光纜測試知識試題及答案一、單選題（每題僅有一個正確答案，錯選、多選均不得分）1.在單模光纖鏈路中，使用OTDR進行雙向平均測試的主要目的是A.消除連接器反射盲區(qū)B.抵消光纖折射率誤差C.消除事件損耗的方向性偏差D.降低測試時間答案：C解析：單方向測試時，同一事件在不同方向測得的損耗值可能因模場直徑失配而存在偏差，雙向平均可消除方向性誤差，得到真實損耗。2.某1550nm單模鏈路測得全程衰耗為0.25dB/km，若改用1310nm窗口，其衰耗系數(shù)理論上將A.增大至0.30dB/km以上B.基本不變C.降至0.20dB/km以下D.與彎曲半徑無關(guān)答案：A解析：1310nm處材料吸收與瑞利散射均高于1550nm，故衰耗系數(shù)增大。3.在OTDR曲線中，若出現(xiàn)“正增益”現(xiàn)象，最合理的解釋是A.后段光纖模場直徑小于前段B.后段光纖模場直徑大于前段C.后段光纖存在裂紋D.前段光纖過度彎曲答案：B解析：后段模場直徑變大，光功率更易耦合，OTDR測得反向散射電平升高，表現(xiàn)為正增益。4.對帶拉曼放大器的海纜進行OTDR測試時，必須A.關(guān)閉放大器泵浦并等待5分鐘B.降低脈寬至5nsC.使用1625nmLive測試模式D.將放大器輸出端斷開答案：A解析：拉曼泵浦光功率極高，直接測試會燒毀OTDR接收機；關(guān)閉泵浦并等待放大器自發(fā)輻射完全衰減，方可安全測試。5.某鏈路測得ORL（光回波損耗）為35dB，若需提升至45dB，應(yīng)優(yōu)先A.更換為UPC連接器B.增加一段衰減器C.改用APC連接器D.降低發(fā)射功率答案：C解析：APC端面8°斜角可將反射光引出纖芯，回波損耗降低10dB以上，是提升ORL最直接手段。6.在1625nm測得宏彎損耗0.05dB/圈，若波長改為1310nm，同圈徑下宏彎損耗將A.減小至0.02dB以下B.增大至0.10dB以上C.基本不變D.與涂層無關(guān)答案：B解析：宏彎損耗與波長平方近似成反比，波長越短損耗越大。7.對G.657.A1光纖進行最小彎曲半徑驗證時，IEC60793147規(guī)定單圈最小彎曲半徑為A.5mmB.7.5mmC.10mmD.15mm答案：C解析：G.657.A1在10mm半徑單圈1550nm附加損耗≤0.1dB，滿足標準。8.使用光功率計測試帶CWDM的鏈路時，為消除鄰道串擾，應(yīng)優(yōu)先選擇A.大面積探測器B.低暗電流探測器C.帶通濾波器D.提高參考功率答案：C解析：CWDM信道間隔20nm，帶通濾波器可抑制鄰道功率，確保測試精度。9.某OTDR事件表顯示“反射峰損耗值=負值”，其物理含義是A.該點為增益現(xiàn)象B.儀器計算錯誤C.該點實際為反射而非損耗D.需重新校準折射率答案：A解析：負損耗即正增益，表明后段反向散射電平高于前段。10.在PON網(wǎng)絡(luò)中，使用1490nmOTDR測試OLT到ONT全程，若分光比1:64，建議初始脈寬設(shè)置為A.5nsB.30nsC.100nsD.1μs答案：D解析：高損耗鏈路需大脈寬提高信噪比，1μs可兼顧動態(tài)范圍與死區(qū)。11.對長度為18km的鏈路進行雙向OTDR測試，若兩端折射率設(shè)置偏差0.001，則測得長度誤差約A.8mB.18mC.36mD.90m答案：B解析：長度誤差ΔL=L×Δn/n，n≈1.468，ΔL≈18000×0.001/1.468≈12m，最接近18m。12.在OTDR測試中，若需將死區(qū)降至0.5m，應(yīng)選擇的脈寬約為A.3nsB.10nsC.50nsD.100ns答案：B解析：死區(qū)≈脈寬×光速/(2n)，10ns對應(yīng)死區(qū)約1m，考慮濾波算法可降至0.5m。13.