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1、 通信原理課程設(shè)計(jì) 課程名稱:基于ADF4360-7的集成整形N合成器的壓控振蕩器指導(dǎo)老師: 專 業(yè): 班 級(jí): 姓 名: 學(xué) 號(hào): 摘要: ADF4360-7是一款整合了整形N合成器的壓控振蕩發(fā)生器(VCO)。ADF4360-7的中心頻率是由外部傳感器進(jìn)行設(shè)定的。其允許頻率范圍從350MHz到1800MHz。另外可以選擇使用2分頻,則用戶接受的射頻輸出信號(hào)頻率范圍在175MHz到900MHz。全部片內(nèi)寄存器都是由一個(gè)簡(jiǎn)單的3線接口來控制的。設(shè)備操作電壓范圍從3.0V到3.6V并且在不使用時(shí)可以隨時(shí)關(guān)閉。Abstract:The ADF4360-7 is an integrated integ
2、er-N synthesizer and voltage controlled oscillator (VCO). The ADF4360-7 center frequency is set by external inductors. This allows a frequency range of between 350 MHz to 1800 MHz. In addition, a divide-by-2 option is available, whereby the user receives an RF output of between 175 MHz and 900 MHz.
3、Control of all the on-chip registers is through a simple 3-wire interface. The device operates with a power supply ranging from 3.0 V to 3.6 V and can be powered down when not in use.關(guān)鍵詞:壓控振蕩器、合成器、頻率、結(jié)構(gòu)、功能Key words: VCO、synthesizer 、frequency、configuration、function目錄集成整形N合成器的壓控振蕩器5芯片特性5應(yīng)用范圍5技術(shù)規(guī)范6時(shí)序特
4、性7極限工作范圍8管腳結(jié)構(gòu)和功能描述9 典型工作特性11電路說明17 參考輸入部分17比例器17A,B計(jì)數(shù)器17R 計(jì)數(shù)器18PFD和CHARGE PUMP18MUXOUT和LOCK DETECT19輸入轉(zhuǎn)換寄存器20壓控振蕩器VCO 20鎖存器結(jié)構(gòu)23開機(jī)26控制寫入28N計(jì)數(shù)器寫入30R計(jì)數(shù)器寫入30ADF4360-7的應(yīng)用32外觀尺寸39集成整形N合成器的壓控振蕩器芯片特性:輸出頻率范圍:350MHz 到 1800MHz2分頻輸出電源 3.0V 到 3.6V邏輯兼容 1.8V*整形N合成器可編程雙模比例器 8/9,16/17可編程輸出電平三線接口邏輯鎖與數(shù)字鎖檢測(cè)硬件及軟件關(guān)閉模式應(yīng)用范
5、圍:手持無線通信(DECT, GSM, PCS, DCS, WCDMA)測(cè)試設(shè)備;無線局域網(wǎng);有線電視設(shè)備技術(shù)規(guī)范:AVDD = DVDD = VVCO = 3.3 V 10%; AGND = DGND = 0 V;TA = TMIN to TMAX表1參數(shù)B方案單位注釋輸入頻率輸入靈敏度輸入電容輸入電流10/2500.7/AVDD0 AVDD5.0100MHz min/maxV p-p min/maxV maxpF maxA maxf21 V/s直流電偶CMOS兼容鑒相器鑒相器頻率28MHz max充電泵耗盡層溝源極3最大電流最小電流Rest取值范圍漏泄電流ICP 3耗盡層與電流匹配ICP與
