證券投資咨詢業(yè)務(wù)證書編號(hào)：S1300525證券投資咨詢業(yè)務(wù)證書編號(hào)：S1300522080003n綜述：數(shù)據(jù)擴(kuò)張+AI擴(kuò)散，存儲(chǔ)新周期加速到來。在數(shù)字經(jīng)存儲(chǔ)技術(shù)需求不斷擴(kuò)大的推動(dòng)下，存儲(chǔ)市場規(guī)模持續(xù)上升。從下游應(yīng)用結(jié)構(gòu)來看，AI端側(cè)存儲(chǔ)需求增長速度顯著高于其他細(xì)分市場儲(chǔ)需求快速增長，服務(wù)器領(lǐng)域存儲(chǔ)需求亦將保持較高增速。價(jià)格方面，著結(jié)構(gòu)性的產(chǎn)能轉(zhuǎn)換和多個(gè)維度的需求競爭，情況更為復(fù)雜，短缺和漲升級(jí)與混合鍵合等先進(jìn)工藝的導(dǎo)入，位元供給增長幅度有限，供不應(yīng)求n國產(chǎn)：原廠端奔赴全球標(biāo)準(zhǔn)+產(chǎn)業(yè)鏈自主，產(chǎn)品端錨定平臺(tái)化+品類升級(jí)。DRAM方面，長鑫存儲(chǔ)已正式推出LPDDR5X產(chǎn)品，NAND方面，長江存儲(chǔ)三期建設(shè)正邁向100%設(shè)備國產(chǎn)化目標(biāo)。技術(shù)方面，CBA+4F2在制程節(jié)點(diǎn)壓力以及混合鍵合技術(shù)積累加持之下或成為國產(chǎn)存儲(chǔ)彎道超車的必由之路。我們認(rèn)為，長江存儲(chǔ)和長鑫存儲(chǔ)作為國內(nèi)存儲(chǔ)芯片制造龍頭企業(yè)，生產(chǎn)經(jīng)營穩(wěn)中向好，推動(dòng)建設(shè)意志堅(jiān)定不移，有望為產(chǎn)業(yè)鏈帶來諸多機(jī)會(huì)。此外國內(nèi)利基存儲(chǔ)市場亦將在AI定制化存儲(chǔ)推動(dòng)下迎來發(fā)展良機(jī)。長期維度，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈或存在高度確定性機(jī)會(huì)。我們建議關(guān)注如下細(xì)分導(dǎo)體存儲(chǔ)器供應(yīng)鏈：【設(shè)備】：北方華創(chuàng)、中微公司、拓荊科技、邁為【CBADRAM】：晶合集成、匯成股份；【封裝】：綜述：數(shù)據(jù)擴(kuò)張+AI擴(kuò)散，存儲(chǔ)新周期加速到來 4AI驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)生成總量增長，存儲(chǔ)需求伴隨基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)運(yùn)而生 4 6 7供給端：結(jié)構(gòu)性供給受限持續(xù)，原廠競逐新技術(shù)藍(lán)海 需求端：AI產(chǎn)業(yè)鏈健康度打開遠(yuǎn)期需求空間 AI存儲(chǔ)需求激發(fā)HDD替代效應(yīng)，NANDFLASH結(jié)構(gòu)性需求旺盛 KVCACHE催生NAND新需求，以存帶算趨勢漸進(jìn) 服務(wù)器市場持續(xù)快速增長，漲價(jià)或抑制部分消費(fèi)需求 國產(chǎn)側(cè)：原廠端奔赴全球標(biāo)準(zhǔn)+產(chǎn)業(yè)鏈自主，產(chǎn)品端錨定平臺(tái)化+品類升 投資建議與風(fēng)險(xiǎn)提示 25 風(fēng)險(xiǎn)提示 4 4 4 5 5 6 6 6 6 7 8 9 9 9 10 12 13 13 14 15 15 15 16 16 17 17 17 18 19 20 21 21 22 23 24 24根據(jù)國際數(shù)據(jù)公司IDC預(yù)計(jì)，2025年全球?qū)a(chǎn)生21527.47ZB。其中，中國市場2025年將產(chǎn)生51.72019年的13%，從2024到2029年的復(fù)合年增長率達(dá)到40.9%。