異性好C.設(shè)備成本低D.無化學(xué)污染10.晶圓制造中，常用的襯底材料是（）A.玻璃B.硅C.銅D.鋁多項(xiàng)選擇題（每題2分，共20分）1.工藝整合中需要考慮的因素有（）A.工藝順序B.設(shè)備兼容性C.成本D.良率2.光刻工藝的關(guān)鍵步驟包括（）A.涂膠B.曝光C.顯影D.刻蝕3.影響化學(xué)氣相沉積（CVD）質(zhì)量的因素有（）A.氣體流量B.溫度C.壓力D.反應(yīng)時(shí)間4.離子注入過程中可能出現(xiàn)的問題有（）A.晶格損傷B.雜質(zhì)分布不均C.注入能量不穩(wěn)定D.晶圓破裂5.清洗工藝常用的試劑有（）A.氫氟酸B.氨水C.過氧化氫D.硫酸6.化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）的關(guān)鍵參數(shù)有（）A.壓力B.轉(zhuǎn)速C.拋光液成分D.拋光墊材質(zhì)7.刻蝕工藝可分為（）A.濕法刻蝕B.干法刻蝕C.等離子刻蝕D.反應(yīng)離子刻蝕8.熱工藝包括（）A.氧化B.擴(kuò)散C.退火D.沉積9.提高工藝良率的方法有（）A.優(yōu)化工藝參數(shù)B.加強(qiáng)設(shè)備維護(hù)C.嚴(yán)格人員操作規(guī)范D.增加檢測(cè)環(huán)節(jié)10.半導(dǎo)體工藝中常用的金屬有（）A.銅B.鋁C.金D.銀判斷題（每題2分，共20分）1.光刻工藝只能用于制造晶體管。（）2.化學(xué)氣相沉積（CVD）只能沉積絕緣材料。（）3.離子注入劑量越大，半導(dǎo)體電學(xué)性能越好。（）4.清洗工藝在整個(gè)晶圓制造過程中只需要進(jìn)行一次。（）5.化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）可以完全消除晶圓表面的粗糙度。（）6.濕法刻蝕是各向同性刻蝕，干法刻蝕是各向異性刻蝕。（）7.熱退火工藝會(huì)降低晶圓的純度。（）8.工藝整合只需要考慮工藝本身，不需要考慮設(shè)備因素。（）9.光刻膠在曝光后會(huì)發(fā)生化學(xué)變化。（）10.半導(dǎo)體工藝中，所有金屬都可以作為互連材料。（）簡(jiǎn)答題（每題5分，共20分）1.簡(jiǎn)述工藝整合的主要任務(wù)。工藝整合主要任務(wù)是協(xié)調(diào)各工藝步驟，確定合理順序，保證設(shè)備兼容，優(yōu)化工藝參數(shù)，控制成本，提高產(chǎn)品良率和性能，實(shí)現(xiàn)各環(huán)節(jié)協(xié)同以滿足生產(chǎn)要求。2.光刻工藝的基本原理是什么？光刻利用光刻膠感光特性，通過掩膜版將設(shè)計(jì)圖案投影到涂有光刻膠的晶圓上，經(jīng)曝光、顯影，光刻膠圖案化，為后續(xù)刻蝕或離子注入等提供模板。3.離子注入后為什么需要進(jìn)行熱退火處理？離子注入會(huì)造成晶格損傷和雜質(zhì)分布不均。熱退火可修復(fù)晶格損傷，消除應(yīng)力，使雜質(zhì)激活并達(dá)到合適分布，改善半導(dǎo)體電學(xué)性能。4.化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）的工作原理是什么？CMP利用拋光液化學(xué)作用和拋光墊機(jī)械摩擦，在壓力和相對(duì)運(yùn)動(dòng)下，對(duì)晶圓表面進(jìn)行材料去除和拋光，使表面達(dá)到平整。討論題（每題5分，共20分）1.討論在工藝整合中如何平衡成本和良率的關(guān)系。可通過優(yōu)化工藝參數(shù)提高良率，減少?gòu)U品降低成本；選擇性價(jià)比高設(shè)備和材料；合理安排生產(chǎn)流程，避免不必要工序；加強(qiáng)人員培訓(xùn)，提高操作效率和質(zhì)量。2.談?wù)劰饪坦に囍杏绊憟D案轉(zhuǎn)移精度的因素。光刻膠性能、曝光設(shè)備精度、掩膜版質(zhì)量、曝光劑量和時(shí)間、顯影條件等都會(huì)影響圖案轉(zhuǎn)移精度。如光刻膠分辨率低、曝光不準(zhǔn)都會(huì)使圖案偏差。3.分析離子注入技術(shù)在半導(dǎo)體制造中的優(yōu)勢(shì)和挑戰(zhàn)。優(yōu)勢(shì)是精確控制雜質(zhì)種類、劑量和深度，可低溫操作。挑戰(zhàn)是造成晶格損傷，需退火修復(fù)；注入能量和劑量控制難，易影響性能；設(shè)備昂貴，維護(hù)成本高。4.探討化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝可能面臨的問題及解決方法。問題有表面劃傷、不均勻磨損、腐蝕等。解決方法是優(yōu)化拋光參數(shù)，如壓力、轉(zhuǎn)速；選擇合適拋光液和拋光墊；加強(qiáng)過程監(jiān)測(cè)和控制。答案單項(xiàng)選擇題答案1.B2.C3.B4.A5.B6.D7.C8.A9.C10.B多項(xiàng)選擇題答案1.ABCD2.ABC3.ABCD4.AB