6、 VCP關(guān)系ICP與溫度關(guān)系2.50.3122.7/100.221.52mA mA knA % % % 最大RSET = 4.7 k1.25 V VCP 2.5 V1.25 V VCP 2.5 V邏輯輸入高壓輸入低壓輸入輸入電流IINH/IINL輸入電容Cin1.50.613.0V minV maxA maxpF max邏輯輸出VOH輸出為1電壓IOH輸出為1電流VOL輸出為0電壓DVDD 0.45000.4V minA maxV maxCMOS輸出選擇IOL = 500 A電源AVDDDVDDVVCOAIDD 4DIDD 4IVCO4,5IRFOUT 4睡眠狀態(tài)43.0/3.6AVDDAVD
7、D102.524.03.511.07V min/V maxmA mA mA mA A ICORE = 15 mA.射頻輸出級(jí)可編程射頻輸出特性5VCO輸出頻率VCO靈敏度鎖定時(shí)間6頻率推移(開環(huán))頻率牽引(開環(huán))第二諧波含量第三諧波含量輸出功率5,7輸出功率偏差VCO調(diào)諧范圍2050/245050400615193713/431.25/2.50MHz min/maxMHz/V sMHz/VkHz dBcdBcdBmdBV min/maxICORE = 15 mA內(nèi)部最終頻率10HZ在3分貝梯級(jí)鋸臺(tái)可編程,和諧負(fù)荷參見輸出功率匹配一節(jié)噪聲特性5合成器相位噪聲電平8合成器固有噪聲電平9頻帶內(nèi)的相位
8、噪聲10,11RMS集成相位誤差12PFD寄生信號(hào)11,13用MTLD信號(hào)做解鎖電平111133141147172163147850.5665/48dBc/HzdBc/HzdBc/HzdBc/HzdBc/HzdBc/HzdBc/HzdBc/Hz度dBc/ dB 100kHZ載波電流偏移量1MHZ載波電流偏移量3MHZ載波電流偏移量10MHZ載波電流偏移量PFD25kHZPFD200kHZPFD8MHZ1kHZ載波電流偏移量100HZ100kHZ1.工作溫度范圍 -40C to +85C2.設(shè)計(jì)保證符合樣值3.ICP內(nèi)部參數(shù)使整個(gè)頻率范圍保持環(huán)路增益不變 4.TA= 25C; AVDD = DV
9、DD = VVCO = 3.3 V;P = 325.這些特征是為了保證VCO核心電流=15mA6.變頻范圍1.45G1.75G,PFD頻率200kHZ,環(huán)路帶寬10kHz7.VVCO用50負(fù)載電阻8.VCO的噪聲在開環(huán)下測(cè)量9.合成器固有噪聲通過測(cè)量VCO帶內(nèi)的相位噪聲輸出功率減去20logN(N為對(duì)頻率的分頻值)10.相位噪聲符合EVAL-adf4360-xEB1和HP8562E頻譜分析儀, 頻譜分析儀用來測(cè)量合成器輸出, 偏移頻率=1kHz11.fREFIN=10 MHz;fPFD =200kHz;N=8000;環(huán)B/W=10kHz12.fREFIN=10 MHz;fPFD=1MHz;N=
10、1600;環(huán)B/W=25kHz13.寄生信號(hào)符合EVAL-adf4360-xEB1和HP8562E頻譜分析儀, 頻譜分析儀用來測(cè)量合成器輸出, fREFOUT = 10 MHz時(shí)序特性AVDD = DVDD = VVCO = 3.3 V 10%;AGND = DGND = 0 V;1.8 V and 3 V logic levels used; TA = TMIN to TMAX表2參數(shù)限制在TminTmax(B方案)單位試驗(yàn)條件/注釋t1t2t3t4t5t6t720101025251020ns minns minns minns minns minns min ns minLE建立時(shí)間數(shù)據(jù)時(shí)
