1建筑與工程展望2026，我們認(rèn)為“出?！迸c“科技”均是市場的重要主線，而半導(dǎo)體潔凈室出海企業(yè)兼具雙重優(yōu)勢，故本文主要聚焦境外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈資本開支，梳理潔凈室產(chǎn)業(yè)鏈出海投資機(jī)會。WSTS預(yù)計26年全球半導(dǎo)體市場規(guī)?；驔_擊萬億美元大關(guān)（同比+25%），其背后或是全球科技巨頭積極的資本投入。潔凈室工程服務(wù)作為場務(wù)基礎(chǔ)設(shè)施，新簽訂單率先迎來景氣提升。一方面，由于AI芯片對于工藝精度的極致要求，催生了更高規(guī)格的潔凈室需求，使得先進(jìn)制程單位產(chǎn)能資本支出提升至成熟制程的約3～4倍；另一方面，成熟的潔凈室專業(yè)工程師需時間培育項目現(xiàn)場經(jīng)驗，海外地區(qū)人力擴(kuò)張較慢，而大陸相關(guān)企業(yè)參與境外高端潔凈室建設(shè)短期面臨一定難度，短期制約了境外潔凈室“建設(shè)力”供給增長，供不應(yīng)求下，境外潔凈室產(chǎn)業(yè)鏈利潤率有望提升，相關(guān)出海公司或迎來收入與盈利能力雙增。SC-IQ預(yù)計25年全球半導(dǎo)體資本支出達(dá)1600億美元（同比+3%），其中受AI需求催化的臺積電晶圓代工廠資本開支同比+34%、美光HBM廠資本開支同比增長超70%；展望2026年，多數(shù)企業(yè)仍未對FY26Capex做出指引，但部分企業(yè)仍對資本開支展現(xiàn)樂觀預(yù)期，如美光上調(diào)FY26Capex指引至200億美元（FY25：140億美元）。AI芯片對于工藝精度的極致要求，催生了更高規(guī)格潔凈室的需求。SEMI統(tǒng)計25年全球范圍內(nèi)開工建設(shè)的300mm晶圓廠數(shù)量達(dá)20個，26年預(yù)計為16個，單年度廠房建設(shè)投資上升至312億美元。長期來看AI需求向上、產(chǎn)能轉(zhuǎn)移趨勢延續(xù)，現(xiàn)有區(qū)域或科技巨頭戰(zhàn)略規(guī)劃時間維度多在10年以上，我們認(rèn)為本輪AI驅(qū)動的半導(dǎo)體投資周期跨度或遠(yuǎn)超過去。本文我們按照區(qū)域分別梳理了當(dāng)前典型科技企業(yè)的境外項目規(guī)劃，其中：1）北美：制造業(yè)回流推動臺積電、美光等巨頭加碼；2）中國臺灣：先進(jìn)產(chǎn)能建設(shè)核心區(qū)域，2nm與A16制程全速沖刺中；3）東南亞：產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)移重地，中下游紛紛投資設(shè)廠；4）歐盟：政策杠桿撬動產(chǎn)業(yè)復(fù)興，歐洲芯片法或進(jìn)入紅利落地期；5）日韓：國家意志驅(qū)動，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“軍備升級”。潔凈室在半導(dǎo)體總資本開支中價值量占比僅為10~15%，但對生產(chǎn)良率影響較大，跨國科技巨頭往往傾向于選擇擁有合作基礎(chǔ)、具備相關(guān)制程建設(shè)經(jīng)驗的工程服務(wù)商。同時由于高端潔凈室存在一定技術(shù)敏感性，大陸企業(yè)出海短期面臨一定難度，國際市場以德國、中國臺灣供應(yīng)商為主，其他區(qū)域人力擴(kuò)張緩慢，潔凈室工程服務(wù)“建設(shè)力”供給短期增長受限，供不應(yīng)求、制程技術(shù)升級，我們認(rèn)為潔凈室工程服務(wù)商有望迎來收入與利潤率雙重景氣。我們看好中長周期潔凈室產(chǎn)業(yè)鏈投資機(jī)遇。AI需求快速增長下，全球半導(dǎo)體先進(jìn)產(chǎn)能建設(shè)緊張“軍備競賽”中，特別是境外市場受“建設(shè)力”擴(kuò)張約束，供給端盈利能力亦有望改善，潔凈室工程服務(wù)產(chǎn)業(yè)鏈具備出海能力的企業(yè)受益程度較高，相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈公司包括卡位特殊的工程服務(wù)公司亞翔集成、圣暉集成；相對技術(shù)敏感度低的潔凈室設(shè)備、材料公司美埃科技等。風(fēng)險提示：地緣政治沖突，國際貿(mào)易摩擦，工程師“產(chǎn)能擴(kuò)張”瓶頸，供應(yīng)鏈成本較高。建筑與工程行業(yè)走勢圖建筑與工程滬深300(%)29214(4)Jan-25May-25Sep-25Jan-26資料來源：Wind，華泰研究2AI驅(qū)動新資本開支浪潮，境外潔凈室建設(shè)需求旺盛 3潔凈室下游應(yīng)用廣泛，不同行業(yè)潔凈度要求差異較大 3AI驅(qū)動新一輪資本開支，潔凈室建設(shè)進(jìn)入景氣周期 5北美：政策推動臺積電、美光等科技巨頭加碼 9中國臺灣：先進(jìn)制程+先進(jìn)封裝資本開支核心區(qū)域 東南亞：產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)移重地，預(yù)計景氣延續(xù)性較好 13歐洲：觀望期已過，政策杠桿撬動產(chǎn)業(yè)復(fù)興 15日韓：國家意志驅(qū)動，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“軍備競賽”升級 15高端潔凈室工藝復(fù)雜度較高，工程服務(wù)“建設(shè)力”有限 17風(fēng)險提示 213潔凈技術(shù)是為適應(yīng)實(shí)驗研究與產(chǎn)品加工的精密化、微型化、高純度等要求而誕生的技術(shù)，核心目的在特定的空間內(nèi)，排除空氣中的微粒、微生物及其他污染物，并將溫度、濕度、壓力、靜電等參數(shù)控制在工藝要求的范圍內(nèi)，該空間便是“潔凈室”，也稱為潔凈廠房、無塵車間或無塵室?？刂茲崈羰铱諝獬煞种饕?個關(guān)鍵步驟：①控制污染源，減少污染發(fā)生量；②迅速稀釋或排出室內(nèi)已經(jīng)發(fā)生的污染；③阻止室外的污染侵入。第1點(diǎn)和第3點(diǎn)都可以通過封閉性和化學(xué)設(shè)備等解決，而核心的第2點(diǎn)則需要利用流體力學(xué)原理制造氣流組織（層流、亂流或混合流其中AHU（組合式空調(diào)箱）、FFU（風(fēng)機(jī)過濾單元）是其潔凈功能實(shí)現(xiàn)的核心部件之一。