匯報(bào)人：XX電子封裝技術(shù)與可靠性目錄01.電子封裝技術(shù)概述02.封裝材料與工藝03.封裝技術(shù)的可靠性04.封裝技術(shù)的挑戰(zhàn)與機(jī)遇05.封裝技術(shù)的案例分析06.封裝技術(shù)的未來(lái)展望電子封裝技術(shù)概述01封裝技術(shù)定義將芯片與外界連接并保護(hù)，確保穩(wěn)定工作環(huán)境的制造技術(shù)封裝技術(shù)概念提供物理保護(hù)、電氣連接、散熱及環(huán)境適應(yīng)性封裝技術(shù)功能發(fā)展歷程1950s-1980s，以DIP為代表，采用引線框架與環(huán)氧樹(shù)脂結(jié)合，封裝密度低。傳統(tǒng)封裝階段011990s-2010s，BGA、2.5D/3D封裝等技術(shù)突破，實(shí)現(xiàn)高密度集成。高密度封裝階段022010s至今，Chiplet、晶圓級(jí)封裝等技術(shù)興起，推動(dòng)系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化。先進(jìn)封裝階段03應(yīng)用領(lǐng)域消費(fèi)電子智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備等依賴封裝實(shí)現(xiàn)小型化與高性能航空航天高可靠性封裝保障極端環(huán)境下的電子系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行汽車電子封裝技術(shù)提升車載芯片的散熱與抗干擾能力封裝材料與工藝02常用封裝材料環(huán)氧樹(shù)脂成本低，工藝成熟，占市場(chǎng)主導(dǎo)，正朝環(huán)保型發(fā)展。塑料基材料氧化鋁、氮化鋁等，氣密性、熱穩(wěn)定性好，用于高可靠場(chǎng)景。陶瓷基材料銅、鋁等，散熱好，電磁屏蔽優(yōu)，用于散熱基板與射頻封裝。金屬基材料制造工藝流程晶圓減薄、劃片后，用粘片機(jī)將芯片固定在基板或框架上芯片制備與貼裝后固化確保材料完全固化，切筋成型分離封裝體，最后測(cè)試產(chǎn)品性能后處理與測(cè)試通過(guò)引線鍵合實(shí)現(xiàn)電氣連接，再注塑或燒結(jié)形成保護(hù)外殼鍵合與封裝成型010203工藝創(chuàng)新趨勢(shì)2.5D/3D封裝通過(guò)硅通孔實(shí)現(xiàn)多層堆疊，提升存儲(chǔ)帶寬5-8倍，HBM存儲(chǔ)器已實(shí)現(xiàn)12層堆疊。01先進(jìn)封裝工藝晶圓級(jí)封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)5nm以下工藝集成，I/O密度突破10000個(gè)/cm2，厚度降至50μm以下。02晶圓級(jí)封裝革新玻璃基板量產(chǎn)應(yīng)用于高頻通信，碳化硅封裝耐溫突破400℃，自修復(fù)封裝膠延長(zhǎng)器件壽命3倍。03材料體系突破封裝技術(shù)的可靠性03可靠性的重要性提升用戶體驗(yàn)可靠封裝技術(shù)降低產(chǎn)品故障率，增強(qiáng)用戶滿意度。保障產(chǎn)品性能高可靠性封裝確保電子產(chǎn)品性能穩(wěn)定，減少故障。0102可靠性測(cè)試方法模擬高低溫交替，驗(yàn)證封裝體抗熱疲勞能力，適用于晶圓級(jí)封裝驗(yàn)證。溫度循環(huán)測(cè)試01通過(guò)振動(dòng)、沖擊等測(cè)試，評(píng)估封裝體抵抗物理應(yīng)力的性能。機(jī)械強(qiáng)度測(cè)試02高溫高濕、高壓蒸煮等測(cè)試，評(píng)估封裝體在極端環(huán)境下的穩(wěn)定性。