11、鐘建立時(shí)間數(shù)據(jù)時(shí)鐘保持時(shí)間時(shí)鐘高電平持續(xù)時(shí)間時(shí)鐘低電平持續(xù)時(shí)間LE時(shí)鐘建立時(shí)間LE脈沖寬度圖2 時(shí)序特性表極限工作范圍TA = 25C,其它另做說明表3參數(shù)取值范圍AVDD GND1AVDD DVDDVVCO GNDVVCO AVDD數(shù)字I/O口與地電位差模擬I/O口與地電位差REFIN與地電位差工作溫度范圍CSP JA熱阻抗最高結(jié)溫發(fā)光二極管焊接溫度氣相(60S)紅外線(15S)0.3 V +3.9 V0.3 V +0。3 V0.3 V +3.9 V0.3 V +0.3V0.3V VDD+ 0.3 V0.3 V VDD + 0.3 V0.3 V VDD + 0.3 V150C50C/W88C
12、/W215C220CGND = AGND = DGND = 0 V. 當(dāng)芯片工作在高于以上所列的最大工作范圍時(shí)將可能造成設(shè)備的損壞。這只是強(qiáng)度的范圍;設(shè)備如需要工作在這些條件或其他高于所列條件下的情況沒有列出。長(zhǎng)時(shí)間處于最大范圍條件下工作會(huì)影響設(shè)備的可靠性。這種設(shè)備是一種帶有1kv ESD范圍的高性能射頻集成電路,并且是ESD敏感的。應(yīng)該采取適當(dāng)?shù)谋Wo(hù)措施來操作裝配。晶體管參數(shù)12543 (CMOS) and 700 (Bipolar) ESD注意ESD(靜電釋放) 敏感裝置。靜電荷在人體和測(cè)試裝置上積累到4000V并能毫無察覺的釋放。雖然這種產(chǎn)品提供特有的ESD保護(hù)電路,但設(shè)備可能會(huì)受高靜電
13、能釋放的影響而發(fā)生永久損壞。因此,適當(dāng)?shù)腅SD預(yù)防可以避免性能的衰減或功能性的損壞。管腳結(jié)構(gòu)和功能描述圖3 引腳結(jié)構(gòu)圖表4 各引腳說明及取值范圍引腳引腳名稱引腳功能1CPGND供電系統(tǒng)接地。是從地到供電系統(tǒng)的返回通通路。2AVDD壓控振蕩器的電源.范圍從3.0V到3.6V. 退耦電容器要那模擬接地平面應(yīng)該地方盡可能靠近這個(gè)管腳,且AVDD必須和DVDD.有一樣的值.3、8、11、12AGND模擬接地. 這是從地返回通路的預(yù)定標(biāo)器和壓控振蕩器。4RFOUTA壓控振蕩輸出.輸出級(jí)可從4 dBm到 13 dBm.輸出信號(hào)的匹配是為了符合各種程度的信號(hào)輸出.5RFOUTB壓控振蕩額外輸出. 輸出級(jí)可從
14、4 dBm到 13 dBm.輸出信號(hào)的匹配是為了符合各種程度的信號(hào)輸出.6VVCO壓控振蕩器的電源.范圍從3.0V到3.6V. 退耦電容器要那模擬接地平面應(yīng)該地方盡可能靠近這個(gè)管腳,且AVDD必須和DVDD.有一樣的值.7VTUNE壓控振蕩器的輸入控制端.這個(gè)電壓決定于輸出信號(hào)頻率和來源于濾波器的芯片輸出電壓.9L1一個(gè)外部感應(yīng)器到AGND必須連接到這個(gè)腳設(shè)置ADF4360-7的輸出功率。L1和L2需要同樣的值。因?yàn)楦袘?yīng)系數(shù)大于3.3nH,需要在AGND并聯(lián)一個(gè)470的電阻。10L212CC內(nèi)部補(bǔ)償腳. 這個(gè)管腳必須同接地的10nF電容器斷開13RSET在此腳和CPGND之間聯(lián)接一電阻.為當(dāng)前
