1T/CAEEXXX—2025制冷型二類超晶格紅外探測器本文件規(guī)定了制冷型二類超晶格紅外探測器的術(shù)語和定義、分類與命名、技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運輸和貯存。本文件適用于制冷型二類超晶格紅外探測器的設(shè)計、生產(chǎn)、檢驗和使用。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T191包裝儲運圖示標(biāo)志GB/T2423電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分GB/T17444—2013紅外焦平面陣列參數(shù)測試方法GB/T19001—2016質(zhì)量管理體系要求GB/T26572電子電氣產(chǎn)品中限用物質(zhì)的限量要求GB/T2828.1計數(shù)抽樣檢驗程序第1部分：按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗抽樣計劃GJB150A軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法GJB151B軍用設(shè)備和分系統(tǒng)電磁發(fā)射和敏感度要求與測量3術(shù)語和定義下列術(shù)語和定義適用于本文件。3.1制冷型紅外探測器Cooledinfrareddetector需要借助制冷設(shè)備降低工作溫度，以實現(xiàn)對紅外輻射信號有效探測的紅外探測器。3.2二類超晶格TypeⅡsuperlattice由兩種不同帶隙的半導(dǎo)體薄層周期性交替排列形成的人工一維量子結(jié)構(gòu)，其能帶排列為Type-II型，電子和空穴在空間上分離，有效帶隙可通過周期厚度精確調(diào)節(jié)。3.3噪聲等效溫差（NETD）NoiseEquivalentTemperatureDifference(NETD)在給定測量條件下，產(chǎn)生與探測器噪聲輸出相等信號所需的黑體溫差，單位為mK。3.4盲元率DPRDefectivePixelRate(DPR)在規(guī)定場景溫度下，響應(yīng)率或噪聲超出允許閾值的像元占總像元數(shù)的百分比。3.5有效像元率Effectivepixelrate滿足響應(yīng)率、NETD、線性度等指標(biāo)的像元數(shù)占總像元數(shù)的百分比。3.6有效量子效率Effectivequantumefficiency探測器輸出信號電子數(shù)與入射光子數(shù)之比，包括光學(xué)耦合效率、載流子收集效率及倍增增益。2T/CAEEXXX—20253.7高工作溫度（HOT）HighOperatingTemperature(HOT)在≥150K溫度下仍能保持NETD、D\*、暗電流等關(guān)鍵性能指標(biāo)滿足系統(tǒng)應(yīng)用要求的探測器工作模3.8暗電流密度Darkcurrentdensity在給定偏置與溫度條件下，無光照時單位面積的電流，單位為nA/cm2。3.9制冷啟動時間Coolingstartuptime制冷機啟動后，探測器芯片溫度達到設(shè)定值并保持在±0.1K范圍內(nèi)所需的時間。3.10真空保持壽命Vacuumretentionlifetime杜瓦從出廠至內(nèi)部真空度衰減到允許下限的時間，單位為年。4分類與命名規(guī)則4.1分類4.1.1按波段：短波（SW，1μm～3μm）、中波（MW，3μm～5μm）、長波（LW，7.5μm～10μm）、4.1.2按結(jié)構(gòu)：單波段、雙色、多色、偏振集成。4.1.3按封裝：金屬杜瓦、陶瓷共燒、晶圓級真空封裝（WLP）。4.1.4按制冷方式：斯特林制冷器、脈管制冷器、節(jié)流制冷器（含液氮制冷）。