半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備工程師崗位招聘考試試卷及答案半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備工程師崗位招聘考試試卷及答案一、填空題（共10題，每題1分，共10分）1.刻蝕按原理分為______刻蝕和干法刻蝕兩大類。2.干法刻蝕中最常用的等離子體源類型之一是______耦合等離子體（ICP）。3.濕法刻蝕通常具有______（各向同性/各向異性）的刻蝕特性。4.刻蝕工藝中，用于保護(hù)未刻蝕區(qū)域的薄膜稱為______。5.反應(yīng)離子刻蝕（RIE）結(jié)合了______和化學(xué)刻蝕的雙重作用。6.深反應(yīng)離子刻蝕（DRIE）常用的工藝是______工藝（交替鈍化與刻蝕）。7.刻蝕速率的常用單位是______（如nm/min）。8.等離子體中產(chǎn)生的______物種（如自由基、離子）是刻蝕的主要活性成分。9.刻蝕SiO?常用的含氟氣體是______（如CF?、SF?）。10.濕法刻蝕的核心是______與待刻蝕材料的化學(xué)反應(yīng)。二、單項(xiàng)選擇題（共10題，每題2分，共20分）1.下列哪種刻蝕類型具有各向異性特征？A.濕法刻蝕B.RIE刻蝕C.化學(xué)濕法刻蝕D.等離體液刻蝕2.ICP刻蝕中，______功率主要控制等離子體密度。A.ICP源B.偏壓C.微波D.直流3.濕法刻蝕不適合用于以下哪種場(chǎng)景？A.大尺寸圖形B.高深寬比結(jié)構(gòu)C.低損傷要求D.低成本工藝4.刻蝕終點(diǎn)檢測(cè)的常用光學(xué)方法是______。A.OES（光學(xué)發(fā)射光譜）B.XRDC.SEMD.AFM5.等離子體中，電子溫度與離子溫度的關(guān)系是______。A.電子溫度≈離子溫度B.電子溫度>離子溫度C.電子溫度<離子溫度D.無關(guān)6.以下哪種氣體主要用于硅的干法刻蝕？A.CF?B.Cl?C.O?D.N?7.DRIE工藝的核心是______交替循環(huán)。A.沉積與刻蝕B.氧化與還原C.擴(kuò)散與反應(yīng)D.吸附與解吸8.刻蝕設(shè)備中，用于維持高真空的常用泵是______。A.旋片泵B.分子泵C.真空泵D.離心泵9.刻蝕選擇性是指______的速率比。A.刻蝕材料與掩模B.刻蝕材料與襯底C.刻蝕材料與其他雜質(zhì)D.掩模與襯底10.下列哪種因素不會(huì)影響刻蝕速率？A.氣體流量B.襯底溫度C.環(huán)境濕度D.射頻功率三、多項(xiàng)選擇題（共10題，每題2分，共20分）1.干法刻蝕的主要類型包括______。A.RIEB.ICPC.DRIED.微波等離子體刻蝕2.濕法刻蝕的特點(diǎn)有______。A.各向同性B.選擇性好C.設(shè)備簡單D.無真空要求3.刻蝕終點(diǎn)檢測(cè)的方法包括______。A.OESB.質(zhì)譜法C.電阻法D.激光干涉法4.ICP刻蝕的優(yōu)勢(shì)有______。A.高等離子體密度B.低損傷C.高各向異性D.低成本5.影響刻蝕選擇性的因素有______。A.氣體種類B.壓力C.射頻功率D.襯底溫度6.半導(dǎo)體刻蝕常用的氣體有______。A.CF?B.Cl?C.O?D.SF?7.DRIE的Bosch工藝步驟包括______。A.鈍化（如沉積聚合物）B.各向異性刻蝕C.氧化D.還原8.刻蝕設(shè)備的核心組成部分包括______。A.真空系統(tǒng)B.氣體輸送系統(tǒng)C.射頻系統(tǒng)D.終點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)9.濕法刻蝕的安全注意事項(xiàng)包括______。A.通風(fēng)良好B.佩戴防護(hù)裝備C.廢液分類處理D.高溫操作10.減少刻蝕微負(fù)載效應(yīng)的方法有______。A.優(yōu)化氣體流量B.調(diào)整壓力C.