2026工藝整合招聘題目及答案

單項(xiàng)選擇題1.以下哪種材料常用于集成電路柵極？A.銅B.鋁C.多晶硅D.金答案：C2.光刻工藝中，用于轉(zhuǎn)移圖案的是？A.晶圓B.掩膜版C.光刻膠D.顯影液答案：B3.化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）主要作用是？A.去除雜質(zhì)B.表面平坦化C.刻蝕圖案D.增加膜厚答案：B4.離子注入的目的是？A.改變材料顏色B.改變材料電學(xué)性質(zhì)C.增加材料硬度D.減少材料厚度答案：B5.哪種氣體常用于等離子體刻蝕？A.氧氣B.氮?dú)釩.氯氣D.氫氣答案：C6.熱氧化工藝生長(zhǎng)的氧化層主要成分是？A.硅B.二氧化硅C.氮化硅D.碳化硅答案：B7.物理氣相沉積（PVD）不包括以下哪種方法？A.濺射B.蒸鍍C.化學(xué)鍍D.分子束外延答案：C8.衡量光刻分辨率的指標(biāo)是？A.套刻精度B.焦深C.線寬D.對(duì)比度答案：C9.濕法刻蝕的優(yōu)點(diǎn)是？A.各向異性好B.選擇比高C.可重復(fù)性好D.清潔度高答案：B10.晶圓測(cè)試主要檢測(cè)？A.外觀缺陷B.電學(xué)性能C.粗糙度D.化學(xué)組成答案：B多項(xiàng)選擇題1.工藝整合涉及的主要工藝有？A.光刻B.刻蝕C.沉積D.摻雜答案：ABCD2.影響光刻工藝的因素有？A.光刻膠性能B.曝光能量C.掩膜版質(zhì)量D.顯影時(shí)間答案：ABCD3.刻蝕工藝可分為？A.濕法刻蝕B.干法刻蝕C.等離子體刻蝕D.反應(yīng)離子刻蝕答案：AB4.常用的薄膜沉積方法有？A.化學(xué)氣相沉積（CVD）B.物理氣相沉積（PVD）C.原子層沉積（ALD）D.電鍍答案：ABC5.離子注入的參數(shù)包括？A.能量B.劑量C.角度D.純度答案：ABC6.熱工藝包括？A.熱氧化B.退火C.擴(kuò)散D.化學(xué)機(jī)械拋光答案：ABC7.衡量工藝穩(wěn)定性的指標(biāo)有？A.良率B.重復(fù)性C.均勻性D.分辨率答案：ABC8.工藝整合中需考慮的因素有？A.工藝兼容性B.成本C.生產(chǎn)效率D.環(huán)保要求答案：ABCD9.以下哪些屬于半導(dǎo)體制造中的雜質(zhì)？A.硼B(yǎng).磷C.鐵D.銅答案：ABCD10.改善光刻分辨率的方法有？A.減小光源波長(zhǎng)B.增大數(shù)值孔徑C.采用浸沒(méi)式光刻D.優(yōu)化光刻膠答案：ABCD判斷題1.工藝整合的目的是優(yōu)化整個(gè)芯片制造流程。（）答案：對(duì)2.光刻工藝中曝光劑量越大越好。（）答案：錯(cuò)3.干法刻蝕比濕法刻蝕的各向異性更好。（）答案：對(duì)4.化學(xué)氣相沉積只能用于沉積二氧化硅。（）答案：錯(cuò)5.離子注入后不需要退火處理。（）答案：錯(cuò)6.熱氧化過(guò)程中溫度越高氧化速度越快。（）答案：對(duì)7.物理氣相沉積可以在常溫下進(jìn)行。（）答案：錯(cuò)8.工藝整合只需要關(guān)注工藝本身，不用考慮設(shè)備。（）答案：錯(cuò)9.濕法刻蝕不會(huì)對(duì)晶圓產(chǎn)生損傷。（）答案：錯(cuò)10.提高光刻分辨率可以提升芯片集成度。（）答案：對(duì)簡(jiǎn)答題1.簡(jiǎn)述工藝整合的主要步驟。答案：工藝整合主要步驟有：明確需求與目標(biāo)，設(shè)計(jì)工藝方案；進(jìn)行單元工藝開(kāi)發(fā)與優(yōu)化；做工藝集成與測(cè)試，評(píng)估性能；修正優(yōu)化方案；最后實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，持續(xù)監(jiān)控改進(jìn)。2.光刻工藝的基本流程是什么？答案：基本流程為：在晶圓上涂覆光刻膠；用掩膜版進(jìn)行曝光，將圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠；再用顯影液顯影，去除部分光刻膠；最后進(jìn)行刻蝕或離子注入等后續(xù)工藝。3.化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）的原理是什么？答案：CMP是化學(xué)作用和機(jī)械作用相結(jié)合。化學(xué)試劑使材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)變軟，磨料和拋光墊在壓力下機(jī)械去除反應(yīng)后的軟質(zhì)層，達(dá)到表面平坦化目的。4.離子注入與擴(kuò)散摻雜有什么區(qū)別？答案：離子注入是通過(guò)高能離子束將雜質(zhì)注入晶圓，可精確控制劑量和深度；擴(kuò)散摻雜是利用高溫使雜質(zhì)原子擴(kuò)散進(jìn)入晶圓，濃度分布較難精確控制，注入損傷需退火修復(fù)，擴(kuò)散溫度高。討論題1.討論工藝整合中如何平衡成本與性能。答案：可選用性價(jià)比高的原材料和設(shè)備，優(yōu)化工藝減少步驟降低成本。同時(shí)，不能過(guò)度壓縮成本犧牲性能，要保證關(guān)鍵工藝質(zhì)量，通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新提高效率，在成本可控下提升性能。2.分析光刻技術(shù)發(fā)展對(duì)工藝整合的影響。答案：光刻技術(shù)發(fā)展提高分辨率，能實(shí)現(xiàn)更小線寬，提升芯片性能與集成度。但也增加工藝難度與成本，對(duì)其他工藝兼容性要求更高，需工藝整合優(yōu)化各環(huán)節(jié)配合，確保整體制造順利。3.探討如何提高工藝整合的生產(chǎn)效率。答案：優(yōu)化工藝流程，減少不必要步驟；采用先進(jìn)設(shè)備提高加工速度；加強(qiáng)人員培訓(xùn)，提升操作熟練度；建立高效生產(chǎn)管理系統(tǒng)，合理安排生產(chǎn)計(jì)劃，及時(shí)解決生產(chǎn)