4.2命名規(guī)則探測器型號命名規(guī)則如下：T2SL-〈陣列規(guī)模〉-〈波段〉-〈像元間距〉-〈制冷方式〉-〈版本年份〉。示例：T2SL-1280×1024-MW-15-LN2-2025。5技術(shù)要求5.1基本參數(shù)本章節(jié)所有參數(shù)測試基準(zhǔn)條件為：標(biāo)準(zhǔn)大氣環(huán)境（溫度23±5℃、相對濕度50±20%、氣壓86~106kPa），NETD測試條件為f/2、黑體溫度300K、幀頻30Hz?；緟?shù)如表1。表1基本參數(shù)1.0-3.03.0-5.07.5-10.011.0-15.0—T/CAEEXXX—2025377-15077-15077-12077-10077-1205.2結(jié)構(gòu)尺寸探測器外形、安裝面、冷屏、窗口、引線鍵合區(qū)尺寸應(yīng)符合詳細(xì)規(guī)范要求，WLP器件總厚度≤0.8mm，平整度≤20μm。5.3外觀質(zhì)量表面不得有裂紋、劃痕、凹坑、金屬殘留及腐蝕現(xiàn)象；鍵合區(qū)需保持無氧化、無沾污狀態(tài)；窗口鍍膜應(yīng)完好，無脫落和針孔。5.4材料與結(jié)構(gòu)要求5.4.1超晶格材料a)X射線衍射（004）衛(wèi)星峰半高寬（FWHM）≤30arcsec；b)位錯蝕坑密度（EPD）≤5×104cm-2；c)外延層表面粗糙度(RMS)在10μm×10μm范圍內(nèi)(采用AFM測量)應(yīng)≤1.5nm。5.4.2芯片結(jié)構(gòu)a)吸收層厚度：SW/MW≥4.0μm，LW/VLW≥5.0μm；b)鈍化層的介電常數(shù)應(yīng)≤4.0，厚度≥200nm；5.5環(huán)境適應(yīng)性探測器應(yīng)能承受以下環(huán)境試驗，試驗后性能衰減≤10%，盲元率增加≤0.1%：c)溫度循環(huán)：-55℃~+85℃,10次循環(huán)；d)隨機振動：20Hz～2000Hz，功率譜密度0.04g2/Hz，每軸5min；e)恒定濕熱：+60℃,95%RH，48h；f)鹽霧：5%NaCl溶液，+35℃,48h；g)低氣壓：11.6kPa，2h。5.6光電性能要求5.6.1暗電流密度a)MW：在120K、-50mV條件下，暗電流密度（Jdark）應(yīng)≤1nA/cm2;b)LW：在80K、-50mV條件下，暗電流密度（Jdark）應(yīng)≤8nA/cm2。c)雙色LW通道：在80K、-50mV條件下，暗電流密度(Jdark)≤12nA/cm25.6.2量子效率（QE）a)MW：中心波長處的量子效率應(yīng)≥60%；b)LW：中心波長處的量子效率應(yīng)≥50%。5.6.3動態(tài)阻抗（R?A）a)MW：在120K條件下，動態(tài)阻抗應(yīng)≥1×10?Ω?cm2;b)LW：在80K條件下，動態(tài)阻抗應(yīng)≥1×103Ω?cm2。T/CAEEXXX—202545.6.4有效像元率應(yīng)符合表1規(guī)定。單色探測器允許相鄰壞像元簇≤2個；雙色探測器允許相鄰壞像元簇≤3個。有效像元的判定準(zhǔn)則見6.8。5.6.5響應(yīng)非均勻性（NU）。在300K均勻黑體測試條件下，響應(yīng)非均勻性(σ/μ)應(yīng)≤5%。5.6.6電磁兼容需符合GJB151B-2013中陸軍地面設(shè)備的限值要求，涵蓋CE102、RE102、CS114、CS115、CS116、RS103項目。5.7制冷與真空a)制冷機類型：可采用線性斯特林、旋轉(zhuǎn)斯特林或脈管制冷機；b)制冷啟動時間：針對120K負(fù)載，啟動時間應(yīng)≤6min；c)制冷功耗：在80K、500mW熱負(fù)載條件下，功耗應(yīng)≤15W，雙色探測器可放寬至≤18W；d)真空保持壽命：需≥10年（漏率應(yīng)≤5×10-5.8輻射加固當(dāng)總劑量≥100krad（Si）時，NETD退化量應(yīng)≤20%，暗電流增加量應(yīng)≤50%，EPR下降≤1%。