1、0,VDMOS產(chǎn)品介紹,1,目錄,2,第一部分：MOSFET介紹,MOSFET：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 即金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管,3,第一部分：MOSFET介紹,MOSFET的分類：,VDMOS,P溝道增強型,P溝道耗盡型,N溝道增強型,N溝道耗盡型,4,第一部分：MOSFET介紹,MOSFET主要工作原理（以N溝道增強型為例）： 襯底材料為P型硅，源區(qū)和漏區(qū)均為N+區(qū)。在柵極電壓為零時，由于氧化層中正電荷的作用使半導體表面耗盡但未形成導電溝道。當在柵極加上正電壓是，表面有耗盡層變?yōu)榉葱蛯?，當Vgs=Vt（閾值電

2、壓）表面發(fā)生強反型，即形成n型溝道，則此時加在柵極上的電壓Vt即為MOS管的開啟電壓。在此時，如果在漏源之間加正電壓，電子就能夠從源極流向漏極，形成漏極向源極的電流。,5,第一部分：MOSFET介紹,MOSFET的特點：,雙邊對稱：電學性質(zhì)上，源漏極可以互換（VDMOS不可以） 單極性：參與導電的只有一種載流子，雙極器件是兩種載流子導電。 高輸入阻抗：由于存在柵氧化層，在柵和其它端點之間不存在直流通路，輸入阻抗非常高。 電壓控制：MOS場效應(yīng)管是電壓控制器件，雙極功率器件是電流控制器件。驅(qū)動簡單。 自隔離：MOS管具有很高的封裝密度，因為MOS晶體管之間能夠自動隔離。能廣泛用于并聯(lián)。 其它：溫

3、度穩(wěn)定性好,6,第一部分：MOSFET介紹,功率器件的特征：,7,第一部分：MOSFET介紹,功率器件的特征：,8,第一部分：MOSFET介紹,功率MOSFET的主要類型：,VDMOS（垂直雙擴散MOS） VVMOS（垂直V型槽MOS） UMOS（U型槽MOS） 其它如cool MOS等,9,第一部分：MOSFET介紹,功率MOSFET的主要類型：,VDMOS是大量重要特征結(jié)合的產(chǎn)物，包括垂直幾何結(jié)構(gòu)、雙擴散工藝、多晶硅柵結(jié)構(gòu)和單胞結(jié)構(gòu)等。,10,目錄,11,第二部分：MOSFET主要參數(shù),VDMOS主要參數(shù)：,12,第二部分：MOSFET主要參數(shù),VDMOS主要參數(shù)：,13,VDMOS主要參

4、數(shù)：,第二部分：MOSFET主要參數(shù),14,VDMOS主要參數(shù)：,第二部分：MOSFET主要參數(shù),15,VDMOS主要參數(shù)：,第二部分：MOSFET主要參數(shù),16,VDMOS主要參數(shù)（靜態(tài)參數(shù)）：,BVdss: 漏源擊穿電壓 (與三極管的cb電壓相似),Id: 連續(xù)漏極電流,Rds（on）：通態(tài)電阻，器件導通時，給定電流時的漏源電阻,gfs：跨導，漏極電流隨柵源電壓變化的比值（單位：S西門子）,Vgs(th)：閾值電壓，多晶下面的溝道出現(xiàn)強反型層并且在源極和 漏極之間形成導電溝道時的柵源電壓,第二部分：MOSFET主要參數(shù),17,VDMOS主要參數(shù)（開關(guān)參數(shù)）：,開關(guān)參數(shù),Td(on)：開啟延

5、遲時間,Tr：上升時間,Tf：下降時間,Td(off)：關(guān)閉延遲時間,Qg：柵極電荷,Ton：開通時間,Toff：關(guān)斷時間,第二部分：MOSFET主要參數(shù),18,VDMOS主要參數(shù)（原理圖）：,VDMOS的開關(guān)過程 a) 測試電路 b) 開關(guān)過程波形 up脈沖信號源， Rs信號源內(nèi)阻， RG柵極電阻，RL負載電阻，RF檢測漏極電流,第二部分：MOSFET主要參數(shù),19,Ciss: 輸入電容（Cgs+Cgd）,Coss:輸出電容（Cgd+Cds）,Crss：反向傳輸電容（Cgd）,第二部分：MOSFET主要參數(shù),VDMOS主要參數(shù)（動態(tài)參數(shù)）：,20,第二部分：MOSFET主要參數(shù),VDMOS主

6、要動態(tài)參數(shù)（原理圖）：,21,目錄,22,第三部分：VDMOS產(chǎn)品工藝流程,23,第三部分：VDMOS產(chǎn)品工藝流程,24,第三部分：VDMOS產(chǎn)品工藝流程,25,場氧化,J-FET注入,環(huán)光刻,分壓環(huán)制備,第三部分：VDMOS產(chǎn)品工藝流程,26,多晶淀積,多晶激活,柵氧制造和P-注入：,柵氧,P-注入,去膠,多晶光刻,第三部分：VDMOS產(chǎn)品工藝流程,27,P+注入,去膠,P+注入和阱推結(jié)：,P+光刻,P阱推結(jié),本圖及以后不再考慮終端,第三部分：VDMOS產(chǎn)品工藝流程,28,P阱推結(jié)后照片,第三部分：VDMOS產(chǎn)品工藝流程,29,N+注入,去膠,N+注入：,N+光刻,第三部分：VDMOS產(chǎn)品工

7、藝流程,30,PSG回流,接觸孔制備：,PSG淀積,接觸孔光刻,第三部分：VDMOS產(chǎn)品工藝流程,31,金屬光刻,正面電極制備：,金屬淀積,合金,第三部分：VDMOS產(chǎn)品工藝流程,32,鈍化層光刻,表面鈍化：,Si3N4淀積,第三部分：VDMOS產(chǎn)品工藝流程,33,背面蒸發(fā),背面金屬制備：,背面減薄,第三部分：VDMOS產(chǎn)品工藝流程,34,劃片,中測和劃片：,中測,第三部分：VDMOS產(chǎn)品工藝流程,35,管芯制造后照片,第三部分：VDMOS產(chǎn)品工藝流程,36,管芯制造后照片,第三部分：VDMOS產(chǎn)品工藝流程,37,第三部分：VDMOS產(chǎn)品工藝流程,38,目錄,39,第四部分： VDMOS產(chǎn)品應(yīng)

8、用領(lǐng)域和公司主要產(chǎn)品,40,產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域,第四部分： VDMOS產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域和公司主要產(chǎn)品,41,節(jié)能燈應(yīng)用,- 國內(nèi)主要是TR (13000-series) 主要競爭產(chǎn)品為 500V/1A、 500V/2A（ TO-92L 和 SOP-8封裝） - 20W- 40W 等主要是 500V/4.5A, 500V/4.5A ( I-PAK 和TO-220）,第四部分： VDMOS產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域和公司主要產(chǎn)品,42,適配器和充電器應(yīng)用,第四部分： VDMOS產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域和公司主要產(chǎn)品,43,DC-DC 轉(zhuǎn)換器 (筆記本、電腦、 HHP),第四部分： VDMOS產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域和公司主要產(chǎn)品,44,第四部分： VDMOS產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域和公司主要產(chǎn)品,45,VDMOS主要封裝形式：,第四部分： VDMOS產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域和公司主