潔凈室工程服務(wù)商所提供的潔凈室系統(tǒng)集成包括潔凈室相關(guān)的空氣處理系統(tǒng)、氣流風(fēng)路系統(tǒng)、水處理系統(tǒng)、內(nèi)裝系統(tǒng)、減振系統(tǒng)、靜電控制系統(tǒng)、電磁干擾控制系統(tǒng)、制程系統(tǒng)、環(huán)境檢測系統(tǒng)、電力系統(tǒng)、消防安全系統(tǒng)和其他潔凈室相關(guān)系統(tǒng)。資料來源：《半導(dǎo)體潔凈室的空氣精華技術(shù)綜述》（陳玲，《集成電路應(yīng)用》2022年1月刊），華泰研究4資料來源：《圣暉集成招股說明書》、華泰研究根據(jù)不同工作條件所需建設(shè)的潔凈室在控制對象和標(biāo)準(zhǔn)上存在差異。潔凈室一般分為工業(yè)潔凈室以及生物潔凈室，其中工業(yè)潔凈室主要適用于IC半導(dǎo)體、光伏、光電、宇航、原子能等行業(yè)，而生物潔凈室則適用于制藥工業(yè)、醫(yī)院（手術(shù)室、無菌病房）、食品飲料生產(chǎn)、動物實(shí)驗室、理化檢驗室、血站等。兩種潔凈室的差異主要體現(xiàn)在控制對象分別為無生命微粒（空氣塵埃微粒、懸浮氣體分子）和生命微粒（細(xì)菌、微生物）上。綜合看潔凈室下游應(yīng)用較為廣泛，受益于多領(lǐng)域投資。資料來源：《亞翔集成招股說明書》，華泰研究資料來源：《柏誠股份招股說明書》，華泰研究對于工業(yè)潔凈室，其所需控制的顆粒物粒徑范圍，通常取決于所生產(chǎn)產(chǎn)品的精密度要求。隨著工業(yè)產(chǎn)品不斷向微型化、高精度方向發(fā)展，潔凈室對微粒的控制標(biāo)準(zhǔn)也日益嚴(yán)格。以晶圓代工為例，隨著制程工藝持續(xù)升級，能夠造成芯片失效的致死微粒（KillerParticle通常只需要制程特征尺寸（CriticalDimension,CD）的1/2甚至更小，導(dǎo)致半導(dǎo)體潔凈室，尤其是晶圓廠，對生產(chǎn)空間的空氣中受控微粒的粒徑要求已提升至納米級別甚至更小。目前，潔凈工程領(lǐng)域普遍采用由國際標(biāo)準(zhǔn)化組織（ISO）制定的ISO14644標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)將空氣潔凈度劃分為ISO1至ISO9共九個等級，每提高一個等級，空氣中允許的微粒濃度上限就嚴(yán)格縮小到原來的約十分之一。5潔凈室及潔凈區(qū)空間潔凈度整數(shù)等級GB標(biāo)準(zhǔn)空氣潔凈ISO標(biāo)準(zhǔn)空氣潔凈·大于或等于要求粒徑的最大濃度限值（pc/m3)度等級（N）度等級（N）1ISOClass12----2ISOClass2244--3ISOClass31,000237358-4ISOClass410,0002,3701,02035283-5ISOClass5100,00023,70010,2003,520832296ISOClass61,000,000237,000102,00035,2008,3202937ISOClass7---352,00083,2002,9308ISOClass8---3,520,000832,00029,3009ISOClass9---35,200,0008,320,000293,000資料來源：《潔凈廠房設(shè)計規(guī)范》（GB50073-2013柏誠股份招股說明書，華泰研究不同行業(yè)、生產(chǎn)區(qū)域?qū)崈舳鹊燃壍囊蟾鞑幌嗤?。潔凈室使用空間按照區(qū)域可劃分為核心區(qū)域和輔助區(qū)域。核心區(qū)域指最主要的操作或者生產(chǎn)場所，對空氣的潔凈度等級要求最高。根據(jù)《電子工業(yè)潔凈廠房設(shè)計規(guī)范》（GB50472-2008）、《醫(yī)藥工業(yè)潔凈廠房設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)》（GB50457-2019）和《食品工業(yè)潔凈用房建筑技術(shù)規(guī)范》（GB50687-2011半導(dǎo)體及光電面板等行業(yè)對空氣中的微?？刂埔蟾?，根據(jù)《潔凈廠房的設(shè)計與施工》（陳霖新等，《化學(xué)工業(yè)出版社》2022年3月出版6英寸晶圓廠潔凈度等級要求一般在ISO4級以上，8/12英寸晶圓廠潔凈度等級要求一般在ISO3級以上。而食品、藥品工業(yè)等相對對潔凈度等級要求偏低。潔凈等級芯片制造TFT-LCDHDD半導(dǎo)體材料封裝藥品工業(yè)藥品工業(yè)食品工業(yè)ISOClass1潔凈等級要求潔凈等級要求潔凈等級要求2-7級潔凈等級要求潔凈等級要求3-7級潔凈等級要求潔凈等級要求4-8級潔凈等級要求5-8級潔凈等級要求潔凈等級要求5-9級ISOClass2ISOClass3ISOClass4ISOClass5ISOClass6ISOClass7ISOClass8ISOClass9資料來源：圣暉集成招股說明書，華泰研究2025年起，生成式AI（如Deepseek）、高性能計算（HPC）驅(qū)動半導(dǎo)體市場規(guī)模增長。過去十年，半導(dǎo)體需求主要受智能手機(jī)和云計算驅(qū)動，而25年起，隨著生成式AI從算法突破轉(zhuǎn)向應(yīng)用落地，2026年市場邏輯或?qū)⒅貥?gòu)，WSTS預(yù)測2025年全球半導(dǎo)體市場規(guī)?；蛟鲩L22.5%至7722億美元，而2026年將延續(xù)這一增長趨勢，全球半導(dǎo)體市場規(guī)?；?qū)_擊萬億大關(guān)，較25年增長超25%，其中邏輯與存儲芯片預(yù)期維持30%以上增長。6(百萬美元)1,200,0001,000,000800,000600,000400,000200,0000美國歐洲日本亞太地區(qū)20212022202320242025E2026E資料來源：WSTS，華泰研究(百萬美元)1,200,0001,000,000800,000600,000400,000200,0000分立器件光電子器件傳感器模擬電路微處理器邏輯電路存儲器20212022202320242025E2026E資料來源：WSTS，華泰研究增長背后或是全球科技巨頭們積極的資本投入。25年5月，SC-IQ預(yù)計25年全球半導(dǎo)體資本支出達(dá)1600億美元（同比+3%其中AI相關(guān)邏輯芯片與HBM存儲投資增長顯著，臺積電、美光等頭部企業(yè)擴(kuò)產(chǎn)力度領(lǐng)跑，2025年資本開支的增長主要由兩家公司推動：臺積電計劃將資本支出同比增長34%，至380~420億美元之間，而美光25財年將資本支出提升超70%至138億美元。