2025年微機(jī)原理期末試卷(附答案)一、單項選擇題（每題2分，共20分）1.8086微處理器中，用于暫存運(yùn)算結(jié)果特征的寄存器是（）。A.AXB.SPC.PSWD.SI2.若8086系統(tǒng)中某存儲單元的物理地址為21345H，段寄存器CS的內(nèi)容為2000H，則偏移地址為（）。A.1345HB.0134HC.10345HD.0345H3.以下尋址方式中，操作數(shù)在寄存器中的是（）。A.直接尋址B.寄存器間接尋址C.寄存器尋址D.基址變址尋址4.8086執(zhí)行OUT21H,AL指令時，地址總線上輸出的地址是（）。A.21HB.僅A0-A15C.A0-A19D.由段寄存器和偏移地址計算5.動態(tài)RAM（DRAM）需要定期刷新的原因是（）。A.存儲單元電容電荷會泄漏B.集成度高導(dǎo)致信號衰減C.讀寫速度慢D.與CPU速度不匹配6.8086中斷系統(tǒng)中，中斷類型號為18H的中斷向量存儲在內(nèi)存中的起始地址是（）。A.18H×4=60HB.18H×2=30HC.18H÷4=6HD.18H+4=1CH7.某微機(jī)系統(tǒng)使用8253定時器/計數(shù)器，若要將計數(shù)器0設(shè)置為方式3（方波發(fā)生器），計數(shù)初值為5000（十進(jìn)制），控制字應(yīng)為（）（假設(shè)計數(shù)器0地址為40H）。A.00110110BB.00110100BC.01110110BD.00100110B8.8086在最小模式下，控制信號M/IO為低電平時，表示CPU正在訪問（）。A.存儲器B.I/O端口C.中斷控制器D.DMA控制器9.若某存儲器芯片容量為8K×8位，要構(gòu)成64K×16位的存儲系統(tǒng)，需要該芯片的數(shù)量是（）。A.8片B.16片C.32片D.64片10.以下關(guān)于8086總線周期的描述，錯誤的是（）。A.一個基本的總線周期包含4個T狀態(tài)B.若存儲器或I/O設(shè)備速度較慢，需在T3和T4之間插入Tw狀態(tài)C.總線周期僅用于讀/寫操作D.空閑狀態(tài)Ti出現(xiàn)在CPU無總線操作時二、填空題（每空2分，共20分）1.8086微處理器的地址總線有______根，可直接尋址的內(nèi)存空間為______。2.指令MOVAX,[BX+SI+0100H]的源操作數(shù)尋址方式是______，有效地址EA=______。3.半導(dǎo)體存儲器中，______（填“ROM”或“RAM”）在斷電后信息會丟失，______（填“SRAM”或“DRAM”）需要刷新電路。4.8086的中斷系統(tǒng)中，中斷響應(yīng)周期會自動將______、______和標(biāo)志寄存器壓入堆棧。5.8255A的A口工作在方式2時，需要______（填“B口”或“C口”）的部分引腳作為聯(lián)絡(luò)信號。6.若某微機(jī)系統(tǒng)的時鐘頻率為10MHz，則一個時鐘周期為______ns。三、簡答題（每題8分，共40分）1.簡述8086微處理器中EU和BIU的功能分工及協(xié)同工作過程。2.說明立即尋址、直接尋址和寄存器間接尋址的區(qū)別，并各舉一例（用8086指令表示）。3.動態(tài)RAM（DRAM）為何需要刷新？刷新與讀/寫操作有何不同？4.8086響應(yīng)可屏蔽中斷（INTR）的條件是什么？中斷響應(yīng)過程包括哪些步驟？5.簡述采用74LS138譯碼器設(shè)計存儲器片選電路的基本步驟，并說明如何避免地址重疊。四、分析題（每題15分，共30分）1.已知8086系統(tǒng)中，DS=2000H，BX=0100H，SI=0020H，內(nèi)存單元[20120H]=34H，[20121H]=12H，[20130H]=56H，[20131H]=78H。分析以下指令序列執(zhí)行后AX、BX、CF的值，并說明每一步操作。MOVAX,[BX+SI]ADDBX,SIADCAX,[BX]2.某8086微機(jī)系統(tǒng)需擴(kuò)展64KB的ROM（地址范圍00000H-0FFFFH）和128KB的RAM（地址范圍10000H-2FFFFH），使用27C512（64K×8位）和62256（32K×8位）芯片。