5.9可靠性a)加速壽命試驗（采用Arrhenius模型，激活能Ea=0.45eV）：在120℃高溫下老煉1000h，等效使用壽命需≥10年；b)高低溫循環(huán)：在-55℃與+85℃之間循環(huán)100次后，芯片不得出現(xiàn)裂紋，性能衰減量應(yīng)c)恒定濕熱：在+65℃/95%RH環(huán)境下放置96h后，外觀不得有腐蝕，且NETD變化量應(yīng)≤d)隨機振動：在20Hz～2000Hz頻率范圍內(nèi)，功率譜密度為0.04g2/Hz時，3軸各測試10min，需無機械損傷；e)機械沖擊：在500g加速度、1ms持續(xù)時間、半正弦波形條件下，3軸各測試3次，芯片不得脫落；f)壽命試驗：連續(xù)通電1000h后，性能衰減量應(yīng)≤10%。5.10接口與兼容性a)電接口：需符合GigEVision、CameraLink或CoaXPress協(xié)議；b)機械接口：采用IDDCA標(biāo)準(zhǔn)的25mm或40mm法蘭，冷頭平面度≤0.02mmc)控制命令：需兼容GenICam指令集。5.11可維修性制冷機冷頭組件、窗口、濾光片、杜瓦內(nèi)吸氣劑可現(xiàn)場更換，維修時間≤30min。5.12安全與環(huán)保a)低溫表面需具備防護設(shè)計，防止結(jié)霜及凍傷操作者；b)噪聲：在1m處測量，噪聲應(yīng)≤55dB（A）；c)有毒有害物質(zhì)含量需符合GB/T26572的要求。5.13雙色探測器專項要求a)波段串?dāng)_：雙色探測器兩通道間串?dāng)_率≤5%；b)同步性：兩通道信號輸出延遲差≤10μs；c)溫度一致性：兩通道焦平面溫度差≤0.5K；d)盲元協(xié)同性：相鄰?fù)ǖ烂ぴ丿B率≤1.5%。T/CAEEXXX—202556試驗方法6.1材料驗證a)HRXRD：按附錄A進行。b)EPD：采用熔融KOH腐蝕，光學(xué)顯微鏡計數(shù)。c)AFM：掃描面積10μm×10μm，測量RMS粗糙度。6.2試驗條件a)標(biāo)準(zhǔn)大氣條件：溫度（23±5）℃,相對濕度（50±20）%，氣壓86kPa～106kPa。b)測試黑體：發(fā)射率≥0.995，溫度均勻性≤±0.01K，穩(wěn)定性≤±0.005K。c)測試設(shè)備：校準(zhǔn)證書在有效期內(nèi)，不確定度優(yōu)于被測參數(shù)容限的1/3。6.3電學(xué)參數(shù)測試a)暗電流：在屏蔽箱內(nèi)，控溫±0.1K，使用Keithley6430源表測量。b)量子效率：采用標(biāo)準(zhǔn)黑體+單色儀系統(tǒng)，波長步進0.1μm，計算外量子效率。c)動態(tài)阻抗：由暗電流-電壓（I-V）曲線在零偏壓附近擬合得出。6.4光電參數(shù)測試6.4.1噪聲等效溫差NETD按GB/T17444—2013規(guī)定的方法進行。測試條件：黑體溫度300K，溫差ΔT=4K，幀頻30Hz，積分時間可調(diào)。統(tǒng)計中心256×256像元噪聲及信號，計算平均NETD值。分別測試f/2和f/3光學(xué)孔徑下的數(shù)值。6.4.2有效像元率按以下閾值判定有效像元，并計算有效像元率：a)響應(yīng)率下限：平均值-50%；b)NETD上限：平均值+50%；c)同時滿足a)、b)的像元為有效像元。6.5響應(yīng)非均勻性在均勻黑體輻照下，采集全幀像元響應(yīng)值，計算其標(biāo)準(zhǔn)差σ與均值μ,響應(yīng)非均勻性NU按公式（1）計算：6.6制冷性能a)啟動時間：從300K到設(shè)定溫度，熱電偶監(jiān)測芯片背面溫度。