ICS31200

CCSL.56

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T449376—2025/IEC61967-62008

.:

集成電路電磁發(fā)射測(cè)量

第6部分傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量磁場(chǎng)探頭法

:

Integratedcircuits—Measurementofelectromagneticemissions—

Part6Measurementofconductedemissions—Maneticrobemethod

:gp

IEC61967-62008Interatedcircuits—Measurementof

(:,g

electromaneticemissions150kHzto1GHz—Part6Measurementof

g,:

conductedemissions—ManeticrobemethodIDT

gp,)

2025-12-31發(fā)布2026-07-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T449376—2025/IEC61967-62008

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

概述

4………………………1

測(cè)量基礎(chǔ)

4.1……………1

測(cè)量原理

4.2……………2

試驗(yàn)條件

5…………………2

概述

5.1…………………2

頻率范圍

5.2……………2

試驗(yàn)設(shè)備

6…………………2

概述

6.1…………………2

磁場(chǎng)探頭

6.2……………2

探頭間距固定裝置和探頭的放置

6.3…………………2

試驗(yàn)布置

7…………………5

概述

7.1…………………5

探頭校準(zhǔn)

7.2……………5

標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)板的改進(jìn)

7.3IC………………5

試驗(yàn)程序

8…………………9

概述

8.1…………………9

試驗(yàn)技術(shù)

8.2……………9

試驗(yàn)報(bào)告

9…………………10

通則

9.1…………………10

文件

9.2…………………10

附錄規(guī)范性探頭校準(zhǔn)程序微帶線(xiàn)法

A()—……………11

前置放大器

A.1………………………11

頻譜分析儀設(shè)置

A.2…………………11

微帶線(xiàn)

A.3……………11

校準(zhǔn)

A.4………………11

附錄資料性測(cè)量原理和校準(zhǔn)因子

B()…………………13

附錄資料性磁場(chǎng)探頭的空間分辨率

C()………………16

附錄資料性探頭的放置角度

D()………………………17

附錄資料性改進(jìn)型磁場(chǎng)探頭

E()………………………18

Ⅰ

GB/T449376—2025/IEC61967-62008

.:

概述

E.1…………………18

改進(jìn)型磁場(chǎng)探頭固定裝置

E.2…………18

磁場(chǎng)探頭的空間分辨率

E.3……………24

探頭的放置角度

E.4……………………25

校準(zhǔn)因子

E.5……………26

探頭和微帶線(xiàn)的校準(zhǔn)

E.6………………28

試驗(yàn)板

E.7………………30

參考文獻(xiàn)

……………………32

Ⅱ

GB/T449376—2025/IEC61967-62008

.:

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是集成電路電磁發(fā)射測(cè)量的第部分已經(jīng)發(fā)布了以下

GB/T44937《》6。GB/T44937

部分

:

第部分通用條件和定義

———1:;

第部分輻射發(fā)射測(cè)量小室和寬帶小室法

———2:TEMTEM;

第部分輻射發(fā)射測(cè)量表面掃描法

———3:;

第部分傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量直接耦合法

———4:1Ω/150Ω;

第部分傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量工作臺(tái)法拉第籠法

———5:;

第部分傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量磁場(chǎng)探頭法

———6:;

第部分輻射發(fā)射測(cè)量帶狀線(xiàn)法

———8:IC。

本文件等同采用集成電路電磁發(fā)射測(cè)量第部分傳導(dǎo)

IEC61967-6:2008《150kHz~1GHz6:

發(fā)射測(cè)量磁場(chǎng)探頭法

》。

本文件做了下列最小限度的編輯性改動(dòng)

:

為與現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)協(xié)調(diào)將標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng)改為集成電路電磁發(fā)射測(cè)量第部分傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量

———,《6:

磁場(chǎng)探頭法

》;

納入了技術(shù)勘誤的內(nèi)容在所涉及的條款外側(cè)頁(yè)邊空白位置

———IEC61967-6:2008/COR1:2010,

用垂直雙線(xiàn)進(jìn)行了標(biāo)示

(||)。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專(zhuān)利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專(zhuān)利的責(zé)任

。。

本文件由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出

。

本文件由全國(guó)集成電路標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC599)。

本文件起草單位中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院北京智芯微電子科技有限公司天津先進(jìn)技術(shù)研究

:、、

院工業(yè)和信息化部電子第五研究所廈門(mén)海諾達(dá)科學(xué)儀器有限公司浙江大學(xué)上海市計(jì)量測(cè)試技術(shù)研

、、、、

究院中山大學(xué)北京國(guó)家新能源汽車(chē)技術(shù)創(chuàng)新中心有限公司深圳市中興微電子技術(shù)有限公司健研檢

、、、、

測(cè)集團(tuán)有限公司中汽研新能源汽車(chē)檢驗(yàn)中心天津有限公司北京中電華大電子設(shè)計(jì)有限責(zé)任公司

、()、、

安徽省計(jì)量科學(xué)研究院南京信息工程大學(xué)中國(guó)民航大學(xué)聯(lián)想北京有限公司東南大學(xué)中國(guó)汽車(chē)