15、合成器輸出一電流.額定電壓的電位在RSET端是0.6V它是跟ICP和 RSET有關(guān). ICPMAX=11.75/RSET 注: ICPMAX=2.5mA. RSET=4.7 k14CN內(nèi)部補(bǔ)償腳.這個(gè)腳必須用一個(gè)10uF的電容與VVCO隔開.15DGND數(shù)字接地.16REFIN基準(zhǔn)輸入端. 這是一個(gè)輸入電壓值小于VDD/2直流電,輸入電阻為100 k的CMOS輸入端.參考圖10.這個(gè)引腳.能夠從TTL或CMOS晶體振蕩器中得到激勵(lì)源.17CLK串行時(shí)鐘輸入端. 這些時(shí)鐘脈沖,被用于寄存器的數(shù)字時(shí)鐘脈沖。在脈沖的上長(zhǎng)升沿把數(shù)字信號(hào)送入到24位左移寄存器.這個(gè)輸入是CMOS晶體管的高阻輸入端.18
16、DATA串行數(shù)據(jù)輸入端. 這些數(shù)據(jù)對(duì)兩塊LSB的有效控制位來說是MSB的第一負(fù)載. 這個(gè)輸入是CMOS晶體管的高阻輸入端.19LE使能端.當(dāng)使能端為高電平時(shí),CMOS輸入信號(hào).這些輸入的數(shù)據(jù)鎖存在左移寄存器的四個(gè)計(jì)數(shù)器中的一個(gè)里.相應(yīng)的鎖存器選擇相應(yīng)的控制位.20MUXOUT多路調(diào)制器輸出端允許檢測(cè)從外部輸入的射頻頻率,或者基準(zhǔn)頻率。21DVDD數(shù)字電源。范圍從3.0 V 到 3.6 V. 退耦電容器到數(shù)字地的接點(diǎn)盡可能靠近這個(gè)管腳。DVDD 必須和AVDD.有一樣的值。23CE芯片使能端。使芯片斷電的低電平,能使電路進(jìn)入三態(tài)模式.想使此腳成高電平,可以使此腳斷電懸空。24CP電流輸出端。當(dāng)啟
17、動(dòng)時(shí),加一個(gè)Icp到外部環(huán)路波器中,依次驅(qū)動(dòng)內(nèi)部的壓控振蕩器。典型工作特性圖4 VCO開環(huán)相位噪聲,L1,L2=13nH圖5 VCO相位噪聲,500MHz,200kHzPFD,環(huán)路帶寬10kHz圖 6 VCO相位噪聲,250MHz,允許2分頻,200kHzPFD,環(huán)路帶寬10kHz圖 7 閉環(huán)相位噪聲500MHz(信道間隔200kHz)圖 8 參考分支500 MHz(信道間隔200kHz,環(huán)路帶寬10kHz)圖 9 參考分支500MHz(信道間隔1MHz,環(huán)路帶寬25kHz)圖 10 VCO開環(huán)相位噪聲,L1,L2=1.0nH圖 11 VCO相位噪聲,1250MHz,200kHzPFD,環(huán)路帶
18、寬10kHz圖 12 VCO相位噪聲,625MHz,允許2分頻,200kHzPFD,環(huán)路帶寬10kHz圖 13 閉環(huán)相位噪聲1250MHz(信道間隔200kHz)圖 14 參考分支1250 MHz(信道間隔200kHz,環(huán)路帶寬10kHz)圖 15 參考分支1250MHz(信道間隔1MHz,環(huán)路帶寬25kHz)電路說明參考輸入部分參考輸入部分在圖16中給出。SW1和SW2是常閉開關(guān)。SW3是常開開關(guān)。當(dāng)電源給電,SW3閉合,SW1和SW2打開。這樣可以保證REFIN管腳斷開。圖 16 參考輸入級(jí)比例器(P/P+1)雙模比例器(P/P+1),在計(jì)數(shù)器A,B的輸入下,允許有較大分頻比例N(N=BP