展望2026年，雖多數(shù)企業(yè)仍未對26財年資本開支做出指引，但部分企業(yè)仍對資本開支展現(xiàn)樂觀預(yù)期，比如25年12月，美光將26財年（財年末為每年9月30日）資本開支指引從180億美元上調(diào)至200億，并強(qiáng)調(diào)增加更多潔凈室空間；臺積電25年3月上調(diào)對北美資本開支計劃至1650億美元；而意法半導(dǎo)體、英飛凌等26年的資本開支預(yù)期保持平穩(wěn)。AI芯片對于工藝精度的極致要求，催生了更高規(guī)格的潔凈室需求。根據(jù)SEMI預(yù)測，26-27年300mm晶圓廠建設(shè)資本開支有望持續(xù)保持景氣；根據(jù)其統(tǒng)計（截止2025年12月，開工概率大于50%的300mm晶圓廠2025年全球范圍內(nèi)開工建設(shè)的300mm晶圓廠數(shù)量達(dá)20個，單一年度廠房建設(shè)投資或達(dá)263億美元；2026年預(yù)計為16個，單一年度廠房建設(shè)投資或達(dá)312億美元；考慮到長期來看AI需求向上、產(chǎn)能轉(zhuǎn)移趨勢延續(xù)，現(xiàn)有區(qū)域或科技巨頭戰(zhàn)略規(guī)劃時間維度多在10年以上，如韓國政府推動打造全球頂尖半導(dǎo)體供應(yīng)鏈龍仁集群，該規(guī)劃預(yù)期持續(xù)至2046年整體建設(shè)完工；美光在北美長期規(guī)劃2000億美元資本開支，內(nèi)容涵蓋6座存儲工廠建設(shè)，投資周期或在10年以上；臺積電在北美亞利桑那規(guī)劃產(chǎn)業(yè)集群，總投資1650億美元，涵蓋6座晶圓廠、2座先進(jìn)封裝廠和1座研發(fā)中心，自21年開始執(zhí)行，截至25年底進(jìn)度尚未過半；東南亞國家戰(zhàn)略，如馬來西亞NSS戰(zhàn)略、越南1018號決議等，均志在長遠(yuǎn)（2050年我們認(rèn)為本輪AI驅(qū)動的半導(dǎo)體投資周期時間跨度或遠(yuǎn)超過去，我們預(yù)計行業(yè)中長期或出現(xiàn)“需求外溢，訂單井噴”特征，對于供應(yīng)增長有限的潔凈室工程服務(wù)龍頭來說將不僅僅是量的增長，同時有望迎來利潤率提升。7yoy全球資本開支20082009yoy全球資本開支200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022202320242025E2,0001,8001,6001,4001,2001,0008006004002000120100806040200(20)(40)(60)資料來源：SEMI，華泰研究300英寸晶圓廠建設(shè)開支同比變化(百萬美元）300英寸晶圓廠建設(shè)開支同比變化45,00040,00035,00030,00025,00020,00015,00010,0005,0000202320242025E2026E2027E2028E100%80%60%40%20%0%-20%-40%注：數(shù)據(jù)來自SEMI于25年12月10日發(fā)布的《300MMFabOutlookReport》資料來源：SEMI，華泰研究（十億美元）FY2021FY2022FY2023FY2024FY2025EFY2026E存儲59.566.355.055.760.2-三星38.137.137.033.932.7-美光7.08.113.820.0SK海力士9.714.76.4-其他-2.54.62.02.5-晶圓代工37.951.047.443.452.4臺積電3036.332.029.840.050.0中芯國際4.36.47.57.37.3-聯(lián)華電子2.73.02.9-格芯3.10.60.7-其他-2.53.12.82.6-IDMs26.460.061.555.949.347英特爾20.324.825.825.120-德州儀器2.52.85.14.85-意法半導(dǎo)體3.54.12.52.32.1英飛凌2.43.232.42.2其他-26.523.320.519.6-其他29.4-----合計153.2177.3163.9155.0162.0-注：其中FY2026E，美光科技、英飛凌為公司官方預(yù)測，臺積電、意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)為工商時報、S&PGlobal預(yù)測資料來源：SC-IQ，工商時報，公司官網(wǎng)，S&PGlobal，華泰研究地區(qū)2023202420252026E2027E2028E北美513313中國大陸753-22312-121241-韓國2-3-11東南亞-231--中國臺灣-33322合計262059注：數(shù)據(jù)來自SEMI于25年12月10日發(fā)布的《300MMFabOutlookReport》資料來源：SEMI，華泰研究8先進(jìn)制程單位投資較成熟制程顯著上行。復(fù)盤臺積電歷史，2010-2024年其制程逐步從40nm向2nm迭代，觀察其年度產(chǎn)能（合12英寸）增量與當(dāng)前資本支出（剔除2020年起對北美資本支出與北美產(chǎn)能增量可發(fā)現(xiàn)每萬片新增12英寸產(chǎn)能對應(yīng)資本支出呈現(xiàn)逐年上行態(tài)勢，2024年每萬片新增12英寸月產(chǎn)能對應(yīng)的資本支出為26.5億美元（2010年7.15億美元是2010年的3.7倍；同時期比較看，以2020年之后4個樣本項目（聯(lián)華電子12iP3、VSMC-新加坡Fab1、臺積電中國臺灣高雄廠、臺積電北美亞利桑那州Fab21P1）為例觀察，先進(jìn)制程項目單位月產(chǎn)能對應(yīng)項目投資為成熟制程的2.4～2.8倍，北美區(qū)域則投資更高，由此可推斷先進(jìn)制程單位投資較成熟制程顯著上升，AI需求快速增長除了催化半導(dǎo)體新建項目數(shù)量增加，同時單廠投資或顯著增長。