、、、()、、

工程研究院股份有限公司中國(guó)信息通信研究院中國(guó)合格評(píng)定國(guó)家認(rèn)可中心豪威北方集成電路有限

、、、

公司上海雷卯電子科技有限公司中家院北京檢測(cè)認(rèn)證有限公司深圳市品聲科技有限公司

、、()、。

本文件主要起草人付君崔強(qiáng)萬(wàn)發(fā)雨方文嘯吳建飛朱賽邵偉恒魏興昌葉暢高杰劉超

:、、、、、、、、、、、

李金龍雷黎麗梁吉明龍發(fā)明鐘嘉強(qiáng)張潔王少啟王健偉呂飛燕周香黃雪梅臧琦劉佳

、、、、、、、、、、、、、

薛樹(shù)成胡光亮楊統(tǒng)乾陸振璘

、、、。

Ⅲ

GB/T449376—2025/IEC61967-62008

.:

引言

為規(guī)范集成電路電磁發(fā)射測(cè)量以及為集成電路制造商和檢測(cè)機(jī)構(gòu)提供不同的電磁發(fā)射測(cè)量方

,

法集成電路電磁發(fā)射測(cè)量規(guī)定了集成電路電磁發(fā)射測(cè)量的通用條件定義以及不同

,GB/T44937《》、

測(cè)量方法的試驗(yàn)程序和試驗(yàn)要求擬由個(gè)部分構(gòu)成

,9。

第部分通用條件和定義目的在于規(guī)定集成電路電磁發(fā)射測(cè)量的通用條件和定義

———1:。。

第部分通用條件和定義近場(chǎng)掃描數(shù)據(jù)交換格式目的在于規(guī)定近場(chǎng)掃描數(shù)據(jù)交換

———1-1:。

格式

。

第部分輻射發(fā)射測(cè)量小室和寬帶小室法目的在于規(guī)定小室和寬帶

———2:TEMTEM。TEM

小室法的試驗(yàn)程序和試驗(yàn)要求

TEM。

第部分輻射發(fā)射測(cè)量表面掃描法目的在于規(guī)定表面掃描法的試驗(yàn)程序和試驗(yàn)要求

———3:。。

第部分傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量直接耦合法目的在于規(guī)定直接耦合法的

———4:1Ω/150Ω。1Ω/150Ω

試驗(yàn)程序和試驗(yàn)要求

。

第部分傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量直接耦合法應(yīng)用指南目的在于給出直

———4-1:1Ω/150Ω。1Ω/150Ω

接耦合法應(yīng)用指導(dǎo)

。

第部分傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量工作臺(tái)法拉第籠法目的在于規(guī)定工作臺(tái)法拉第籠法的試驗(yàn)程序

———5:。

和試驗(yàn)要求

。

第部分傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量磁場(chǎng)探頭法目的在于規(guī)定磁場(chǎng)探頭法的試驗(yàn)程序和試驗(yàn)要求

———6:。。

第部分輻射發(fā)射測(cè)量帶狀線(xiàn)法目的在于規(guī)定帶狀線(xiàn)法的試驗(yàn)程序和試驗(yàn)要求

———8:IC。IC。

Ⅳ

GB/T449376—2025/IEC61967-62008

.:

集成電路電磁發(fā)射測(cè)量

第6部分傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量磁場(chǎng)探頭法

:

1范圍

本文件描述了使用微型磁場(chǎng)探頭以非接觸式的電流測(cè)量來(lái)評(píng)估集成電路引腳射頻電流

(IC)(RF)

的方法

。

該方法測(cè)量在頻率范圍內(nèi)產(chǎn)生的電流適用于標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)板上的單個(gè)或一

IC150kHz~1GHzRF,

組的測(cè)量以用來(lái)表征和對(duì)比的電流該方法也用于評(píng)估實(shí)際使用的印制電路板上

IC,ICRF。(PCB)

的單個(gè)或一組的電磁特性以減小發(fā)射該方法稱(chēng)為磁場(chǎng)探頭法

IC?！啊薄?/p>

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

集成電路電磁發(fā)射測(cè)量第部分通用條件和定義

IEC61967-1150kHz~1GHz1:

(Integratedcircuits—Measurementofelectromagneticemissions,150kHzto1GHz—Part1:General

conditionsanddefinitions)

注集成電路電磁發(fā)射測(cè)量第部分通用條件和定義

:GB/T44937.1—20251:(IEC61967-1:2018,IDT)

集成電路電磁發(fā)射測(cè)量第部分傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量直

IEC61967-4150kHz~1GHz4