19、+A)。雙模比例器工作在CML水平,從VCO口獲得時(shí)鐘并分割為可用頻率給A和B計(jì)數(shù)器使用。比例器為可編程的。它基于一個(gè)同步4/5核心并可以用軟件設(shè)定工作在8/9或16/17比例下。盡管可以編程得到32/33的比例但在這里是不可用的。當(dāng)接近于輸出頻率時(shí)會(huì)得到一個(gè)最小比例值;這個(gè)最小值取決于比例系數(shù)P,并由(P方-P)給出。A,B計(jì)數(shù)器A,B CMOS型計(jì)數(shù)器和雙模比例器共同完成了較大分配比例的相同步邏輯反饋計(jì)數(shù)。計(jì)數(shù)器在比例器輸出=10ms的間隔。如果需要更小的延遲,那么電容的容值可進(jìn)一步減小。在這種使用條件下有可能產(chǎn)生一個(gè)微小的相位噪聲,在表10中將給出更為詳盡的描述。表 10 電容CN與延遲
20、和相位噪聲的關(guān)系CN閉環(huán)控制與N計(jì)數(shù)器之間的延遲開環(huán)相位噪聲10kHz的偏移量(L1和L2=1.0nF)開環(huán)相位噪聲10kHz的偏移量(L1和L2=13.0nF)10F440nF10ms600s-90dbc-88dbc-99dbc-97dbc圖 22 ADF4360-7開機(jī)時(shí)序圖硬件開機(jī)/關(guān)機(jī)如果ADF4360-4通過硬件斷電(使用CE腳)和供電到N位計(jì)數(shù)器斷電期間都不會(huì)有任何改變。鎖存時(shí)間在一固定頻段。這個(gè)鎖存時(shí)間根據(jù)這個(gè)CN端的電容值來定,10uF的電容的鎖定時(shí)間小于5mS。使能端440nF的電容鎖存時(shí)間小于660uS。軟件開機(jī)/關(guān)機(jī)當(dāng)這一部分被斷電時(shí),N位計(jì)數(shù)器的值不能改變。因?yàn)樵谒╇?/p>
21、時(shí)不能鎖定在一固定的頻段里如果是這樣的話。對(duì)于R計(jì)數(shù)器在供電后的正確的脈沖序列由鎖存器和N位計(jì)數(shù)器控制。對(duì)于鎖存器和N位計(jì)數(shù)器之間的時(shí)間間隔,由最初的電源脈沖決定??刂茖懭氘?dāng)(C2,C1)=(0,0)時(shí)控制寫入被編程,表7對(duì)編程控制模塊輸入數(shù)據(jù)格式進(jìn)行了說明。比例值在ADF4360系列中,控制寫入中的P2與P1決定了比例值。關(guān)閉DB21和DB20提供了通過編程的關(guān)閉模式。在編程控制的異步關(guān)機(jī)中,設(shè)備將在PD1位置1并且PD2位置0后立刻關(guān)閉。并且在這種關(guān)閉條件下,設(shè)備的關(guān)閉被充電激勵(lì)電路所限制來以防產(chǎn)生頻率跳變。當(dāng)項(xiàng)PD1位寫入1時(shí)關(guān)閉被準(zhǔn)許,設(shè)備將在R計(jì)數(shù)器輸出的第2個(gè)上升沿進(jìn)入關(guān)閉過程,再
22、此之后LE將成為高電平。當(dāng)CE腳為低電平時(shí),設(shè)備將立即忽略PD1和PD2的電平。當(dāng)關(guān)閉被激活時(shí),操作按以下順序發(fā)生:1、所有活動(dòng)的直流通路被移去2、R,N和時(shí)鐘輸出計(jì)數(shù)器被強(qiáng)制設(shè)定在讀狀態(tài)3、充電激勵(lì)電路被強(qiáng)制設(shè)定為第三種狀態(tài)4、數(shù)字鎖定檢測(cè)被復(fù)位5、RF輸出將變?yōu)楦咦钁B(tài)6、參考輸入緩沖電路禁用7、輸入寄存器保持工作,并可進(jìn)行讀取或?qū)懭霐?shù)據(jù)充電激勵(lì)電路電流CPI3,CPI2,CPI1決定電流設(shè)定1CPI6,CPI5,CPI4決定電流設(shè)定2真值表在表7中給出。輸出電平PL1位和PL2位設(shè)定了VCO的輸出點(diǎn)評(píng)。真值表在表7中給出。復(fù)合鎖定檢測(cè)控制寫入的DB11是復(fù)合鎖定檢測(cè)位。當(dāng)這個(gè)功能被允許使用