(萬片12吋/年)(億新臺幣)14012010080604020020102011201220132014201520162017201820192020202120222023201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024350300250200150100500注：調(diào)整指剔除北美區(qū)域投資及產(chǎn)能增量，主因北美區(qū)域人力、材料、設(shè)備等成本較其他區(qū)域偏高，亞利桑那州P1于2021年動工，2025年初投產(chǎn)，建設(shè)期跨度4年，項目投資為120億美元；P2于2023年動工，計劃2027年投產(chǎn)，假設(shè)建設(shè)期4年，項目投資為280億美元，假設(shè)投資額每年等量計算資料來源：公司年報，華泰研究3530252050每萬片新增產(chǎn)能對應(yīng)資本開支（億美元/萬片月產(chǎn)能）20102012201420162018202020222024注：2019年臺積電N7+進(jìn)入量產(chǎn)，制程技術(shù)從成熟向先進(jìn)跨越，同時設(shè)備從DUV向EUV升級，導(dǎo)致單一年度資本開支金額增長，但產(chǎn)能僅增長20萬片合12吋，單位新增產(chǎn)能對應(yīng)資本開支達(dá)87億美元/萬片月產(chǎn)能，上圖為保證可讀性，剔除2019年極端值資料來源：公司年報，華泰研究項目制程項目投資（億美元）規(guī)劃月產(chǎn)能單位月產(chǎn)能對應(yīng)資本開支（億美元）VSMC新加坡Fab140～130nm785.514.2聯(lián)華電子新加坡Fab12iP3/P4一期22/28nm50316.7臺積電亞利桑那州Fab21P14nm340.0臺積電亞利桑那州Fab21P23nm2802.5112.0臺積電中國臺灣高雄Fab222nm、A1450012.540.0注：臺積電在北美亞利桑那州規(guī)劃的Fab21P2廠尚在建設(shè)中，計劃主要生產(chǎn)3nm，假設(shè)月產(chǎn)能在2.5萬片，以280億美元項目總投資計算，單位月產(chǎn)能投資金額為112億美元；在中國臺灣規(guī)劃的高雄Fab22合計包含5座晶圓廠，目前興建中，項目總投資假設(shè)約1.5兆新臺幣（約500億美元），總產(chǎn)能以同為2nm生產(chǎn)基地的新竹Fab20P1估計，假設(shè)單座晶圓廠月產(chǎn)能2.5萬片，合計為12.5萬片，測算單位月產(chǎn)能對應(yīng)投資金額為40億美元資料來源：各公司官網(wǎng)，中國臺灣區(qū)電子電子工業(yè)同業(yè)工會，華泰研究分區(qū)域看，資本開支呈現(xiàn)出較強(qiáng)“地緣戰(zhàn)略性”和“技術(shù)差異性”。根據(jù)2025年底至2026年初的行業(yè)數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體市場規(guī)模正向1萬億美元沖刺，而資本開支則跟隨AI浪潮在各個區(qū)域落下了不同的定調(diào)：9北美：政策推動臺積電、美光等科技巨頭加碼“先進(jìn)制造回歸北美”主張下，系列強(qiáng)力政策拉動半導(dǎo)體科技巨頭投資加碼，潔凈室建設(shè)需求旺盛。2022年美國出臺《芯片科學(xué)法案》（《CHIPsAct》提出高額資金補(bǔ)貼、高額稅收抵免、“護(hù)欄”條款等，計劃提供527億美元用于芯片制造業(yè)補(bǔ)貼及稅收優(yōu)惠，并授權(quán)約2800億美元撥款支持科技創(chuàng)新。截止2025年底，美國商務(wù)部已完成約360億美元的直接撥款，精準(zhǔn)投向Intel（78.6億美元）、臺積電（66億美元）、三星（64億美元）以及美光（61.4億美元）等巨頭。自法案頒布后，據(jù)SIA統(tǒng)計，截止25年12月共有141個相關(guān)項目陸續(xù)官宣，其中約49個獲得法案補(bǔ)貼或在審核中，私人投資規(guī)模超6000億美元，若以10～15%的潔凈室占比估計，我們預(yù)期未來幾年美國區(qū)域潔凈室工程服務(wù)市場空間或在600～900億美元（合人民幣4200～6300億）。資料來源：SIA、華泰研究資料來源：SIA、華泰研究其中部分龍頭在北美的重點(diǎn)投資計劃如下：臺積電：2020年5月，臺積電官宣在美國亞利桑那州鳳凰城興建首座5nm晶圓廠（Fab21P1但期初受制于熟練用工短缺、審批流程冗長等原因，實(shí)際于21年4月正式開工，24年底/25年度正式進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)階段；22年4月，隨著《芯片法案》落地，臺積電宣布追加投資至400億美元，建設(shè)P2，并引入3nm制程，P2在25年進(jìn)入潔凈室集成和設(shè)備移入前期，計劃2028年正式進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)；24年4月由于AI需求快速增長驅(qū)動，臺積電與美國商務(wù)部達(dá)成協(xié)議，上調(diào)投資額至650億美元，規(guī)劃建設(shè)P3，引入2nm及A16制程；25年3月，臺積電再次宣布追加1000億北美資本開支，此時臺積電在美總資本開支計劃上升至1650億美元，包含在亞利桑那打造6座晶圓廠的超級集群（Megafab及2座先進(jìn)封裝廠和1座大型研發(fā)中心。美光科技：2021年5月，《芯片法案》尚在醞釀中，美光率先宣布計劃于未來10年在全球投資1500億美元用于研發(fā)和制造；2022年9月，美光宣布在其總部愛達(dá)荷州博伊西新建2座先進(jìn)節(jié)點(diǎn)DRAM芯片廠；當(dāng)年10月，宣布在紐約州克萊新建包含4座晶圓廠的超級集群（Megafab聚焦HBM4，總投資計劃為1000億美元；2024年4月，美國商務(wù)部確認(rèn)給予美光61.4億美元直接補(bǔ)貼，此后美光正式確認(rèn)其在北美的長期資本開支目標(biāo)為2000億美元，包括愛達(dá)荷州的2座先進(jìn)節(jié)點(diǎn)DRAM廠建設(shè)、紐約州4座HBM4廠建設(shè)以及弗吉尼亞州的廠區(qū)擴(kuò)建計劃。英特爾：2021年3月宣布“IDM2.0”戰(zhàn)略，官宣在亞利桑那州Ocotillo園區(qū)投資200億美元建設(shè)2座晶圓廠Fab52和Fab62，后隨著補(bǔ)貼敲定和18A工藝復(fù)雜度提升，總資本開支上調(diào)至320億美元，其中Fab52在25年10月官宣進(jìn)入運(yùn)營狀態(tài)；22年1月宣布計劃在俄亥俄州建立全新半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，總投資計劃為200億美元，包含2座晶圓廠；24年宣布未來5年計劃在美國四州投資1000億美元，但其后受制于財務(wù)壓力，削減24-25年的資本開支，并推遲俄亥俄州2座晶圓廠投運(yùn)時間至2031/2032年。其他：在臺積電、英特爾與美光高調(diào)圈地的同時，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的其他巨頭——德州儀器（TI）、格芯（GlobalFoundries）、三星（Samsung）與SK海力士（SKHynix）也推出了宏大的的資本開支規(guī)劃重塑北美的制造版圖。