某連接器在1310nm測得IL=0.15dB，若端面污染增加1%，理論上IL將A.增加0.01dBB.增加0.1dBC.增加0.3dBD.基本不變答案：C解析：端面污染引入空氣隙，菲涅爾反射增大，IL近似線性增加，1%污染對應(yīng)約0.3dB。14.對ADSS光纜進行OTDR測試時，發(fā)現(xiàn)1310nm全程損耗正常，1550nm損耗顯著增大，最可能原因是A.光纖老化B.微彎累積C.氫損D.外護套破損答案：B解析：微彎對長波長敏感，1550nm損耗增大而1310nm正常，符合微彎特征。15.使用OTDR進行光纖長度測量時，若將折射率從1.468誤設(shè)為1.480，則測得長度將A.偏短1%B.偏長1%C.偏短0.8%D.偏長0.8%答案：A解析：L測=L真×n設(shè)/n真，n設(shè)>n真，故測得長度偏短。16.在1625nmLive測試中，為確保不影響業(yè)務(wù)，OTDR輸出功率應(yīng)低于A.10dBmB.20dBmC.30dBmD.45dBm答案：D解析：ITUTL.41建議Live測試功率≤45dBm，避免拉曼串擾與接收機飽和。17.對G.652.D光纖進行PMD測試，若測得PMDQ=0.08ps/√km，則400km鏈路PMD值約為A.0.08psB.1.6psC.3.2psD.32ps答案：B解析：PMD鏈路值=PMDQ×√L=0.08×20=1.6ps。18.在OTDR事件分析中，若兩點間距離為50m，損耗0.02dB，則每公里損耗為A.0.2dB/kmB.0.4dB/kmC.0.02dB/kmD.無法確定答案：B解析：0.02dB/0.05km=0.4dB/km。19.某鏈路使用拉錐型分路器，OTDR測試發(fā)現(xiàn)分支損耗比標稱值大0.5dB，其最可能原因是A.波長漂移B.拉錐區(qū)微彎C.連接器臟污D.光纖錯位答案：B解析：拉錐區(qū)微彎引入附加輻射損耗，導致分支損耗增大。20.對OPGW光纜進行1550nmOTDR測試時，發(fā)現(xiàn)起始端出現(xiàn)飽和盲區(qū)，最佳處理方式是A.增加發(fā)射光纖B.降低脈寬C.提高折射率D.更換APC連接器答案：A解析：發(fā)射光纖（盲區(qū)光纖）將飽和區(qū)移至非關(guān)注段，保護OTDR接收機并看清近端事件。二、多選題（每題有兩個或以上正確答案，多選、漏選、錯選均不得分）21.下列哪些因素會導致OTDR測得光纖長度大于真實值A(chǔ).折射率設(shè)置偏低B.溫度升高C.光纖受拉D.折射率設(shè)置偏高答案：A、B、C解析：折射率偏低、溫度升高導致n下降、光纖受拉使幾何長度增加，均使OTDR測得長度偏長。22.關(guān)于光時域反射儀（OTDR）的動態(tài)范圍，下列說法正確的是A.動態(tài)范圍越大，可測鏈路損耗上限越高B.動態(tài)范圍與脈寬成正比C.動態(tài)范圍與平均時間平方根成正比D.動態(tài)范圍與探測器帶寬成反比答案：A、B、C解析：動態(tài)范圍∝脈寬×√平均時間，與探測器帶寬無直接反比關(guān)系。23.在PON網(wǎng)絡(luò)中，使用OTDR進行故障定位時，下列哪些做法可有效識別分支故障A.采用1625nm波長B.使用1μs以上脈寬C.結(jié)合光分路器端口逐一測試D.采用帶外波長并關(guān)閉ONU答案：A、C、D解析：1625nm為帶外波長，ONU關(guān)閉避免干擾；逐端口測試可定位分支。24.下列哪些屬于宏彎損耗測試的必要條件A.規(guī)定彎曲半徑B.規(guī)定圈數(shù)C.規(guī)定波長D.規(guī)定張力答案：A、B、C解析：宏彎損耗與半徑、圈數(shù)、波長均相關(guān)，標準測試無需規(guī)定張力。25.關(guān)于OTDR的“鬼影”事件，下列描述正確的是A.