b)功耗：直流電源串入電流表，記錄穩(wěn)定值。c)真空保持：采用氦質(zhì)譜檢漏儀，累積法測試漏率。6.7光譜響應(yīng)采用傅里葉變換光譜儀，測試光束垂直入射窗口，記錄響應(yīng)率-波長曲線，取峰值50%處的波長為截止波長。測試波長步進應(yīng)根據(jù)波段特性確定，短波(SW)建議不大于0.02μm，中長波建議不大于0.1μm。6.8盲元率a)響應(yīng)盲元：響應(yīng)率偏離中值±30%（單色）、±35%（雙色）；b)噪聲盲元：NETD>2倍中值（單色）、>2.2倍中值（雙色）；c)線性盲元：線性度R2<0.95（單色）、R2<0.93（雙色）；d)統(tǒng)計盲元數(shù)并計算百分比，雙色探測器需分別統(tǒng)計兩通道盲元率及重疊率。6.9有效量子效率采用雙黑體法，測得探測器輸出信號電子數(shù)與入射光子數(shù)，有效量子效率η_eff按公式（2）計算：公式（2）η_eff=(信號電子數(shù)/入射光子數(shù))×100%（2）6.10飽和電荷容量測試通過改變積分時間，測量響應(yīng)信號隨積分時間的變化曲線，取曲線拐點對應(yīng)的信號電荷量作為飽和電荷容量。6.11環(huán)境試驗按第5.5條所列項目，分別執(zhí)行GB/T2423系列、GJB150A系列相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的試驗方法。T/CAEEXXX—202566.12電磁兼容按GJB151B—2013規(guī)定的方法，在10kHz～18GHz頻段內(nèi)進行測試。6.13輻射試驗采用Co-60γ射線源，劑量率50～300rad（Si）/s，累積至100krad（Si）。6.14可靠性試驗a)高低溫循環(huán)：按GB/T2423.1、GB/T2423.2執(zhí)行。b)恒定濕熱：按GB/T2423.3執(zhí)行。c)隨機振動：按GB/T2423.10執(zhí)行。d)機械沖擊：按GB/T2423.5執(zhí)行。6.15壽命試驗連續(xù)通電：探測器安裝于老化箱內(nèi)，80℃環(huán)境溫度，1000h，每100h抽測NETD、暗電流，記錄衰減曲線。6.16雙色探測器串?dāng)_測試a)測試設(shè)備：單色儀（波長分辨率0.1μm）、黑體（300K）、鎖相放大器；b)測試步驟：1）對通道1輸入其中心波長（如MW4μm），測量通道2的響應(yīng)率；2）對通道2輸入其中心波長（如LW8μm），測量通道1的響應(yīng)率；c)計算方法：串?dāng)_率=（交叉通道響應(yīng)率/目標(biāo)通道響應(yīng)率）×100%，需≤5%。7檢驗規(guī)則7.1檢驗分類產(chǎn)品檢驗分為出廠檢驗、型式試驗、抽樣檢驗3種。檢驗項目按表2進行7.2檢驗項目檢驗項目應(yīng)符合表2的規(guī)定。表中“√”表示必檢項目，“○”表示可選檢或協(xié)議檢驗，“—”表示不檢項目。表2檢驗項目一覽表1√√√2√√√3√○—4√√√5√√√6√○—7√√○8√○—9√√√√○√√——√√√√√—√——√——√√√T/CAEEXXX—202577.3出廠檢驗每臺裝置出廠前,必須由質(zhì)量部在正常條件下進行出廠試驗,檢驗項目按照表2中規(guī)定的檢驗項目逐個進行,全部檢驗合格后,附有合格證及檢驗證記錄方可允許出廠。7.4型式試驗型式檢驗項目按表2中規(guī)定的檢驗項目逐個進行，并出具型式試驗報告。當(dāng)出現(xiàn)以下情況之一時，應(yīng)進行型式試驗：a)新產(chǎn)品定型，投運前。b)連續(xù)批量生產(chǎn)的產(chǎn)品每四年一次。c)正式投產(chǎn)后，如設(shè)計、工藝材料、元器件有較大改動，可能影響產(chǎn)品性能時。