德州儀器目前規(guī)劃中包含投資300億美元在德州Sherman建設(shè)4座晶圓廠、投資110億美元在猶他州建設(shè)LFAB2，計劃未來在北美總資本開支為600億美元；格芯在北美總資本開支提升至160億美元，包括在紐約州馬耳他新建300mm晶圓廠；三星則在芯片法案落地后宣布計劃在未來幾年在北美投資440億美元，其中包括在德州泰勒新建2座晶圓廠及一座研發(fā)中心，SK海力士則在24年4月官宣投資38.7億美元建設(shè)HBM先進(jìn)封裝基地。投資額業(yè)主方工廠位置項目名稱（合億美元）制程/產(chǎn)品狀態(tài)TSMCArizonaFab21P1-P616502/3/4nm及更先進(jìn)P1:在產(chǎn)P2:在建P3:招投標(biāo)中P4/5/6:待建ArizonaAP1-2-待建MicronIdahoBoiseFabP1-22000DRAM（先進(jìn)節(jié)點(diǎn)）Fab1:在建Fab2:待建NewYorkClayMegafabP1-4EUV-DRAM/HBM4P1:在建P2/3/4:待建VirginiaManassasFab6expansion300mmNAND、DRAM、NOR在建IntelArizonaFab52&62320Intel20A/18A/14AFab52:在產(chǎn)Fab62:在建OhioMod1-2280Intel20A/18A/14AMod2:待建TITexasShermanSM1-440028～130nmSM1:在產(chǎn)SM2:在建SM3/4:待建UtahLehiLFAB228～130nm在建GFNewYorkMaltaFab8.2（含8.1擴(kuò)建）45/28/22nm+12nm在建NewYorkMaltaAPPC5.75先進(jìn)封裝待建SamsungTexasTaylorFab1-2&RDCenter4/3/2nmFab1:在建Fab2:待建SKHynixIndianaWestLafayetteProjectNeuron（APFab）38.7HBM在建資料來源：各公司官網(wǎng)，華泰研究中國臺灣：先進(jìn)制程+先進(jìn)封裝資本開支核心區(qū)域盡管全球地緣政治波動引發(fā)了產(chǎn)能分散的討論，但中國臺灣憑借其成熟完善的生態(tài)鏈，仍是先進(jìn)制程與先進(jìn)封裝資本開支的核心陣地。根據(jù)SEMI，2026年中國臺灣300mm晶圓廠相關(guān)的設(shè)備資本開支預(yù)計為246億美元，同比+14.2%，廠房建設(shè)相關(guān)資本開支為85億美元，同比+0.7%，維持相對高位。(百萬美元)30,00025,00020,00015,00010,0005,0000中國臺灣：300mm晶圓廠設(shè)備資本開支中國臺灣:300mm晶圓廠建設(shè)資本開支2023202420252026E2027E2028E資料來源：SEMI，華泰研究中國臺灣晶圓廠投資主力以臺積電、聯(lián)華電子為核心。臺積電在2nm與A16全速“沖刺”中，其26年在中國臺灣的投資計劃“多點(diǎn)開花”。晶圓代工廠聚焦新竹寶山（Fab20）與高雄（Fab222個廠區(qū)合計規(guī)劃建設(shè)9座晶圓廠，投資規(guī)模預(yù)計各在1.5兆新臺幣（合約500億美元）左右，此外在嘉義和南科分別規(guī)劃2座先進(jìn)封裝廠AP7及AP8，并持續(xù)轉(zhuǎn)化部分成熟制程為先進(jìn)封裝產(chǎn)線。聯(lián)華電子則聚焦成熟制程的特殊化及多元布局，在中國臺灣著重于南科12A廠P5、P6及P7擴(kuò)建，同時與Intel合作開發(fā)12nm技術(shù)，公司預(yù)計27年12nm達(dá)量產(chǎn)出貨條件，遠(yuǎn)期目標(biāo)中國臺灣內(nèi)外產(chǎn)能布局達(dá)均衡狀態(tài)，預(yù)期中國臺灣以外的資本開支同樣有望加碼。此外，日月光（ASE）、力成等均有新建廠計劃推進(jìn)中。業(yè)主方工廠位置項目名稱投資額（合億美元）制程/產(chǎn)品狀態(tài)TSMC臺灣省新竹Fab20P1-4約10002nm+A14P1:在產(chǎn)P2:在建P3:在建P4:在建臺灣省高雄Fab22P1-5P1:在產(chǎn)P2:在建P3:在建P4/5:待建臺灣省嘉義AP7數(shù)十億級先進(jìn)封裝在建臺灣省南科AP8先進(jìn)封裝在建UMC臺灣省臺南12AP63228/22nm在產(chǎn)ASE臺灣省高雄K18B5.6先進(jìn)封裝在建臺灣省高雄K283.2（單廠房建設(shè)）先進(jìn)封裝在建力成臺灣省新竹湖口廠-HBM25.4購置土地臺灣省新竹科學(xué)院三廠先進(jìn)封裝擴(kuò)建中資料來源：各公司官網(wǎng)，華泰研究東南亞：產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)移重地，預(yù)計景氣延續(xù)性較好貿(mào)易戰(zhàn)和國際局勢摩擦加劇了半導(dǎo)體供應(yīng)鏈地理集中的風(fēng)險，而東南亞借助地緣中立性及勞動成本相對較低、稅收優(yōu)惠等，成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)龍頭投資重地。根據(jù)EACInternationalConsulting（EAC2023年東南亞區(qū)域半導(dǎo)體出口額為2340億美元，約占當(dāng)年全球芯片出口額的1/5，其中新加坡、馬來西亞主導(dǎo)IC制造（占區(qū)域出口78%越南、泰國加速布局。半導(dǎo)體制造業(yè)當(dāng)前是新加坡的主要經(jīng)濟(jì)引擎之一，根據(jù)新加坡國家統(tǒng)計局，半導(dǎo)體行業(yè)建筑投資商業(yè)預(yù)期已連續(xù)3年為正，且政府承諾在21-25年間投入約180億新元推動半導(dǎo)體領(lǐng)域的研發(fā)創(chuàng)新。馬來西亞和越南同樣正加速布局半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，馬來西亞24年NSS戰(zhàn)略擬通過直接補(bǔ)貼250億令吉（約53億美元目標(biāo)撬動國內(nèi)外資本超5000億令吉（約1062180新加坡:工業(yè)生產(chǎn)指數(shù):電子:半導(dǎo)體1601401201008060402002000-012003-092007-052011-012014-092018-052022-01資料來源：新加坡統(tǒng)計局，華泰研究(%)504030200(10)(20)(30)(40)(50)(60)新加坡:商業(yè)預(yù)期:制造業(yè):建筑投資(未來12個月):電子:半導(dǎo)體2016201720182019202020212022202320242025注：商業(yè)預(yù)期：指基于對企業(yè)高管的問卷調(diào)查得到的對未來某產(chǎn)業(yè)走勢的信心指數(shù)，正數(shù)表征企業(yè)高管認(rèn)為產(chǎn)業(yè)處于擴(kuò)張周期資料來源：新加坡統(tǒng)計局，華泰研究近年東南亞持續(xù)吸引全球龍頭企業(yè)投資設(shè)廠。