要求：（1）計算所需27C512和62256的芯片數(shù)量；（2）畫出片選信號譯碼邏輯圖（需標(biāo)注地址線連接）；（3）寫出RAM區(qū)最后一個單元的物理地址。五、設(shè)計題（20分）設(shè)計一個基于8086的I/O接口電路，要求：-用8255A作為接口芯片，A口輸入8位開關(guān)狀態(tài)（K7-K0），B口輸出8位LED（L7-L0），其中L0-L3顯示K0-K3的狀態(tài)，L4-L7始終為高電平；-8255A的端口地址為200H-203H（A口：200H，B口：201H，C口：202H，控制口：203H）；-編寫初始化程序（設(shè)置A口為方式0輸入，B口為方式0輸出）及查詢顯示程序（循環(huán)讀取開關(guān)狀態(tài)并輸出到LED）。答案一、單項選擇題1.C2.A3.C4.A5.A6.A7.B8.B9.B10.C二、填空題1.20；1MB2.基址變址加位移尋址；BX+SI+0100H（或0100H+BX+SI）3.RAM；DRAM4.CS；IP5.C口6.100三、簡答題1.EU（執(zhí)行單元）負(fù)責(zé)指令譯碼和執(zhí)行，包括算術(shù)邏輯運(yùn)算、寄存器操作等；BIU（總線接口單元）負(fù)責(zé)與內(nèi)存/IO的總線操作，包括取指令、讀/寫操作數(shù)、地址形成等。協(xié)同工作時，EU從BIU的指令隊列取指令執(zhí)行，若隊列有空或需要操作數(shù)，BIU自動通過總線獲取，實現(xiàn)指令預(yù)取和執(zhí)行的并行。2.立即尋址：操作數(shù)直接包含在指令中（如MOVAX,1234H）；直接尋址：操作數(shù)地址在指令中（如MOVAX,[2000H]）；寄存器間接尋址：操作數(shù)地址在寄存器中（如MOVAX,[BX]）。區(qū)別在于操作數(shù)的來源：立即數(shù)、內(nèi)存單元（直接地址）、寄存器保存的內(nèi)存地址。3.DRAM存儲單元基于電容電荷存儲信息，電荷會泄漏（約2ms消失），需定期刷新（對所有存儲單元重新充電）。刷新與讀/寫的不同：刷新是對所有單元批量操作，不依賴地址；讀/寫是對特定單元的單操作，需地址選擇。4.響應(yīng)條件：INTR引腳有高電平請求，IF=1（中斷允許標(biāo)志），當(dāng)前指令執(zhí)行完畢。步驟：①發(fā)送INTA響應(yīng)；②讀取中斷類型號n；③將FLAGS、CS、IP壓棧；④清除IF和TF；⑤用4n~4n+3單元內(nèi)容設(shè)置IP和CS，轉(zhuǎn)向中斷服務(wù)程序。5.步驟：①確定系統(tǒng)地址線中用于片內(nèi)尋址的位數(shù)（如芯片容量為8K，需A0-A12）；②剩余高位地址線（如A13-A19）接入138譯碼器輸入（A、B、C）；③譯碼器使能端（G1、G2A、G2B）連接系統(tǒng)控制信號（如M/IO、MEMR等）；④譯碼器輸出作為各芯片的片選信號。避免地址重疊需確保每組高位地址僅對應(yīng)一個芯片，即譯碼邏輯覆蓋所有可能的地址組合。四、分析題1.（1）MOVAX,[BX+SI]：BX=0100H，SI=0020H，EA=0120H，物理地址=DS×10H+EA=20000H+0120H=20120H。內(nèi)存[20120H]=34H（低字節(jié)），[20121H]=12H（高字節(jié)），故AX=1234H。（2）ADDBX,SI：BX=0100H+0020H=0120H。（3）ADCAX,[BX]：BX=0120H，物理地址=20000H+0120H=20120H？不，此時BX=0120H，所以EA=0120H，物理地址=20000H+0120H=20120H？但之前MOV指令的EA是BX+SI=0120H，而ADD后BX=0120H，所以[BX]的物理地址=20000H+0120H=20120H？但題目中給出[20130H]=56H，[20131H]=78H，可能我錯了。重新計算：ADDBX,SI后BX=0100H+0020H=0120H，所以[BX]的EA=0120H，物理地址=20000H+0120H=20120H？