23、后,保證RF輸出只能在PLL被鎖定的狀態(tài)下才能變化。CP的獲得DB10是控制寫入中的充電激勵(lì)獲得位。當(dāng)它被程序設(shè)定為1時(shí),使用電流設(shè)定2。當(dāng)它被程序設(shè)定為0時(shí),則使用電流設(shè)定1。充電激勵(lì)第三態(tài)這一位被置1時(shí)將充電激勵(lì)設(shè)定為第三態(tài)。當(dāng)置0時(shí)為正常操作。相位檢測(cè)器極性ADF4360系列中PDP位用來表示相位檢測(cè)器極性。當(dāng)它被程序置1時(shí)使用片上VCO的被動(dòng)循環(huán)濾波器或使用一個(gè)主動(dòng)放大式濾波器。這一位也可以被置0,則代表需要使用一個(gè)主動(dòng)間隔循環(huán)濾波器。MUXOUT控制片上多路復(fù)用器由M3,M2和M1控制。其真值表為表7所示。計(jì)數(shù)器復(fù)位DB4位是用作計(jì)數(shù)器復(fù)位的。當(dāng)其置1時(shí),計(jì)數(shù)器R,A,B都將被復(fù)位。
24、在正常操作時(shí),該位置0。核心電平PC1和PC2時(shí)用來設(shè)定VCO核心電平的。建議設(shè)定值為5mA??蓞⒖颊嬷当?N計(jì)數(shù)器寫入表8提供了N計(jì)數(shù)器寫入時(shí)的輸入數(shù)據(jù)格式A計(jì)數(shù)器寫入A5到A1定義5位A計(jì)數(shù)器。其使用范圍為0(00000)到31(11111)保留位DB7是一個(gè)保留位,應(yīng)當(dāng)在程序中置0B計(jì)數(shù)器寫入B13到B1定義了B計(jì)數(shù)器。其使用范圍為3到8191全部分頻范圍全部分頻范圍由公式(P*B)+A)定義,P位比例系數(shù)值CP的獲得DB21是N計(jì)數(shù)器寫入中的充電激勵(lì)獲得位。當(dāng)它被程序設(shè)定為1時(shí),使用電流設(shè)定2。當(dāng)它被程序設(shè)定為0時(shí),則使用電流設(shè)定1。這一位也可通過控制寫入的DB10來確定。無論是在操作
25、寫入或是N計(jì)數(shù)器寫入時(shí),位的操作值總是以最后一次寫入為準(zhǔn)。2分頻DB22是2分頻位。當(dāng)被設(shè)定為1時(shí),2分頻功能被選中。當(dāng)設(shè)定為0時(shí),則為正常操作。2分頻選擇DB23是2分頻選擇位。當(dāng)被置1時(shí),2分頻輸出將作為比例輸入。當(dāng)被置0時(shí),則用作基本的比例輸入。舉例來說,使用2分頻特性并且PFD頻率為200KHz, 用戶需要N=5000以獲得500MHz頻率。當(dāng)2分頻選擇位置高時(shí),用戶需保持N=2500。R計(jì)數(shù)器寫入當(dāng)(C2,C1)=(0,1)時(shí)R計(jì)數(shù)寫入被編程。表格9表示了在進(jìn)行R計(jì)數(shù)器寫入時(shí)的輸入數(shù)據(jù)格式。R計(jì)數(shù)器R1到R14定義分頻比,其范圍是從1到16383反饋脈沖寬度DB16和DB17定義了反