資本支出方面，隨著北美云端服務(wù)大廠陸續(xù)更新指本支出總額年增率從原本的61%上修至65%。2026年CSPs仍將維持積極的投資節(jié)奏，合計(jì)資本支資料來源：綠數(shù)頭條，Dell'Oro，中銀證券根據(jù)閃存市場，從資源端看，25Q4現(xiàn)貨512Gb及以上容量的NA一倍。而25Q4末，部分原廠釋放小批量資源供應(yīng)但價(jià)格高昂，下游存儲(chǔ)廠商基于此前囤積價(jià)庫存結(jié)合當(dāng)下回補(bǔ)的高價(jià)資源，尚能平鋪整體成本。隨著低價(jià)庫存快速消耗，未來高成本壓力將存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈可分為上游、中游和下游三大環(huán)節(jié)。我們中游環(huán)節(jié)負(fù)責(zé)存儲(chǔ)解決方案的設(shè)計(jì)、封裝及測試，是連接上游基礎(chǔ)元件與下游應(yīng)用的關(guān)鍵。行業(yè)主以滿足市場對存儲(chǔ)器產(chǎn)品的多樣化需求。其中，封裝測試環(huán)節(jié)對性能驗(yàn)證、缺陷檢測和良率提升至駛及工業(yè)能源等。各應(yīng)用市場對存儲(chǔ)產(chǎn)品在容量、速度、功耗及可靠性等方面有獨(dú)特要求，推動(dòng)存儲(chǔ)技術(shù)持續(xù)升級(jí)。數(shù)字經(jīng)濟(jì)各領(lǐng)域?qū)Υ鎯?chǔ)技術(shù)需求不斷擴(kuò)大的推動(dòng)下期間，其復(fù)合年增長率將保持在36.4%的較高水平，領(lǐng)先于所有下游應(yīng)用領(lǐng)域。存儲(chǔ)港股招股書，其存儲(chǔ)市場規(guī)模從2020年的268億美元提升至2024年的594億美元，復(fù)合年增動(dòng)因素，持續(xù)刺激對高性能存儲(chǔ)產(chǎn)品的需求，進(jìn)而推動(dòng)整體市場萬臺(tái)。作為人工智能應(yīng)用的核心計(jì)算基礎(chǔ)設(shè)施，AI服務(wù)器提供了強(qiáng)大的并為滿足AI應(yīng)用需求，需具備更大容量與更高傳輸速度。上述存儲(chǔ)器件共同協(xié)作，推動(dòng)AI服務(wù)器在n市場驅(qū)動(dòng)力：AI手機(jī)具備強(qiáng)大的端側(cè)算力，DRAM&共同構(gòu)成了設(shè)備性能的基石。在智能手機(jī)領(lǐng)域，MCP（多芯片封裝）技術(shù)通過集成進(jìn)一步優(yōu)化n市場驅(qū)動(dòng)力：車載信息娛樂系統(tǒng)（IVI）與高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）的功能疊加，導(dǎo)致車內(nèi)n存儲(chǔ)技術(shù)融合演進(jìn)：車載存儲(chǔ)體系呈現(xiàn)分層、多維度特征。DRAM則承擔(dān)起高精度地圖、行車數(shù)據(jù)記錄、個(gè)性化設(shè)置等關(guān)鍵數(shù)據(jù)的長期存儲(chǔ)任務(wù)，其大容量、高耐用性和抗震動(dòng)特性是支持汽車“軟件定義”與持續(xù)AR/VR設(shè)備，特別是AI眼鏡，正從娛樂工具向生產(chǎn)力球出貨量預(yù)計(jì)從2024年的960萬臺(tái)增長至2029年的1.06億臺(tái)。n市場驅(qū)動(dòng)力：應(yīng)用場景擴(kuò)展至教育、醫(yī)療、工業(yè)等專業(yè)領(lǐng)域，對語音助手、圖像識(shí)別、實(shí)時(shí)翻n存儲(chǔ)技術(shù)融合演進(jìn)：為應(yīng)對設(shè)備輕量化與高性能的雙重需求，存儲(chǔ)方案從分立走向高度集成。）：機(jī)器人產(chǎn)業(yè)正從執(zhí)行重復(fù)任務(wù)的自動(dòng)化設(shè)備，向具備環(huán)境感知和自主執(zhí)行能力的“具身智能”體進(jìn)化。