降低功率D.增加鈍化層厚度四、判斷題（共10題，每題2分，共20分）1.干法刻蝕均為各向異性刻蝕。（）2.濕法刻蝕的選擇性一定優(yōu)于干法刻蝕。（）3.ICP刻蝕中，偏壓功率主要控制離子能量。（）4.OES終點(diǎn)檢測(cè)通過檢測(cè)刻蝕產(chǎn)物的特征光譜實(shí)現(xiàn)。（）5.DRIE可實(shí)現(xiàn)高深寬比（>10:1）的硅刻蝕。（）6.光刻膠在刻蝕后無需完全去除。（）7.濕法刻蝕不需要真空環(huán)境。（）8.RIE屬于等離子體刻蝕的一種。（）9.刻蝕速率隨壓力升高線性增加。（）10.Cl?主要用于鋁等金屬的干法刻蝕。（）五、簡答題（共4題，每題5分，共20分）1.簡述干法刻蝕與濕法刻蝕的主要區(qū)別。2.說明ICP刻蝕的工作原理及核心優(yōu)勢(shì)。3.列舉3種刻蝕終點(diǎn)檢測(cè)方法，并簡述其原理。4.濕法刻蝕的安全操作注意事項(xiàng)有哪些？六、討論題（共2題，每題5分，共10分）1.如何優(yōu)化刻蝕工藝的均勻性？請(qǐng)結(jié)合至少2個(gè)關(guān)鍵因素說明。2.分析DRIE工藝中微負(fù)載效應(yīng)的產(chǎn)生原因，并提出至少2種解決方法。---答案部分一、填空題答案1.濕法2.電感3.各向同性4.掩模5.物理轟擊6.Bosch7.納米每分鐘（nm/min）8.活性9.含氟氣體10.刻蝕液二、單項(xiàng)選擇題答案1.B2.A3.B4.A5.B6.B7.A8.B9.A10.C三、多項(xiàng)選擇題答案1.ABCD2.ABCD3.ABCD4.ABC5.ABCD6.ABCD7.AB8.ABCD9.ABC10.AB四、判斷題答案1.×2.×3.√4.√5.√6.×7.√8.√9.×10.√五、簡答題答案1.區(qū)別：①原理：干法靠等離子體活性物種（離子/自由基）的物理化學(xué)作用，濕法靠化學(xué)試劑與材料的化學(xué)反應(yīng)；②各向異性：干法多為各向異性（適合小尺寸），濕法為各向同性（不適合高深寬比）；③環(huán)境：干法需真空，濕法無需；④損傷：干法可能有離子轟擊損傷，濕法損傷低；⑤選擇性：濕法通常更高，但干法可通過參數(shù)調(diào)整優(yōu)化。2.原理：電感耦合射頻源產(chǎn)生高密度等離子體，離子/自由基擴(kuò)散至襯底，偏壓電源控制離子轟擊能量。優(yōu)勢(shì)：①高密度等離子體（1011~1012cm?3），刻蝕速率快；②低偏壓下實(shí)現(xiàn)高各向異性，減少襯底損傷；③工藝窗口寬，適合高深寬比刻蝕；④材料選擇性可調(diào)。3.方法及原理：①OES：檢測(cè)刻蝕產(chǎn)物（如SiF?）的特征光譜強(qiáng)度，強(qiáng)度驟變達(dá)終點(diǎn)；②激光干涉法：監(jiān)測(cè)襯底反射光干涉條紋變化，條紋消失達(dá)終點(diǎn)；③電阻法：利用刻蝕停止層（如SiO?）與襯底（如Si）的電阻差異，突變達(dá)終點(diǎn)。4.注意事項(xiàng)：①通風(fēng)：操作間強(qiáng)通風(fēng)，避免化學(xué)蒸汽積聚；②防護(hù)：佩戴耐酸堿手套、護(hù)目鏡、防護(hù)服；③廢液：分類收集酸/堿廢液，中和后排放；④操作：避免試劑混合（如酸+堿），防止飛濺；⑤應(yīng)急：備急救箱，接觸試劑立即用清水沖洗并就醫(yī)。六、討論題答案1.優(yōu)化均勻性：①氣體流量均勻性：采用多噴嘴均勻分布的氣體輸送系統(tǒng)，確保反應(yīng)腔各區(qū)域氣體濃度一致；②射頻功率耦合：使用均勻耦合的ICP多線圈設(shè)計(jì)，避免功率集中；③溫度均勻性：襯底臺(tái)采用溫控均勻的加熱/冷卻系統(tǒng)，減少溫度梯度影響。例如，調(diào)整噴嘴角度可使中心與邊緣刻蝕速率差異從15%降至5%以內(nèi)。2.微負(fù)載效應(yīng)：原因：深槽內(nèi)反應(yīng)產(chǎn)物排出慢、活性物種補(bǔ)充少，導(dǎo)致深槽刻蝕速率慢于淺槽。解