但題目中給出的[20120H]=34H，[20121H]=12H，[20130H]=56H，[20131H]=78H。可能我誤解了。正確的EA應(yīng)為BX的值，即0120H，所以物理地址是20000H+0120H=20120H，對應(yīng)字為1234H（同第一步）。但ADC指令需要加上進(jìn)位。第一步無進(jìn)位，CF=0。所以ADCAX,[BX]即AX=1234H+1234H+0=2468H？但題目中可能[BX]的地址是20120H+0120H？不，BX是0120H，所以物理地址是20000H+0120H=20120H，對應(yīng)字是1234H。所以AX=1234H+1234H=2468H，CF=0（無進(jìn)位）。但可能我哪里錯了。或者，ADDBX,SI后BX=0120H，所以[BX]的EA=0120H，物理地址=20000H+0120H=20120H，該單元字為1234H。ADCAX,[BX]即AX=1234H+1234H+CF（初始CF=0）=2468H，CF=0（因為2468H無進(jìn)位）。最終AX=2468H，BX=0120H，CF=0。2.（1）ROM區(qū)00000H-0FFFFH=64KB（0FFFFH-00000H+1=10000H=64KB），27C512是64K×8位，需2片（64KB×8位=64K×8位×2片→64K×16位？不，題目中ROM是64KB（字節(jié)），27C512是64K×8位（即64KB），所以1片即可（64KB=64K×8位）。RAM區(qū)10000H-2FFFFH=20000H=131072B=128KB，62256是32K×8位（32KB），需128KB/32KB=4片（每片32KB，4片=128KB）。（2）譯碼邏輯：8086地址線A0-A19（20位）。27C512（64K×8位）需A0-A15（16位，64K=2^16），剩余A16-A19用于譯碼。ROM區(qū)00000H-0FFFFH，A19-A16=0000（00000H~0FFFFH=00000000000000000000~00001111111111111111），所以A19-A16=0000時選中27C512。RAM區(qū)10000H-2FFFFH=00010000000000000000~00101111111111111111，A19=0，A18=0/1（10000H=00010000…，2FFFFH=00101111…），所以A19=0，A18=0時對應(yīng)10000H-1FFFFH（64KB），A18=1時對應(yīng)20000H-2FFFFH（64KB）。62256（32K×8位）需A0-A14（15位，32K=2^15），A15用于片內(nèi)高低字節(jié)（若系統(tǒng)為16位數(shù)據(jù)總線，可能需要2片62256組成32K×16位，但題目中RAM是128KB×8位？需明確。假設(shè)系統(tǒng)是8位數(shù)據(jù)總線，則128KB=4片32KB×8位，每片地址范圍：第一片10000H-17FFFH（A15=0），第二片18000H-1FFFFH（A15=1），第三片20000H-27FFFH（A15=0），第四片28000H-2FFFFH（A15=1）。譯碼器輸入A19=0，A18=0或1，A17和A16用于區(qū)分不同芯片組。（3）RAM區(qū)最后一個單元地址是2FFFFH。五、設(shè)計題（1）電路連接：8255A的D0-D7接數(shù)據(jù)總線D0-D7；A0、A1接地址總線A0、A1（200H-203H對應(yīng)A0=0,A1=0→200H；A0=1,A1=0→201H等）；RESET接系統(tǒng)復(fù)位信號；CS接地址譯碼器輸出（當(dāng)A2-A15為0，A16-A19為0時選中200H-203H）。A口接8位開關(guān)（K7-K0接PA7-PA0），B口接8位LED（PB7-PB0接L7-L0）。（2）初始化程序（假設(shè)使用8086匯編）：MOVDX,203H;控制口地址MOVAL,10010000B;