根據(jù)佰維存儲(chǔ)港股招股書，到2029年，全球機(jī)器人銷售收入將達(dá)8785億元人民幣，其中具身n市場驅(qū)動(dòng)力：拓展至非結(jié)構(gòu)化環(huán)境下的復(fù)雜任務(wù)，要求機(jī)器人能進(jìn)行低延遲的自主決策與動(dòng)作n存儲(chǔ)技術(shù)融合演進(jìn)：DRAM作為臨時(shí)存儲(chǔ)核心，必須確保穩(wěn)定。存儲(chǔ)系統(tǒng)需為海量的環(huán)境建模與學(xué)習(xí)數(shù)據(jù)提供高可靠、高帶寬的持久化支持，這是機(jī)器后續(xù)的資本支出將會(huì)持續(xù)上漲，但對于2026年的產(chǎn)業(yè)的投資重心正逐漸轉(zhuǎn)變，從單純地?cái)U(kuò)充產(chǎn)能，轉(zhuǎn)向制程技術(shù)升級(jí)、高層數(shù)堆棧、混合鍵合以及HBM等高附加價(jià)值產(chǎn)品。長，2026年資本支出預(yù)計(jì)為205億美元，同比增長17%，主要用于M15x產(chǎn)能的小幅提升。然而，在產(chǎn)能擴(kuò)張方面存在結(jié)構(gòu)性制約。據(jù)TrendForce分析，目前無塵室資源已趨于緊張，在現(xiàn)有DRAM供應(yīng)商中，僅三星與SK海力士仍具備小幅擴(kuò)產(chǎn)的空間。美光則需待其美國ID1新廠于2027年投產(chǎn)后方可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能提升，因此2026年內(nèi)任何資本支出的上修對實(shí)際位元產(chǎn)出的貢獻(xiàn)均較為有限。預(yù)計(jì)為45億美元，同比增長41%，主要用于加速BiCS8量產(chǎn)及投入BiCS9研發(fā)。美光計(jì)于HBM與DRAM領(lǐng)域。盡管需求強(qiáng)勁，部分廠商因歷經(jīng)多次行業(yè)景氣循環(huán)，在資本支出與產(chǎn)能擴(kuò)張策略上趨于保守。2026年資本支出重點(diǎn)將轉(zhuǎn)向制程技術(shù)升級(jí)與混合鍵合等先進(jìn)工藝的導(dǎo)入，而非規(guī)模性擴(kuò)產(chǎn)。我們認(rèn)為，2026年NANDFlash位元供給增長幅度有限，供不應(yīng)求的市場狀態(tài)根據(jù)TrendForce的預(yù)測，從供應(yīng)端來看，2025年全球DRAM供應(yīng)將同比增長24%，2026年將同比同比增長28.4%，PC端內(nèi)存同比增長4.4%。Yearof2026YoY(%)23.1Mobile23.62.8Yearof2025YoY(%)4.428.4Mobile23.32.7從HBM技術(shù)路線來看，根據(jù)Tom’sh上代的5120GB增加到6144GB。此外，功率要求將隨性能而變化，從HBM4的每堆棧75W上從2026年到2038年，HBM的帶寬預(yù)計(jì)將從2TB根據(jù)TrendForce，AI推理應(yīng)用快速推升實(shí)時(shí)存取、高速處理海量數(shù)據(jù)的需求儲(chǔ)基石的NearlineHDD（近線硬盤）已出現(xiàn)供應(yīng)短缺。由于全球主要HDD制造商近年未規(guī)通過3D堆棧技術(shù)的演進(jìn)，產(chǎn)能提升速度遠(yuǎn)快于HDD。此外，隨著堆棧層數(shù)從上百層邁向200層以NearlineHDD弱強(qiáng)北美CSP早已規(guī)劃于溫?cái)?shù)據(jù)應(yīng)用擴(kuò)大采用SSD，但因?yàn)镠務(wù)器的需求占據(jù)了極高的比重。此外，目前智能智能手機(jī)內(nèi)存解決方案基本都是LPDDR4、LPDDR5。但是由52%，在2026年將提升至66%。2025年配備LPDDR5(X)的智能手機(jī)將占智能手機(jī)總產(chǎn)量的37根據(jù)華爾街見聞，在黃仁勛在CES演講中，敏銳地捕捉到了AIR1和OpenAIo1等模型的出現(xiàn)，AI開始展現(xiàn)出思維鏈能力。這意味著AI在給出答案前，需要消耗需要記住漫長的對話歷史和復(fù)雜的上下文，這會(huì)產(chǎn)生巨大的KVCache。