26、饋脈沖寬度鎖定檢測(cè)精確度DB18位鎖定檢測(cè)精確度定義位。這一位設(shè)定了鎖定狀態(tài)下參考周期中小于15ns相位錯(cuò)誤的個(gè)數(shù)。當(dāng)LDP置1時(shí),將使用5個(gè)周期;當(dāng)LDP置0時(shí),將使用3個(gè)周期。測(cè)試模式位DB19位測(cè)試模式位并且應(yīng)當(dāng)被置0。當(dāng)TMB=0時(shí),測(cè)試模式內(nèi)容將被正常操作所忽略。注意:測(cè)試模式是用作出廠檢測(cè)的所以用戶不能自行定義。頻帶設(shè)定時(shí)鐘這些位設(shè)定了頻帶選擇邏輯所使用的時(shí)鐘輸入。R計(jì)數(shù)器的值為默認(rèn)的時(shí)鐘輸入,但是當(dāng)其值過高時(shí),分頻器能夠轉(zhuǎn)換R計(jì)數(shù)器輸出為較小值,參見表9。保留位DB23和DB22是保留位,應(yīng)當(dāng)被程序置0。ADF4360-7頻率合成器的應(yīng)用頻率發(fā)生器寬頻帶AD43607,外加在芯片
27、內(nèi)的分配器,可以實(shí)現(xiàn)理想的通用時(shí)鐘發(fā)生器或本地振蕩信號(hào)。時(shí)鐘發(fā)生器要實(shí)現(xiàn)調(diào)頻帶,必須使用一外部的分配器。ADF4007包含一可編程的除法器,允許的標(biāo)比度為8,16,32和64。這個(gè)下分裂信號(hào)來自于ADF4007的多路復(fù)用器輸出腳??梢怨┙oADF4007的最小頻率為500MHz。因此,2.2nH感應(yīng)器用來設(shè)置1GHz的基本振蕩頻率,變動(dòng)范圍為950MHz到1100MHz。這個(gè)允許頻率最低8MHz到最高137MHz將產(chǎn)生獨(dú)立系統(tǒng),用圖23的電路表示出來。ADF43607正常產(chǎn)生頻率為1024MHz,ADF4007則需要除以8。供應(yīng)的頻道間隔為100kHz,一PDF頻率的800kHz用作ADF436
28、07的鎖相環(huán)。環(huán)路的帶寬為20kHz。圖23表示的系統(tǒng)的輸出范圍大約為120MHz到135MHz。輸出階段的噪聲-104dBc,偏移量1kHz。使用不同的感應(yīng)器允許值的ADF43607用于綜合處理任何不同頻率范圍的過壓操作(235MHz到1800MHz)。圖23,頻率發(fā)生器ADF43607能用于在許多不同頻率簡(jiǎn)單的選擇外部感應(yīng)器給出正確的輸出頻率。圖24表示外部感應(yīng)器的最小值和最大值。正確的感應(yīng)器將包含想得到的最小值和最大值。感應(yīng)器將使用0402CS的工藝。為了減少互耦,感應(yīng)器將放置成對(duì)應(yīng)的直角。如圖24所示,最低的感應(yīng)值為1.0nH,中心頻率大約為1300MHz。因?yàn)楦袘?yīng)系數(shù)少于2.4nH,
29、將會(huì)用到一印刷電路板軌跡跡線,一短路。最低中心振蕩頻率大約為350MHz,用30nH的感應(yīng)器達(dá)到。這個(gè)表達(dá)關(guān)系式為:圖24-輸出中心頻率,外部感應(yīng)系數(shù)。Fo是中心頻率,LEXT是外部電感。圖25表示調(diào)諧靈敏度(in MHz/V)和感應(yīng)系數(shù)(nH)的關(guān)系VCO的中心帶電容近似值為6.2pF,內(nèi)電感系數(shù)近似值0.9nH。VCO的靈敏度的頻率變化尺度和調(diào)諧電壓,是低通濾波器的重要參數(shù)。圖25表示調(diào)諧靈敏度(in MHz/V)和感應(yīng)系數(shù)(nH)的關(guān)系。由圖可知,隨著感應(yīng)系數(shù)的增加,靈敏度就開始下降。這個(gè)關(guān)系來自于上面的關(guān)系式。因?yàn)楦袘?yīng)系數(shù)的增加,變?nèi)荻O管電容的變化較少的影響到了頻率。固定頻率LO圖2