據(jù)EAC，馬來西亞近年吸引了大量投資建設(shè)先進(jìn)封裝測試設(shè)施，并逐漸成為區(qū)域數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的重要參與者。新加坡持續(xù)吸引外資，自2021年以來已達(dá)成180億美元+的半導(dǎo)體相關(guān)交易。與此同時，越南憑借低成本勞動力和快速發(fā)展的電子生態(tài)系統(tǒng)吸引全球企業(yè)。龍頭企業(yè)持續(xù)投資及全球供應(yīng)鏈日益多元化，為東南亞半導(dǎo)體制造業(yè)提供蓬勃發(fā)展機(jī)遇。從區(qū)域角度看，東南亞本輪AI驅(qū)動的資本開支周期起始最早，據(jù)EAC，并結(jié)合各公司官方新聞通稿/公告梳理，23年聯(lián)華電子宣布開啟12i廠P3/P4擴(kuò)建，25年初一期已進(jìn)入投產(chǎn)；24年12月，世界先進(jìn)（VIS）同恩智浦（NXP）成立合資公司VSMC，計劃投資2座晶圓廠，其中一廠資本開支計劃為78億美金，預(yù)計27年投產(chǎn)；25年1月為應(yīng)對AI需求，美光宣布在新加坡投資一座HBM工廠，總投資70億美元，計劃27年投產(chǎn)；英飛凌在馬來規(guī)劃2座200mm碳化硅廠，其中P1已在24年投產(chǎn)，P2規(guī)劃為50億歐元，仍在等待建設(shè)。此外，上下游看，泰國聚集較多PCB廠投資計劃，馬來則更多為封測資本開支落腳點(diǎn)，如美光、TI、Intel等均有待建或在建封測廠規(guī)劃。資料來源：EAC，公司官網(wǎng)，華泰研究業(yè)主方工廠位置項目名稱投資額（合億美元）制程/產(chǎn)品狀態(tài)UMC新加坡Fab12iP3-440/28/22nmP3:在產(chǎn)P4:待建VSMC（VIS）新加坡Fab1-2P1投資78億美元130～40nmFab1:在建Fab2:待建Micron新加坡HBM70HBM在建馬來西亞BatuKawanAPExpansion20封裝及測試在建Infineon馬來西亞KulimFab3Phase258.6SiC200mm待建TI馬來西亞Selangor23.5封裝及測試在建Intel馬來西亞PenangProjectPelican72封裝及測試在建ASE馬來西亞PenangP4/P53封裝及測試在產(chǎn)Amkor馬來西亞VietnamBacNinhAP10.7（擴(kuò)建）封裝及測試待建資料來源：各公司官網(wǎng)，華泰研究歐洲：觀望期已過，政策杠桿撬動產(chǎn)業(yè)復(fù)興歐洲資本開支經(jīng)歷觀望期后，2026年《歐洲芯片法案》有望進(jìn)入紅利落地期。2022年歐盟正式提議《歐洲芯片法案》，23年4月臨時政治協(xié)議確立430億歐元的總額度，當(dāng)年9月法案正式生效，目標(biāo)到2030年，歐洲生產(chǎn)的芯片產(chǎn)值占全球份額的20%；25年9月，《芯片法案2.0》提上日程。在此期間，科技龍頭擴(kuò)產(chǎn)計劃逐步落地：如臺積電與英飛凌、博世合資成立的ESMC計劃在德國德累斯頓投資建設(shè)Fab1，該項目于24年8月正式動工，總投資計劃為100億歐元；意法半導(dǎo)體25年宣布重啟此前擱置的Crolles晶圓廠建設(shè)，同時宣布產(chǎn)能倍增計劃，擴(kuò)充意大利Agrate晶圓廠產(chǎn)能；格芯25年10月宣布追加德國德累斯頓工廠投資11億歐元，預(yù)計將擴(kuò)大潔凈室空間和新增設(shè)備。業(yè)主方工廠位置項目名稱ESMC業(yè)主方工廠位置項目名稱ESMC（TSMC）28/22/16/12nm在建18/28/40nm在建80STGFInfineon投資額（合億美元）制程/產(chǎn)品狀態(tài)GermanyDresdenESMCFab1FranceGrenobleCrollesCrollesFabItalyAgrate300mmFab（R3）47（擴(kuò)建）-在建GermanyDresdenProjectSPRINT（Fab1）12.728/40/55nm待建GermanyDresdenSmartPowerFab（M4）5965～130nm在建資料來源：各公司官網(wǎng)，華泰研究日韓：國家意志驅(qū)動，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“軍備競賽”升級2022年11月，日本政府強(qiáng)力支持下，豐田、索尼、軟銀等8家日本公司共同籌辦高端芯片公司Rapidus，引入IBM技術(shù)，獲準(zhǔn)使用IBM研發(fā)的2nm技術(shù)專利，23年2月選定北海道千歲市作為生產(chǎn)基地，命名為IIM，當(dāng)年9月正式破土動工，25年6月官方宣布其首批2nmGAA晶圓成功試產(chǎn)，國家政策支持下在5年間實(shí)現(xiàn)2nm的跨越。韓國政府在2021年提出“K-半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶”，致力于打造全球頂尖的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈，2023年確定在京畿道龍仁市打造總投資約4500億美元的超級產(chǎn)業(yè)集群，整個園區(qū)計劃于2046年完工，并在2026年財政撥款9.9萬億韓元（約68億美元）補(bǔ)貼專項用于AI研發(fā)，其中47.7%用于加強(qiáng)基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)等方面。綜合看，日韓兩國呈現(xiàn)出國家意志驅(qū)動下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“軍備競賽”升級趨勢。資料來源：InvestKorea，華泰研究在此背景下，日韓分別涌現(xiàn)了一批半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新建計劃。