半導體光刻膠應用工程師崗位招聘考試試卷及答案一、填空題（共10題，每題1分）1.光刻膠按曝光后顯影特性分為______和負性光刻膠。2.光刻分辨率的經(jīng)典公式（瑞利判據(jù)）為______（用λ、NA表示）。3.ArF沉浸式光刻的曝光光源波長為______nm。4.光刻膠的核心組成成分包括樹脂、光敏劑和______。5.顯影液中常用的堿性顯影劑是______（化學式）。6.晶圓光刻前的表面預處理常用______（如HMDS）增強黏附性。7.曝光劑量的常用單位是______。8.抗反射涂層（ARC）按位置分為底部ARC（BARC）和______ARC（TARC）。9.光刻工藝中，曝光后進行的熱工藝稱為______（PEB）。10.刻蝕時光刻膠作為掩模，需滿足較高的______（刻蝕速率與晶圓材料的比值）。二、單項選擇題（共10題，每題2分）1.正性光刻膠曝光區(qū)域在顯影液中會______。A.溶解B.不溶解C.膨脹D.交聯(lián)2.EUV光刻膠的分辨率極限目前可達到______nm以下。A.10B.14C.7D.53.光刻膠軟烘的主要作用是______。A.去除溶劑B.增強黏附C.交聯(lián)反應D.顯影4.顯影后“橋連”缺陷的常見原因是______。A.曝光劑量過高B.曝光劑量過低C.顯影時間過短D.軟烘溫度過低5.ArF光刻膠常用的樹脂體系是______。A.酚醛樹脂B.丙烯酸酯樹脂C.聚酰亞胺D.聚苯乙烯6.底部抗反射涂層（BARC）的主要作用是______。A.減少光反射B.增強黏附C.提高分辨率D.降低缺陷7.光刻膠厚度測量常用的方法是______。A.SEMB.橢偏儀C.AFMD.臺階儀8.晶圓清洗常用化學品不包括______。A.氨水B.雙氧水C.氫氟酸D.丙酮9.負性光刻膠曝光區(qū)域會發(fā)生______反應。A.溶解B.交聯(lián)C.分解D.揮發(fā)10.先進制程光刻膠的關鍵指標不包括______。A.分辨率B.敏感度C.刻蝕選擇性D.顏色三、多項選擇題（共10題，每題2分，多選/少選不得分）1.光刻膠的組成成分包括______。A.樹脂B.光敏劑C.溶劑D.添加劑E.金屬離子2.常用光刻曝光光源波長有______。A.436nm（G線）B.365nm（I線）C.248nm（KrF）D.193nm（ArF）E.13.5nm（EUV）3.顯影工藝的關鍵參數(shù)包括______。A.顯影液濃度B.顯影溫度C.顯影時間D.曝光劑量E.軟烘溫度4.光刻缺陷的常見類型有______。A.橋連B.缺失C.邊緣粗糙D.圖形偏移E.厚度不均5.抗反射涂層（ARC）的類型包括______。A.BARC（底部）B.TARC（頂部）C.金屬ARCD.有機ARCE.無機ARC6.晶圓光刻前預處理步驟包括______。A.清洗B.脫水烘烤C.HMDS涂覆D.拋光E.刻蝕7.光刻核心工藝步驟包括______。A.涂膠B.軟烘C.曝光D.PEBE.顯影8.刻蝕對光刻膠的要求包括______。A.高刻蝕選擇性B.高分辨率C.低缺陷D.熱穩(wěn)定性好E.高透明度9.EUV光刻面臨的挑戰(zhàn)包括______。A.光源功率低B.膠敏感度低C.缺陷控制難D.成本高E.分辨率不足10.正性光刻膠的特點包括______。A.曝光區(qū)域溶解B.圖形對比度高C.適合小尺寸圖形D.敏感度低E.刻蝕選擇性差四、判斷題（共10題，每題2分，√/×）1.負性光刻膠曝光區(qū)域在顯影液中溶解。