環(huán)境加速測(cè)試03提高可靠性的策略選用高導(dǎo)熱、低膨脹基板材料，提升散熱與抗熱應(yīng)力能力材料優(yōu)化策略01采用低溫?zé)Y(jié)納米銀技術(shù)，增強(qiáng)芯片與基板連接可靠性工藝改進(jìn)策略02通過(guò)三維布線優(yōu)化與開(kāi)槽設(shè)計(jì)，降低熱應(yīng)力集中風(fēng)險(xiǎn)設(shè)計(jì)優(yōu)化策略03封裝技術(shù)的挑戰(zhàn)與機(jī)遇04當(dāng)前面臨的主要挑戰(zhàn)3D封裝與SiP技術(shù)面臨散熱、信號(hào)干擾及互連密度提升的挑戰(zhàn)。高密度集成難題微凸塊測(cè)試、高頻信號(hào)完整性驗(yàn)證及多物理場(chǎng)耦合測(cè)試技術(shù)要求高，成本攀升。測(cè)試精度與成本射頻/模擬與數(shù)字功能集成需解決隔離度、噪聲干擾及材料兼容性問(wèn)題。異構(gòu)集成復(fù)雜性技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)3D封裝與TSV技術(shù)突破，實(shí)現(xiàn)芯片垂直堆疊，提升集成度與性能高密度集成趨勢(shì)Chiplet技術(shù)推動(dòng)多工藝節(jié)點(diǎn)芯片混合封裝，縮短設(shè)計(jì)周期，降低成本異構(gòu)集成興起玻璃基板、碳化硅封裝等新材料應(yīng)用，提升耐溫性與信號(hào)傳輸效率材料與工藝創(chuàng)新未來(lái)市場(chǎng)機(jī)遇5G、AI等新興技術(shù)發(fā)展，帶動(dòng)高端封裝市場(chǎng)需求增長(zhǎng)。新興技術(shù)需求環(huán)保政策推動(dòng)，綠色封裝材料和技術(shù)迎來(lái)發(fā)展新契機(jī)。綠色環(huán)保趨勢(shì)封裝技術(shù)的案例分析05成功案例分享某公司采用先進(jìn)封裝技術(shù)，提升芯片性能與可靠性，市場(chǎng)反響熱烈。芯片封裝優(yōu)化某項(xiàng)目通過(guò)創(chuàng)新封裝方案，實(shí)現(xiàn)微型器件高密度集成，降低成本顯著。微型器件封裝失敗案例剖析PCB分板時(shí)機(jī)械應(yīng)力拉斷金線，導(dǎo)致LED死燈，需優(yōu)化布線設(shè)計(jì)。LED分板死燈問(wèn)題01純錫鍍層在有鉛再流焊中不潤(rùn)濕，導(dǎo)致壓敏電阻虛焊，需改用Sn37Pb合金。壓敏電阻虛焊問(wèn)題02塑封料與芯片基板分層，引發(fā)金絲鍵合點(diǎn)斷開(kāi)，需控制焊接溫濕度。芯片封裝分層問(wèn)題03案例對(duì)行業(yè)的啟示技術(shù)革新驅(qū)動(dòng)01長(zhǎng)電科技通過(guò)收購(gòu)整合實(shí)現(xiàn)技術(shù)躍遷，啟示行業(yè)需以并購(gòu)加速技術(shù)迭代材料創(chuàng)新突破02環(huán)氧樹(shù)脂等新型材料應(yīng)用，推動(dòng)封裝向高密封性、耐腐蝕性方向發(fā)展失效分析價(jià)值03飛納電鏡在封裝失效分析中的應(yīng)用，凸顯精密檢測(cè)對(duì)提升可靠性的關(guān)鍵作用封裝技術(shù)的未來(lái)展望06技術(shù)發(fā)展方向封裝尺寸持續(xù)縮小，系統(tǒng)級(jí)封裝實(shí)現(xiàn)多芯片集成，提升設(shè)備性能。小型化與集成化新型封裝材料涌現(xiàn)，先進(jìn)工藝優(yōu)化，提升信號(hào)傳輸與散熱性能。材料與工藝創(chuàng)新與5G、AI、量子計(jì)算等融合，開(kāi)發(fā)適應(yīng)高頻、高速特性的封裝技術(shù)。融合新興技術(shù)行業(yè)應(yīng)用前景汽車電子領(lǐng)域耐高溫封裝保障功率模塊穩(wěn)定，提升安全性消費(fèi)電子領(lǐng)域先進(jìn)封裝助力設(shè)備更輕薄，提升性能與集成度