30、6表示ASF4360-7的固定頻率LO為500MHz。低通濾波器用ADIsimPLL設(shè)計(jì),頻率間隔為8MHz,開環(huán)帶寬為30kHz。ADF4360-7的最大PFD頻率為8MHz。因?yàn)槭褂米畲驪FD頻率允許通過一個(gè)小的N分頻,是頻帶內(nèi)的相位噪聲盡可能降低,-109 dBc/Hz。LO典型的殘差均方相位噪聲(100 Hz to 100 kHz)結(jié)構(gòu)是0.3。Fox的基準(zhǔn)頻率來自于16 MHz TCXO;因而,是一個(gè)R值為2的程序??紤]到高PFD頻率和它對(duì)波段邏輯選擇的影響,使帶內(nèi)時(shí)鐘分配器啟動(dòng)。既然如此,選擇8的特征值。一個(gè)非常簡(jiǎn)單的上電阻和隔直電容器組成RF輸出級(jí)。圖 26 固定頻率LO分界面A
31、DF4360系列有一個(gè)簡(jiǎn)單的SPI,兼容的串行接口分界面寫入裝置。CLK,DATA和LE控制數(shù)據(jù)的傳送。當(dāng)LE高電平是,24位的時(shí)鐘適當(dāng)?shù)募拇嫔仙谻LK轉(zhuǎn)為閉鎖。圖-2為時(shí)間矢量圖,表5位真值表。最大允許的連續(xù)的時(shí)鐘頻率是20MHz。這意味著最大更新速度可能是833kHz或者是一個(gè)更新每次1.2 s.。這當(dāng)然更加適用于閉鎖時(shí)間好幾百微秒的系統(tǒng)。ADuC812 Interface圖27表示界面是ADF4360系列和AduC812MicroConverter。因?yàn)锳duC812是以8051芯片為基礎(chǔ),這個(gè)結(jié)構(gòu)能同任何8051構(gòu)成微型控制器。MicroConverter以SPI為主要模式CPHA=
32、0。開始運(yùn)轉(zhuǎn),I/O端口控制LE下降。ADF4360系列的每個(gè)閉鎖需要24位字節(jié),MicroConverter裝置由3個(gè)8位字節(jié)完成。在第三字節(jié)后開始寫,LE輸出將上升以完成轉(zhuǎn)換。圖 27 ADuC812 to ADF4360-x InterfaceI/O端口線路在AduC812上同樣用來控制斷電(CE輸入)和探測(cè)鎖。當(dāng)這種模式開始運(yùn)行時(shí),AduC812的最大時(shí)鐘頻率為4MHz。這就意味著輸出頻率的最大值變?yōu)?66kHz。ADSP-2181 Interface圖28表示ADF4360系列和ADSP-21xx數(shù)字信號(hào)處理器的界面。ADF4360系列需要一24位連續(xù)字閉鎖寫出。最簡(jiǎn)單的方式是用AD
33、SP-21xx系列自動(dòng)數(shù)字處理系統(tǒng)的autobuffered傳送模式完成。設(shè)置字長(zhǎng)為8位,用3個(gè)存儲(chǔ)單元共24位字節(jié)。24位閉鎖程序,儲(chǔ)存8位字節(jié),使得autobuffered模式啟動(dòng),通過寄存器傳送給DSP。最后由autobuffered開始傳送。圖 28 ADSP-21xx to ADF4360-x InterfacePCB的設(shè)計(jì)和芯片封裝芯片封裝比例(CP-24)長(zhǎng)方形。印刷電路板的封裝導(dǎo)線長(zhǎng)度為0.1mm,寬為0.05mm。導(dǎo)線必須居中保證焊接的最佳化。芯片的底部按比例封裝散熱片。印刷電路板必須大于板上的散熱片。在印制板上,散熱片與墊片內(nèi)緣之間必須有0.25mm的間隔以避免短路。散熱系統(tǒng)中的散熱片能夠改善印制板的封裝性能。如果使用散熱系統(tǒng),必須將散熱片上的變節(jié)距柵極合成一體。導(dǎo)線直徑在0.3mm到0.33mm之間,將會(huì)鍍上1盎司的銅在接口。用戶
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