2026秋招：版圖設(shè)計題庫及答案

單項選擇題（每題2分，共10題）1.版圖設(shè)計中，哪種布線方式常用于電源和地線？A.水平布線B.垂直布線C.網(wǎng)格布線D.斜向布線2.版圖中用于隔離不同器件的結(jié)構(gòu)是？A.接觸孔B.通孔C.保護(hù)環(huán)D.多晶硅3.版圖設(shè)計的最終目標(biāo)是？A.面積最小B.速度最快C.滿足功能和性能要求D.功耗最低4.以下哪種工具常用于版圖設(shè)計？A.MATLABB.CadenceVirtuosoC.PythonD.Excel5.版圖中多晶硅主要用于制作？A.電阻B.電容C.晶體管柵極D.金屬連線6.版圖設(shè)計中，DRC檢查的是？A.電氣規(guī)則B.設(shè)計規(guī)則C.邏輯規(guī)則D.時序規(guī)則7.版圖中金屬層的作用是？A.制作晶體管B.提供電氣連接C.形成電容D.構(gòu)成保護(hù)環(huán)8.版圖設(shè)計時，減小寄生電容可以？A.增加金屬層間距B.減小金屬層間距C.增加多晶硅寬度D.減小接觸孔尺寸9.在版圖中，有源區(qū)主要用于？A.制作晶體管源漏區(qū)B.制作電阻C.制作電容D.制作金屬連線10.版圖設(shè)計流程中，布局之后的步驟是？A.原理圖設(shè)計B.布線C.驗證D.提取參數(shù)多項選擇題（每題2分，共10題）1.版圖設(shè)計中常用的層次有？A.有源區(qū)B.多晶硅C.金屬層D.接觸孔層2.版圖驗證包括？A.DRCB.LVSC.ERCD.PEX3.版圖設(shè)計需要考慮的因素有？A.面積B.功耗C.速度D.可制造性4.版圖中減小噪聲的方法有？A.合理布局B.增加去耦電容C.優(yōu)化布線D.減小電源電壓5.版圖設(shè)計中，影響寄生電阻的因素有？A.金屬線寬度B.金屬線長度C.多晶硅厚度D.接觸孔尺寸6.版圖中制作電容的方法有？A.多晶硅-多晶硅電容B.金屬-金屬電容C.有源區(qū)-多晶硅電容D.多晶硅-襯底電容7.版圖設(shè)計中，改善時序的方法有？A.調(diào)整布局B.優(yōu)化布線C.減小負(fù)載電容D.增加電源電壓8.版圖設(shè)計流程包括？A.原理圖設(shè)計B.版圖布局C.版圖布線D.版圖驗證9.版圖中保護(hù)環(huán)的作用有？A.隔離噪聲B.防止閂鎖效應(yīng)C.減小寄生電容D.提高速度10.版圖設(shè)計中，選擇金屬層時需考慮的因素有？A.電阻B.電容C.電流承載能力D.工藝限制判斷題（每題2分，共10題）1.版圖設(shè)計只需要考慮面積最小化。（）2.版圖中接觸孔和通孔的作用相同。（）3.版圖驗證可以確保設(shè)計的正確性。（）4.多晶硅在版圖設(shè)計中只能用于制作晶體管柵極。（）5.版圖設(shè)計中，布線越密集越好。（）6.減小金屬層間距可以減小寄生電容。（）7.版圖設(shè)計流程中，驗證是最后一個步驟。（）8.保護(hù)環(huán)在版圖中可以隨意放置。（）9.版圖設(shè)計不需要考慮可制造性。（）10.版圖中制作電阻只能使用多晶硅。（）簡答題（每題5分，共4題）1.簡述版圖設(shè)計中DRC檢查的重要性。2.版圖設(shè)計時如何減小寄生參數(shù)的影響？3.版圖驗證包含哪些內(nèi)容，各有什么作用？4.版圖設(shè)計流程有哪些主要步驟？討論題（每題5分，共4題）1.討論版圖設(shè)計中面積、速度和功耗之間的關(guān)系。2.如何在版圖設(shè)計中提高芯片的可靠性？3.談?wù)劙鎴D設(shè)計中布線規(guī)劃的重要性。4.分析版圖設(shè)計中可制造性設(shè)計的意義。答案單項選擇題1.C2.C3.C4.B5.C6.B7.B8.A9.A10.B多項選擇題1.ABCD2.ABCD3.ABCD4.ABC5.ABCD6.ABC7.ABC8.ABCD9.AB10.ABCD判斷題1.×2.×3.√4.×5.×6.×7.√8.×9.×10.×簡答題1.DRC檢查可確保版圖符合工藝規(guī)定的設(shè)計規(guī)則，避免因設(shè)計違規(guī)導(dǎo)致芯片制造失敗或性能下降，保證芯片可制造性和良率。2.可增加金屬層間距、優(yōu)化布線、合理布局器件、選擇合適尺寸的接觸孔和通孔等，減小寄生電阻和電容影響。3.包括DRC查設(shè)計規(guī)則、LVS比版圖與原理圖一致性、ERC查電氣規(guī)則、PEX提取寄生參數(shù)，確保設(shè)計正確和性能達(dá)標(biāo)。4.主要步驟有原理圖設(shè)計、版圖布局、版圖布線、版圖驗證、參數(shù)提取和后仿真等。討論題1.面積小可能提升速度，但會增加功耗；降低功耗可能影響速度。需平衡三者，按設(shè)計需求優(yōu)化。2.合理布局布線、設(shè)置保護(hù)環(huán)、減小噪聲干擾、確保DRC和LVS通過，提高芯片抗干擾和穩(wěn)定性