傳統(tǒng)的擁有持續(xù)記憶的AI智能體，這種架構(gòu)顯然不可持續(xù)。英偉達(dá)的解決方案是一套全新的存儲(chǔ)架構(gòu)：基于Blue能手機(jī)的需求分別增長9%和11%，2026年YoYShipmentorProduction202620252026202525%25%DRAMContent20252025 20%24%24%2026NDFlashContent2025202520263%30%over60%11%國產(chǎn)側(cè)：原廠端奔赴全球標(biāo)準(zhǔn)+產(chǎn)業(yè)鏈自主，產(chǎn)品端錨定平臺(tái)10667Mbps。據(jù)官網(wǎng)產(chǎn)品信息介紹，LPDDR5/5XLPDDR5提升了66%，同時(shí)可以兼容LPDDR5，功耗則比LPDDR5降低了30%。圖表31.長鑫存儲(chǔ)正式推出LPDDR5X內(nèi)存的設(shè)備，運(yùn)行Llama2等大型語言模型時(shí)，響應(yīng)速艦手機(jī)而言，這一速率可輕松支撐8K視頻連拍、高幀率游戲多開等高頻場景，解決能規(guī)劃一度腰斬，面臨嚴(yán)峻生存危機(jī)。然而，這場危機(jī)也強(qiáng)力催化了其供應(yīng)鏈的全面國產(chǎn)化進(jìn)程。通過國內(nèi)設(shè)備廠商組成“攻堅(jiān)聯(lián)盟”，長江存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)了設(shè)備國產(chǎn)化率的快速提升，從制裁前的較低水平升至2024年的約45%，遠(yuǎn)超國內(nèi)同業(yè)平均水平，2過雙層堆疊實(shí)現(xiàn)294層等效密度，接口速度達(dá)3600MT/s，性能比肩三其自主研發(fā)的Xtacking晶棧架構(gòu)成為關(guān)鍵技術(shù)，約束條件尋求“最優(yōu)解”，CBA+4F2技術(shù)引領(lǐng)“彎道超車”漸進(jìn)式改進(jìn)已經(jīng)不再足夠。前進(jìn)的道路需要在架構(gòu)上進(jìn)行創(chuàng)新，重新思考存儲(chǔ)單元的構(gòu)建方式以及進(jìn)行描述，類似于標(biāo)準(zhǔn)邏輯單元以“軌道高度”作為比較基準(zhǔn)的方法。其中，F(xiàn)通常指制造工藝中線寬或間距，因此“線-間距”重復(fù)單元的節(jié)距為可實(shí)現(xiàn)尺寸為2F×2F，即4F2。中國供應(yīng)商長鑫存儲(chǔ)于2023年底公開了基于垂直溝道晶體管（VCT）的4F2布局方案，并將其用于18納米節(jié)點(diǎn)DRAM的開發(fā)。相較于三星、SK海力士和美光等頭部廠商仍可通過現(xiàn)有架構(gòu)延續(xù)微縮，我們認(rèn)為長鑫的選擇反映了其在制程節(jié)點(diǎn)追趕壓力下更為激進(jìn)的架構(gòu)轉(zhuǎn)型，或有望借此實(shí)現(xiàn)技術(shù)迭代。的摻雜輪廓。與此同時(shí)，外圍線路受益于具有高介電常數(shù)金屬柵極、應(yīng)變硅溝道以及多個(gè)閾值電壓選項(xiàng)的先進(jìn)邏輯工藝，這些可最大化性能并最小化功耗。試圖在同一晶圓上制造這兩個(gè)部分會(huì)強(qiáng)制陣列及其數(shù)十億個(gè)存儲(chǔ)電容器和訪問晶體管，而第二個(gè)晶圓容納所有外圍線路，包括感測放大器、行和列解碼器、輸入/輸出驅(qū)動(dòng)器以及控制邏對晶圓混合鍵合將它們連接起來，通過界面處的直接銅對銅和介電對介電鍵合創(chuàng)建電氣連接。的情況下，采用能夠確?？煽啃缘谋匾獪囟冗M(jìn)行熱處理。通過將兩種晶圓的制造工藝加以區(qū)分，可統(tǒng)芯片堆疊方法不同，混合鍵合在兩個(gè)晶圓上的銅焊盤之間實(shí)現(xiàn)直接的金屬對金屬接觸。該工藝從當(dāng)晶圓在精心控制的條件下接觸時(shí)，介電表面首先通過范德華力和氫鍵鍵合。隨后的熱處理使銅焊接的永久鍵合，這些連接的電阻和可靠性特征幾乎與單個(gè)晶圓內(nèi)的傳統(tǒng)金屬互連相同。