日本：除了目前Rapidus計劃建設(shè)的2座晶圓廠（IIM-1&IIM-2）及封測研發(fā)中心（RCS）外，臺積電與索尼等合資成立的JSMC熊本二廠亦進(jìn)入建設(shè)，計劃27年底投產(chǎn)，此外25年11月美光宣布在廣島投資1.5萬億日元（96億美元）建設(shè)一座HBM工廠，預(yù)計26年5月正式開工。韓國：龍仁集群招攬三星、SK海力士紛紛投資，三星在龍仁園區(qū)共規(guī)劃5座晶圓廠，總資本開支預(yù)計達(dá)2300億美元，其中P1預(yù)計27年底建成，29年正式投產(chǎn)，SK海力士則計劃在28年之前投資約900億美元建設(shè)4座晶圓廠，其中P1計劃于25年3月動工，龍仁園區(qū)外，三星及SK海力士分別在平澤、清州均有擴(kuò)產(chǎn)計劃。投資額地區(qū)業(yè)主方工廠位置項目名稱（合億美元）制程/產(chǎn)品狀態(tài)JASM（TSMC）熊本KumamotoFab26nm在建Micron廣島HiroshimaHBM96HBM待建Rapidus北海道IIM-13452nm在產(chǎn)IIM-2A14待建RCS-先進(jìn)封裝在建韓國Sansung平澤園區(qū)CampusP4（Ph1-4）~280NAND、1aDRAM、1cDRAM、HBM4Ph1:在產(chǎn)Ph2:在建Ph3:在建Ph4:待建CampusP5250～3001cDRAM+1.4nm待建龍仁集群MegaClusterP1-523002nm待建SKHynix龍仁集群MegaClusterFab900HBM4/HBM4E待建清州M15XHBM在建資料來源：各公司官網(wǎng)，華泰研究潔凈室工程服務(wù)行業(yè)呈現(xiàn)典型的“長尾”特征。由于潔凈室下游應(yīng)用廣泛，不同工業(yè)對于潔凈室的等級要求呈現(xiàn)差異，導(dǎo)致行業(yè)呈現(xiàn)顯著的“長尾”特征，即如食品、藥品工業(yè)等潔凈度等級要求較低的潔凈室施工建設(shè)，對項目經(jīng)驗要求相對較低，參與競爭廠商較多，價格競爭更為激烈，而半導(dǎo)體、泛半導(dǎo)體環(huán)節(jié)的潔凈室潔凈度等級要求較高，而廠房建設(shè)往往占半導(dǎo)體（尤其是晶圓代工廠）總投資約20%，其中潔凈室工程、機(jī)電集成合計占總投資比例約10～15%，整體價值量占比較昂貴的生產(chǎn)設(shè)備而言較低，但對產(chǎn)品良率或產(chǎn)生較大影響，業(yè)主方相對更為看重承建方的項目經(jīng)驗，尾部廠商向上競爭需花費(fèi)較長時間積累項目經(jīng)驗，因而門檻較高，參與玩家較少。資料來源：柏誠股份招股說明書，華泰研究分區(qū)域看，中國大陸高端潔凈室參與者主要由5家公司構(gòu)成，格局相對穩(wěn)定。分別是中電二、中電四、柏誠股份、亞翔集成及圣暉集成。其中中電二、中電四為深桑達(dá)子公司，為中國電子信息產(chǎn)業(yè)集團(tuán)下子公司，屬于“國家隊”，24年營業(yè)收入為329/237億元，凈利潤為8.2/8.3億元，凈利率為2.5%/3.5%，其收入規(guī)模遠(yuǎn)超其他潔凈室工程服務(wù)公司，觀察其客戶結(jié)構(gòu)，其中來自于面板、光伏、制藥等行業(yè)的客戶占據(jù)相當(dāng)比例，我們認(rèn)為公司規(guī)模較大，下游覆蓋領(lǐng)域較多，并不完全聚焦于半導(dǎo)體行業(yè)，導(dǎo)致利潤率偏低。柏誠股份、亞翔集成、圣暉集成為民營企業(yè)，其中柏誠股份為內(nèi)資，亞翔集成（母公司亞翔工程，臺股代碼：6139TW）、圣暉集成（母公司臺灣圣暉，臺股代碼：5536TW）為中國臺灣公司在中國大陸設(shè)置的子公司；柏誠股份業(yè)務(wù)相對聚焦于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和面板，與十一科技、世源科技、Exyte（前身M+W）等行業(yè)總包建立良好的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，曾參與三星、中芯、長鑫、長存等重點(diǎn)客戶項目建設(shè)；圣暉集成當(dāng)前業(yè)務(wù)更多聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游環(huán)節(jié)（如硅材料、PCB、封裝測試等與矽品、緯創(chuàng)、上海合晶硅材料、富士康等建立較好合作關(guān)系；亞翔集成相對聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中游晶圓代工廠建設(shè)，客戶覆蓋廣泛，如臺積電、聯(lián)華電子、合肥長鑫、長江存儲、VSMC（世界先進(jìn)子公司）、美光等。名稱2024年收入2024年凈利潤主要客戶備注中電二329.03億人民幣8.19億人民幣華潤微電子、華虹、中芯國際、海力士、三星、英特爾、華星光電、京東方、信利集團(tuán)、和輝光電、惠科、維信諾等深桑達(dá)子公司，潔凈室工程服務(wù)“國家隊”，下游覆蓋領(lǐng)域較多中電四236.89億人民幣8.27億人民幣英特爾、AMD蘇州、格芯成都、中芯國際、安靠、京東方、華星光電、天馬、熊貓、三星、海力士、晉華、長鑫、上海積塔、北京燕東微電子等柏誠股份52.44億人民幣2.12億人民幣三星、SK海力士、士蘭微、合肥長鑫、紹興中芯、長江存儲、晶合集成、格科微、卓勝微、無錫海辰、中芯國際、通富微電、奕斯偉、鼎材科技、潔美科技、京東方、華星光電、天馬微電子、超視界、維信諾等中國大陸民營企業(yè)，早期多參與三星、SK海力士等中國大陸工廠建設(shè)潔凈室、機(jī)電及二次配，同京東方合作歷史較長，參與多條產(chǎn)線潔凈室建設(shè)亞翔集成53.81億人民幣6.36億人民幣廈門聯(lián)芯、武漢長江存儲、中芯國際、合肥長鑫、南京臺積電、晉江晉華、新加坡聯(lián)電、深圳華星等中國臺灣公司亞翔工程（6139TW）子公司，業(yè)務(wù)聚焦晶圓代工廠建設(shè)圣暉集成20.08億人民幣1.17億人民幣矽品科技、富士康科技集團(tuán)、立臻科、三安集成、英諾賽科、合肥晶合、上海合晶硅、渠梁、中芯國際、三安光電、緯創(chuàng)資通、奇力新、大東科技等中國臺灣公司圣暉（5536TW）子公司，業(yè)務(wù)多聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游，如封測、面板、PCB及硅材料等潔凈室建設(shè)資料來源：各公司官網(wǎng)及公告，Wind，華泰研究全球范圍看，高端潔凈室工程服務(wù)商以德國、中國臺灣廠商為主。主要參與者包括Exyte（前身M+W）、UIS漢唐、亞翔工程（亞翔集成母公司）、圣暉（圣暉集成母公司）、帆宣科技、洋基工程、大氣社等。