鬼影出現(xiàn)在真實事件之后B.鬼影無損耗C.鬼影反射峰高度與真實峰相同D.改變脈寬可識別鬼影答案：A、B、D解析：鬼影為多次反射偽影，出現(xiàn)在真實事件后，無損耗，改變脈寬鬼影位置變化，可識別。26.下列哪些操作可降低OTDR測試誤差A(yù).雙向平均B.使用發(fā)射與接收光纖C.校準折射率D.提高溫度答案：A、B、C解析：提高溫度引入額外損耗與長度誤差，非降低誤差手段。27.對海纜進行SLA測試時，需記錄哪些參數(shù)A.全程衰耗B.每對纖雙向OTDR曲線C.PMD值D.氫損系數(shù)答案：A、B、C解析：氫損系數(shù)為光纖材料參數(shù)，非現(xiàn)場測試記錄項。28.下列哪些情況會導致OTDR曲線出現(xiàn)“臺階”而非尖峰A.光纖老化B.微彎累積C.熔接點D.連接器答案：A、B、C解析：連接器產(chǎn)生反射尖峰，臺階多為非反射損耗。29.關(guān)于光纖色散，下列說法正確的是A.1550nm處G.652色散約為17ps/nm·kmB.色散補償模塊可引入額外衰耗C.色散隨溫度升高而減小D.色散斜率單位ps/nm2·km答案：A、B、D解析：溫度升高色散略有增加，非減小。30.使用便攜式OTDR進行野外驗收時，必須攜帶A.發(fā)射光纖B.光纖清潔筆C.光功率計與光源D.備用電池答案：A、B、C、D解析：四項均為現(xiàn)場驗收必備，確保測試準確與連續(xù)。三、判斷題（正確打“√”，錯誤打“×”）31.OTDR測試時，脈寬越大，死區(qū)越小。答案：×解析：脈寬越大，死區(qū)越大。32.光纖折射率隨溫度升高而減小，故夏季測得長度偏長。答案：√解析：n下降，OTDR計算長度增加。33.APC連接器在1310nm處回波損耗一定優(yōu)于UPC。答案：√解析：APC斜角端面反射光偏離纖芯，回波損耗提升10dB以上。34.宏彎損耗與波長平方近似成反比。答案：×解析：宏彎損耗與波長四次方近似成反比。35.PMD值隨光纖長度線性增加。答案：×解析：PMD與√L成正比，非線性。36.使用OTDR進行Live測試時，關(guān)閉對端設(shè)備可避免串擾。答案：√解析：對端發(fā)射光會干擾OTDR接收，關(guān)閉可提升信噪比。37.G.657.B3光纖最小彎曲半徑可達5mm而附加損耗≤0.1dB。答案：√解析：G.657.B3標準規(guī)定5mm半徑1550nm附加損耗≤0.1dB。38.氫損主要影響1310nm窗口，對1550nm影響極小。答案：×解析：氫損在1380nm形成吸收峰，對1310nm與1550nm均有影響，后者略小。39.OTDR曲線中反射峰高度與事件損耗成正比。答案：×解析：反射峰高度與反射系數(shù)相關(guān)，非損耗。40.發(fā)射光纖長度必須大于OTDR死區(qū)即可，無需額外余量。答案：×解析：需考慮熔接、連接器等多種因素，通常余量≥100m。四、填空題（答案精確，單位需寫出）41.某單模光纖在1550nm窗口的衰耗系數(shù)為0.20dB/km，則25km鏈路理論衰耗為______dB。答案：5.0dB解析：0.20×25=5.0。42.OTDR測得事件點距離為12.345km，若折射率由1.4680誤設(shè)為1.4670，則真實距離為______km。答案：12.263解析：L真=L測×n設(shè)/n真=12.345×1.467/1.468≈12.263。43.G.652.D光纖在1550nm色散為17ps/nm·km，若傳輸10Gbit/sNRZ信號，色散代價1dB對應(yīng)的色散容限為______ps/nm。答案：800解析：10GNRZ色散容限約800ps/nm。44.某鏈路ORL為32dB，若需提升至52dB，需將反射功率降低______dB。答案：20解析：52(32)=20dB。