鍵合界面與周圍材料幾乎無法區(qū)分，從兩個(gè)單獨(dú)處理的晶圓創(chuàng)建了實(shí)際上的單一單片結(jié)構(gòu)。列與外圍晶圓設(shè)立獨(dú)立工藝流程及相應(yīng)的潔凈室或生產(chǎn)隔離區(qū)，且鍵合過程對環(huán)境控制的要求接近先進(jìn)邏輯工藝水準(zhǔn)，導(dǎo)致現(xiàn)有產(chǎn)線需進(jìn)行重大基礎(chǔ)設(shè)施升級(jí)。設(shè)備投資模式也將顯著變化，晶圓鍵合作為新增設(shè)備類別，單價(jià)高且需求量較大，同時(shí)鍵合前后的檢測與計(jì)量系統(tǒng)變得更為關(guān)鍵，以降低合損風(fēng)險(xiǎn)。此外，該架構(gòu)在理論上為供應(yīng)鏈分解創(chuàng)造了可能，但由于設(shè)計(jì)集成度高、技術(shù)專有及競爭敏感，短期內(nèi)更可能由整合器件制造商控制核心晶圓制造，而將鍵合等環(huán)節(jié)外包以獲取產(chǎn)能彈2025年以來，臺(tái)股三大利基存儲(chǔ)廠商旺宏、華邦電、南亞科合計(jì)營收大體呈亞科技2025Q4營業(yè)收入達(dá)300.94NORFlash方面，根據(jù)TechNowvoice新聞工，并尋求與其他晶圓代工廠合作。由于大量的產(chǎn)能承接需要磨合技術(shù)、良率、產(chǎn)品等認(rèn)證，NOR和NAND價(jià)格持續(xù)上漲后，NORFlash市場也傳出報(bào)價(jià)即將調(diào)漲的消價(jià)格長期疲軟。中國市場率先在25Q3調(diào)漲報(bào)表示，在Flash產(chǎn)品方面，公司短期感受到供給側(cè)產(chǎn)能相對緊張，未來隨著合作fab廠新開然而，人工智能的發(fā)展不僅依賴于性能強(qiáng)勁的計(jì)算芯片，更離不開高性能內(nèi)存的協(xié)同配合。傳統(tǒng)內(nèi)的存儲(chǔ)廠商也普遍將3DDRAM視為下一代內(nèi)存技術(shù)突破帶寬瓶頸的關(guān)鍵方向。雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DoubleDataRate每個(gè)時(shí)鐘周期的上升沿和下降沿服務(wù)器、電腦LPDDR(LowPowerDDR)低功耗，適配移動(dòng)設(shè)備續(xù)航需求GDDR(GraphicsDDR)GDDR(GraphicsDDR) 速計(jì)算設(shè)備等流程，助力用戶縮短產(chǎn)品研發(fā)周期、最大化提升產(chǎn)品性能。該技術(shù)現(xiàn)已成功支持包括知名廠商在內(nèi)鏈或存在高度確定性機(jī)會(huì)。我們建議關(guān)注如下細(xì)分方【利基存儲(chǔ)】：兆易創(chuàng)新、東芯股份、普冉股份、聚辰股份、【材料】：華海誠科、聯(lián)瑞新材、深南電路、興森科技、廣鋼氣體、雅克科技（化工組覆蓋）、興福電子【CBADRAM】：晶合集成、匯成股份行業(yè)周期性波動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)：存儲(chǔ)芯片具備大宗商品屬性，價(jià)格極易受供需關(guān)系影響。若未來產(chǎn)能擴(kuò)張過技術(shù)迭代與競爭加劇風(fēng)險(xiǎn)：存儲(chǔ)技術(shù)迭代迅速，若企業(yè)研發(fā)跟進(jìn)不地緣政治與供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)：全球各國推進(jìn)“主權(quán)AI”，貿(mào)易政策、技術(shù)禁運(yùn)等不確定性可能擾亂全球供應(yīng)鏈，影響中國存儲(chǔ)企業(yè)的技術(shù)獲取和市場拓展。本報(bào)告準(zhǔn)確表述了證券分析師的個(gè)人觀點(diǎn)。