d)產(chǎn)品停產(chǎn)一年以上又恢復(fù)生產(chǎn)時。e)出廠試驗結(jié)果與型式試驗有較大差異時。f)國家技術(shù)監(jiān)督機構(gòu)或受其委托的技術(shù)檢驗部門提出型式試驗要求時。g)合同規(guī)定進行型式試驗時。7.5抽樣檢驗對批量生產(chǎn)的產(chǎn)品，可按GB/T2828.1進行抽樣檢驗。一般檢驗水平為II級，接收質(zhì)量限（AQL）由供需雙方協(xié)商確定，通常AQL=0.65。7.6判定規(guī)則若有任一項不合格，則判定該批產(chǎn)品不合格；型式檢驗不合格，應(yīng)立即停止交付，分析原因并采取糾正措施。8標(biāo)志、包裝、運輸、貯存8.1標(biāo)志產(chǎn)品上應(yīng)有：型號規(guī)格、序列號、生產(chǎn)日期、檢驗批號、制造商、方向標(biāo)識、ESD敏感警示標(biāo)志。8.2包裝采用真空鋁箔袋+干燥劑+緩沖泡沫盒。包裝箱外按GB/T191標(biāo)注“向上”“防潮”“易碎”等圖示。隨箱文件：合格證、測試報告、使用說明書、保修卡。8.3運輸在-55℃~+70℃環(huán)境運輸，相對濕度≤85%，避免劇烈振動、沖擊、雨雪淋襲。8.4貯存包裝好的裝置應(yīng)貯存在環(huán)境溫度為溫度-10℃~+40℃,相對濕度不大于60%，無腐蝕，爆炸性氣體，貯存期2年內(nèi)性能保持不變。9質(zhì)量保證規(guī)定9.1質(zhì)量一致性制造商應(yīng)建立符合GB/T19001的質(zhì)量管理體系，并保持過程能力指數(shù)Cpk≥1.33。9.2可追溯性從外延片、芯片、杜瓦、制冷機到整機的每個單元須具有唯一序列號及批次記錄，保存期≥15年。9.3故障報告與糾正措施T/CAEEXXX—20258用戶發(fā)現(xiàn)故障后7日內(nèi)通報制造商，制造商30日內(nèi)提供RCA（RootCauseAnalysis，根本原因分析）報告及糾正預(yù)防措施。10技術(shù)文檔制造商應(yīng)提供：a)產(chǎn)品規(guī)格書（含典型性能曲線、機械圖、外形尺寸圖、接口定義）；b)可靠性評估報告（含加速試驗、FMEA、失效模式）；c)輻射加固試驗報告；d)維修手冊和備件清單；e)軟件接口協(xié)議（CameraLink/CoaXPress/GigEVision）。f)一致性聲明（CE、RoHS、REACH、沖突礦物）T/CAEEXXX—20259（規(guī)范性）超晶格材料HRXRD測試方法A.1儀器高分辨X射線衍射儀，配備CuKα1輻射(λ=0.15406nm），Ge(220)四晶單色器，以降低背景噪聲，提高衍射信號的分辨率。探測器：采用閃爍計數(shù)器或半導(dǎo)體探測器，確保能準(zhǔn)確捕捉高角度分辨率的衍射信號。儀器需具備θ-2θ掃描和ω掃描功能，且角度精度符合測試要求。A.2樣品a)樣品為片狀超晶格材料，需明確其生長方向（如[001]等），確保衍射面與生長方向匹配。b)去除襯底背面氧化層，避免氧化層對衍射信號產(chǎn)生干擾；樣品厚度≥500μm，以保證樣品在測試過程中的穩(wěn)定性和足夠的衍射信號強度。c)樣品表面需平整（粗糙度≤1.5nm），無劃痕、污染，必要時需用無水乙醇超聲清洗去除表面污染物。A.3測試步驟：A.3.1儀器校準(zhǔn)用標(biāo)準(zhǔn)樣品（如Si(111)）校準(zhǔn)儀器的2θ零點和角度精度，確保衍射峰位置準(zhǔn)確。校準(zhǔn)過程中，需按照儀器操作手冊進行，保證校準(zhǔn)后的儀器滿足測試要求。A.3.2樣品裝載將樣品固定在樣品臺，調(diào)整樣品臺的水平與垂直度，確保超晶格材料的生長面與X射線入射方向垂直，以保證衍射信號的準(zhǔn)確性。