45.使用OTDR進行PON測試，分光比1:128，若OLT輸出+3dBm，ONT接收靈敏度27dBm，則鏈路允許最大衰耗為______dB。答案：30解析：3(27)=30dB，含分光器損耗。46.某OTDR動態(tài)范圍為40dB，若需測試0.3dB/km的鏈路，忽略連接器損耗，可測最大長度為______km。答案：133解析：40/0.3≈133。47.對光纖進行PMD測試，若測得<DGD>=1.2ps，σ=0.3ps，則PMDQ=______ps。答案：1.25解析：PMDQ=√(<DGD>2+σ2)=√(1.44+0.09)≈1.25。48.某連接器在1310nm測得IL=0.12dB，若重復(fù)插拔1000次后IL增至0.20dB，則插拔耐久性損耗增加______dB。答案：0.08解析：0.200.12=0.08。49.某海纜氫損測試1380nm窗口附加損耗0.6dB/km，則1550nm窗口附加損耗約為______dB/km。答案：0.06解析：氫損峰值1380nm，1550nm約為其1/10。50.使用1625nmOTDR進行Live測試，為確保業(yè)務(wù)不受影響，測試時間應(yīng)控制在______秒以內(nèi)（典型值）。答案：30解析：運營商驗收規(guī)范通常要求單次OTDRLive測試≤30s，避免長時間高功率注入。五、簡答題（需給出關(guān)鍵步驟與計算）51.某鏈路長38km，采用G.652.D光纖，1550nm窗口衰耗0.21dB/km，熔接點18處，平均損耗0.04dB/點，連接器4對，平均損耗0.12dB/對。計算全程鏈路衰耗，并判斷是否在10Gbit/sNRZ系統(tǒng)預(yù)算內(nèi)（預(yù)算28dB）。答案：光纖衰耗：38×0.21=7.98dB熔接：18×0.04=0.72dB連接器：4×0.12=0.48dB全程：7.98+0.72+0.48=9.18dB9.18dB<28dB，滿足預(yù)算。解析：計算各項損耗之和，與系統(tǒng)預(yù)算比較即可。52.簡述使用OTDR進行PON網(wǎng)絡(luò)故障定位的三步法，并說明每步關(guān)鍵參數(shù)。答案：第一步：帶外波長1625nm，關(guān)閉ONU，脈寬1μs，動態(tài)范圍>35dB，快速掃描全程，定位分光器前故障；第二步：降低脈寬至100ns，提高分辨率，逐段測試分光器后分支，記錄事件表；第三步：對可疑分支更換小脈寬30ns，加發(fā)射光纖，精確定位分支末端斷點，結(jié)合光功率計驗證。解析：三步法兼顧動態(tài)范圍與分辨率，避免ONU干擾，實現(xiàn)分支精準定位。53.說明如何利用OTDR曲線識別“微彎”與“宏彎”損耗事件，并給出1550nm與1310nm下的差異。答案：微彎：曲線呈臺階狀，無反射，1550nm損耗顯著大于1310nm，比值>2；宏彎：同臺階狀，但彎曲半徑較大，1550nm損耗高于1310nm，比值約1.5~3；識別：比較兩波長同一位置損耗差值，若差值>0.1dB/km且呈線性累積，可判為彎曲類故障。解析：彎曲損耗波長敏感性差異是識別關(guān)鍵。54.某海纜登陸段需驗證ORL，測得整體ORL=28dB，要求≥40dB。提出三種可行改進方案并量化效果。答案：方案一：所有UPC連接器更換為APC，回波損耗提升12dB，ORL由28dB降至40dB；方案二：增加兩級共4dB在線衰減器，反射回波降低8dB，ORL降至36dB，再更換一對APC即可達標；方案三：采用折射率匹配膏，連接器反射降低6dB，ORL降至34dB，再優(yōu)化兩段跳線彎曲，額外降低4dB，總計38dB，接近達標。解析：通過降低反射點數(shù)量或反射系數(shù)，可系統(tǒng)性提升ORL。55.解釋為什么OTDR雙向平均能消除“增益”事