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[16]進(jìn)行替代。本文我們的光場(chǎng)限制因子表達(dá)式的推導(dǎo)也會(huì)用到此公式。無限擴(kuò)展周期性多層薄膜結(jié)構(gòu)一般是由介電常數(shù)分別為1和2的兩種介質(zhì)周期性交替排列而構(gòu)成的。設(shè)這兩種介質(zhì)膜（基膜）的厚度分別為h1和h2，則一個(gè)周期的長(zhǎng)度h1+h2。對(duì)半導(dǎo)體多量子阱來說，基膜的厚度一般為幾個(gè)原子層的厚度。并且根據(jù)對(duì)稱性分析，預(yù)估這類結(jié)構(gòu)的介電張量與單軸晶體的介電張量具有相同的形式。即y=D其中Ey(1)和Ey(2)分別是介質(zhì)1和介質(zhì)2中電場(chǎng)強(qiáng)度的y分量。由于EyE其中Ey為在一個(gè)周期中電場(chǎng)強(qiáng)度的平均值，由Dε類似地，x方向上電場(chǎng)強(qiáng)度的分量Ex在一個(gè)周期上的平均值為E由Dx在界面上法向連續(xù)的性質(zhì)，并且忽略薄膜層內(nèi)Dx的變化，可得D再由E可得ε式1.39和式1.43兩式即為在TE和TM兩種偏振態(tài)下，無限擴(kuò)展周期性多層薄膜的等效介電系數(shù)公式。

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