該證券分析師聲明，本人未在公司內(nèi)、外部機(jī)構(gòu)兼任有損本人獨(dú)立性與客觀性的其他職務(wù)，沒有擔(dān)任本報(bào)告評論的上市公司的董事、監(jiān)事或高級(jí)管理人員；也不擁有與該上市公司有關(guān)的任何財(cái)務(wù)權(quán)益；本報(bào)告評論的上市公司或其它第三方都沒有或沒有承諾向本人提中銀國際證券股份有限公司同時(shí)聲明，將通過公司網(wǎng)站披露本公司授權(quán)公眾媒體及其他機(jī)構(gòu)刊載或者轉(zhuǎn)發(fā)證券研究報(bào)以防止被誤導(dǎo)，中銀國際證券股份有限公司不對其或恒生中國企業(yè)指數(shù)；美股市場基準(zhǔn)指數(shù)為納斯達(dá)克綜合指數(shù)或標(biāo)普500指數(shù)。本報(bào)告由中銀國際證券股份有限公司證券分析師撰寫并向特定客戶發(fā)布。本報(bào)告發(fā)布的特定客戶包括：1)基金、保險(xiǎn)、QFII、QDII等能夠充分理解證券研究報(bào)告，具備專業(yè)信息處理能力的中銀國際證券股份有限公司的機(jī)構(gòu)客戶；2)中銀國際證券股份有限公司的證券投資顧問服務(wù)團(tuán)隊(duì)，其可參考使用本報(bào)告。中銀國際證券股份有限公司的證券投資顧問服務(wù)團(tuán)隊(duì)可能以本報(bào)告為基礎(chǔ)，整合形成證券投資顧問服務(wù)建議或產(chǎn)品，提供給接受其證券投資顧問服務(wù)的客戶。中銀國際證券股份有限公司不以任何方式或渠道向除上述特定客戶外的公司個(gè)人客戶提供本報(bào)告。中銀國際證券股份有限公司的個(gè)人客戶從任何外部渠道獲得本報(bào)告的，亦不應(yīng)直接依據(jù)所獲得的研究報(bào)告作出投資決策；需充分咨詢證券投資顧問意見，獨(dú)立作出投資決策。中銀國際證券股份有限公司不承擔(dān)由此產(chǎn)生的任何責(zé)任及損失等。本報(bào)告內(nèi)含保密信息，僅供收件人使用。閣下作為收件人，不得出于任何目的直接或間接復(fù)制、派發(fā)或轉(zhuǎn)發(fā)此報(bào)告全部或部分內(nèi)容予任何其他人，或?qū)⒋藞?bào)告全部或部分內(nèi)容發(fā)表。如發(fā)現(xiàn)本研究報(bào)告被私自刊載或轉(zhuǎn)發(fā)的，中銀國際證券股份有限公司將及時(shí)采取維權(quán)措施，追究有關(guān)媒體或者機(jī)構(gòu)的責(zé)任。所有本報(bào)告內(nèi)使用的商標(biāo)、服務(wù)標(biāo)記及標(biāo)記均為中銀國際證券股份有限公司或其附屬及關(guān)聯(lián)公司（統(tǒng)稱“中銀國際集團(tuán)”）的商標(biāo)、服務(wù)標(biāo)記、注冊商標(biāo)或注冊服務(wù)標(biāo)記。本報(bào)告及其所載的任何信息、材料或內(nèi)容只提供給閣下作參考之用，并未考慮到任何特別的投資目的、財(cái)務(wù)狀況或特殊需要，不能成為或被視為出售或購買或認(rèn)購證券或其它金融票據(jù)的要約或邀請，亦不構(gòu)成任何合約或承諾的基礎(chǔ)。中銀國際證券股份有限公司不能確保本報(bào)告中提及的投資產(chǎn)品適合任何特定投資者。本報(bào)告的內(nèi)容不構(gòu)成對任何人的投資建議，閣下不會(huì)因?yàn)槭盏奖緢?bào)告而成為中銀國際集團(tuán)的客戶。閣下收到或閱讀本報(bào)告須在承諾購買任何報(bào)告中所指之投資產(chǎn)品之前，就該投資產(chǎn)品的適合性，包括閣下的特殊投資目的、財(cái)務(wù)狀況及其特別需要尋求閣下相關(guān)投資顧問的意見。盡管本報(bào)告所載資料的來源及觀點(diǎn)都是中銀國際證券股份有限公司及其證券分析師從相信可靠的來源取得或達(dá)到，但撰寫本報(bào)告的證券分析師或中銀國際集團(tuán)的任何成員及其董事、高管、員工或其他任何個(gè)人（包括其關(guān)聯(lián)方）都不能保證它們的準(zhǔn)確性或完整性。除非法律或規(guī)則規(guī)定必須承擔(dān)的責(zé)任外，中銀國際集團(tuán)任何成員不對使用本報(bào)