（）2.EUV光刻不需要抗反射涂層。（）3.顯影液pH值影響光刻膠圖形質(zhì)量。（）4.PEB溫度越高，光刻膠性能越好。（）5.光刻膠厚度與分辨率呈正相關。（）6.HMDS增強晶圓與光刻膠的黏附性。（）7.刻蝕選擇性越高，晶圓損傷越小。（）8.正性光刻膠對曝光劑量敏感度比負性高。（）9.EUV光刻膠通常不含金屬雜質(zhì)。（）10.顯影時間越長，圖形越清晰。（）五、簡答題（共4題，每題5分）1.簡述正性與負性光刻膠的原理及應用差異。2.光刻膠應用中PEB工藝的作用及影響因素。3.顯影后圖形邊緣粗糙的可能原因及解決方法。4.如何選擇抗反射涂層（ARC）優(yōu)化光刻分辨率？六、討論題（共2題，每題5分）1.7nm及以下制程中，EUV光刻膠應用面臨哪些挑戰(zhàn)？如何應對？2.若光刻工藝出現(xiàn)大面積顯影缺陷（橋連、缺失），作為應用工程師如何排查解決？---答案一、填空題答案1.正性光刻膠2.R=0.61λ/NA3.1934.溶劑5.TMAH（四甲基氫氧化銨，化學式C?H??NO）6.黏附促進劑7.mJ/cm28.頂部9.曝光后烘烤10.刻蝕選擇性二、單項選擇題答案1.A2.C3.A4.B5.B6.A7.B8.D9.B10.D三、多項選擇題答案1.ABCD2.ABCDE3.ABC4.ABCDE5.ABDE6.ABC7.ABCDE8.ACD9.ABCD10.ABC四、判斷題答案1.×2.×3.√4.×5.×6.√7.√8.×9.√10.×五、簡答題答案1.正性與負性光刻膠原理及應用差異正性原理：曝光區(qū)域光敏劑分解，樹脂溶于堿性顯影液，未曝光區(qū)域保留；負性反之，曝光區(qū)域交聯(lián)，顯影時不溶解。應用差異：正性適合7nm以下小尺寸、高分辨率圖形（對比度高）；負性適合大尺寸、厚膠工藝（敏感度高但分辨率低）。先進制程以正性為主，厚膠通孔偶用負性。2.PEB工藝的作用及影響因素作用：促進曝光區(qū)域酸擴散、交聯(lián)反應，增強顯影對比度。影響因素：①溫度（過高致酸擴散過寬、圖形變形；過低反應不足）；②時間（過短反應不充分，過長擴散過度）；③晶圓溫度均勻性（影響圖形一致性）。需匹配光刻膠優(yōu)化參數(shù)。3.圖形邊緣粗糙的原因及解決方法原因：曝光劑量不足/不均、PEB溫度波動、顯影液濃度偏差、膠厚不均。解決：①調(diào)整曝光劑量至最佳范圍；②校準PEB溫度均勻性；③更換合格顯影液并控濃度；④優(yōu)化涂膠工藝（轉(zhuǎn)速、勻膠時間）確保膠厚均勻；⑤檢查光刻膠批次穩(wěn)定性。4.選擇ARC優(yōu)化分辨率的方法①匹配光源波長：選目標波長（如193nm）吸收強的ARC；②區(qū)分位置：BARC（晶圓表面）、TARC（膠表面）按需組合；③刻蝕兼容性：ARC需易去除無殘留；④膠厚匹配：BARC厚度適配光刻膠，減少駐波；⑤低缺陷：選低缺陷ARC材料，避免影響后續(xù)工藝。六、討論題答案1.EUV光刻膠應用挑戰(zhàn)及應對挑戰(zhàn)：①光源功率低（曝光時間長）；②膠敏感度低（需高劑量）；③缺陷控制難（金屬污染、顆粒）；④成本高（膠材、設備貴）。應對：①開發(fā)高敏感度化學放大膠；②優(yōu)化光源效率（激光等離子體光源）；③升級超凈工藝（過濾系統(tǒng)）；④研發(fā)低成本有機-無機雜化膠；⑤優(yōu)化PEB、顯影參數(shù)提升圖形質(zhì)量。2.大面積顯影缺陷的排查解決排查：①確認缺陷類型（橋連→曝光過量/顯影不足；缺失→