可通過儀器自帶的調(diào)整裝置進行精細(xì)調(diào)節(jié)，并用水平儀輔助檢查A.3.3衍射掃描a)進行對稱(004)ω/2θ掃描，設(shè)置步進為0.0005°,每點停留時間為2s。掃描范圍需覆蓋基底主峰及超晶格的-1、0、+1級衛(wèi)星峰，可先進行預(yù)掃描確定大致范圍，再進行精確掃描。b)在掃描過程中，準(zhǔn)確記錄零級峰與-1、+1級衛(wèi)星峰的位置（即對應(yīng)的2θ角度值）。c)對零級峰進行ω掃描（搖擺曲線）：固定2θ為零級峰對應(yīng)的角度，掃描樣品角度ω,步長可設(shè)置為0.001°,每點停留時間3s，獲取搖擺曲線，用于分析晶體質(zhì)量。A.3.4數(shù)據(jù)記錄保存衍射強度（counts）與2θ（或ω)的關(guān)系曲線，導(dǎo)出數(shù)據(jù)格式為.txt或.csv，便于后續(xù)數(shù)據(jù)處理與分析。同時，記錄測試過程中的儀器參數(shù)、樣品信息等，確保數(shù)據(jù)的可追溯性。A.4數(shù)據(jù)處理根據(jù)記錄的-1、+1級衛(wèi)星峰與零級峰的位置，計算相鄰衛(wèi)星峰的2θ差值Δθ（取-1級與+1級衛(wèi)星峰的2θ差值的一半），再依據(jù)公式T/CAEEXXX—2025計算超晶格的周期厚度d，其中λ為CuKα1輻射的波長（0.15406nm）。A.4.1晶格常數(shù)分析根據(jù)布拉格方程結(jié)合零級峰的位置，計算超晶格材料的晶格常數(shù)。需區(qū)分超晶格與基底的貢獻，若基底衍射峰已知，可通過對比分析確定超晶格的晶格常數(shù)。A.4.2晶體質(zhì)量評估通過ω掃描得到的搖擺曲線，計算其半高寬（FWHM）。FWHM≤30arcsec為合格，F(xiàn)WHM越小，表明晶體質(zhì)量越好，可根據(jù)FWHM值判斷超晶格材料的晶體完整性和缺陷密度。A.5注意事項A.5.1測試過程中，需保持儀器工作環(huán)境的穩(wěn)定性，避免振動、溫度波動等因素影響測試結(jié)果。儀器應(yīng)放置在防震、恒溫的實驗室中。A.5.2樣品裝載時，需確保樣品固定牢固，防止在掃描過程中發(fā)生位移。同時，避免用手直接接觸樣品表面，以免造成污染。A.5.3若測試過程中出現(xiàn)異常信號（如假峰應(yīng)檢查儀器狀態(tài)、樣品質(zhì)量等，并進行重復(fù)測試驗證。A.5.4測試完成后，及時清理樣品臺，關(guān)閉儀器電源，按照儀器維護手冊進行日常維護。T/CAEEXXX—2025（資料性）可靠性試驗失效判據(jù)示例B.1電性能失效判據(jù)B.1.1開路電壓在標(biāo)準(zhǔn)測試條件下，探測器的開路電壓與初始值相比，變化量超過±20%，則判定為失效。這是因為開路電壓的大幅波動會直接影響探測器的能量轉(zhuǎn)換效率和信號輸出穩(wěn)定性，無法滿足正常工作時對電壓信號的基本要求。B.1.2短路電流當(dāng)探測器的短路電流較初始值下降超過40%時，視為失效。短路電流是探測器接收紅外信號并進行光電轉(zhuǎn)換的重要指標(biāo)，其顯著下降意味著探測器的光電轉(zhuǎn)換能力大幅減弱，難以有效探測目標(biāo)紅外信B.1.3暗電流及暗電流密度在規(guī)定的反向偏壓下，暗電流值超過初始值的3倍，或暗電流密度增加超過50%，判定為失效。暗電流及暗電流密度過大會增加探測器的噪聲水平，降低信噪比，導(dǎo)致探測器在弱信號探測時出現(xiàn)誤判或無法識別目標(biāo)，嚴(yán)重影響探測精度。B.1.4響應(yīng)率響應(yīng)率與初始值相比，下降幅度超過35%，則判定為失效。響應(yīng)率直接反映了探測器對紅外輻射的敏感程度，下降過多會使探測器對紅外信號的響應(yīng)變得遲鈍，無法準(zhǔn)確捕捉到目標(biāo)