其中Exyte是全球領(lǐng)先的潔凈室集成商，其前身為1912年成立的德國公司M+WGroup，其創(chuàng)始人KarlMeissner和PaulWurst是潔凈室技術(shù)的開創(chuàng)者，2023財年收入規(guī)模達(dá)71億歐元（約584億人民幣調(diào)整后息稅前凈利潤為4.35億歐元（約36億人民幣多次參與臺積電、Intel、GlobalFoundries、英飛凌、美光科技等超大型晶圓代工廠潔凈室系統(tǒng)集成；UIS漢唐、亞翔工程、圣暉、帆宣科技、洋基工程均為中國臺灣潔凈室工程服務(wù)商，其中UIS漢唐與臺積電深度合作，多次承接臺積電在中國臺灣、美國亞利桑那州的新建晶圓廠建設(shè)，2024財年收入/凈利潤為474/62億新臺幣（合人民幣約106/14億亞翔工程系亞翔集成母公司，下游半導(dǎo)體客戶覆蓋度較廣，參與聯(lián)華電子、臺積電、美光科技、世界先進(jìn)、力機(jī)電、南亞科技、華邦電子等客戶多個項目建設(shè)，24財年收入/凈利潤為651/62億新臺幣（合人民幣約145/14億圣暉系圣暉集成母公司，業(yè)務(wù)聚焦產(chǎn)業(yè)鏈上下游，尤其是封測和PCB生產(chǎn)環(huán)節(jié)，24財年收入/凈利潤為303/44億新臺幣（合人民幣約67/10億其余還包括臺系公司帆宣科技、洋基工程，日系公司大氣社等。名稱地區(qū)收入凈利潤主要客戶備注Exyte德國FY23:71億歐元FY23:4.35億歐元（EBIT）Intel、臺積電、美光科技、英飛凌、GlobalFoundries、意法半導(dǎo)體、華虹、中芯等全球潔凈室系統(tǒng)集成龍頭，前身德國M+W集團(tuán)，與Intel、臺積電等公司在美、日、歐區(qū)域有較好的合作關(guān)系UIS漢唐中國臺灣FY24:474億新臺幣FY24:62億新臺幣臺積電、華邦電子、旺宏、美光科技、世界先進(jìn)、力晶等中國臺灣潔凈室系統(tǒng)集成龍頭，同臺積電深度綁定，承建中國臺灣區(qū)域多個臺積電廠房，及臺積電亞利桑那州系列Fab廠亞翔工程中國臺灣FY24:651億新臺幣FY24:62億新臺幣聯(lián)華電子、臺積電、美光科技、世界先進(jìn)、力積電、鵬鼎、Photronics、華邦電子等中國臺灣潔凈室系統(tǒng)集成龍頭，同時承接部分土建業(yè)務(wù)，同聯(lián)華電子深度合作，參與多個聯(lián)華電子12英寸晶圓廠潔凈室建設(shè)，同時參與部分臺積電在中國臺灣區(qū)域的晶圓廠及先進(jìn)封裝廠潔凈室建設(shè)圣暉中國臺灣FY24:303億新臺幣FY24:44億新臺幣矽品、日月光、同欣電子、臺積聯(lián)華電子、華邦電子等中國臺灣潔凈室系統(tǒng)集成龍頭，聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游環(huán)節(jié)，集團(tuán)內(nèi)朋億、銳澤兩個子公司聚焦?jié)崈羰腋呒児に囅到y(tǒng)帆宣科技中國臺灣FY24:607億新臺幣FY24:19億新臺幣臺積電、美光、漢微科、世界先進(jìn)、聯(lián)華電子、中芯等主營業(yè)務(wù)包括半導(dǎo)體、平面顯示器設(shè)備及耗材代理，及潔凈室廠務(wù)工程，在高純工藝系統(tǒng)、二次配等方面具備優(yōu)勢洋基工程中國臺灣FY24:152億新臺幣FY24:21億新臺幣臺積電、ASML、力晶、同欣電子、富士康、奇美電子、群創(chuàng)光電、景碩等業(yè)務(wù)主要聚焦高科技廠房機(jī)電空調(diào)集成業(yè)務(wù)，在恒溫恒濕控制緯度行業(yè)領(lǐng)先大氣社FY24:2762億日元FY24:110億日元東芝、索尼、Murata、臺積電、聯(lián)華電子、旺宏、南亞、美光等核心業(yè)務(wù)包括工業(yè)潔凈室和汽車涂裝系統(tǒng)兩部分，日本高端工業(yè)環(huán)境工程服務(wù)領(lǐng)域龍頭企業(yè)資料來源：各公司官網(wǎng)及公告，Wind，華泰研究全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)具備顯著的區(qū)域化市場壁壘，多數(shù)情況下產(chǎn)業(yè)鏈難以單獨(dú)實(shí)現(xiàn)跨區(qū)域的核心環(huán)節(jié)滲透與生態(tài)準(zhǔn)入，需跟隨業(yè)主出海。德國公司Exyte為全球潔凈室工程服務(wù)龍頭，根據(jù)其官網(wǎng)，Exyte全球布局最為廣泛，涵蓋北美、亞太、歐洲及中東多個主要國家，其中歐洲、中東及亞太收入占比穩(wěn)定在80%左右，近3年收入規(guī)模約350-500億人民幣，但由于其布局最為廣泛，即便是收入貢獻(xiàn)較低的北美區(qū)域，年收入規(guī)模也在50-100億人民幣，接近中國臺灣潔凈室工程服務(wù)公司總收入規(guī)模；中國臺灣潔凈室工程服務(wù)公司在2020年之前業(yè)務(wù)更聚焦于中國臺灣本土，20年之后部分企業(yè)如漢唐、帆宣科技跟隨臺積電赴美建廠，亞翔、圣暉則跟隨聯(lián)電、日月光等增強(qiáng)東南亞區(qū)域布局；內(nèi)資（中國大陸）潔凈室工程服務(wù)商則更聚焦于中國大陸，同時由于先進(jìn)制程所需的高端潔凈室有一定技術(shù)敏感性，短期介入境外高端潔凈室建設(shè)仍面臨一定難度。(合億元人民幣)亞翔工程漢唐圣暉帆宣洋基Exyte7006005004003002001000202020212022202320249M2025資料來源：Wind，Exyte官網(wǎng)，華泰研究(億新臺幣)800中國臺灣中國大陸新加坡美國日本8007006005004003002001000202020212022202320249M2025資料來源：公司財報，華泰研究(億歐元)80北美洲亞太歐洲及中東其他區(qū)域8070605040302002020202120222023資料來源：Exyte官網(wǎng)，華泰研究(億人民幣)60504030200中國大陸境外20212022202320241H2025資料來源：Wind，華泰研究全球范圍潔凈室工程服務(wù)“建設(shè)力”整體有限，供不應(yīng)求下專業(yè)潔凈室工程服務(wù)商盈利水平有望進(jìn)一步提升。一方面，由于存在技術(shù)敏感性，短期勞動力相對充裕的中國大陸純內(nèi)資企業(yè)介入境外半導(dǎo)體潔凈室廠房建設(shè)面臨一定難度，而其他區(qū)域又因人口老齡化、生育率下降導(dǎo)致人力擴(kuò)張進(jìn)程緩慢；另一方面，“建設(shè)力”核心為成熟專業(yè)工程師，此類工程師往往需